中興設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)部電路設(shè)計(jì)規(guī)范_第1頁(yè)
中興設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)部電路設(shè)計(jì)規(guī)范_第2頁(yè)
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CDMA事業(yè)部設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)部電路設(shè)計(jì)規(guī)范修訂日期:2023年11月版本變更闡明版本號(hào)變更日期備注《SchematicChecklist》草稿設(shè)計(jì)規(guī)范文檔。本文檔規(guī)定和推薦了CDMA設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)《規(guī)范》總體上由檢查條目、詳細(xì)闡明、附錄3部分《規(guī)范》只能涵蓋硬件原理圖設(shè)計(jì)中已知的常見(jiàn)問(wèn)變更庫(kù)中提文檔故障,選擇3G硬件平臺(tái)),跟蹤處理。1.原理圖制圖規(guī)范…………………2.電路設(shè)計(jì)…………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。2.1通用規(guī)定…………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。2.2邏輯器件應(yīng)用……………錯(cuò)誤2.3時(shí)鐘設(shè)計(jì)…………………錯(cuò)誤2.4保護(hù)器件應(yīng)用……………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。2.5可編程邏輯器件…………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。2.6電源設(shè)計(jì)…………………錯(cuò)誤!2.7其他應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)……………錯(cuò)誤3.可靠性設(shè)計(jì)………………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。5.系統(tǒng)有關(guān)設(shè)計(jì)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。6.可生產(chǎn)性設(shè)計(jì)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.可測(cè)試性設(shè)計(jì)………………7.2測(cè)試點(diǎn)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.3電路可測(cè)試性……………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.4系統(tǒng)可測(cè)試性……………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。1.原理圖制圖規(guī)范…………………錯(cuò)2.電路設(shè)計(jì)……………………2.1通用規(guī)定…………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。2.2邏輯器件應(yīng)用……………錯(cuò)誤2.4保護(hù)器件應(yīng)用……………錯(cuò)誤2.5可編程邏輯器……2.6電源設(shè)計(jì)…………………錯(cuò)誤2.7其他應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)……………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。3.可靠性設(shè)計(jì)………………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。5.系統(tǒng)有關(guān)設(shè)計(jì)……………………6.可生產(chǎn)性設(shè)計(jì)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.可測(cè)試性設(shè)計(jì)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.2測(cè)試點(diǎn)……………………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。7.3電路可測(cè)試性……………錯(cuò)誤!7.4系統(tǒng)可測(cè)試性……………錯(cuò)誤!附錄1部門(mén)有關(guān)資源列表……………錯(cuò)誤!未定義書(shū)簽。編后記…………第一部分檢查條目1原理圖必須采用企業(yè)統(tǒng)一原理圖庫(kù)。234原理圖封面字體應(yīng)調(diào)整到與欄目字體基本等大(提議使用180mil字體5原理圖首頁(yè)放置ZTE_Cover_A4做為封面,不加圖框。6有在元器件符號(hào)很大,無(wú)法在圖框中擺放的狀況下方可以選用ZT圖框。7原理圖首頁(yè)封面Checked,Normalized和Approved三項(xiàng)不填寫(xiě),其他條目需89除封面頁(yè),每一頁(yè)左下角應(yīng)當(dāng)采用環(huán)境變量注明修改日期;除封面和目錄頁(yè)原理圖必須簽名。多人設(shè)計(jì)原理圖應(yīng)在對(duì)應(yīng)頁(yè)板負(fù)責(zé)人姓名。簽名采用漢語(yǔ)拼音,大寫(xiě)字母,姓在前文空格符隔開(kāi)。對(duì)于改版、借鑒的原理圖,簽訂最終一次修改者的姓名并由其對(duì)原理圖質(zhì)量負(fù)責(zé)。放置一種Standard庫(kù)中的ZTE_frameA4plus圖框,以顧寫(xiě)所有內(nèi)容,包括闡明、日期等信息,其他頁(yè)度,并使各頁(yè)保持一致。目錄頁(yè)放置2個(gè)Contents框,左側(cè)為目錄,右側(cè)為模塊調(diào)用狀況。兩框應(yīng)水平方向應(yīng)對(duì)齊。假如原理圖頁(yè)數(shù)較多,目錄頁(yè)只寫(xiě)目錄,塊調(diào)用狀況。原理圖各頁(yè)內(nèi)容依次為:封面、目錄、電源、時(shí)鐘、CPU、存儲(chǔ)器、邏輯、背板(母板)接口等。原理圖上所有的文字方向應(yīng)當(dāng)統(tǒng)一,文字的上方應(yīng)當(dāng)朝向原理圖的上方原理圖上的多種標(biāo)注應(yīng)清晰,不容許文字重交叉標(biāo)注另行規(guī)定并增長(zhǎng)闡明;多種器件的去耦電容共用一頁(yè)圖紙時(shí),應(yīng)標(biāo)注去耦電容是為哪個(gè)器件放置;全局去耦(旁路)電容可以在電源部分或僅和芯片有關(guān)的上拉或下拉電阻等器件,提議放置在芯片附近。電阻(電阻網(wǎng)絡(luò)除外)、電容(電容網(wǎng)絡(luò)除外)、電感的管腳標(biāo)注,器件的path信息等不必要信息不要顯示。元器件的位號(hào)要顯示在該元件的附近位置,不應(yīng)引起歧芯片的型號(hào)和管腳標(biāo)注,精密電阻、大功率電阻、極性電容、高耐壓電容、應(yīng)標(biāo)示型號(hào)或顏色。差分信號(hào)規(guī)定使用“+/-”符號(hào),“+/-”可以在網(wǎng)絡(luò)名的中間或末尾。無(wú)特殊規(guī)定(例如系統(tǒng)方案命名需求)差分信號(hào)以“+/-”結(jié)尾。E1信號(hào)線(xiàn)采用TIP來(lái)表達(dá)同軸電纜芯線(xiàn)(雙絞線(xiàn)的+),用RIN電纜屏蔽層(雙絞線(xiàn)的-)。有確定含義的低電平有效信號(hào)采用*或者_(dá)N(引入邏輯的尾?!坝写_定含義”包括但不限于如下信號(hào):片選,讀寫(xiě),控制,使所有的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)要有網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào),以CLK字符結(jié)尾,以便于SI線(xiàn)和檢查;非時(shí)鐘信號(hào)嚴(yán)禁以CLK等時(shí)鐘信號(hào)命名后綴結(jié)尾。時(shí)鐘信號(hào)命名應(yīng)體現(xiàn)出時(shí)鐘頻率信息。采用串聯(lián)端接的信號(hào)(包括時(shí)鐘),串阻在原理圖上應(yīng)就近放置于驅(qū)動(dòng)器的輸出端。串阻和驅(qū)動(dòng)器之間不放置網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào),串阻后的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行命名(時(shí)鐘信所有單板內(nèi)部電源網(wǎng)絡(luò)的命名都必須采用“VCC”開(kāi)頭,單板接口電源的定在PCB布線(xiàn)時(shí)有特殊規(guī)定的網(wǎng)絡(luò)要定義網(wǎng)絡(luò)名,推薦在原理圖上注明規(guī)確認(rèn)多種部分構(gòu)成的器件原理圖庫(kù),在打包過(guò)程中位號(hào)對(duì)的,沒(méi)有出現(xiàn)錯(cuò)位等現(xiàn)象。不推薦使用“Location”硬屬性處理位號(hào)錯(cuò)位問(wèn)使用Alias連接的網(wǎng)絡(luò),必須使用網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)的方式(wire)進(jìn)行連接。嚴(yán)禁使用SIZE屬性放置多種器件,例如測(cè)試點(diǎn)、去耦電容、光學(xué)定位點(diǎn)offpage/offpg符號(hào)的調(diào)用,應(yīng)根據(jù)信號(hào)流向采用對(duì)的的行翻轉(zhuǎn)、鏡像后使用。Offpage/offpg符號(hào)和交叉標(biāo)注文字應(yīng)盡量對(duì)齊。器件管腳上的引線(xiàn),應(yīng)引出后再分叉,不得直接在器件管腳上分兼容設(shè)計(jì)、料單可配置部分、調(diào)試用最終不安裝部原理圖中的實(shí)現(xiàn)與設(shè)計(jì)闡明中的描述一致。信號(hào)的命名應(yīng)故意義。邏輯芯片管腳命名與設(shè)計(jì)闡明、邏輯設(shè)計(jì)闡明文檔一致。提議信號(hào)命名盡量和故意義的芯片管腳命名一致。采用Cadence提供的工具對(duì)原理圖和PCB的網(wǎng)表一致性進(jìn)行檢查。原理圖打印為PDF文獻(xiàn)時(shí),推薦使用Arial字體。模塊電路內(nèi)部位號(hào)嚴(yán)禁使用硬屬性。模塊電路使用Standard庫(kù)中的inport,outport和ioport和頂層相連。模塊電路設(shè)計(jì)其他規(guī)范待添加1單板網(wǎng)絡(luò)的連接必須對(duì)的無(wú)誤。(個(gè)人自查)23PECL到LVPECL的接口使用交流耦合(直流平衡狀況)或3電阻端接。采用交流耦合作熱拔插時(shí)需注意防止因電容積累電荷放電導(dǎo)4單板熱拔插對(duì)外接口器件選型必須可以滿(mǎn)足熱拔插規(guī)定。5熱拔插接口設(shè)計(jì),選用的器件內(nèi)部不容許有從端口對(duì)電源的二極管鉗位保護(hù)6在不一樣電平接口時(shí)運(yùn)用鉗位二極管實(shí)現(xiàn)接口,需要考慮限制電流。