圖8.2016-2023年全球顯示市場規(guī)模（億美） 10圖9.2016-2026年掩膜版按地區(qū)需求占比 10圖10.2019年全球半導掩膜版廠商市場格局 圖2019年全球第三半導體掩膜版廠商場局 圖12.2021年全球平板示掩膜版廠商市場局 圖13.清溢光電近3年平板顯示掩膜版銷售（元） 圖14.掩膜版逆周期性 12圖15.半導體芯片制程展 13圖16.福尼克斯近10年價波動（美元） 15圖17.福尼克斯投資者流會 16圖18.OLED成膜 18圖19.OpenMask與FineMetalMask對比圖 18圖20.Invar36合金 18圖21.OLED顯示屏 18圖22.TSV工藝流程圖 20圖23.TSV3D封裝示意圖 20圖24.RDL示意圖 21圖25.混合RDL工藝的關(guān)鍵步驟 22圖26.中國首條代掩膜版 23圖27.路維光電2019-2023Q3營業(yè)收入（億元） 24圖28.路維光電2019-2023Q3凈利潤（億元） 24圖29.平板顯示掩膜版光示意圖 25圖30.半導體掩膜版曝示意圖 26圖31.清溢光電2019-2023Q3營業(yè)收入（億元） 26圖32.清溢光電近四年發(fā)投入（億元） 26圖33.清溢光電佛山生基地簽約 27圖34.龍圖光罩掩膜版品發(fā)展歷程 27圖35.全球功率半導體成度提高 28圖36.龍圖光罩2020-2023H1營業(yè)收入（億元） 29圖37.龍圖光罩2020-2023H1凈利潤（億元） 29圖38.冠石科技光掩模目投資簽約 29圖39.冠石科技2019-2023Q3營業(yè)收入（億元） 30圖40.冠石科技2019-2023Q3凈利潤（億元） 30表1.掩膜版根據(jù)基板材分類 6表2.掩膜版根據(jù)下游行分類 7表3.全球掩膜版行業(yè)發(fā)歷程 10表4.半導體芯片公司和膜版公司業(yè)績增速比 13表5.國內(nèi)外半導體掩膜廠商精度對比 14表6.國內(nèi)第三方掩膜版商發(fā)展情況 14表7.福尼克斯2022年入結(jié)構(gòu)行業(yè)分類（美） 15表8.福尼克斯2022年入結(jié)構(gòu)地區(qū)分類（美） 16表國內(nèi)第三方掩膜版擴產(chǎn)計劃 17表10.FMM生產(chǎn)方式 19表先進封裝分類 19表12.路維光電客戶情況 23表13.清溢光電按下游業(yè)營業(yè)收入構(gòu)成 25表14.龍圖光罩主營業(yè)務(wù)入（萬元） 28掩膜版——光刻環(huán)節(jié)的底片掩膜版簡介掩膜版又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版，是微電子制造領(lǐng)域中光刻工藝中所使用的圖形母版。掩膜版的作用是將設(shè)計者的電路圖形通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到下游行業(yè)的基板或晶圓上，從而實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，是承載圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。作為光刻復制圖形的基準和藍本，掩膜版是連接工業(yè)設(shè)計和工藝制造的關(guān)鍵，掩膜版的精度和質(zhì)量水平會直接影響最終下游制品的優(yōu)品率。掩膜在導生中應(yīng)用 數(shù)據(jù)來源：龍圖光罩招股說明書，掩膜工原理 數(shù)據(jù)來源：清溢光電招股說明書，掩膜版主要由基板、遮光層和保護膜組成，其中基板占直接原材料成本比重達90%。根據(jù)基板材質(zhì)的不同，掩膜版產(chǎn)品主要可分為石英掩膜版、蘇打掩膜版、凸版和菲林，具體圖示和介紹如下表。表1.掩版據(jù)板分類 產(chǎn)品名稱 產(chǎn)品圖例 產(chǎn)品介紹 主要應(yīng)用領(lǐng)域石英掩膜版

