PAGEPAGE26 三菱電機IPM（智能功率模塊）應用手冊IntelligentPowerModulesApplicationManual三菱電機集團上海攝陽國際貿(mào)易有限公司T：021-64326698013817693913F海洋（工程師）http://Email:stephenku@上海市漕寶路80號光大會展中心D座2306室目錄引言…………….5IPM（智能功率模塊）的一般認識……………52.1.功率電路之設計…………5關斷浪涌電壓續(xù)流二極管恢復浪涌接地回路減小功率電路之電感吸收電路之設計……..6吸收電路的類型吸收電感的作用母線電感的作用功率電路和吸收電路設計的建議功耗設計………………..8功耗的估算VVVF變頻器功耗的計算平均結溫的估算瞬態(tài)溫升的估算散熱器之安裝IPM的前身-IGBT模塊的使用……113.1.IGBT模塊的結構和工作原理…………11IGBT模塊的額定值和特性………….11最大額定值電氣特性熱阻特性曲線………………12輸出特性飽和特性開關特性柵極驅動及模塊的保護………………..13驅動電壓串聯(lián)柵極電阻（RG）柵極驅動所須功率要求柵極驅動布線注意dv/dt保護短路保護IPM智能功率模塊的使用…………16IPM的結構………….16多層環(huán)氧樹脂工藝銅箔直接鑄接工藝IPM的優(yōu)點IPM額定值和特性…………………..19最大額定值熱阻電氣特性推薦工作條件安全工作區(qū)…………..21開關安全工作區(qū)短路安全工作區(qū)IPM的保護功能……..21自保護特性控制電源的欠壓鎖定（UV）過熱保護（OT）過流保護（OC）短路保護（SC）IPM的選用…………24控制電路電源IPM的控制電源功率消耗布線指南電路結構IPM接口電路……..25接口電路要求布線內(nèi)部輸入輸出電路連接接口電路死區(qū)時間（Td）目錄故障信號FO輸出的使用IPM的一般應用一般變頻系統(tǒng)的結構多功能控制板IPM多功能控制板IPMMCUMCU1．引言:把MOS管技術引入功率半導體器件的思想開創(chuàng)了革命性的器件：絕緣柵雙極晶體管IGBT。她正在影響著工業(yè)，消費，軍事等電力電子系統(tǒng)。隨著IGBT的工作頻率在20KHZ的硬開關及更高的軟開關應用中，我們已然把她代替了MOSFET和GTR。功率器件的應用IGBT的發(fā)展使集外圍電路內(nèi)置于一塊功率模塊的IPM脫穎而出。IPM已被用于無噪聲逆變器，低噪聲UPS系統(tǒng)和伺服控制器等設備上。IPM使用戶產(chǎn)品的體積減小，縮短上市時間，簡化開發(fā)步驟。因為她內(nèi)含：柵極驅動，短路保護，過流保護，過熱保護和欠壓鎖定。IPM（智能功率模塊）的一般認識功率電路之設計關斷浪涌關斷浪涌電壓是在關斷瞬間流過IGBT的電流時產(chǎn)生的瞬態(tài)高壓。1.2.圖1是半橋感性負載電路，圖2是它的波形。下面的IGBT由一組脈沖來控制導通和關斷。每當下臂導通電流都將增加。當該IGBT關斷時，負載電流不能立即變化，由上臂續(xù)流二極管導通。如果電路是理想的（不存在寄生電感），關斷時下臂上的電壓將上升，直到比母線電壓高出一個壓降值。上臂的續(xù)流二極管隨后導通以防止電壓進一步上升。但實際電路中必有寄生電感（Lp），且增加的電壓VP=LP×di/dt,這個電壓與電源電源電壓疊加并以浪涌形式加在下臂IGBT的兩端，在極端情況下可能因超過VCES而損壞。續(xù)流二極管的恢復浪涌當續(xù)流二極管恢復時會產(chǎn)生與關斷浪涌電壓相似的浪涌電壓。當下臂IGBT開通時，續(xù)流管電流轉移到下臂IGBT而下降。而當恢復時，線路中的寄生電感產(chǎn)生一個浪涌電壓LP×di/dt.接地回路當控制信號（柵極驅動）與主電流共用一個電流路徑時會導致接地回路。