78理解CMOS器件的閂鎖現(xiàn)象,選用不易發(fā)生閂鎖的器件。9器件工作速率符合設(shè)計(jì)規(guī)定。在滿(mǎn)足系統(tǒng)性能規(guī)定的狀況下,盡量減少信號(hào)的速率,采用慢速器件。凡企業(yè)、事業(yè)部、部門(mén)有模塊電路、通用電路,可以滿(mǎn)足殊原因一律采用模塊電路。優(yōu)先選用企業(yè)級(jí)模塊電路。無(wú)模塊電路可以調(diào)用,不過(guò)產(chǎn)品約定設(shè)計(jì)方式按照產(chǎn)品約定進(jìn)行設(shè)計(jì)。相似功能的電路,如無(wú)特殊規(guī)定應(yīng)采用相似的電路和器使用同一種物料代碼下有多種器件,確認(rèn)每一種器件的可以滿(mǎn)足應(yīng)用規(guī)定。單板上所有有復(fù)位管腳的芯片,規(guī)定復(fù)位腳軟件可CPU等的控制信號(hào)應(yīng)使用上/下拉電阻保證上電時(shí)的狀態(tài)確初次設(shè)計(jì)CPU、DSP和ASIC的配置管腳的上拉或下拉狀態(tài)盡量設(shè)計(jì)成可調(diào)。閱讀器件手冊(cè)時(shí),應(yīng)當(dāng)?shù)狡骷S(chǎng)商網(wǎng)站上尋找最新版本歷史和查閱最新版本勘誤表。對(duì)于設(shè)計(jì)中的可配置部分(包括為調(diào)試設(shè)計(jì)而最終不安裝的部分),必須注明本板在線(xiàn)運(yùn)行和調(diào)試使用的所有配置方式。要考慮器件輸出或驅(qū)動(dòng)器輸出的驅(qū)動(dòng)能力,等效負(fù)載不力的80%。MCU串口信號(hào)經(jīng)芯片驅(qū)動(dòng)后,將收發(fā)信號(hào)和地引到預(yù)留的3Pi單板3PinRS-232串口插座統(tǒng)一定義為:Pin1—當(dāng)?shù)匕l(fā)送Tx;Pin2—地線(xiàn)Pin3—當(dāng)?shù)亟邮躌x。通用件率滿(mǎn)足事業(yè)部通用件率的規(guī)定:新板滿(mǎn)足90%,改1不帶內(nèi)部上下拉和總線(xiàn)保持功能的CMOS/BiCMOS器空,必須通過(guò)電阻進(jìn)行上拉或下拉處理。2單板帶有可以淘汰部分,原理圖中部分器件也許不焊3邏輯器件不用的引腳或者固定電平的信號(hào)如需預(yù)置電平處上拉或者下拉,不容許直接接電源或地。4對(duì)器件未用輸入端進(jìn)行上拉或下拉處理,必須滿(mǎn)足可測(cè)試性設(shè)計(jì)規(guī)定。5中斷信號(hào)要通過(guò)上拉或下拉來(lái)使中斷信號(hào)處在默認(rèn)的非觸發(fā)態(tài)。6則各級(jí)輸入端都必須采用上拉或下拉電阻確定狀7采用品有上電3態(tài)的器件驅(qū)動(dòng)背板輸入控制信號(hào),假如該信號(hào)上電后立即需要讀取且不受上電復(fù)位控制(例如單片機(jī)ISP使能信號(hào)),則必須采用電阻置初始電平。8信號(hào)線(xiàn)上的上拉或下拉電阻可以滿(mǎn)足可靠預(yù)置電平規(guī)定。9對(duì)于CMOS器件,如無(wú)特殊規(guī)定單個(gè)管腳的上拉或下拉可以腳或其他詳細(xì)狀況可以參見(jiàn)下面的條目和以及進(jìn)行計(jì)算確對(duì)使能內(nèi)部上拉的ISPMACH4000型EPLD,以及和Cyclone型FPGA通用IO管腳連接的網(wǎng)絡(luò),下拉電阻采用1K,上拉電阻可選擇10數(shù)據(jù)總線(xiàn)的下拉不適宜使用太大的電阻,推薦使用1K。OSC的ST_N管腳應(yīng)當(dāng)加上拉電阻(推薦值為1k,提議直對(duì)背板輸出的驅(qū)動(dòng)器,假如其OE端需要控制,應(yīng)狀態(tài)。對(duì)于常見(jiàn)的244器件,OE*應(yīng)當(dāng)采用電阻上參照器件的Datasheet將所有控制腳通過(guò)電阻進(jìn)行上拉或下拉,尤其是芯片的OE/CE端。Enable、Set、Reset、Clear和三態(tài)器件輸出的上上下拉電阻放在接受端器件處。對(duì)于1個(gè)驅(qū)動(dòng)多種接只放置1個(gè)上下拉電阻。若接受器件所有放置在同一頁(yè)面,在接受器頁(yè)面放置上下拉電阻;若接受器件分布在不一樣頁(yè)面上,在驅(qū)動(dòng)器防止使用一種排阻同步對(duì)信號(hào)進(jìn)行上拉和下假如總線(xiàn)也許處在浮空狀態(tài),那么總線(xiàn)需要有上拉電阻或沒(méi)有器件占用總線(xiàn)時(shí),總線(xiàn)能處在一種有效電平,以減少器件功耗和干擾。使信號(hào)為有效狀態(tài),防止自動(dòng)流控制的器件不能正常工作。PCI的三態(tài)和OD、OC信號(hào)要有上拉。PERR#,LOCK#,INTx#,REQ64#和ACK64#等信號(hào)需要采用合適的電阻進(jìn)行上拉處理。上拉的阻值須根據(jù)負(fù)載狀況計(jì)密特觸發(fā)器輸入的器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。應(yīng)采用互斥設(shè)計(jì),保證不會(huì)由于軟件問(wèn)題導(dǎo)致沖和背板直接相連的驅(qū)動(dòng)器必須滿(mǎn)足熱拔插規(guī)定(我們規(guī)定MCS-51單片機(jī)的總線(xiàn)及端口需要加驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器選型嚴(yán)禁原則上不推薦使用總線(xiàn)保持器件或者啟用可編程器件的總線(xiàn)保持功具有BUS-HOLD特性的器件,通過(guò)外接上拉或下拉時(shí),電阻取值不適宜過(guò)多于3K,推薦采用1K電特性一直有效。對(duì)于雙向器件,其兩個(gè)方向端口在輸出高阻特性一直有效。與背板相連的一般邏輯電平信號(hào),如非尤其規(guī)定輸入的信號(hào),為防止當(dāng)發(fā)送端關(guān)斷、未插、掉電時(shí)懸空,一般狀況下背板接口輸出串聯(lián)電阻選用33.2歐姆(或33歐姆排阻),輸入串聯(lián)電阻選擇100歐姆電阻或者排阻。對(duì)于既有輸出又有輸入的信號(hào),假如單板布線(xiàn)布局困難,可以考慮采用一種33歐姆電阻;對(duì)于4個(gè)時(shí),應(yīng)根據(jù)SI仿真測(cè)試成果選用電阻;對(duì)于需要把發(fā)回來(lái)的拓?fù)?,必須?3驅(qū)動(dòng)器輸出端直接輸入,不得在33歐姆電阻后接受。背板輸入信號(hào)緩沖器應(yīng)用下拉電阻和串阻。背板輸入信上會(huì)具有更大的靈活性。設(shè)計(jì)中應(yīng)嚴(yán)格遵守產(chǎn)品設(shè)計(jì)約對(duì)于總線(xiàn)保持器件或者輸入內(nèi)置上下拉的器件,未用輸入管腳懸空處1對(duì)于輸出多于5個(gè)的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片,電源推薦采用磁珠濾波,磁珠后應(yīng)當(dāng)添加電解電容和足夠的陶瓷去耦電容,布局時(shí)推薦局部鋪一小塊銅皮。2時(shí)鐘芯片的電源和地參照器件手冊(cè)處理。對(duì)鎖相環(huán)電源采用磁珠濾波的,磁珠后應(yīng)當(dāng)采用多級(jí)陶瓷去耦電容以保證電源低阻抗。3單板50MHz以上時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器件未用管腳,備用放置不不地平面。該電容缺省不焊,假如EMC測(cè)試高頻輻射超標(biāo),可以焊上調(diào)試。參見(jiàn)闡明4時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器件未用管腳對(duì)平面電阻/電容采用分立器件,不得使用排阻排56時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)推薦采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn),源端端接方式。7行。89不推薦使用多通道輸入時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)不一樣步鐘。板間傳播的時(shí)鐘信號(hào),上單板后在時(shí)鐘的輸入端備用去回鉤電子卡與母板間傳播的時(shí)鐘,應(yīng)保證子卡不在位時(shí),時(shí)鐘輸入不懸空,時(shí)鐘的輸出有匹配。對(duì)于VCXO,假如規(guī)定寬的牽引范圍(如±90ppm),不要選用3次泛音晶振。123TVS管的額定最大脈沖功率必須不小于電路中出現(xiàn)的最大瞬態(tài)浪涌功456在RS-232鏈路中必須采用雙向TVS管。TVS管放在信單板入口處;串聯(lián)電阻靠近232接口器件放7TVS器件的選型時(shí)要考慮器件的響應(yīng)時(shí)間滿(mǎn)足規(guī)8當(dāng)TVS和壓敏電阻聯(lián)合使用進(jìn)行浪涌保護(hù)時(shí),壓敏電阻的壓敏電壓要低于TVS的鉗位電壓VC。9保護(hù)器件應(yīng)與被保護(hù)器件接在相似的地平面。如采用變壓對(duì)于需要出機(jī)框的信號(hào)線(xiàn)(例如勤務(wù)、網(wǎng)線(xiàn)、E1線(xiàn)、232、485等等),需要添加保護(hù)電路或者進(jìn)行隔離;對(duì)于在機(jī)架內(nèi)部的信號(hào)線(xiàn)一般不需要添加保護(hù)電路。級(jí)別2預(yù)留一定數(shù)量的測(cè)試IO(一般推薦不不不小于實(shí)際使用的IO數(shù)的10%),測(cè)試IO中要有一定量(不少于40%)要連接在測(cè)試針上度和管腳占用狀況、版面緊湊程度可以斟酌安排。第一版3可編程邏輯器件的輸入時(shí)鐘至少有一種當(dāng)?shù)氐牟婚g斷時(shí)45對(duì)于可編程邏輯器件的懸空管腳(包括測(cè)試管腳、設(shè)計(jì)淘6LatticeISPMach4000系列器件,提議使能內(nèi)部上拉,外部上拉采用1K設(shè)計(jì)。7一般狀況下,Cyclone器件外圍上拉可采用10K,下拉采用1K設(shè)計(jì),防止下8Cyclone器件設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)對(duì)也許懸空的輸出管腳使能內(nèi)部上拉。9PLD設(shè)計(jì)中,不推薦使用可編程的總線(xiàn)保持功EPLD/FPGA的專(zhuān)用輸入管腳(時(shí)鐘輸入管FPGA的Done指示管腳(包括ConfDone和Init_Done信號(hào))需要被監(jiān)FPGA全局時(shí)鐘輸入必須從全局時(shí)鐘輸入管腳引入;其他時(shí)鐘從專(zhuān)用時(shí)鐘輸入管腳引入;全局復(fù)位以及其他全局信號(hào)盡量從專(zhuān)用的全局引腳引入。邏輯芯片的nConfig、Conf_Done和nStatus管腳應(yīng)上拉,為了防止FPGA的nConfig信號(hào)受到毛刺干擾,導(dǎo)致邏輯芯片異常掉邏可在nConfig管腳加一種RC電路。RC對(duì)于采用AS模式下載的設(shè)計(jì),要保證nConfig的上升沿落在也許的話(huà)提供一定的慢速時(shí)鐘給EPLD/FPGA,在長(zhǎng)定期時(shí)可以節(jié)省資源。級(jí)別1規(guī)定2LDO作為電源。對(duì)紋波規(guī)定較高的場(chǎng)所中,可以3規(guī)定4感。同步電阻、電感和磁珠必須考慮其電阻5大容量電容應(yīng)并聯(lián)小容量陶瓷貼片電容使用。6電源必須有限流保護(hù)。