高純石英玻璃作為基板材料，光學透過率高，熱膨脹率低，相比蘇打玻璃更為平整和耐磨，使用壽命長，主要用于高精度掩膜版的制作

主要用于平板顯示制造和半導體制造領(lǐng)域蘇打掩膜版

使用蘇打玻璃作為基板材料，光學透過率較高，熱膨脹率相對高于石英玻璃，平整度和耐磨性相對弱于石英玻璃，主要用于中低精度掩膜版的制作

主要用于半導體制造、觸控制造和電路板制造等領(lǐng)域凸版使用不飽和聚丁二烯樹脂作為基板材凸版 料，要于晶示（LCD）造程中向料印

主要用于液晶顯示制造和電路板制造等領(lǐng)域菲林 菲林用PET為板料，要用電路掩的作

主要用于液晶顯示制造和電路板制造等領(lǐng)域干版 干版以化等光劑為材應(yīng)于低度膜產(chǎn)的作

主要用于液晶顯示制造和電路板制造等領(lǐng)域數(shù)據(jù)來源：清溢光電招股說明書，路維光電招股說明書，CDPCB表2.掩版據(jù)游分類 下游行業(yè) 具體領(lǐng)域 掩膜版的世代劃分半導體

1制程和CF制程；2、AOD；3、扭曲/超扭曲向列型液晶顯示器（TN/STN-LCD）制造；1（IC）2（IC）3

在平板顯示領(lǐng)域，根據(jù)掩膜版尺寸的不同，掩膜版可劃分為不同的世代，目前主要的世代線為4代及以下、5代、6代、8.5代、8.6代及11代。4、LED芯外延制； 在平顯行以的他領(lǐng)nCeOnCeGal觸控 Mesh）等摸的制；電路板 PB柔電板P、高度連路）等；數(shù)據(jù)來源：清溢光電招股說明書、路維光電招股說明書，掩膜版制造工藝掩膜版的制造工藝復雜，主要為涂膠、圖形轉(zhuǎn)換、圖形光刻、蝕刻、光學檢查、缺陷修補等13步步驟。其中，涂膠部分的光刻膠進口依賴程度高，自主研發(fā)亟待解決。圖形光刻是掩膜版制造的最重要環(huán)節(jié)，依賴于精密度超高的光刻機，一機難求。光刻需要先對掩膜基板涂膠，后利用光刻機進行表面曝光，以130nm為分界線，130nm以上的光刻設(shè)備采用激光直寫設(shè)備，但隨著掩膜版的線寬線距越來越小，曝光過程中就會出現(xiàn)嚴重的衍射現(xiàn)象，導致曝光圖形邊緣分辨率較低，圖形失真，因此130nm及以下制程需采用電子束光刻完成。缺陷修補是對丟失的細微鉻膜進行沉積補正以及對多余的鉻膜進行激光切除，修補機也依賴于進口。掩膜生流程 數(shù)據(jù)來源：清溢光電合肥工廠，掩膜版行業(yè)市場規(guī)模僅次于硅片、氣體賽道從半導體材料市場占比細分來看，掩膜版已經(jīng)成為繼硅片后第三大半導體材料，202213%14%占比。28%LCDOLED23%5%，12%。圖4.2022年導材市比 圖5.2022年膜下需業(yè)結(jié)構(gòu) 數(shù)據(jù)來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 數(shù)據(jù)來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，20224987%40.4149.004.9%2228nm2022年130nm以上成熟制程占據(jù)主要市場份額，出貨量占比54%，28-90nm占比33%，28nm以下先進制程出貨量占比僅為13%。圖6.2018-2023球?qū)а诎媸幸?guī)百美元 圖7.2022年球?qū)а诎娉鲐洏?gòu) 數(shù)據(jù)來源：， 數(shù)據(jù)來源：SEMI，冠石科技公司公告，1000Omdia201732%2022202558%202261億元2025652022年的31.11億元增長至2025年的37.05億元。圖8.2016-2023全顯市規(guī)模億元） 圖9.2016-2026掩版地需求比 數(shù)據(jù)來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院， 數(shù)據(jù)來源：Omdia，國內(nèi)外行業(yè)競爭格局7050第二5060表3.全掩版業(yè)歷程 歷程 時間 名稱 使用情況第一掩版二十紀50代 手工紅膜 已被汰第二代掩膜版二十世界50年代末60年代初菲林掩膜版仍在部分行業(yè)小范圍使用，如PCB、FPC、TN/STN等第三掩版二十紀60代 干版膜版仍在分業(yè)用如PCBHDI、Leadframe等第四掩版二十紀70代氧化掩版 已被汰第五掩版 二十紀70代 蘇打模；石英掩模板