由于主回路有很高的di/dt，至使在具有寄生電感的功率回路產(chǎn)生感應電壓，而導致可能感應到柵極把本來截止的IGBT導通。下圖描述了避免接地回路的噪聲。圖A：這種電路適合于小電流六合一封裝的模塊。圖B：這種電路適合于200A額定電流的模塊。（下臂柵極電源獨立）圖C：超過300A的模塊推薦使用。減小功率電路之電感浪涌電壓與寄生電感LP成正比。所以在大電流模塊的使用中更要降低回路電感。迭層母線結構橫截面圖（極板放大以示細節(jié)）吸收電路之設計吸收電路用以控制關斷浪涌電壓和續(xù)流二極管恢復浪涌電壓。大電流三相變頻器主回路布局吸收電路的類型：圖A：由一個低感電容跨接在C1E2間，六合一的模塊接在PN之間。圖B：該二極管箝住瞬變電壓，抑制諧振。RC時間常數(shù)應為開關周期的約為1/3（τ=T/3=1/3f）.圖C：大電流應用電路。圖D：能有效控制瞬變電壓，寄生震蕩及噪音。不過高頻應用欠佳。吸收電感的作用：此圖中ΔV=LS×di/dt（關斷電壓波形）LS=吸收電路的寄生電感；di/dt=關斷瞬間或恢復瞬間的di/dt由此可見大功率IGBT電路必須采用低感吸收電路。母線電感的作用：設初試浪涌后隨著吸收電容的充電，第二次瞬間電壓為ΔV2則：1/2LPI2=1/2CΔV22（P=母線電感，I=工作電流，C=吸收電容；ΔV2=吸收電容峰值；）則C=LPI2/ΔV22關于功率電路和吸收電路的幾點建議因為電容量和母線電感成正比，所以降低母線電感就能減少吸收電容。雙單元模塊吸收電路六，七單元模塊吸收電路推薦吸收電路取值表功耗設計功耗估算通態(tài)損耗：通態(tài)總功耗=飽和壓降*通態(tài)電流。在感性負載中，可以近似的通過VFM*續(xù)流二極管平均電流值來計算續(xù)流二極管功耗。開關功耗：當PWM信號頻率高于5KHZ時功耗會顯著增加。得到最精確的方法是測量IC和VCE的波形。將此波形逐點相乘即得到功耗的瞬時波形，此波形是以焦耳/脈沖為單位的開關能量，該面積用作圖積分來計算。總開關功耗是開通及關斷的功耗之和。平均功耗是單脈沖開關能量與PWM頻率相乘得到的。即：PSW=FPWM×（ESW（on）+ESW（OFF））VVVF變頻器功耗計算在變頻器應用中IGBT的電流和占空比經(jīng)常變化，下面公式可以應用時估算。通用變頻器主電路及輸出波形A．IGBT的功耗B.每一個IGBT開關的損耗C．每一個IGBT的總功耗D．二極管功耗E．每一臂的功耗符號注釋：

ESW(on)：T=125oC;峰值電流ICP下，每個脈沖對應的IGBT開通能量。ESW（off）：T=125oC；峰值電流ICP下，每個脈沖對應的IGBT關斷能量。FSW：變頻器每臂的PWM開關頻率（通常FSW=FC）。ICP：正弦輸出的電流峰值。VCE（sat）:T=125oC;峰值電流ICP下，IGBT的飽和電壓。VEC：IEP情況下，續(xù)流二極管的正向壓降。D：PWM信號占空比。θ：輸出電壓與電流間的相位角。（功率因數(shù)=COSθ）平均結溫的估算IGBT的最大結溫是150oC，在任何情況下都不能超過該值。Rth可以在數(shù)據(jù)手冊中查到。Rth(j-c)=標定的結殼熱阻。TJ=半導體結溫。PT=器件的總平均功耗（PSW+PSS）TC=模塊的基板溫度。熱計算方法瞬態(tài)結溫升的計算瞬態(tài)熱阻特性（IGBT部分）瞬態(tài)熱阻特性（FWD部分）散熱器的安裝請在散熱器表面使用導熱膏脂。安裝時應受力均勻，避免用力過度而損壞，按下圖順序操作。推薦導熱膏制造商型號ShinetsuG746DowcorningDC340PowerDeviceincTherm.-strateIGBT的使用IGBT模塊的結構和工作原理GTRMOSFETIGBTIGBT是通過柵極驅動電壓來控制的開關晶體管，工作原理同MOSFET相似，區(qū)別在于IGBT是電導調(diào)制來降低通態(tài)損耗。