7升壓電源(BOOST)使用必須增長(zhǎng)一種保險(xiǎn)管以防止而導(dǎo)致整個(gè)單板工作掉電。保險(xiǎn)的大小由模塊的最8單板輸入電源要有防反接處理,輸入電流超過(guò)3A,輸入電源反接只容許損壞保險(xiǎn)絲;低于或等于3A,輸入電源反接不容許損壞任何器件。9對(duì)于多工作電源的器件,必須滿(mǎn)足其電源上掉電次序規(guī)定。多種芯片配合工作,必須在最慢上電器件初始化完畢后開(kāi)始操采用SO-8封裝的LDO(如MIC5209BM),用于密封環(huán)境時(shí),為保證熱應(yīng)力以可靠性工程師熱設(shè)貼片陶瓷電容,必須使用的要保證布局時(shí)防止電容受到過(guò)多機(jī)械應(yīng)單板電源引出單板使用,應(yīng)當(dāng)添加限流保護(hù)措施,防板無(wú)法正常工作。電源模快/芯片感應(yīng)端在布局時(shí)應(yīng)采用開(kāi)爾文方三端穩(wěn)壓器輸出到輸入應(yīng)當(dāng)有反向泄放二極管,防止掉電時(shí)損壞器不容許出現(xiàn)過(guò)大壓差的不一樣電源之間,可用二極管限制壓差。1使用CY2302時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,應(yīng)注意假如對(duì)輸入輸出時(shí)鐘的相位規(guī)定一致,那2有極性的耦合電容注意其直流偏置電壓,尤其是串聯(lián)電感使用時(shí)應(yīng)防止反向3電容的耐壓和溫度降額都必須滿(mǎn)足企業(yè)降額規(guī)定。工作溫度升高,電壓的降額程度要增大。4電阻的功率和溫度降額都必須滿(mǎn)足企業(yè)降額規(guī)定。工作溫度升高,功率的降額程度要增大。5ADM706R在使用中應(yīng)當(dāng)將PFI直接接電源,防止器件上電時(shí)進(jìn)入測(cè)試模式。企業(yè)通用電路采用上下拉設(shè)計(jì)。在ADM706更改設(shè)計(jì)之前,我部門(mén)指定不使用ADM706R器件,采用MAX706防止此問(wèn)題。67860的TA上拉要1K,不能太大。8在使用MPC860的設(shè)計(jì)中,假如只對(duì)MPC860硬件復(fù)位配據(jù)線(xiàn)通過(guò)硬件復(fù)位配置字驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng),其他數(shù)據(jù)線(xiàn)9系統(tǒng)應(yīng)對(duì)指示燈顏色、狀態(tài)進(jìn)行規(guī)定。指示燈設(shè)計(jì)工作狀態(tài),紅燈亮表達(dá)有告警,滅表達(dá)無(wú)告警。特殊狀況下容許采用黃燈指示。除非外觀(guān)需要,不推薦采用其他顏色的指示燈。面板燈必須通過(guò)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng),應(yīng)當(dāng)采用低電平有效此外考慮)。面板指示燈/輸入輸出外部信號(hào)不與單板內(nèi)重要信號(hào)共用驅(qū)動(dòng)面板燈5V使用510歐姆左右的電阻,3.3V使用330歐姆左右的電阻。電阻應(yīng)在企業(yè)通用件庫(kù)中選用常用器件。單板內(nèi)部3.3V指示燈推薦統(tǒng)一采用1K限流電阻。內(nèi)部電源指示燈,假如電源電壓低于2V,必須通過(guò)三極管驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極面板燈(撥碼開(kāi)關(guān)、按鈕)等上串接的電阻必須接在驅(qū)動(dòng)器和指示燈(開(kāi)關(guān)、按鈕)之間,電阻靠近驅(qū)動(dòng)器放置,防止外界干擾對(duì)驅(qū)動(dòng)器的沖擊。單板內(nèi)部指示燈推薦使用低電平驅(qū)動(dòng)指示燈,驅(qū)動(dòng)能ADC和DAC的模擬地和數(shù)字地引腳,在外面應(yīng)當(dāng)用最短的連線(xiàn)接到低阻抗的接地平面上。以太網(wǎng)非點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接時(shí)。PHY器件的驅(qū)動(dòng)能力在器件的容許范圍內(nèi)要調(diào)到最大。容重要包括:BOOT的數(shù)據(jù)寬度、FLASH的數(shù)據(jù)寬度、時(shí)鐘的工作模式、地址映射模式、PCI的主從模式、PCI仲裁使能、BOOT是從LOCATIONBUS還是PCI上啟動(dòng)、鎖相環(huán)時(shí)鐘配置、輸出阻抗等)MOSFET的柵極(Gate)串10歐姆電阻可有效抑止振蕩;M用時(shí),每個(gè)MOSFET的柵極要分別串10歐姆電阻。電阻盡量靠近柵極放與MOSFET柵極并聯(lián)的ZENER二極管也許會(huì)引起振蕩與MOSFET柵極并聯(lián)的電容也許會(huì)引起振蕩,要將其連接到柵極串阻的外側(cè)。注意并聯(lián)電容減慢了開(kāi)關(guān)的速度,增長(zhǎng)了MOSFET衡。保證MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)類(lèi)似一種電壓源,具有盡量小的阻抗。起到保護(hù)管子的作用。應(yīng)減小MOSFET柵極電壓的上升時(shí)間,使MOSFET盡MT9040、IDT82V3001A等鎖相環(huán)上電后或輸入?yún)⒄疹l率變化后必須繼電器線(xiàn)圈、風(fēng)扇電機(jī)繞組等感性負(fù)載必須有續(xù)流二極繼電器線(xiàn)圈工作電壓不容許降額使用,繼電器在極性規(guī)定,防止退磁。繼電器電路在設(shè)計(jì)中,應(yīng)盡量讓繼電器長(zhǎng)期處在要保證光電耦合器能可靠地工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),IF取值不能TVS管做ESD防護(hù)。推薦采用電阻以節(jié)省成本。對(duì)于上下拉均有電阻的設(shè)計(jì)方式,可將電阻放在跳線(xiàn)和器件之間作為保ADC、DAC假如使用外部電壓參照,應(yīng)注意參照電壓的精度和穩(wěn)定性在規(guī)定不高的狀況下才可以采用電源作為參照電壓,并且必須通過(guò)濾單板上有多種處理器或高速器件,并且各處理器/高速規(guī)定期,各器件的時(shí)鐘相位盡量錯(cuò)開(kāi),減少同步動(dòng)作的態(tài)工作電流,從而減少單板或系統(tǒng)的EMI。三態(tài)/OC/OD時(shí)分?jǐn)?shù)據(jù)/狀態(tài)總線(xiàn)釋放時(shí)應(yīng)注意釋放速度的問(wèn)非變壓器隔離的差分信號(hào),例如RS-485信號(hào),LVDS信號(hào)等,發(fā)送和接受側(cè)必須采用相似的參照地。1鉭電容的耐壓要降額到1/3如下。23防止使用大容量鉭電容;可用并聯(lián)的形式。4鉭電容失效易產(chǎn)生明火,故防止明火的場(chǎng)所慎用鉭電容。5電源模塊選型時(shí),應(yīng)保證電源模塊上的鉭電容符合降額原6工業(yè)級(jí)及商業(yè)級(jí)器件在實(shí)際使用中,結(jié)溫降額應(yīng)采用7面板監(jiān)控線(xiàn)纜必須加入防靜電保護(hù)電路(調(diào)用部門(mén)模塊電路)。8單板上關(guān)鍵芯片、功耗較大IC,附近預(yù)留接地插座以用9散熱器盡量多點(diǎn)、低阻抗、短距離接工作地平面。散熱器與支柱、螺釘?shù)鹊倪B接處采用星月孔與工作地平面連接;LDO等芯片的散熱體假如是接在電源腳上時(shí),與之接觸的散器件或模塊對(duì)散熱器接地有明確規(guī)定期,按規(guī)定接地。單板上無(wú)法實(shí)現(xiàn)將散熱器接地方式處理時(shí),散熱器可以采用浮空方式。同軸電纜的外屏蔽層,屏蔽電纜的屏蔽層可以通過(guò)接口接保護(hù)地明確標(biāo)注金屬殼體的處理方式器件帶有金屬殼體的引腳,將引腳連接到對(duì)應(yīng)的地上。ESD防護(hù)器件接地端、金屬外殼的元器件的金屬外殼、屏蔽裝護(hù)與屏蔽地;具有金屬殼體而人手又常常接觸的部件如接插件地的機(jī)殼或底板緊密相連。內(nèi)部電路在靠近這些部件的假如上面的規(guī)則實(shí)現(xiàn)困難,推薦金屬殼體接地的優(yōu)先次對(duì)于某些敏感電路,設(shè)計(jì)中應(yīng)進(jìn)行容限分析,以確認(rèn)器件選型滿(mǎn)足電路容限單板保險(xiǎn)絲降額合理(額定電流降額至少50%,標(biāo)稱(chēng)熔斷熱降額至20%),應(yīng)放在保護(hù)器件的前面。對(duì)于也許工作于溫度較高環(huán)境慮保險(xiǎn)絲降額。不能加緩起可以考慮不用保險(xiǎn)絲。盡量不采用無(wú)鎖定裝置的連接器,必須使用時(shí)需評(píng)跳線(xiàn)帽和撥碼開(kāi)關(guān)等機(jī)械器件存在可靠性,腐蝕等多方一般輕易使系統(tǒng)進(jìn)入不正常的分支。盡量防止使用1選擇更不易導(dǎo)致信號(hào)完整性問(wèn)題的接口方式/器件。2關(guān)鍵途徑通過(guò)時(shí)序設(shè)計(jì),具有時(shí)序分析匯報(bào)。凡波及時(shí)序控制的電路,例如CPU/FPGA/專(zhuān)用IC訪(fǎng)問(wèn)外掛存儲(chǔ)器等必須進(jìn)行時(shí)序分析。時(shí)序設(shè)計(jì)另行規(guī)定3滿(mǎn)足如下任意一項(xiàng)或多項(xiàng)的網(wǎng)絡(luò)必須附帶信號(hào)完整性前仿真分析匯報(bào):時(shí)鐘信號(hào);頻率較高;有較嚴(yán)格的時(shí)序規(guī)定;對(duì)邊緣單調(diào)性有規(guī)定(邊緣敏感信號(hào));網(wǎng)絡(luò)拓?fù)鋸?fù)雜(帶有多種分支和負(fù)載);對(duì)過(guò)手冊(cè));有關(guān)原則對(duì)信號(hào)質(zhì)量有規(guī)定。4采用16244驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)變化信號(hào),提議在驅(qū)動(dòng)器輸出添加5有某些可編程邏輯器件可以設(shè)置輸出的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度、電流等6假如時(shí)序容許,應(yīng)將可編程邏輯器件的輸出擺率設(shè)置為慢擺78可編程邏輯器件,輸出交變信號(hào)時(shí)應(yīng)進(jìn)行端接。不便電流、擺率等方式改善信號(hào)完整性。9單向的片選等信號(hào),可以采用源端端接。EPLD/FPGA輸出的UART時(shí)鐘等交變信號(hào),必須進(jìn)行端接。電源上電解電容的數(shù)目應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足電源完整性規(guī)去耦電容的設(shè)計(jì)滿(mǎn)足對(duì)工作電源的目的阻抗的規(guī)定,并按PI分析匯報(bào)實(shí)考慮為換層、穿越平面割裂的信號(hào)配置旁路電容。在需要對(duì)電源完整性進(jìn)行測(cè)試的位置,放置電源完整性測(cè)試對(duì)處理器等大規(guī)模關(guān)鍵器件,必須放置電源完整性測(cè)試點(diǎn)。1單板接口設(shè)計(jì)要和設(shè)計(jì)規(guī)范保持完全一致。2背板插座上本板沒(méi)有使用的PIN,不要連接到單板內(nèi)的任何網(wǎng)3熱插拔系統(tǒng)的接口不應(yīng)采用不支持插拔的原則。4熱拔插系統(tǒng)防止使用I2C總線(xiàn)。如因歷史原因使用I2C總線(xiàn),電源須采用二5平。