廣泛運用于各種對掩膜版存在需求的行業(yè)數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，掩膜版市場份額占比最高的主要為半導體掩膜版和平板顯示掩膜版兩大類。35%Photronics、日本、日本DNPSKE半導體掩膜版具有較高的進入門檻，對技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工藝控制水平的要求較高，國內(nèi)半導體掩膜版廠商還處于追趕階段，整體技術(shù)相對落后，市場規(guī)模占比低。國內(nèi)上市公司主要有清溢光電、路維光電、冠石科技，此外，龍圖光罩已通過IPO復批，非上市公司有中微掩膜、華潤迪思微、廣州新銳等。圖10.2019年球?qū)а趶S商場局 圖11.2019年球三半掩膜廠市格局 數(shù)據(jù)來源：SEMI， 數(shù)據(jù)來源：SEMI，Omdia2021Photronics、、、LG-IT和清溢光電，全球銷售額占比達88%，廠商集中度高。202020223.39、3.71、5.83202120229.38%、57.03%202020212.493.55億元，202142.57%G2.5-G11202119.21%。圖12.2021年球板示版廠市格局 圖13.清溢近3平顯掩膜銷額億）數(shù)據(jù)來源：Omdia， 數(shù)據(jù)來源：Choice，國產(chǎn)掩膜版存在較大供給缺口，自主開發(fā)有望加速發(fā)展。目前，中國半導體掩膜版的國產(chǎn)化率僅10%左右，高端掩膜版國產(chǎn)化率僅有3%。平板顯示掩膜版國產(chǎn)化率約在20%，國內(nèi)平板顯示掩膜版有望憑借其價格優(yōu)勢和更快的交付速度快速實現(xiàn)自主開發(fā)，整體來看，大陸掩膜版的發(fā)展滯后于平板顯示投資的增長，特別在AMOLED/LTPS高精度掩膜版上國產(chǎn)化率不足，仍嚴重依賴進口，自主開發(fā)的空間巨大。掩膜版具備逆周期性掩膜版的逆周期性主要表現(xiàn)在兩個方面。第一，當半導體處于下行周期，晶圓制造廠商的產(chǎn)能利用率不足時，為了提升產(chǎn)能利用率，晶圓制造廠商會向眾多的中小芯片公司提供晶圓代工服務(wù)，從而生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品類型亦會增多，相應(yīng)第三方掩膜版廠商的掩膜版需求量上升；第二，當下游需求低迷時，空出的產(chǎn)能促進新芯片設(shè)定方案的加快，半導體產(chǎn)能芯片設(shè)計公司將通過設(shè)計新產(chǎn)品刺激市場，提升銷量，新產(chǎn)品也會帶來對掩膜版的增量需求。類似于機械制造業(yè)的模具，掩膜版產(chǎn)品需求主要依賴下游行業(yè)的產(chǎn)品創(chuàng)新，跟下游產(chǎn)品的銷量和價格沒有直接聯(lián)系。因此，隨著我國半導體芯片行業(yè)的自主開發(fā)推進，芯片公司將會不斷推出新的產(chǎn)品型號，對于掩膜版的產(chǎn)品需求不斷增加。掩膜逆期性 數(shù)據(jù)來源：信風Trade微信公眾號，2023年為半導體芯片行業(yè)的下行周期，相關(guān)公司業(yè)績在收入端和利潤端普遍出現(xiàn)下滑，然而掩膜版公司業(yè)績?nèi)〉昧孙@著的正增長，表現(xiàn)出逆周期性。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，已經(jīng)披露的2023年度和前三季度營業(yè)收入方面：半導體芯片龍頭公司臺積電全年同比下降4.51%，中芯國際前三季度同比下降12.35%；然而，第三方獨立掩膜版龍頭福尼克斯全年同比上升8.19%，清溢光電前三季度同比上升21.97%。凈利潤方面：臺積電全年同比下降17.34%，中芯國際前三季度同比下降58.70%；然而，掩膜版龍頭福尼克斯全年同比上升5.64%，清溢光電、路維光電前三季度同比上升36.87%、37.38%。表4.半體片司膜版司績速比 公司類型 公司名稱 2023年度/Q1-3營業(yè)收同比增速 2023年度/Q1-3凈利潤比增速臺積電半導體芯片-4.51%（2023年度）-17.34%（2023年度）中芯國際-12.35%-58.70%福尼克斯8.19%（2023年度）5.64%（2023年度）掩膜公司 清溢電21.97%36.87%路維光電-1.96%37.38%數(shù)據(jù)來源：，第三方掩膜版廠未來發(fā)展空間Inhouse及第三方掩膜版廠歷史發(fā)展近況根據(jù)與下游晶圓廠商是否形成配套，半導體掩膜版廠商主要分為晶圓廠自建（Inhouse）28nm版，由于技術(shù)難度高、生產(chǎn)工藝復雜等問題，晶圓廠所需掩膜版主要依靠內(nèi)部InhouseInhouse3nm、7nm、14nm半導芯制進展 數(shù)據(jù)來源：電子發(fā)燒友，在半導體掩膜版領(lǐng)域，國內(nèi)第三方掩膜版廠商與國際先進廠商存在一定差距，主要體現(xiàn)在：在晶圓制造用掩膜版領(lǐng)域，國內(nèi)獨立第三方掩膜版廠商CD、TP精度的技術(shù)能力集中在100nm節(jié)點以上，與國際領(lǐng)先企業(yè)有著較為明顯的差距；在IC封裝和IC器件掩膜版領(lǐng)域，在精度方面與國際廠商同樣存在一定的差距。表5.國外導掩廠商度比 產(chǎn)品 技術(shù)水平 國內(nèi)掩膜版廠商 國際掩膜版廠商半導體掩膜版