IGBT模塊的額定值和特性a.最大額定值額定值是IGBT，IPM模塊運行的絕對保證,所謂最大值是器件的極值,在任何情況下都不能超過其范圍.符號參數(shù)定義VCES集電發(fā)射極阻斷電壓柵極-發(fā)射極短路時,允許的斷態(tài)集-發(fā)極最高電壓.VGES柵極-發(fā)射極電壓集-發(fā)短路時,允許的柵極-發(fā)射極最高電壓.IC集電極電流最大直流電流ICM集電極峰值電流集電極極值IEFWD電流最大允許FWD直流電流IEM續(xù)流二極管峰值電流最大允許FWD峰值電流PC集電極功耗TC=25度的情況下,每個IGBT開關最大也許的功率損耗.Tj結溫工作期間IGBT的結溫Tstg儲存溫度無電源供應下的允許溫度Viso絕緣電壓基片與模塊間最大絕緣電壓.電氣特性ICES集電極-發(fā)射極漏電流VCE=VCES和柵極-發(fā)射極短路條件下的ICVGE(th)柵極-發(fā)射極閾值電壓VCE=10V的條件下,柵極發(fā)射極電壓.IGES柵極-發(fā)射極漏電流VGE=VGES和集電極-發(fā)射極短路條件下IGVCE(sat)集電極-發(fā)射極飽和壓降IGBT的通態(tài)電壓Cies輸入電容集電極-發(fā)射極短路條件下柵極-發(fā)射極電容Coes輸出電容柵極-發(fā)射極短路條件下集電極-發(fā)射極電容QG柵極總電荷VC=0.5或0.6Vces;額定IC；VGE=15V條件下的柵極總電荷。Id(on)開通延遲時間開關時間tr(on)開通上升時間開關時間Tf關斷下降時間開關時間Td(off)關斷延遲時間開關時間VECFWD正向電壓在額定電流下的續(xù)流二極管正向電壓TrrFWD恢復時間換流時續(xù)流二極管反向電壓QrrFWD反向恢復電荷額定電流和di/dt=-1EM/us下，續(xù)流二極管反向恢復電荷。c.熱阻符號參數(shù)定義Rth(j-c)結對外殼的熱阻每個開關管，結同外殼之間的熱阻最大值。Rth(c-f)接觸熱阻每個開關管外殼與散熱器之間的熱阻最大值。特性曲線輸出特性IGBT的輸出特性是指在一定的VGE值下，產(chǎn)生某一特定的IC同VCE的相互關系。 典型的輸出特性飽和特性VCE(sat)IGBT飽和壓降是結溫，集電極電流和柵極-發(fā)射極的函數(shù)。VGE的增加會加大溝道的電導，從而降低VCE（sat）.飽和壓降與IC的關系開關特性開關時間：Ton=td(on)+tr;Toff=td(off)+tf;典型的半橋開關特性柵極驅動及模塊的保護柵極驅動電壓：IGBT需要柵極電壓使集電極和發(fā)射極之導通。典型的IGBT柵極驅動電路開通時建議用15V±10%的正柵極電壓，該電壓足以使IGBT完全飽和。在任何情況下不應超過（12V-20V）的范圍。為了保證不會因為di/dt噪聲產(chǎn)生誤開通，故采用反偏壓（-5V至-15V）來作為關斷電壓。串聯(lián)柵極電阻RGIGBT的開通和關斷是通過柵極電路的沖放電來實現(xiàn)的，數(shù)值較小的電阻使柵極電容的沖放電快，從而減小開關時間和開關損耗。開關時間與柵極電阻的關系開關損耗與柵極電阻的關系柵極驅動功率要求IGBT的開關消耗柵極電源的功率，此功率受柵極驅動負，正偏壓的差值ΔVGE，柵極總電荷QG和工作頻率的影響。IGBT開關時的柵極總電荷電源最小峰值電源的平均功率其中：QG=柵極總電荷，F(xiàn)=開關頻率；柵極驅動布線的幾點考慮：柵極驅動布線對防止寄生震蕩，減慢柵極電壓的上升，減少噪聲損耗，降低柵極欠壓保護次數(shù)有重大影響。dv/dt的保護關斷時的IGBT由于反并聯(lián)二極管的恢復過程其dv/dt在集電極與柵極間電容內(nèi)產(chǎn)生電流，流向柵極驅動電路。