6單板輸出到背板的總線(xiàn)信號(hào)以及主備單板公用的信號(hào)異常狀態(tài)下處在高阻態(tài),各控制和狀態(tài)信號(hào)符合設(shè)計(jì)方案約7單板在局部掉電時(shí)不應(yīng)出現(xiàn)器件損壞,不影響其他單板總線(xiàn)信號(hào)。8在基本不增長(zhǎng)成本的狀況下,在第一版設(shè)計(jì)時(shí),提議保留增長(zhǎng)可調(diào)部分的設(shè)計(jì)和冗余設(shè)計(jì),要盡量多的增長(zhǎng)可調(diào)過(guò)電阻或跳線(xiàn)實(shí)現(xiàn)靈活的功能選擇、盡量多的引出測(cè)試點(diǎn)、合理使用器件的空閑管腳增長(zhǎng)器件之間的冗余通道(尤其是邏輯器件之間),不一案驗(yàn)證的兼容設(shè)計(jì)等。9單板運(yùn)行時(shí)不需要進(jìn)行調(diào)整的地方一律不用可調(diào)器件。設(shè)計(jì)應(yīng)保證所有測(cè)試使用的跳線(xiàn)帽、跳線(xiàn)針在最終產(chǎn)品中不需安系統(tǒng)設(shè)計(jì)階段必須進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性設(shè)計(jì),單板接口的拓?fù)溥M(jìn)行約束,時(shí)鐘等關(guān)鍵信號(hào)盡量采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)方式傳送。信號(hào)完整性等帶來(lái)的波動(dòng),留出充足時(shí)序裕量,并規(guī)定各單板接口時(shí)RS-485應(yīng)考慮FailSafe設(shè)計(jì),在空閑時(shí)差分電平應(yīng)為200mV以上。RS-485上拉或下拉偏置電阻的選擇要注意器件的驅(qū)動(dòng)能力。RS-485總線(xiàn)要考慮總線(xiàn)上多塊單板并聯(lián)時(shí)總線(xiàn)上負(fù)載的影響。單板可以檢測(cè)自己輸出的數(shù)據(jù)、時(shí)鐘,以便故障定應(yīng)可以承受也許出現(xiàn)的最大電流(包括熱插拔時(shí)的電流)。插座有額定電流的參數(shù),插座電源的針承受最大電流不得超過(guò)其額定電額。例如歐式48PIN的插座,每根針通過(guò)的電流不得超過(guò)1A。面板的RUN,ALARM燈用軟件來(lái)控制,其他燈由硬件控制點(diǎn)子卡連接器定義時(shí),不用的插針接地,分布分派,減小信號(hào)線(xiàn)間互感串?dāng)_。E1接口RING接地遵守企業(yè)通例,發(fā)端接地,收端提議可配置者通過(guò)電容接地??梢蕴子闷髽I(yè)模塊電路的,根據(jù)企業(yè)模塊電路實(shí)行。需要熱拔插的接口,在連接器選型時(shí)必須保證工作地先于信號(hào)和電源連推薦的次序?yàn)榈鼐€(xiàn)-電源-信號(hào)。用于電纜互連的連接器,設(shè)計(jì)時(shí)注意信號(hào)引腳之間定小回流途徑,減少信號(hào)之間的串?dāng)_,尤其是電纜中的時(shí)鐘信號(hào)和小信號(hào)要用地線(xiàn)與其他信號(hào)隔離。系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)主控單板和受控單板間增長(zhǎng)少許備用計(jì),以提高系統(tǒng)的可升級(jí)性。資源板用量較大,尤其要考慮成本原因,盡量采用可裁剪配置的設(shè)計(jì)措施。綜合器件平滑升級(jí)設(shè)計(jì)的原則,盡量選擇成本較低器件。單板應(yīng)采用面板扳手狀態(tài)監(jiān)控電路監(jiān)控面板扳手狀態(tài),并定義背板連接器左上角、右上角、左下角、右下角四根針為查拔到位指應(yīng)采用防靜電模塊防止靜電騷擾。主備單板切換應(yīng)盡量減少對(duì)系統(tǒng)的影響:負(fù)責(zé)時(shí)鐘分發(fā)單失,不錯(cuò)誤;復(fù)位、拔出主用單板應(yīng)考慮盡量檢測(cè)到操作并在復(fù)位、拔插前發(fā)起主備倒換;拔出、插入備用單板不應(yīng)對(duì)主板工作產(chǎn)生影響。12靜電敏感器件慎用,假如采用要加防靜電保護(hù)措施。3放置數(shù)量恰當(dāng)?shù)腗ark點(diǎn),數(shù)量參照原理圖設(shè)計(jì)規(guī)范確定。4雙面貼焊的單板,在選擇器件時(shí)盡量使用貼片器件,不使用插裝器件。盡量使單板采用雙面回流焊工藝。5除非信號(hào)完整性特殊規(guī)定,背板上一般不應(yīng)放置串阻等器件。背板盡量采用6選用器件應(yīng)注意器件的潮敏等級(jí),必要時(shí)注明以保證生產(chǎn)加工可靠性;其間選型時(shí)防止選擇潮敏等級(jí)高的器件。7由于焊接溫度不一樣,盡量防止板內(nèi)有鉛無(wú)鉛工藝器件混8級(jí)別1規(guī)定含JTAG口的器件都需要使用事業(yè)部規(guī)定的JTAG接口電路2規(guī)定芯片的JTAG口管腳TDI,TMS,TCK,TRST(若3規(guī)定芯片的TCK,TMS的驅(qū)動(dòng)能力滿(mǎn)足掃描鏈路的規(guī)定。4規(guī)定56規(guī)定7設(shè)計(jì)中TRST*管腳注意對(duì)的上拉或下拉,保證測(cè)試模式不被啟89XilinxSpartanII器件的JTAG接口為2.5V,設(shè)計(jì)中須防止過(guò)壓。1測(cè)試點(diǎn)滿(mǎn)足康訊的可測(cè)試性規(guī)定。應(yīng)設(shè)置充足的內(nèi)部和測(cè)量、故障檢測(cè)和故障隔離提供手段。測(cè)試點(diǎn)應(yīng)有盡量明顯的標(biāo)2地的測(cè)試點(diǎn)至少每10cm一種,規(guī)定平均分布在單板上。3高頻時(shí)鐘信號(hào)或高速信號(hào)的測(cè)試點(diǎn)旁邊應(yīng)放置當(dāng)放在接受端。4時(shí)序較為復(fù)雜的信號(hào)規(guī)定每個(gè)信號(hào)都引出測(cè)試點(diǎn),以以便單板測(cè)試。布局時(shí)必須注意測(cè)試點(diǎn)(包括ICT測(cè)試點(diǎn))引入的分岔盡量短,不得影響信號(hào)的信號(hào)完整性。對(duì)速度很高的信號(hào),必須考慮測(cè)試點(diǎn)引入的5多針測(cè)試點(diǎn),空余的管腳應(yīng)接地處理。6向PCB提供不焊接插裝器件清單。1時(shí)鐘電路或振蕩器電路的輸出可控。2數(shù)字器件特殊引腳需要所有獨(dú)立處理。31對(duì)輸入單板內(nèi)的時(shí)鐘進(jìn)行檢測(cè)。2對(duì)從背板輸入或輸出至背板的數(shù)字I0信號(hào)線(xiàn)的可以控制3CPU可以檢測(cè)輸入單板的信號(hào)狀態(tài),便于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)互聯(lián)時(shí)的測(cè)試。第二部分詳細(xì)闡明假如出現(xiàn)原理圖庫(kù)中的元件處在0.050柵格,無(wú)法對(duì)齊者,應(yīng)和原理圖庫(kù)管理人員溝通處理。走查、評(píng)審。故規(guī)定無(wú)特殊需要一律采用A4幅面圖框進(jìn)行設(shè)計(jì)。返回菜單中選擇Tools-Options,選擇CustomVaria其中前面4項(xiàng)分別為產(chǎn)品類(lèi)型、單板類(lèi)型、單板版本、單板原理圖文獻(xiàn)編如ADRAWN1,ADRAWN2……以此類(lèi)推。在分派任務(wù)時(shí)事先約定,在各自完對(duì)于改版、借鑒、調(diào)用的原理圖,應(yīng)署最終一次修改者本人姓名,而不是原作者姓名。原理圖最1.1.7原理圖上所有的文字方向應(yīng)當(dāng)統(tǒng)一,文字的上方應(yīng)當(dāng)朝向原理圖的上方(正放文字放文字)乙0乙017A4>7A4>7A4>68文字都向上或者向左,符合規(guī)范文字方向不一致,有文字向右,字符重疊,不合規(guī)范標(biāo)注文字方向向下,不合規(guī)范。返回1.1.8原理圖上的多種標(biāo)注應(yīng)清晰,不容許文字重疊。原理圖上包括網(wǎng)絡(luò)名、位好、器件管腳號(hào)等各中字符都不容許重疊下面是不符合規(guī)范的例子返回1.1.9去耦電容的放置去耦電容分為兩種:局部去耦和全局去耦。局部去耦目的很明確的布置在芯片附近,為芯片和附近意將對(duì)應(yīng)位號(hào)的電容擺放在需要去耦的芯片附近。全局去耦電容重要分布在單板上沒(méi)有去耦電容的部差分線(xiàn)推薦使用+/-結(jié)尾,便于在識(shí)別網(wǎng)絡(luò),在布線(xiàn)時(shí)添加合適的約束為了以便信號(hào)完整性分析和布線(xiàn)約束制定,并保證不引起歧義,時(shí)鐘信號(hào)必須以串聯(lián)端接時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的命名參見(jiàn)串聯(lián)端接網(wǎng)絡(luò)的繪網(wǎng)絡(luò)可以不進(jìn)行命名,串阻之后的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行命名。如下圖所示為一種對(duì)的的范例。G假如將串阻放在接受端,或者在串阻之前的信號(hào)進(jìn)行命名,串阻之后的信號(hào)不進(jìn)行命名,都會(huì)使得布線(xiàn)的分析和檢查困難,甚至?xí)?dǎo)致串阻被放置在接受端而未被查出的成果,導(dǎo)致信號(hào)完整性較差。如下圖是不對(duì)的的范例。返回1.1.13電源及有特殊規(guī)定的網(wǎng)絡(luò)命名對(duì)于電源網(wǎng)絡(luò)和有特殊規(guī)定的網(wǎng)絡(luò)(例如阻抗控制,電流較大,布線(xiàn)層、過(guò)孔數(shù)有限制等),必須加以命名,這樣在PCB進(jìn)行布線(xiàn)布局時(shí),就可以對(duì)對(duì)應(yīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行特定的約束和檢查,保證布線(xiàn)滿(mǎn)足設(shè)對(duì)于單板接口電源信號(hào),應(yīng)當(dāng)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)保持一致,不強(qiáng)制規(guī)范添加VCC前綴。不過(guò)《PCB設(shè)計(jì)闡明》中必須明確申明,保證布線(xiàn)符合設(shè)計(jì)實(shí)際需要。對(duì)于某些器件(例如時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器、鎖相環(huán)等),其電源單獨(dú)通過(guò)磁珠等進(jìn)行濾波,往往忘掉添加網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)直接相連,或者添加一般的網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)。這樣的成果很也許導(dǎo)致該網(wǎng)絡(luò)未按照電源進(jìn)行布線(xiàn),走線(xiàn)較細(xì)或者走較長(zhǎng)線(xiàn),帶來(lái)性能上的減少。返回以上兩種措施不能同步使用,否則會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤信息(參見(jiàn)PackageXL手冊(cè))。