ICIC

最高平 CD度TP度：30nm主流平 CD度TP度：100nm最高平 CD度TP度：50nm主流平 CD度：50-100nmTP度

CD精度：10nmTP精度：20nmCD精度：50nmTP精度：100nmCD精度10nmTP精度：20nmCD精度：15-50nmTP精度：50-100nm數(shù)據(jù)來源：路維光電招股說明書，130nm28nm130nm表6.國內(nèi)第方膜商發(fā)展情況 公司 進程發(fā)展情況清溢電 量產(chǎn)180nm，備150nm關(guān)鍵路維電 180nm龍圖罩 130nm冠石技 投資設(shè)產(chǎn)48-28nm中微膜 130nm迪思微 130nm數(shù)據(jù)來源：，龍圖光罩招股說明書，第三方掩膜版龍頭福尼克斯發(fā)展進程福尼克斯（Photronics）成立于1969年，是世界上領(lǐng)先的掩膜版制造商之一，公1987（3（2（314nmEUV81020241月2665.3.2。5G2023AI圖16.福尼近10年價（美） 數(shù)據(jù)來源：，8.2528.12%IC5.9328nm7.1%。表7.福克斯2022年入結(jié)行分（美） 行業(yè)產(chǎn)品營業(yè)收入占比同比增長先進制程1.9532.88%19.9%半導體成熟制程3.9867.12%38.8%半導體總和5.9371.88%28.9%高端1.8780.60%20.1%平板顯示中低端0.4519.40%-7.1%平板顯示總和2.3228.12%13.7%所有行業(yè)總和8.25100%24.2%數(shù)據(jù)來源：福尼克斯2022年年度報告，按照收入結(jié)構(gòu)地區(qū)分類來看，福尼克斯營業(yè)收入?yún)^(qū)域集中度明顯，近六成集中在中國市場。其中，2022年營業(yè)收入中國臺灣占比35.27%，中國大陸占比25.82%，韓國占比18.91%，美國占比15.27%，歐洲占比4.36%，其他國家及地區(qū)占比0.24%。相比較于2021年，中國大陸營業(yè)收入同比增長了83.7%，遠遠超過其他地區(qū)，表明中國大陸掩膜版需求市場廣闊，給自主開發(fā)帶來了機遇。表8.?？怂?022年入結(jié)地分（美） 地區(qū)營業(yè)收入占比同比增長中國臺灣2.9135.27%17.2%中國大陸2.1325.82%83.7%韓國1.5618.91%-0.2%美國1.2615.27%20.2%歐洲0.364.36%0.4%其他0.020.24%4.9%總和8.25100%24.2%數(shù)據(jù)來源：福尼克斯2022年年度報告，根據(jù)福尼克斯公開資料顯示，半導體掩膜版的推進源于產(chǎn)能推進和設(shè)計活動，主要表現(xiàn)在以下幾個方面：在更多應(yīng)用中可以更廣泛地使用半導體；供應(yīng)鏈區(qū)域化推動半導體晶圓廠投資創(chuàng)造多余的生產(chǎn)能力并推動光掩模需求；設(shè)計差異化正成為主流因素和前沿應(yīng)用；擴大極紫外線光刻機（ExtremeUltra-violet）的采用推動了半制造商的傳統(tǒng)外包技術(shù)節(jié)點，增加商業(yè)供應(yīng)商的TAM。平板顯示掩膜版方面，主要源于先進的顯示創(chuàng)新驅(qū)動：全球面板制造商通過創(chuàng)新贏得AMOLED市場份額；全球激烈的競爭推動創(chuàng)新和更高的掩膜版價值；AMOLED制造正在向更大的尺寸發(fā)展，需要高質(zhì)量、先進的光掩膜版。福尼斯資交會 數(shù)據(jù)來源：Photronics,Inc.2023Q4-Results，國內(nèi)第三方掩膜版廠擴產(chǎn)計劃梳理隨著掩膜版需求的不斷提升，國內(nèi)第三方掩膜版廠近期紛紛擴產(chǎn)。國內(nèi)第三方掩膜版廠主要集中在130nm以上成熟制程，自主開發(fā)進程加劇國內(nèi)掩膜版需求的上升，清溢光電、路維光電、冠石科技、龍圖光罩和無錫迪思微都增加投資加快掩膜版制程推進，國內(nèi)第三方掩膜版迎來了蓬勃發(fā)展，有望在近幾年將制程節(jié)點提升到28nm先進制程。表9.內(nèi)三掩版擴產(chǎn)劃 公司名稱 擴產(chǎn)計劃 投資目標清溢光電

