章晶體二極管節(jié)講稿

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11電子線路（線性部分）河北工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)系授課教師：田漢民

Cellphone:主編：謝嘉奎2023/12/31河北工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院21.2.2

PN結(jié)的伏安特性一、正向特性P+N內(nèi)建電場(chǎng)El0+-VPN結(jié)正偏阻擋層變薄內(nèi)建電場(chǎng)減弱多子擴(kuò)散>>少子漂移多子擴(kuò)散形成較大的正向電流IPN結(jié)導(dǎo)通I電壓V

電流I

第1章晶體二極管3二、反向特性P+N內(nèi)建電場(chǎng)

El0-+VPN結(jié)反偏阻擋層變寬內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)少子漂移>>多子擴(kuò)散少子漂移形成微小的反向電流IRPN結(jié)截止IRIR與V近似無(wú)關(guān)。溫度T

電流IR

結(jié)論：PN結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦?。?章晶體二極管IR

在某一溫度下，達(dá)到最大值IS4PN結(jié)——伏安特性方程式PN結(jié)正、反向特性，可用理想的指數(shù)函數(shù)來(lái)描述：

IS為反向飽和電流,其值與外加電壓近似無(wú)關(guān)，但受溫度影響很大。正偏時(shí)：反偏時(shí)：第1章晶體二極管由得5PN結(jié)電容PN結(jié)反偏時(shí)，CT>>CD，則Cj

（注意說(shuō)明一下：CT反偏時(shí)比正偏要減小一些，但是CD減小的更快，所以，反偏時(shí)主要以CT為主）PN結(jié)總電容：Cj=CT+CDPN結(jié)正偏時(shí)，CD>>CT，則Cj≈CD

（注意說(shuō)明一下：CT正偏時(shí)比反偏要增大一些，但是CD增大的更快，所以，正偏時(shí)主要以CD為主）故：PN結(jié)正偏時(shí)，以CD

為主。故：PN結(jié)反偏時(shí)，以CT

為主。通常：CD

幾十pF~幾千pF。通常：CT

幾pF~幾十pF。第1章晶

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