氧化鎵材料生長與陣列探測器研究近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。期間，“平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用”上，南京郵電大學(xué)張茂林帶來了“氧化鎵材料生長與陣列探測器研究”的主題報告，其研究主要方向為重點(diǎn)開展寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵(Ga2O3)晶體的制備與器件物理方面的研究；優(yōu)化晶體質(zhì)量，趕超國際水平，發(fā)展相關(guān)器件的系統(tǒng)應(yīng)用。報告分享了薄膜CVD生長以及陣列探測器與應(yīng)用的研究進(jìn)展與成果。詳細(xì)介紹了氧化鎵晶體薄膜MOCVD生長/襯底制備，LSPR增強(qiáng)Pt/Ga2O3復(fù)合薄膜光響應(yīng)，PECVD生長Ga2O3薄膜，Mist-CVD生長α相Ga2O3薄膜，Ga2O3基日盲紫外探測陣列器件（4×4），16單元Ga2O3矩形陣列，晶圓Ga2O3陣列探測器的紫外成像，晶圓Ga2O3陣列探測器的紫外通訊，自供電Ga2O3基肖特基光電二極管陣列等研究內(nèi)容。研究基于現(xiàn)有設(shè)備技術(shù)改進(jìn)PECVD、Mist-CVD生長Ga2O3薄膜；利用LSPR增強(qiáng)Pt/Ga2O3復(fù)合薄膜光響應(yīng)，提高了探測器性能；不斷擴(kuò)大Ga2O3陣列探測器規(guī)模，分別對MSM結(jié)構(gòu)陣列和肖特基陣列展開了研究；從紫外成像和通訊方面出發(fā)，拓展了Ga2O3陣列探測器應(yīng)用范圍。據(jù)介紹，南郵氧化鎵半導(dǎo)體創(chuàng)新中心(IC-GAO)科研團(tuán)隊，2014年實現(xiàn)Ga2O3外延生長，研制第一支GAO基日盲紫外探測器原型器件，發(fā)表第1篇學(xué)術(shù)論文。2016年Ga2O3已經(jīng)成為北郵活躍的科研主題之一。2017年獲得2英寸高質(zhì)量外延，研制出第一只日盲紫外探測陣列器件，成為氧化鎵領(lǐng)域的最活躍的研究組，成立北京鎵族科技有限公司邁上產(chǎn)業(yè)化實踐之路。

2018年承擔(dān)北京市科委重點(diǎn)研發(fā)計劃，突破3英寸晶體和外延技術(shù)。突破2-4英寸單晶生長和外延技術(shù)。小批量供應(yīng)2英寸單晶襯底及外延片。實現(xiàn)16×1