2023.12.15，清溢光電與南海區(qū)政府簽約佛山生產(chǎn)基地，計劃投資35億元，整體用地約80畝

20億投資高精度平板顯示掩膜版、15億投資高端半導體掩膜版路維電 2023.8.31對投進告顯，目司芯導體20

擬建設(shè)130nm-28nm制程節(jié)點的半導體掩膜版產(chǎn)線45-28nm成熟制程的半導體光掩冠石科技

項目資20億，地約68.8畝項建期計 膜版劃為60個月龍圖罩 2023年12月IPO募資6.7億于海高區(qū)建立130nm-65nm端導片掩30

膜版研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地無錫思微 2023.11.28過B輪成5.2億權(quán)資 用于迪思電高掩項目的28nm產(chǎn)能建設(shè)數(shù)據(jù)來源：各公司公告，OLED和半導體及先進封裝領(lǐng)域應(yīng)用OLED產(chǎn)品簡介（MetalMask）OLEDCVDCVDCVDOLED（OpenMaskOM）ealas，簡稱F，是LDMEDRGB（FMM是由20um-30umInvar36沒有遮擋部位的開放式掩膜版，用于形成通用層的蒸鍍腔體，是由厚度40um-200umInvar36圖18.OLED膜 圖19.OpenMask與FineMetalMask對圖 數(shù)據(jù)來源：深圳市半導體顯示行業(yè)協(xié)會， 數(shù)據(jù)來源：細軟知識產(chǎn)權(quán)微信公眾號，F(xiàn)MMOLEDOLEDFMM的薄度要求InvarInvar的64%InvarOLEDInvar合金（HitachiMetals）30InvarFMM圖20.Invar36金 圖21.OLED示屏 Invar設(shè)備不可或缺的結(jié)構(gòu)材料》，

數(shù)據(jù)來源：液晶網(wǎng)，F(xiàn)MM（金屬樹脂材料OLEDFMM表表10.FMM生產(chǎn)方式生產(chǎn)方式 介紹 具體流程1、Invar薄片兩側(cè)涂布光阻；現(xiàn)階段主要OLED面板FMM供應(yīng)商2、通過UVMask進行曝光、顯影；

DNP、等均采用蝕刻技術(shù)，最薄FFM20umFMMAtheneHitachiMaxell到5um，并在研發(fā)分辨率2560*1440的FMM

3、通過FeC13蝕刻液進行兩側(cè)刻蝕；4、在一側(cè)涂布UV光阻；5FeC136、剝離所有光阻后，完成InvarFMM的制作；1、在陰極襯底上涂布光阻；2、通過UVMask進行曝光、顯影；3、通過在電鍍?nèi)芤褐羞M行電鍍作業(yè)，在陰極襯底上沉積Invar材料，形成圖形；4、剝離光阻；5、剝離陰極襯底，完成InvarFMM的制作；主要采用樹脂和金屬材料混合以制作雖然HitachiMaxell與V-Technology分別采用電鑄和多多重材料復合法