返回網(wǎng)絡(luò)信號(hào)名定義為PLUG-S,實(shí)際和GNDD相連,就可以使用Alias進(jìn)行連接,不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。RRBRRFID2門(mén)ALIASB返回返回□入頁(yè)符1翻轉(zhuǎn)、鏡像后作為右側(cè)入頁(yè)符4使用,否則會(huì)出現(xiàn)文字位置、方向錯(cuò)誤的現(xiàn)象,違反有關(guān)文字可以通過(guò)Cadence附帶的原理圖規(guī)則檢查工具RulesChecker(也稱(chēng)CheckplusHDL)對(duì)原理圖進(jìn)行規(guī)則檢查。我們最常用的是單節(jié)點(diǎn)(Single_node_net)和浮空管腳(Unconnected_instance)檢查。unconnected_instance選項(xiàng)(根據(jù)需要可以繼續(xù)選擇nets_shorted等選項(xiàng)),運(yùn)行RulesChecker。返回Cadence提供的工具可以對(duì)原理圖和PCB中的網(wǎng)表一致性進(jìn)行檢查例如我們常用的LVTTL信號(hào)輸入低電平閾值和高電平閾值分別為0.8V和2例如某單板中曾使用3.3V的PCI時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CDCV304分發(fā)射頻時(shí)鐘,時(shí)鐘來(lái)源于1顆5V的壓控晶體振蕩器(VCXO),該振蕩器為CMOS輸出。VCXO的輸出電壓范圍超過(guò)了CDCV304輸入的電壓致?lián)p傷。廠(chǎng)家推薦的做法是采用電阻限流保護(hù)下載管腳中的鉗位二極管,并在Vccaux上接對(duì)地的電阻(MLVDS,BLVDS)等等。這些電平之間也有也許需要進(jìn)行接口。這些電平的共模電平和差模電基本電路實(shí)現(xiàn)接口,例如5V的PECL信號(hào)和3.3V的LVPECL信號(hào)接口采用的3電阻端接電路。規(guī)定的8B/10B編碼等都屬于直流平衡編碼。一般的時(shí)鐘返回PECL信號(hào)電源電壓為5V,在和LVPECL接受器進(jìn)行對(duì)于必須采用直流接口的場(chǎng)所,應(yīng)采用企業(yè)的3電阻端接參照設(shè)計(jì)。電路原理圖如下圖所示。對(duì)于其他器件也應(yīng)充足考慮器件在電源為0的狀況下,與否會(huì)導(dǎo)致器件損壞、信號(hào)線(xiàn)被拉死狀況,鉗制,對(duì)其他信號(hào)導(dǎo)致影響,并很也許導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電源自身電流很小,則輸入有也許通過(guò)鉗位二極管拉高電源電壓,導(dǎo)致局部電源過(guò)壓,對(duì)器件導(dǎo)用于PCI總線(xiàn)的場(chǎng)所、XilinxSpartanIⅡ應(yīng)用3.3V入電壓高于電源電壓(或者在熱拔插場(chǎng)所電源電電平下載的場(chǎng)所等,這是一般必須采用串聯(lián)電阻壓被關(guān)閉、還沒(méi)有啟動(dòng)),則輸入電壓會(huì)被二極管或通過(guò)仔細(xì)計(jì)算,保證保護(hù)二極管和輸入極門(mén)的柵極不會(huì)受到過(guò)壓損壞。計(jì)算的范例可以參照Guidelines》 (或者通過(guò)匹配電阻連接)等狀況下,器件不應(yīng)當(dāng)損壞。更高的規(guī)定是當(dāng)由于采用Ⅱ型器件可以處理;我們系統(tǒng)中的RS-485器件,當(dāng)接受端接有端接電阻且無(wú)驅(qū)動(dòng)的狀況下,輸出返回●在背板接口上采用串聯(lián)電阻的措施限制電返回件,其數(shù)據(jù)手冊(cè)上的速率為100bps,折算成時(shí)鐘頻率為50MHz,假如我們用來(lái)驅(qū)動(dòng)60MHz的信號(hào),雖我們?cè)谠O(shè)計(jì)中有時(shí)會(huì)碰到PP2S或者8KHz的時(shí)鐘信號(hào),單板工作實(shí)際上并不以之為時(shí)鐘信號(hào),而生振鈴、過(guò)沖。這不僅僅和頻率有關(guān),頻率很低而切換速度切換速率的提高使得電源完整性劣化,需要更多的考慮電源模塊電路/參照設(shè)計(jì)一般都由有關(guān)領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的員工開(kāi)發(fā),通過(guò)了較多的應(yīng)在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的特定階段會(huì)針對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行約定。例如在3G系統(tǒng)中選例如某應(yīng)用需要3.3V工作100MHz的視頻模擬開(kāi)關(guān),3.3V,此外一種可以工作在3.3V或者5V的環(huán)境下。當(dāng)設(shè)計(jì)進(jìn)行器件選型時(shí),必須規(guī)定對(duì)一種代碼下長(zhǎng)了自動(dòng)流控制功能。兩種物料一般狀況下都是可以通用的。某事業(yè)部一批單板,研發(fā)過(guò)程采用了作時(shí),會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)輸出某些錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。通過(guò)讓已下載的FPG如軟件不能控制FPGA的復(fù)位端,系統(tǒng)將無(wú)法正常工作。又例如某單板上FLASH的復(fù)位引腳連接到上理解這些問(wèn)題可以防止在設(shè)計(jì)中反復(fù)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤。再例如SPARTAN3型FPGA,2023年的廠(chǎng)商的器件手冊(cè)和2023從網(wǎng)上下載的器件手冊(cè)在某些闡明中存在差異。860型處理器,最初的手冊(cè)中推薦獎(jiǎng)TRST*接否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法啟動(dòng),在我們的設(shè)計(jì)中也出過(guò)這樣的案例。(參見(jiàn)參照文獻(xiàn)《CDMA事業(yè)部2023年度我們常用的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器最高工作頻率在不一樣版本的手冊(cè)中也許會(huì)有差異。系統(tǒng)中大量使用的企業(yè)LVT型總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器,在1998年之前是具有總線(xiàn)保持功能的。1998年開(kāi)始TI將總線(xiàn)保持器件更名為L(zhǎng)VTH(SCEA010LVTtoLVTHConversion),2023年開(kāi)始TI重新推出的LVT器件不含總線(xiàn)保持特TMS320C6414T型DSP,在2023年5月份之后的Errata(E版)中,闡明了當(dāng)DVDD比CVDD上2.1.15.對(duì)于設(shè)計(jì)中的可配置部分(包括計(jì)的上下拉電阻和0歐姆跳線(xiàn)電阻、為了同一塊PCB實(shí)現(xiàn)不一樣配置設(shè)計(jì)的可調(diào)部分,為防止風(fēng)險(xiǎn)而設(shè)計(jì)多種器件方案,最終只采用1種的狀況、為了調(diào)試以便設(shè)計(jì)的某些跳線(xiàn)和上下拉等。CMOS器件的輸入端一般為一對(duì)互補(bǔ)的MOSFET的柵極?;锝^緣層上制造的,具有非常高的電阻和一種小電容。當(dāng)懸空時(shí),管腳上微弱的感應(yīng)電荷很難器件輸入處在非確定電平(0.8V~2.0V)時(shí),器件消耗了更多的電流,約為4mA左右。這個(gè)電流看起來(lái)并不大,不過(guò)需要注意的是,這個(gè)電流完全耗散在器件上,每個(gè)門(mén)的功耗大概為13mW。右上圖是ISPMach4000系列輸出電流和電壓的關(guān)系。假設(shè)輸出電流為10mA,從曲線(xiàn)上可以看到,器件上的電壓降約為0.2V左右,每個(gè)門(mén)的功耗約為2mW。相比而言,器件處在中間電平將耗散數(shù)倍于正常工作狀態(tài)時(shí)的功率。假如16個(gè)門(mén)同步處在中間狀態(tài),器件上將產(chǎn)生0.2W的功率,影響器件壽命。有關(guān)震蕩狀態(tài)的機(jī)理簡(jiǎn)介為了防止這種狀況的發(fā)生,我們需要對(duì)不用的CMOS/BiCMOS器件管腳進(jìn)行處理,通過(guò)一種電阻將管腳接電源或者接地處理。電阻的選擇在“上下拉電阻的選擇”一節(jié)進(jìn)行簡(jiǎn)介,此外可以參見(jiàn)TI企業(yè)的文檔SCBA004《ImplicationsofSloworFloatingCMOSInputs》和劉春杰的文檔《一般邏輯器件輸有關(guān)總線(xiàn)保持器件在背面“原則上不推薦采用總線(xiàn)保持器件或者啟動(dòng)可編程器件的總線(xiàn)保持功能”返回2.2.2.懸空、固定電平的管腳管腳采用電阻接電源或者接地,嚴(yán)禁直接連接上節(jié)已經(jīng)闡明了CMOS器件輸入嚴(yán)禁懸空的問(wèn)題。此外,尚有某些控制信號(hào),我們?cè)谠O(shè)計(jì)中只規(guī)定其出于?!?’或者常‘1’狀態(tài)。在有的設(shè)計(jì)中,將不使用的器件直接連接在電源或者地上。在企業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中,單板都需要進(jìn)行ICT測(cè)試,需要通過(guò)探針對(duì)單板上的器件施加鼓勵(lì)并測(cè)量響應(yīng),確定單板與否正常。直接將器件的輸入端接地將導(dǎo)致器件該部分無(wú)法測(cè)試,因此從可測(cè)試性考慮,嚴(yán)禁將此類(lèi)輸入管腳直接接電源或者地,必須通過(guò)電阻連接。對(duì)器件懸空管腳進(jìn)行處理時(shí),應(yīng)考慮測(cè)試需要,例如器件的OE和輸入信號(hào)不應(yīng)使用同一種電阻進(jìn)行上下拉,否則在測(cè)試中由于有一種電平會(huì)關(guān)斷器件而無(wú)法測(cè)試;多種器件不應(yīng)使用公用的復(fù)位、控制或使能,否則無(wú)法隔離各個(gè)器件定位問(wèn)題,如下圖所示。推薦使用避免使用推薦使用返回2.2.3.多級(jí)具有上電3態(tài)的器件級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí),假如信號(hào)上電過(guò)程規(guī)定確定電平,則各級(jí)輸入端都例如下圖中的電路,為防止驅(qū)動(dòng)器3最先脫離上電3態(tài)后向背板輸出數(shù)據(jù),C點(diǎn)必須采用上拉或下拉確定為無(wú)效電平。假如驅(qū)動(dòng)器2先于1脫離上電三態(tài),它也許將C點(diǎn)驅(qū)動(dòng)為有效電平,因此B點(diǎn)必須進(jìn)行上拉或下拉處理。同樣道理,假如A點(diǎn)由一種上電時(shí)三態(tài)的器件驅(qū)動(dòng),那么A點(diǎn)也必須上拉或返回2.2.4.采用品有上電3態(tài)的器件驅(qū)動(dòng)背板輸入控制信號(hào),假如該信號(hào)上電后立即需要讀取且不受上電復(fù)位控制(例如單片機(jī)ISP模塊中的背板復(fù)位信號(hào)和下載使能信號(hào)),則必須采用電阻置初始電三態(tài)特性。