為了防止誤導通必須在關斷時加足夠的負偏壓，且RG為一個較低值，LG應為最低值。短路保護一般的短路檢測方式是電流傳感法或IGBT欠飽和保護。短路保護一般示例4．IPM智能功率模塊的使用4．1．IPM的結構IPM模塊有四種封裝形式：單管封裝，雙管封裝，六管封裝和七管封裝。以下是幾種典型參照圖。1單元IPM原理圖1單元IPM封裝內(nèi)置一個IGBT管2單元IPM原理圖2單元IPM封裝內(nèi)置2個串聯(lián)IGBT管 六單元IPM原理圖六單元IPM封裝內(nèi)置六單元IGBT七單元IPM原理圖七單元IPM封裝三相全橋加一只瀉放管多層環(huán)氧樹脂工藝小功率IPM采用一種基于多層環(huán)氧樹脂粘合的絕緣技術。銅箔直接鑄接工藝中大功率采用陶瓷絕緣結構。智能功率模塊的優(yōu)點智能功率模塊IPM（IntelligentPowrModule）不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且還內(nèi)藏有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU或DSP作中斷處理。它由高速低工耗的管芯和優(yōu)化的門級驅動電路以及快速保護電路構成。即使發(fā)生負載事故或使用不當，也可以IPM自身不受損壞。IPM一般使用IGBT作為功率開關元件，并內(nèi)藏電流傳感器及驅動電路的集成結構。三菱IPM以其高可靠性，使用方便贏得越來越大的市場。開關速度快。IPM內(nèi)的IGBT芯片都選用高速型，而且驅動電路緊靠IGBT芯片，驅動延時小，所以IPM開關速度快，損耗小。低功耗。IPM內(nèi)部的IGBT導通壓降低，開關速度快，故IPM功耗小?？焖俚倪^流保護。IPM實時檢測IGBT電流，當發(fā)生嚴重過載或直接短路時，IGBT將被軟關斷，同時送出一個故障信號。過熱保護。在靠近IGBT的絕緣基板上安裝了一個溫度傳感器，當基板過熱時，IPM內(nèi)部控制電路將截止柵級驅動，不響應輸入控制信號。橋臂對管互鎖。在串聯(lián)的橋臂上，上下橋臂的驅動信號互鎖。有效防止上下臂同時導通?？垢蓴_能力強。優(yōu)化的門級驅動與IGBT集成，布局合理，無外部驅動線。驅動電源欠壓保護。當?shù)陀隍寗涌刂齐娫矗ㄒ话銥?5V）就會造成驅動能力不夠，增加導通損壞。IPM自動檢測驅動電源，當?shù)陀谝欢ㄖ党^10μs時，將截止驅動信號。IPM內(nèi)藏相關的外圍電路。縮短開發(fā)時間，加快產(chǎn)品上市。無須采取防靜電措施。大大減少了元件數(shù)目。體積相應小。IPM額定值和特性IPM的數(shù)據(jù)手冊分為三個部分：最大額定值（在任何情況下都不能超過的極限值）-maximumratings電氣特性,熱特性和機械特性（供技術人員設計時參考）-characteristics(electrical,thermal,mechanical)推薦工作條件（適用于大多應用）-recommendedoperatingconditions最大額定值逆變部分符號參數(shù)定義VCC供電電壓加于P-N之間的最大直流母線電壓VCC（pp）供電電壓峰值加于P-N之間的最大允許開關浪涌VCES集電極-發(fā)射極電壓關斷時集電極到發(fā)射極最大允許峰值電壓±IC集電極電流TC=25℃±ICP集電極電流峰值TC=25℃PC集電極功耗TC=25℃Tj結溫工作時，IGBT結溫的允許范圍制動部分VR（DC）FWD反向電壓續(xù)流二極管最大允許方向電壓IFFWD正向電壓TC=25℃控制部分VD供電電壓最大允許控制電壓VCIN輸入電壓輸入腳1和地（C）之間最大允許電壓VFO故障輸出電壓FO和地之間最大允許電壓IFO故障輸出電流FO的最大允許電流總系統(tǒng)VCC（PROT）受OC和SC保護的供電