FMM有做到厚度為5um，且成膜精度位置為2umFMM的能力

重材料復合方式對QHD分辨率以上的FMM有進行研究，但是其產(chǎn)品還未進入量產(chǎn)和廠商驗證階段數(shù)據(jù)來源：OLEDindustry，掩膜版在半導體及先進封裝應(yīng)用簡介2D封裝、2.5D3D封裝等。表表11.先進封裝分類類別 物理結(jié)構(gòu) 電氣連接所有芯片和無源器件均安裝在基板平面，芯片和無源器2D 件和XYXY平面下方所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯

均需要通過基板2.5D

片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中中介層可提供位于中介層上介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔

的芯片的電氣連接所有芯片和無源器件均位于XY平面上方，芯片堆疊在通過TSV和RDL將芯片直3D 一起，在XY平面的上方有穿過芯片的TSVXY平面的下方有基板的布線和過孔

接電氣連接數(shù)據(jù)來源：艾邦半導體網(wǎng)，Silicon與效能的關(guān)鍵工藝。上下表面之間的最短通路。TSV封裝具有電氣互連性更好、帶寬更寬、互連密度更高、功耗更低、尺寸更小、質(zhì)量更輕等優(yōu)點。圖22.TSV工流圖 數(shù)據(jù)來源：《用于高密度三維集成的TSV設(shè)計》，喬靖評，ICTSV3DIC圖23.TSV3D裝意圖 數(shù)據(jù)來源：《TSV三維封裝缺陷激光主動監(jiān)測分類與量化》，聶磊，DL（Redbudlayer）2.5D/3DRDLI/0RDL圖24.RDL示圖 數(shù)據(jù)來源：《先進封裝RDL-first工藝研究進展》，張政楷，常見的L（u2D3RDL圖25.混合RDL工的鍵驟 數(shù)據(jù)來源：《先進封裝RDL-first工藝研究進展》，張政楷，掩膜版標的梳理路維光電2012年，20228月上市科創(chuàng)板，Omdia2020413.97%，202119.21%AMOLEDMini-LED圖26.中國條掩版 數(shù)據(jù)來源：成都高新，180nmMOSFETIGBTMEMS150nm表12.路維光電客戶情況 掩膜版行業(yè) 客戶情況 所屬主題行業(yè)京東方平板顯示領(lǐng)域

信利上海儀電龍騰光電

電子元器件及其設(shè)備半導體領(lǐng)域數(shù)據(jù)來源：路維光電公司公告，

晶方科技華天科技通富微電三安光電

半導體20192023年前三季度營業(yè)收入2.18、4.02、4.946.44.8250.55%84.03%22.88%29.66%務(wù)狀況良好，營業(yè)收入保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢，主要系掩膜版行業(yè)需求不斷增加所致。201923為-0.46、-0.04、0.28、1.111.052022圖27.路維電2019-2023Q3業(yè)收（元） 圖28.路維電2019-2023Q3利潤億） 數(shù)據(jù)來源：， 數(shù)據(jù)來源：，2023831130nm-28nm20清溢光電深圳清溢光電股份有限公司創(chuàng)立于1997年，2019年科創(chuàng)板上市，主要從事掩膜版的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，是國內(nèi)成立最早、規(guī)模最大的掩膜版生產(chǎn)企業(yè)之一。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于平板顯示、半導體芯片、觸控、電路板等行業(yè)，是下游行業(yè)產(chǎn)品制程中的關(guān)鍵工具。2022年清58,255.4777.82%，半導體芯片行業(yè)收入1,27.001.66381.28.。2021年，202257.03%表13.清光按游業(yè)營收構(gòu)成 主營業(yè)務(wù)行業(yè)分類2022年占比2021年同比變動平板顯示行業(yè)58,255.4777.82%37,098.1557.03%半導體芯片行業(yè)10,227.0013.66%8,796.4316.26%其他行業(yè)6,381.228.52%6,857.62-6.95%合計74,863.69100.00%52,752.2041.92%數(shù)據(jù)來源：清溢光電公司公告，8.6TFT6代中掩膜版的量產(chǎn)1,600PPIVR平板示膜曝示圖 數(shù)據(jù)來源：路維光電招股說明書，清溢光電積極布局先進的高規(guī)格半透膜掩膜版（HTM）與高規(guī)格相移掩膜版（PSM）技術(shù)，這兩項技術(shù)有望成為未來平板顯示和半導體芯片用掩膜版的核心技術(shù)。250nm68IGBT、MOSFETMEMS等半180nm130nm-65nm的PSM和OPC28nm（ICBumping）（IC（ICICFoundryMEMSMicroLE