我們不可以確定器件脫離3態(tài)或者完畢上電開(kāi)始工作的次序,故必須采用一定的手電源上升電源上升在3G的系統(tǒng)中,MCUISP模塊采用背板輸入的I_rst和I_downloaden信號(hào)啟動(dòng)單片機(jī)的軟件版本下載模式,不過(guò)單板進(jìn)入下載模式的故障。(在編譯中,啟動(dòng)了EPLD的內(nèi)部上拉使能。)EPLD的IO在上拉電阻作用下緩慢上升。當(dāng)電源電壓上升到閾值時(shí),EPLD開(kāi)始工作,244的OE端被為了防止這種狀況的發(fā)生,需要在244的輸出端添加1K的下拉電阻(采用1K電阻是為了保證在程的對(duì)的性。對(duì)于EPLD中受到復(fù)位信號(hào)控制的輸入,由于706芯片會(huì)輸返回返回有些單板設(shè)計(jì)中,設(shè)計(jì)者為了節(jié)省排阻,采用1個(gè)排阻,其中部分電阻對(duì)信返回2.2.7.UART器件16C55X,假如不使用其DSR、DCD、CTS信號(hào),需要進(jìn)行下拉,使信號(hào)為有效為了保證在多種狀態(tài)下器件工作正常,我們假如采用3線(xiàn)制串口通訊(TX,RX,GND),應(yīng)將這RI(RingIndicator)振鈴檢測(cè)返回對(duì)PCI總線(xiàn)信號(hào)的上拉規(guī)定,在PCI規(guī)范中給出了詳細(xì)闡明,請(qǐng)參見(jiàn)PCILocalBusSpecification返回我們使用的一般LVTTL邏輯器件輸入給出的VIL和VIH一般為0.8V和2.0V,處在這兩個(gè)值之間0.8V和2.0V之間,驅(qū)動(dòng)器的電流和功率消耗都會(huì)增大,不利于器件壽命(參見(jiàn)“未用CMOS/BICMOS當(dāng)對(duì)器件施加緩慢變化信號(hào)(例如采用RC和按鈕開(kāi)關(guān)產(chǎn)生復(fù)位脈沖的電路)時(shí),處在切換期內(nèi)的過(guò)LP對(duì)CL進(jìn)行充電,在LP上產(chǎn)生壓降,器件反轉(zhuǎn)時(shí),負(fù)載電容CL會(huì)通過(guò)引腳電感LP向地上下圖就是實(shí)測(cè)的LCX系列驅(qū)動(dòng)器在輸入緩慢上升波形時(shí)的輸出特性??梢钥吹捷敵龃_實(shí)發(fā)生了振蕩(來(lái)自于某單板按鍵復(fù)位電路)。21.00W/10.21.00W/10.HoldoffPrinttodiskfle:PR返回當(dāng)兩個(gè)器件的輸出的電平不一致時(shí),將會(huì)有較大的電流通過(guò)器件的輸出級(jí)直接從電源流到地,器件將耗散很大的功率,嚴(yán)重影響器件的壽命,并硬件設(shè)計(jì)保證不多于1個(gè)驅(qū)動(dòng)器的OE端使能。首先是使用上下拉電阻等保證在EPLD、FPGA未下載步驅(qū)動(dòng)總線(xiàn),也要防止在單板/系統(tǒng)上電過(guò)程中、單板上電后邏輯下載完畢企業(yè)的LVTH16244器件,發(fā)生多起失效。失效樣品體現(xiàn)為中心鼓起甚至燒裂。對(duì)驅(qū)動(dòng)器OE進(jìn)行對(duì)的在3G項(xiàng)目中,7塊(6+1)DIF單板共享背板總線(xiàn),通過(guò)24選4進(jìn)行總線(xiàn)選擇,選中其中的4個(gè)扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳播。假如上電的時(shí)候,還沒(méi)有來(lái)得及進(jìn)行24選4,就要關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器,防止發(fā)生總線(xiàn)沖有時(shí)我們的系統(tǒng)中也會(huì)運(yùn)用兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器的同步輸出。例如主備配置某單板承擔(dān)系統(tǒng)時(shí)鐘分發(fā)的功保證熱拔插過(guò)程中不會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)器件損壞以及誤碼,這部分可以參照本文的“差分信號(hào)應(yīng)考慮對(duì)于常用的TTL等器件,我們規(guī)定必須有OE端控制、上電三態(tài)(PU3S,Poweruptri-state)、關(guān)斷電流控制(Ioff)等功能(到達(dá)熱拔插2級(jí),熱插拔等級(jí)的定義來(lái)自于TI的技術(shù)文檔SCEA026《Logic到達(dá)2級(jí)熱拔插的器件在拔插過(guò)程中也許由于電容充電對(duì)數(shù)據(jù)導(dǎo)對(duì)于更高規(guī)定的應(yīng)用,可以考慮可以滿(mǎn)足熱拔插原則3級(jí)的器件,例如GTLP等。該類(lèi)器件在2返回MCS-51單片機(jī)的端口和總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力較弱,尤其是P1~P3端口,其輸出上拉構(gòu)造由3個(gè)MOS構(gòu)成,輸出由低跳高的前2個(gè)時(shí)鐘周期中,上拉較強(qiáng),其他時(shí)候上拉較弱。假如的負(fù)載(輸入高電平時(shí)需要流入電流的負(fù)載),將也許無(wú)法正常驅(qū)動(dòng)。有關(guān)MCS-51單片機(jī)端口特性的分析,可以參照初期技術(shù)文檔《51單片機(jī)返回總線(xiàn)保持器件(TI企業(yè)的LVTH器件,其他某些企業(yè)的LVT器件,以及部分LVCH器件等)在輸我們有過(guò)LVTH器件導(dǎo)致MPC860不能啟動(dòng)的案例,請(qǐng)參見(jiàn)參照文獻(xiàn)《CDMA事業(yè)部2023年度MCU驅(qū)動(dòng)較弱,不得采用LVTH器件驅(qū)動(dòng)MCU輸出信號(hào)。推薦每個(gè)輸入采用1K電阻進(jìn)行上拉或下拉,保證總線(xiàn)保持器件在無(wú)驅(qū)動(dòng)狀態(tài)總能被可靠的置為需返回為了防止總線(xiàn)狀況復(fù)雜化,我們一般不推薦使用BusHold器件。返回●可以提供器件所需要的上升下降時(shí)間規(guī)定電阻上的壓降不能多于3.3V-2.4V=0.9V,選擇下拉電阻時(shí),電阻上的壓降不能多于0.4V。對(duì)于早先的TTL器件,其輸入端的構(gòu)造決定其IH較小,而In較大,加之輸入低電平時(shí)電阻上容和BiCMOS器件,IH和In的區(qū)別一般不大,并當(dāng)一種電阻對(duì)多種輸入管腳設(shè)置電平時(shí),必須將I以常用的LVT16244B為例,其控制輸入管腳的靜態(tài)電流不超過(guò)luA,以容許400mV和900mV的壓降計(jì)算,單一管腳的下拉電阻可以選擇至400K,上拉電阻可以選擇至900K。對(duì)于一種器件4個(gè)OE端同步下拉,可以選擇100K的電阻,上拉可以選擇200K的電阻。對(duì)于一般輸入管腳,高電平的狀況同樣,低電平的電流到達(dá)了5uA。這樣,每個(gè)管腳容許的最大下拉電阻為80K,上拉電阻180K。lVcc=3.6V1實(shí)際上,我們都選擇10K的電阻就可以對(duì)1個(gè)或者多種器件的OE端實(shí)現(xiàn)非??煽康纳侠蛳吕?。對(duì)不用的輸入管腳進(jìn)行下拉處理時(shí),少于8個(gè)管腳的處理都可以通過(guò)一種10K電阻實(shí)現(xiàn)。阻時(shí)的漏電流,例如LVT16244B器件,其管腳輸出漏電流為5uA。5當(dāng)預(yù)置電平時(shí),必須將這個(gè)電流考慮在內(nèi)。例如1個(gè)244驅(qū)動(dòng)1個(gè)244的4個(gè)OE端,需要進(jìn)行上拉,那么漏電流應(yīng)以5uA+4uA=9uA計(jì)算,上拉電阻取值不得不小于100K。一般,我們采用10K的電阻,都留有足夠大的裕量。對(duì)于接口部分,還應(yīng)當(dāng)考慮當(dāng)局部(不管輸入輸出)掉電時(shí)的狀況,這時(shí)候漏電流由IorF或者PU3S狀態(tài)下的漏電流決定。16244的手冊(cè)中以上參數(shù)到達(dá)了100uA。我們采用單板接口下拉設(shè)計(jì),在總線(xiàn)三對(duì)于MLVD206驅(qū)動(dòng)器,其D、DE輸入電流為0~10uA,RE輸入電流為電流只會(huì)流入管腳(內(nèi)部弱下拉),采用下拉電阻將沒(méi)有電流,下拉電阻可以獲得很大,上拉電阻每個(gè)管腳不不小于40K;對(duì)于RE,電流只會(huì)流出管腳(內(nèi)部弱上拉),上拉電阻可以很大,下拉電阻每個(gè)管左右的功率。在復(fù)雜的系統(tǒng)中,100個(gè)這樣的電阻將消耗1.1W的功率,還是相稱(chēng)可觀(guān)的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)當(dāng)有多種可清除的負(fù)載存在時(shí)(背板接口上常常出現(xiàn)),這個(gè)問(wèn)題尤其需要注意。例如某系統(tǒng)中有電阻的大小為1K歐姆。當(dāng)10塊單板共存時(shí),撥碼開(kāi)關(guān)上的電流為33mA(3.3V電源),且伴隨板的拔上下拉電阻還要考慮器件對(duì)上升下降沿斜率的規(guī)定。對(duì)于目前的高速器件,緩慢的上升沿會(huì)導(dǎo)致器件停留在不確定電平的時(shí)間增長(zhǎng),為系統(tǒng)帶來(lái)不好的影響(參見(jiàn)“未用CMOS/BICMOS器件管腳不檔《一般邏輯器件輸入端口偏置電阻的選用》。)規(guī)定RC電路的上升時(shí)間滿(mǎn)足器件手冊(cè)的規(guī)定,則可以根據(jù)上升下降時(shí)間的規(guī)定和已知的C,求得最大的阻值R。參照文檔中給出了計(jì)算的措施,并給出了上拉對(duì)于LVT16244B器件1驅(qū)1的狀況下不不小于1.32K,下拉不不小于860歐姆的計(jì)算值。實(shí)際上,這個(gè)值的規(guī)定會(huì)更小,由于內(nèi)層5mil寬走線(xiàn)每英寸就也許帶來(lái)5pF的電容,而網(wǎng)絡(luò)上假如掛有多種器件,會(huì)規(guī)定電阻值更低,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)功率太大。當(dāng)采用10K歐姆左右的電阻時(shí),上升斜率一般狀況下,我們的上拉或下拉電阻可以統(tǒng)一選擇10K(針對(duì)一般器件的OE端、懸空管腳等);對(duì)于總線(xiàn)這樣的也許浮空并且負(fù)載較重的狀況,可以選擇1K左右的上拉或下拉電阻;當(dāng)需要預(yù)置的管腳較多或者器件內(nèi)部有上拉或下拉,我們預(yù)置的電平和內(nèi)部上下拉電阻相反時(shí),可以選擇1K電阻(對(duì)于掛有FPGA/EPLD的總線(xiàn)和控制信號(hào));對(duì)于總線(xiàn)保持器件,我們規(guī)定預(yù)置上下拉電阻不不小于3K,對(duì)于ISPMACH4000型EPLD,我們推薦使能全局上拉以簡(jiǎn)化當(dāng)溫度低時(shí)上拉電流較大。在某主控單板上Cyclone輸出其他單板的復(fù)位控制信號(hào),采用了10K的電阻下拉,保證未下載邏輯時(shí)輸出低電平(復(fù)位無(wú)效)。在低溫試驗(yàn)中,復(fù)位該主控單板會(huì)導(dǎo)致全框受控單板復(fù)位,經(jīng)分析確定為低溫下內(nèi)置上拉電流增大,導(dǎo)致10K電阻不可以將返回我們一般采用LVT器件驅(qū)動(dòng)/緩沖背板輸入和輸出的數(shù)據(jù)。為了減小閂鎖發(fā)生的也許性,在和背板電阻或者33歐姆排阻,輸入串聯(lián)100歐姆電阻或者排阻。