電壓受OC和SC保護時，P-N之間的最大允許母線電壓TC模塊外殼的工作溫度基板最大允許殼溫Tstg存儲溫度不加電壓電流時保存溫度viso絕緣耐壓基板和模塊端子之間的最大絕緣耐壓熱阻Rth(j-c)結殼之間的熱阻每一IGBT或FWD的結殼之間的最大熱阻Rth(c-f)接觸熱阻每一開關單元的外殼和散熱片之間的最大熱阻電氣特性逆變和制動部分VCE(sat)飽和壓降在規(guī)定條件下，IGBT的通態(tài)電壓VECFWD正向電壓FWD正向電壓ton開通時間TrrFWD恢復時間Tc(on)開通過度時間規(guī)定條件下，感性負載的開關時間Toff關斷時間Tc(off)關斷過度時間ICES集電極-發(fā)射極截止電流VCE=VES和規(guī)定條件下，斷態(tài)集電極-發(fā)射極電流控制部分VD供電電壓開關運行時，控制電源電壓ID電路電流待機時控制電源只電流VCIN（on）輸入開通電壓小于此值則使IPM開通VCIN（OFF）輸入關斷電壓大于此值則使IPM關斷F(pwm)載波頻率變頻器的PWM運行范圍T(dead)死區(qū)時間為防止直通的延時信號OC過流動作數(shù)值使過流保護的集電極電流SC短路動作數(shù)值使短路保護的集電極電流Toff過流延遲時間超過OC到過流保護的時間Ot過流保護數(shù)值過流動作的基板溫度Otr過流復位條件為使過熱故障復位必須降至此值以下Uv控制電源欠壓條件使欠壓保護的控制電源電壓Uvr控制電源欠壓復位條件為使欠壓故障復位必須使電壓超過此值Ifo(H)故障輸出無效Ifo(L)故障輸出有效低電平有效Tfo故障輸出的脈寬脈沖寬度VsxrSXR輸出端子用于驅動光耦的電壓c.推薦工作條件VCC主電源電壓推薦的直流母線電壓VD控制電源電壓推薦控制電源范圍VCIn（ON）輸入開通電壓推薦的IPM開通的輸入電壓范圍Vcin(off)輸入關斷電壓推薦的IPM關斷的輸入電壓范圍FpwmPWM輸入頻率推薦的PWM頻率輸入范圍Tdead死區(qū)時間上下臂信號間延遲時間安全工作區(qū)IPM內(nèi)置柵極驅動電路和保護電路可以對超出IGBT安全工作區(qū)的運行模式加以保護以免模塊受損。開關安全工作區(qū)開關安全工作區(qū)是重復關斷運行時最大允許瞬時電壓電流。IOC，VCES，VCC，3個指標根據(jù)數(shù)據(jù)手冊都不超過其規(guī)定值則工作在安全工作區(qū)內(nèi)。短路安全工作區(qū)只要滿足數(shù)據(jù)手冊給出的技術指標一般不會損壞。IPM的保護功能V欠壓欠壓驅動IN驅動過流過流短路短路FO溫度檢測過溫溫度檢測過溫C如果IPM其中有一種保護電路工作，IGBT就關斷并輸出一個故障信號FO?？刂齐娫辞穳烘i定（UV）如果某種原因導致控制電壓符合欠壓條件，該功率器件會關斷IGBT并輸出故障信號。如果毛刺干擾時間小于規(guī)定的Td（UV）則不會出現(xiàn)保護動作。過熱保護（OT）在絕緣基板上安裝有溫度探頭，如果超過數(shù)值IPM會截止柵極驅動，直到溫度恢復正常(應避免反復動作)。過流保護（OC）如果IGBT的電流超過數(shù)值并大于時間toff(OC),IGBT被關斷，典型值：10μS超過OC數(shù)值但時間小于toff(oc)的電流并無大礙，故IPM不于理財。當檢測出過電流時，IGBT會被有效的軟關斷。短路保護（SC）當發(fā)生負載短路或上下臂直通時，IPM立即關斷IGBT并輸出故障信號。新型IPM采用了實時電流檢測技術RTC（realtimecurrentcontrolcircuit）技術，使響應時間小于100nS。不帶RTC技術的波形帶RTC技術的波形4．5．IPM的選用選用IPM第一：根據(jù)IPM的過流值確定峰值電流。