中國砷化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析企業(yè)數(shù)量較少未來市場規(guī)模超500億

2018年我國砷化鎵元件市場規(guī)模增速放緩相關(guān)公司數(shù)量總體較少根據(jù)前瞻測算，2012-2018年，我國砷化鎵元件市場經(jīng)歷了快速增長期。2018年，我國砷化鎵元件市場規(guī)模達(dá)到238.36億元，同比增長3.72%，增速放緩的原因主要是下游智能手機(jī)市場飽和，用于智能手機(jī)的PA需求量減少。從國內(nèi)上市企業(yè)來看，目前涉及砷化鎵業(yè)務(wù)的公司數(shù)量總體較少，其中三安光電、乾照光電在LED領(lǐng)域應(yīng)用方面較為成熟，能夠做到垂直整合。2018年砷化鎵元件市場規(guī)模增速放緩1962年，在林蘭英院士的帶領(lǐng)下，中國研制出了我國第一個(gè)GaAs單晶樣品。1964年，我國第一只GaAs二極管激光器被成功研制出來。由于在半導(dǎo)體材料上的諸多貢獻(xiàn)，林蘭英被譽(yù)為“中國太空材料之母”。2001年，北京有色金屬研究總院成功研制出國內(nèi)第一根直徑4英寸VCZ半絕緣砷化鎵單晶，使我國成為繼日本、德國之后第三個(gè)掌握此項(xiàng)技術(shù)的國家。由于受到成本和技術(shù)上的限制，GaAs晶圓廠必須具備一定級別的投資規(guī)模和長時(shí)間制程技術(shù)的開發(fā)，因此這類企業(yè)擁有極高的準(zhǔn)入門檻，國內(nèi)能夠形成一定體量的廠商屈指可數(shù)。在經(jīng)過多年積淀過，我國臺(tái)灣地區(qū)在制程技術(shù)上擁有了極大優(yōu)勢，收獲了全球諸多委外代工訂單，也形成了臺(tái)灣獨(dú)特的代工產(chǎn)業(yè)模式。根據(jù)發(fā)布的《中國砷化鎵行業(yè)市場前景預(yù)測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2012-2018年，我國砷化鎵元件市場經(jīng)歷了快速增長期。2012年我國砷化鎵元件市場規(guī)模已達(dá)78.6億元，2014年我國砷化鎵元件市場規(guī)模突破百億元，到了2016年我國砷化鎵元件市場規(guī)模突破200億元，截止至2018年我國砷化鎵元件市場規(guī)模達(dá)到238.36億元，同比增長3.72%，增速放緩的原因主要是下游智能手機(jī)市場飽和，用于智能手機(jī)的PA需求量減少。212-2018年中國砷化鎵元件市場規(guī)模統(tǒng)計(jì)及增長情況數(shù)據(jù)來源：整理(備注：2013年市場規(guī)模增速為16.65%)砷化鎵概念上市企業(yè)較少，總體盈利水平一般從國內(nèi)上市企業(yè)來看，目前涉及砷化鎵業(yè)務(wù)的公司數(shù)量總體較少，其中三安光電、乾照光電在LED領(lǐng)域應(yīng)用方面較為成熟，能夠做到垂直整合。中國涉及砷化鎵業(yè)務(wù)上市公司匯總統(tǒng)計(jì)情況資料來源：整理我國砷化鎵行業(yè)主要集中在單晶制作以及LED領(lǐng)域的垂直整合，相比全球領(lǐng)先企業(yè)盈利水平一般。根據(jù)上市公司發(fā)布的數(shù)據(jù)來看，2018年，我國砷化鎵行業(yè)毛利率參差不齊且總體在較低水平，其中最高的是三安光電芯片、LED產(chǎn)品，為37.09%。2018年中國砷化鎵行業(yè)毛利率統(tǒng)計(jì)情況數(shù)據(jù)來源：整理我國砷化鎵元件市場規(guī)模前景預(yù)測砷化鎵元件系無線通訊產(chǎn)業(yè)之關(guān)鍵性零組件，在通訊產(chǎn)業(yè)蓬勃快速發(fā)展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢下，近幾年來已成為手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路不可或缺的重要關(guān)鍵元件。雖然全球智慧型手機(jī)年出貨量已進(jìn)入低度成長，但隨著VCSEL的應(yīng)用導(dǎo)入手機(jī)及5G世代的開啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無減，同時(shí)超高頻通訊的普及以及光通訊應(yīng)用的崛起對于砷化鎵元件都有強(qiáng)勁的需求。目前，中國作為電子信息制造業(yè)大國，下游應(yīng)用市場廣闊。根據(jù)前瞻預(yù)計(jì)，2019-2024年，中國砷化鎵元件市場CAGR在15%左右，快于全球市場同期增速，中國市場規(guī)模占全球比重將進(jìn)一