33歐姆的串阻在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)傳播的狀況下,可以以信號(hào)完整性?xún)?yōu)先。例如對(duì)于驅(qū)動(dòng)諸多負(fù)載的總線(xiàn)型應(yīng)用,串聯(lián)33歐姆電阻導(dǎo)致信號(hào)上升沿緩慢,系統(tǒng)時(shí)序裕量小,可以考慮串聯(lián)5~10歐姆的電阻提高一次波的幅度和上升斜率;在3G系統(tǒng)基帶射頻接口中,為了保證主備配置下的信號(hào)完整性問(wèn)題,將33歐姆串阻放在了背板上,在射頻接口板中驅(qū)動(dòng)器假如單板自身要接受自己發(fā)送到背板上的信號(hào),接受信號(hào)必須在33歐姆串阻之前獲得(上右圖的電路),不得在33歐姆串阻之后取(上左圖的電路)。由于輸出驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行源端端接之后,輸出后串阻即在33歐姆串阻后得到的是一種臺(tái)階波,臺(tái)階持續(xù)的時(shí)間大概為2倍的信號(hào)傳播線(xiàn)延遲(參見(jiàn)《High阻的大小為100歐姆,下拉電阻的大小為10K。采用10K歐姆下拉電阻是由于對(duì)于單個(gè)的LVT低電平,而對(duì)于總線(xiàn)型的信號(hào),雖然10塊單板同步連接時(shí),并聯(lián)形成1K的下拉電阻對(duì)于驅(qū)動(dòng)端不會(huì)因此我們一般采用折中的措施,對(duì)于輸出管腳較多的時(shí)鐘芯片,其電源濾波采用一顆磁珠(推薦選用120歐姆@100M,BLM31P121SGPT,根據(jù)系統(tǒng)EMC實(shí)際狀況可以調(diào)整),磁珠后應(yīng)接10uF鉭電解電容,0.1uF陶瓷電容和1000pF陶瓷電容提供較寬頻段內(nèi)的低阻抗。磁珠BLMB1P121SGPT時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器LC多電源管腳時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器件每對(duì)電源地管腳之間的電源去耦可以照常進(jìn)行。提議在器件下方鋪設(shè)一塊銅皮作為電源,減低電源回路的電感。返回2.3.2.單板50MHz以上時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器件未用管腳,通過(guò)75歐姆電阻接平面單板時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器當(dāng)輸出懸空時(shí),有也許會(huì)引起輻射的增強(qiáng)(目前少見(jiàn)實(shí)際案例)。添加75歐姆電阻到地可以減少輸出管腳電流高頻諧波分量。對(duì)懸空管腳處放置電流探頭進(jìn)行仿真的成果發(fā)現(xiàn)部分頻率諧波會(huì)有所增強(qiáng),部分頻率(500MHz以上)諧波成分減少。對(duì)電源的沖擊與否有改善尚待驗(yàn)證。在《PerfectTimingBook》上,對(duì)未用管腳推薦采用一種5~10pF的對(duì)地電容端接,重要目的是減少驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部Bank之間電流的差異,防止產(chǎn)生過(guò)多的時(shí)鐘偏斜。現(xiàn)代驅(qū)動(dòng)器中,這樣的偏斜是很小的,對(duì)于我們的大多數(shù)應(yīng)用,基本可以忽視不計(jì)。添加75歐姆電阻會(huì)消耗較多的靜態(tài)功耗,例如一種3807,輸出占空比50的方波,10個(gè)電阻將消耗0.7W的功率,而假如錯(cuò)誤的對(duì)基本上恒為高的PP2S對(duì)地處理,功耗將到達(dá)1.4W。從EMI測(cè)試的角度來(lái)看,實(shí)際上是對(duì)一段時(shí)間內(nèi)的EMI進(jìn)行測(cè)試,低頻信號(hào)切換頻率低,對(duì)應(yīng)的輻射也會(huì)較小。該措施重要針對(duì)500MHz以上的分量,故低頻時(shí)鐘不需要考慮。綜上所述,我們提議在輸出管腳添加電阻/電容到平面,選擇電源還是地需要由時(shí)鐘占空比確定。時(shí)鐘信號(hào)在系統(tǒng)中至關(guān)重要,時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)往往是EMI的重要源頭,因此時(shí)鐘信W時(shí)鐘邊緣上升時(shí)間最小值有規(guī)定的場(chǎng)所(例如器件規(guī)定Tr>3nS),可以使用該電路延緩上升沿。該方案需要3個(gè)器件實(shí)現(xiàn)端接,比較麻煩,在初版中一般不需要采用接方式單板出現(xiàn)EMI超標(biāo),試驗(yàn)驗(yàn)證在超標(biāo)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)上采W分叉不對(duì)稱(chēng)時(shí)仍舊可以工作,只是出現(xiàn)某些反射和振鈴現(xiàn)象。在單片機(jī)模塊電路中,我們采用了這種拓?fù)?。一般我們也認(rèn)為在不得不驅(qū)動(dòng)兩個(gè)距離較遠(yuǎn)負(fù)載的狀況下,可以選擇這種拓?fù)?。這種拓?fù)洚?dāng)兩個(gè)分叉對(duì)稱(chēng)性很差時(shí),也也許出現(xiàn)某些反射導(dǎo)致的毛刺等,提議通過(guò)仿真選擇器件參數(shù)。WW兩個(gè)負(fù)載可以不一樣,走線(xiàn)基本等長(zhǎng)。三個(gè)電阻規(guī)定放在一起,離驅(qū)動(dòng)端的距離控制在0.25nS之內(nèi),可以采用下面的拓?fù)?。直接連接在驅(qū)動(dòng)器上的端接電阻相稱(chēng)于在上面一種拓?fù)渲性龃罅蓑?qū)動(dòng)器的內(nèi)阻,背面的兩個(gè)電阻相稱(chēng)于上面圖中的端接電阻減小。在這個(gè)拓?fù)渲行盘?hào)會(huì)反射產(chǎn)生多種臺(tái)階,要選擇合適的電阻保證一次波翻轉(zhuǎn)。該拓?fù)湟仨氝M(jìn)行仿真后才可以使用。WWW再考慮時(shí)鐘線(xiàn)減少高次諧波的狀況,在中間結(jié)點(diǎn)接一種電容,和前面的源端端接方案添加電阻很類(lèi)似。該方案規(guī)定通過(guò)仿真后使用。當(dāng)需要驅(qū)動(dòng)多種負(fù)載時(shí),可以采用如下的菊花鏈拓?fù)?。這個(gè)器件相稱(chēng)于一種終端端接方案。網(wǎng)絡(luò)上每個(gè)點(diǎn)的分叉應(yīng)當(dāng)盡量減小,盡量均勻分布負(fù)載。必要時(shí),各個(gè)負(fù)載上可以串聯(lián)一種電阻,減少對(duì)整根傳播線(xiàn)的影響。這樣,多種相似負(fù)載均勻掛在傳播線(xiàn)上相稱(chēng)于減少了傳播線(xiàn)的阻抗,需要注意終端端接電阻的選用,對(duì)的的端接傳播線(xiàn)。該方案必須通過(guò)仿真后才能使用。返回返回也許存在諧振點(diǎn),即對(duì)某些頻率分量的增益不小于1,該頻率分量上的相噪將被放大。返回源引腳上產(chǎn)生壓降(VccSag或者GroundBounce),導(dǎo)致芯片的參照電位波動(dòng)。假如芯片在設(shè)計(jì)過(guò)程中串阻串阻來(lái)自板外必須注意的是,我們應(yīng)當(dāng)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中通過(guò)良好的拓?fù)湓O(shè)計(jì)、號(hào)質(zhì)量良好,而不應(yīng)依賴(lài)備用的電容處理設(shè)計(jì)和器件質(zhì)量問(wèn)題。WWWWMW連接器連換露TVS器件即TransientVoltageSuppressor,是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)吸取信號(hào)線(xiàn)或者電源上出現(xiàn)的瞬態(tài)過(guò)壓與擊穿電壓之比稱(chēng)為鉗位系數(shù)。一般筘位系數(shù)取值為1.33(在總的額定功率下)或1.20(在50%●最大反向工作電壓Vw:該電壓是指器件反向工作時(shí),在規(guī)定的漏電流下,器件兩端的電壓6.TVS器件的選型時(shí)要考慮器件的響應(yīng)時(shí)間滿(mǎn)足規(guī)定。2.4.2.保護(hù)器件應(yīng)與被保護(hù)器件接在相似的地平面,如采用變壓器隔離,為保證隔離特性,隔離變壓器初次級(jí)兩側(cè)的器件要分別接對(duì)應(yīng)的參照地我們常用的保護(hù)器件內(nèi)部一般為T(mén)VS管或者鉗位二極管陣列。當(dāng)電壓高于擊穿電壓時(shí)或者正向?qū)妷簳r(shí),器件就會(huì)擊穿或者導(dǎo)通。假如保護(hù)器件和被保護(hù)器件接在不一樣的地平面上,就形成了一種潛通路(參見(jiàn)參照文檔《潛在通路分析技術(shù)及其在通信系統(tǒng)故障調(diào)查中的應(yīng)用》,劉春杰,景煥強(qiáng))。當(dāng)兩個(gè)參照點(diǎn)之間的電位差異比較大時(shí),保護(hù)器件導(dǎo)通,導(dǎo)致被保護(hù)器件過(guò)應(yīng)力損壞。例如某單板的E1保護(hù)采用如下圖的電路。注意變壓器器件側(cè)的DA108S錯(cuò)誤的接在保護(hù)地上。當(dāng)GNDP和GNDD之間存在較大的電位差時(shí),DS108S直接將GNDP上面的過(guò)壓瀉放到信號(hào)線(xiàn)上,導(dǎo)致被保護(hù)器件損壞。在這里,DS108S不應(yīng)連接在GNDP上,而應(yīng)當(dāng)和被保護(hù)的器件一起連接在GNDD上。該案例的詳細(xì)簡(jiǎn)介,請(qǐng)參見(jiàn)參照文獻(xiàn)《CDMA事業(yè)部2023年度可靠性經(jīng)驗(yàn)案例集》。對(duì)于機(jī)框內(nèi)部的連接,雖然采用變壓器隔離,由于整個(gè)機(jī)框都采用數(shù)字地作為參照,因此隔離變壓器初次級(jí)兩側(cè)都應(yīng)當(dāng)向數(shù)字地進(jìn)行保護(hù)(假如需要保護(hù)的話(huà))。對(duì)于出框的連接,隔離變壓器器件側(cè)以數(shù)字地作為參照地進(jìn)行保護(hù),線(xiàn)路側(cè)以保護(hù)地作為進(jìn)行保護(hù)。PTC的意思為正溫度系數(shù)熱敏電阻器,重要廠(chǎng)商為Poly電阻變大,限制了電流的增大,防止TVS損壞。假如PTC動(dòng)作過(guò)緩,會(huì)導(dǎo)致TVS在PTC動(dòng)作之前過(guò)應(yīng)力損壞。而PTC在動(dòng)作之后,展現(xiàn)很大的電阻,將承受過(guò)壓的大部分電壓,因此必須考慮PTC能否企業(yè)廣泛參照的E1/T1防雷保護(hù)電路中(參見(jiàn)范大祥《E1/T1接口雷擊浪涌保護(hù)電路》),通過(guò)靜電試驗(yàn)驗(yàn)證,采用了RUSB120/RUSB185型PTC配合TPN3021型TVS管進(jìn)行第一級(jí)保護(hù)。RUSB120/RUSB185是為USB保護(hù)設(shè)計(jì)的PTC,耐壓為6V,設(shè)計(jì)未考慮電源搭接等異常狀況。 (有關(guān)此故障的詳細(xì)分析請(qǐng)參見(jiàn)劉春杰、周恒箴《挪威局調(diào)試SIMO、RDTB上器件失效分析匯報(bào)》,硬件這個(gè)案例闡明,我們目前的E1/T1模塊電路不能防止電源搭接(包括-48V搭接和)等異常狀況,假如需要防止這種狀況的發(fā)生,需要重新考慮選用PTC。