電機最大的瞬態(tài)值是：IC（峰值）=P*OL*√2*RP=電機功率的額定值；OL=變頻器最大過載因數(shù)η*PF*√3*VACR=電流脈動因數(shù)；η=變頻器效率；PF=功率因數(shù)；VAC=線電壓表定值；第二：適當?shù)臒嵩O計保證結溫永遠小于150℃4．6．控制電路電源a.IPM控制功率消耗控制電路電流ID與開關頻率FC有關；600VIPM控制電流（mA）1200VIPM控制電流(mA)b.布線指南六個或七個IGBT單元的IPM四組隔離的供電電源，兩單元或一單元的則在三相大功率中需要六組隔離電源，以避免噪聲。IPM的控制電源端子應接一個至少10μF的退耦電容，該電容幫助過濾共模噪聲并提供IPM柵極電路所須電流。電路結構目前有多種開關電源可提供給不同用處的客戶。4．7．接口電路接口電路達到要求低電平開通高電平截止。布線指南接口電路設計主要考慮的是dv/dt噪聲耦合問題。不應把PCB板上走線布的太過靠近，否則開關使電位發(fā)生變化。必須屏蔽！數(shù)字地中層屏蔽控制電源UpFoUnFoVpFoVnFoWpFoWnFo屏蔽屏蔽屏蔽屏蔽數(shù)字地中層屏蔽控制電源UpFoUnFoVpFoVnFoWpFoWnFo屏蔽屏蔽屏蔽屏蔽推薦光耦：tPLH,tPHL<0.8μS;CMR>10KV/μS;通常型號：HCPL4503，HCPL4504，PS2041（NEC），在光耦合端接一個0.1μF的退耦電容?？刂贫松侠娮钁M可能小以避免高阻抗IPM拾取噪聲，但又要足夠可靠地控制IPM。低速光耦可用于故障輸出端和制動輸入端。實際應用中某些開關可能不需要用，但輸入信號加上拉電阻以保持關斷狀態(tài)。c.內(nèi)部IPM輸入/輸出 C控制電源柵極控制電路+柵極控制電路100pf 控制輸入故障輸出 E控制電源GND六合一，七合一封裝的IPM C控制電源SXR輸出+5V穩(wěn)壓柵極控制電路+SXR輸出+5V穩(wěn)壓柵極控制電路100pf 控制輸入故障輸出 E控制電源GND雙管，單管封裝的IPM接口電路的連接把接口直接做在PCB板上可靠近模塊輸入腳以減少噪聲PCB板接插件引導腳PCB板接插件引導腳用于第三代IPM連接器示例死區(qū)時間（tdead）為了防止上下臂直通要求在上下開通信號之間留時間，數(shù)據(jù)手冊上規(guī)定了2種不同的值。直接從IPM輸入端測量的tdead;光耦輸入端的tdead:通過高速光耦可減小死區(qū)時間。FO輸出信號的使用當TFO=1.8mS（典型值）有效時，IPM會關斷開關并使輸入無效。在FO結束后，自動復位，同時使輸入有效。在FO輸出時系統(tǒng)必須在1.8mS內(nèi)使PWM信號無效，等故障排除后方可重新有效。必須避免重復故障而導致結溫升高損壞IPM。系統(tǒng)可通過檢測tFO時間長度來確定是過流還是短路引起（1.8mS），過熱時間會長一些。過熱復位一般要等基板冷卻到OTR以下需要幾十秒鐘。七單元接口示例M57140L供電電源M57140L供電電源M57140L提供四組+15V隔離電源，雙單元IPM隔離接口電路六單元，七單元PCB板布局六單元，七單元PCB板布局功率器件的一些典型應用：PWM式VVVF變頻器PAM式VVVF變頻器大功率UPS小功率UPS直流司服（數(shù)控機床，機器人）直流短路器模塊電焊機（整流，逆變，快恢復二極管）感應加熱器三菱的IPM以其卓越的性能超群的品質傲視群雄。攝陽公司是隸屬于三菱集團的日資全資企業(yè)，總部設在日本大阪負責在東南亞地區(qū)推廣三菱產(chǎn)品，上海攝陽以良好的客戶服務和優(yōu)質的技術支持贏得了業(yè)界極好的口碑。三菱電機集團上海攝陽公司，更注重推廣技術。有專職工程師不定期的撰寫技術文章郵寄到客戶手中，以供工程師查閱參考和批評指正。三菱電機的IPM是業(yè)界今后主要之發(fā)展方向，以下簡單介紹一些通用電路，以供參考。有不盡然處，請專家不吝