假如不需要考慮此種異常(認(rèn)為在工程現(xiàn)場(chǎng)可以排除此類(lèi)異常出現(xiàn)的也許),則可以從成本考慮,通過(guò)試驗(yàn)選用PTC器件。邏輯資源的運(yùn)用率應(yīng)當(dāng)保留在50%~80%之間。資源包括內(nèi)置的RAM、乘法器或者DSP資源、邏輯資源(包括組合邏輯和寄存器、布線(xiàn)資源)、IO資源等。對(duì)于可以精確估計(jì)使用狀況的資源,如乘法器或DSP單元,占用率容許抵達(dá)100%。對(duì)于低于50%則推薦采用低容量器件減少成本,高于80%則假如由于邏輯功能簡(jiǎn)樸,已經(jīng)選擇選型范圍內(nèi)容量最小的FPGA,或者考慮芯片通用性好在邏輯選型時(shí),推薦在管腳兼容的系列器件中,有容量較小(假如選型器件為最小)和容量更大的當(dāng)需要通過(guò)兩片邏輯完畢某一功能,存在容量容量為2倍的邏輯器件完畢。例如計(jì)劃使用2片4128完畢功能,則推薦優(yōu)選一片4256,這樣可以節(jié)省FPGA的輸入必須要有一種當(dāng)?shù)貢r(shí)鐘,保證在熱插拔、系統(tǒng)故障的時(shí)候,邏輯尚有時(shí)鐘可以輯跑飛的時(shí)候可以恢復(fù),不產(chǎn)生破壞性的影響(通過(guò)外部時(shí)鐘通過(guò)倍頻器、零延2.5.3.對(duì)于可編程邏輯器件的懸空管腳(包括測(cè)試管腳、設(shè)計(jì)淘汰導(dǎo)致的懸空輸入等),必須確認(rèn)其在在設(shè)計(jì)中,可編程邏輯器件IO有剩余的狀況很輕易出現(xiàn),對(duì)大量的多出I尚有一種狀況會(huì)導(dǎo)致管腳懸空:我們的3G設(shè)計(jì)中有諸多1塊PCB對(duì)應(yīng)多種料單,實(shí)現(xiàn)不一樣功態(tài)的輸出緩沖器和一種輸入緩沖器構(gòu)成。當(dāng)定義為高阻態(tài)時(shí),輸入緩沖器仍然連接在管腳上。因此以上多種狀況,必須保證這些管腳在實(shí)際應(yīng)用對(duì)于不用的IO管腳和測(cè)試管腳,可以定義致懸空的信號(hào),應(yīng)采用添加外部上拉或下拉電阻或者使能器件內(nèi)部IO管腳上下拉的措施,管腳的可以編程為上拉或者懸空;有某些邏輯器件具有全局可編程的設(shè)置,例如Lattice企業(yè)的ISPMACH4000系列可以編程為上拉、下拉、懸空或者總線(xiàn)保持(不推薦使用總線(xiàn)保持功能),不過(guò)所有的管腳懸空時(shí)狀態(tài)為‘1’,設(shè)計(jì)中與否確定輸入‘1’系統(tǒng)正常工作?假如外部有下拉電阻,能否保證在所有的管腳都具有相似的上拉或下拉。例如編程為上拉,那么對(duì)于某些采用外接3G總線(xiàn)統(tǒng)一規(guī)定使用下拉電阻),內(nèi)置上拉電阻和外接下拉電阻將形成分壓返回2.5.4.LatticeISPMach4000系列器件,提議使能內(nèi)部上拉,外部上拉采用10K,下拉采用1K設(shè)計(jì)我們的系統(tǒng)中大量應(yīng)用LatticeISPMach4000系列EPLD。對(duì)于需要外部上拉的場(chǎng)所,上拉電阻采用10K,需要外部下拉的場(chǎng)所,下拉采用1K設(shè)計(jì)??梢员WC高電平靠近VCC,低電平約為0.2V。對(duì)于負(fù)載2.5.5.FPGA的Done指示管腳(包括Conf返回2.5.6.不要用特殊管腳當(dāng)做一般的IO使用在EPLD和FPGA中,有些管腳,是作為特殊管腳使用的,不過(guò),也可以作為一般I/O。在一般狀況下,可以當(dāng)IO用的特殊管腳盡量不要用作IO。這些管腳需要按照器件手冊(cè)仔細(xì)看待。下面給出某些●GCLK0~3,這些管腳是連接到全局時(shí)鐘緩沖器上,假如不用時(shí)鐘,可以作為一般的輸Vref,假如不需要外部閾值電壓時(shí),可以作為顧客的I/O。這個(gè)對(duì)于一般用于LVTTL電平的系統(tǒng),不需要外部閾值電壓。可以作為一般I/O。IRDY,TRDY,假如XILINX的PCI核不用,可以作返回采用線(xiàn)性電源(包括LDO)可以得到較低的噪聲,并且由于使用簡(jiǎn)樸,成本低,因此在單板上應(yīng)線(xiàn)性電源的基本原理如圖所示。輸出電壓通過(guò)采樣后和參照電源(由晶體管帶隙參照源或者齊納二極管提供)進(jìn)行減法運(yùn)算,差值通過(guò)放大例如采用1只TO-263封裝的LDO將電壓從3.3V降到1.2V,負(fù)載電流為1.5A,負(fù)載上耗散的功率為1.8W。此時(shí)LDO上承擔(dān)了2.1V壓降,耗散的功率3.15W,3.3V電源提供的功確定合適的散熱措施,并且在3.3V電源在預(yù)算中必須可以提供1.5A的電流(或者5W以上的功率),保證系統(tǒng)的工作正常。(對(duì)于線(xiàn)性電源的原理參見(jiàn)參照文檔《TheArtofElectronics2Edition》,2.6.3.LDO輸出端濾波電容選用時(shí)注意參照手冊(cè)規(guī)定的最小電容、電容的ESR/ESL等規(guī)定保證電路穩(wěn)定。推薦采用多種等值電容并聯(lián)的方式,增LDO輸出電容為負(fù)載的變化提供瞬態(tài)電流,同步由于輸出電容處路的高頻性能,不過(guò)對(duì)于某些線(xiàn)性穩(wěn)壓電源,輸出端ChCh1上升ci%比SA在某試驗(yàn)板中,采用MIC39300-2.5BU型LDO,輸出電容為20uF,不滿(mǎn)足手冊(cè)規(guī)定的47uF假如對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性感愛(ài)好,可以參照自動(dòng)控可以滿(mǎn)足后級(jí)電路工作的規(guī)定。例如在某單板鎖相環(huán)路設(shè)計(jì)中采用了一階RC濾波器,濾波電阻選擇12歐姆。鎖相環(huán)中VCXO的工作電流約為30mA,在濾波電阻上產(chǎn)生300mV的壓降,額定電壓3.3V纖插上時(shí)SD(光檢測(cè))信號(hào)上升緩慢,不能對(duì)的反應(yīng)實(shí)際狀況的問(wèn)題。通過(guò)檢查發(fā)現(xiàn)濾波電感的直流電阻約為3歐姆,光模塊工作電流約為100mA,電感上的壓降導(dǎo)致光模塊的工作電壓只有約2.9V左右,時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片管腳上的紋波高達(dá)1V以上。采用多電大容量電容一般為電解電容,其體積較大,引腳較長(zhǎng),常常為卷繞式構(gòu)二氧化錳)。這些電容的等效串聯(lián)電感較大,導(dǎo)致這些電容的高頻特性較到幾MHz之間(參見(jiàn)Sanyo企業(yè)OSCON器件手冊(cè)和AVX企業(yè)鉭電容器件手冊(cè))。小容量的陶瓷貼片電容具有低的ESL和良好的頻率特性,其諧振點(diǎn)一般可以抵達(dá)數(shù)十至數(shù)百M(fèi)Hz(參見(jiàn)參照文獻(xiàn)《High-speedDigitalDesign》以及AVX等企業(yè)陶瓷電容器件手冊(cè)),可以用于給高頻信號(hào)提供低阻抗的因此,在應(yīng)用大容量電容(電解電容)時(shí),應(yīng)在電容上并聯(lián)小容量瓷片電容使用。返回2.6.6.升壓電源(BOOST)使用必須增長(zhǎng)一種保險(xiǎn)管以防止負(fù)載短路時(shí),電源直通而導(dǎo)致整個(gè)單板由圖中拓?fù)淇梢钥闯?,我們不能通過(guò)控制Q1的通斷來(lái)切斷輸入和輸出之間的通路或者控流。當(dāng)輸出電源短路時(shí),輸入電源(一般是單板主電源)通過(guò)L和D1直接短路到地。導(dǎo)致的成果將是L或者D1燒毀且失效模式為開(kāi)路。在L或者D1燒毀之前,單板電源處在短路狀態(tài),假如L和D1電2.6.7.電源要有防反接處理,輸入電流超過(guò)3A,輸入電源反接只容許損壞保險(xiǎn)絲;低于或等于3A,電源要有防反接處理,輸入電流超過(guò)3A,輸入電管將由于G-S電壓的穩(wěn)壓至12V,使D-S導(dǎo)通。這樣電源回路將能順利形成。電容C1是起到緩啟動(dòng)作用的,這樣可以起到防浪涌的目地。電阻R6、二極管VD3構(gòu)成電容C1的放電回路。當(dāng)電源反接的時(shí)候,由于光耦輸入二極管正偏置,輸出C-E導(dǎo)通,使并聯(lián)的NMOS管截止。這樣回路就切斷了,起返回很有也許導(dǎo)致器件不可以正常工作,甚至觸發(fā)閂鎖導(dǎo)致器件燒毀。例如TMS320C6414T型DSP,2023年5月之后的Errata中闡明,當(dāng)DVDD較CVDD早上電時(shí),也許出現(xiàn)PCI/HPI數(shù)據(jù)錯(cuò)的問(wèn)題。對(duì)于載燒結(jié)文獻(xiàn)時(shí),電源處在關(guān)斷狀態(tài)。也可以通過(guò)在不一樣的電源之間連接肖特基二極管保證上電掉電返回2.6.10.多種芯片配合工作,必須在最慢上電器件初始化完畢后開(kāi)始操作當(dāng)多種芯片配合工作時(shí),必須在最慢的期間完畢初始化后才能開(kāi)始操作,否則也許導(dǎo)致不可預(yù)料的成果。例如LVT16244驅(qū)動(dòng)器具有上電3態(tài)功能,雖然OE端被下拉到地,也需要等到電源電壓上升到一定閾值才會(huì)脫離高阻態(tài),而此前EPLD等器件也許已經(jīng)開(kāi)始工作,這樣就也許導(dǎo)致EPLD讀到錯(cuò)誤的狀態(tài)。參見(jiàn)前面的闡明。對(duì)于某些ROM等器件,在上電后一段時(shí)間才能開(kāi)始工作,假如在此之前就開(kāi)始讀取,也也許導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。2.6.11.電源???芯片感應(yīng)端在布局時(shí)應(yīng)采用開(kāi)爾文方式諸多電源模塊和電源芯片在設(shè)計(jì)時(shí),采用了獨(dú)立的Sense管腳,作為對(duì)輸出電壓的反饋輸入。這個(gè)Sense信號(hào)應(yīng)當(dāng)從取用電源的位置引給電源模塊,而不應(yīng)當(dāng)在電源模塊輸出端直接引給電源模塊,這樣可以通過(guò)電源模塊內(nèi)部的反饋賠償?shù)魪碾娫茨K輸出傳播到實(shí)際使用電源處途徑帶來(lái)的衰減。如下圖中白色走線(xiàn)所示。電源希出端-電源希出端-反饋端C?電源模塊對(duì)于電源監(jiān)控電路等,也應(yīng)當(dāng)遵守相似的原理,即從實(shí)際需要監(jiān)控點(diǎn)將電源引給監(jiān)控電路,而不是請(qǐng)參見(jiàn)《EPCOS0.1u100VMLCC電容(33160047)失效分析匯報(bào)》。電源濾波電容存在于單板電源入口處,安裝和波峰焊過(guò)程中易受到應(yīng)力從而產(chǎn)生微2.7.1.使用CY2302時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,應(yīng)注意假如對(duì)輸入輸出時(shí)鐘的相位規(guī)定一致,那么必須選擇OUT2系統(tǒng)中常用CY2302進(jìn)行倍頻。假如對(duì)輸入輸出時(shí)鐘的相位規(guī)定一致,那么必須選擇OUT2反饋、CCM/CDSU單板在插入機(jī)框時(shí)有時(shí)無(wú)法正常啟動(dòng),其比率到達(dá)18%左右。測(cè)量復(fù)位芯片ADM706R將PFI上拉。參見(jiàn)參照文獻(xiàn)《CDMA事業(yè)部2023年度可靠性經(jīng)

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