ICS31260

CCSL.53

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T156517—2024

.

半導(dǎo)體器件第5-7部分光電子器件

:

光電二極管和光電晶體管

Semiconductordevices—Part5-7Otoelectronicdevices—

:p

Photodiodesandphototransistors

IEC60747-5-72016MOD

(:,)

2024-03-15發(fā)布2024-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T156517—2024

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

光電二極管的基本額定值和特性

4………………………9

光電晶體管的基本額定值和特性

5………………………10

光敏器件的測(cè)試方法

6……………………12

參考文獻(xiàn)

……………………16

Ⅰ

GB/T156517—2024

.

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T156515-7,GB/T15651:

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件

———5:(GB/T15651—1995);

半導(dǎo)體分立器件和集成電路第部分光電子器件基本額定值和特性

———5-2:(GB/T15651.2—

2003);

半導(dǎo)體分立器件和集成電路第部分光電子器件測(cè)試方法

———5-3:(GB/T15651.3—2003);

半導(dǎo)體器件分立器件第部分光電子器件半導(dǎo)體激光器

———5-4:(GB/T15651.4—2017);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電耦合器

———5-5:(GB/T15651.5—2024);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件發(fā)光二極管

———5-6:(GB/T15651.6—2023);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管

———5-7:(GB/T15651.7—2024)。

本文件修改采用半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電二極管和光電

IEC60747-5-7:2016《5-7:

晶體管

》。

本文件將國(guó)際文件的第章第章調(diào)整到第章符合我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的要求便于標(biāo)準(zhǔn)的使用之后

4~73,,,

的章條號(hào)順延

。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

刪除了資料性附錄與本文件內(nèi)容無(wú)關(guān)

a)A,;

將光學(xué)輻射波長(zhǎng)位于向射線過(guò)渡區(qū)λ和向無(wú)線電波過(guò)渡區(qū)λ之間

b)“3.2X(≈1nm)(≈1mm)

的電磁輻射第二個(gè)λ改為λ改正其中的編輯性錯(cuò)誤

”(≈1nm)(≈1mm),。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出并歸口

。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廈門市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)院惠州仲愷高新區(qū)

:、、LED

品牌發(fā)展促進(jìn)會(huì)浙江智菱科技有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所廈門華聯(lián)電子股份有

、、、

限公司中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)四川華體照明科技股份有限公司北京大學(xué)東莞光電研究院

、、、。

本文件主要起草人劉秀娟葛莉葒成森繼李俊凱劉東月鄭智斌洪震段瓊李俊李成明

:、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T156517—2024

.

引言

制定系列的第部分為一般工業(yè)應(yīng)用的光電二極管和光電晶體管產(chǎn)品的測(cè)試評(píng)

GB/T156515-7,、

價(jià)等提供適當(dāng)?shù)囊罁?jù)

。

是半導(dǎo)體光電子器件的系列標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了光電子器件的總體要求基本額定值和

GB/T15651,、

特性測(cè)試方法半導(dǎo)體激光器光電耦合器發(fā)光二極管光電二極管和光電晶體管等器件的技術(shù)要求

、、、、、、

質(zhì)量保證規(guī)定等內(nèi)容擬由以下幾個(gè)部分構(gòu)成

,。

第部分光電子器件目的在于給出半導(dǎo)體光電子發(fā)射器件半導(dǎo)體光敏元器件內(nèi)部工作

———5:。、、

機(jī)理與光輻射有關(guān)的半導(dǎo)體器件和分類型器件的標(biāo)準(zhǔn)

。

第部分光電子器件基本額定值和特性目的在于給出半導(dǎo)體光電子發(fā)射器件半導(dǎo)體

———5-2:。、

光電探測(cè)器件半導(dǎo)體光敏器件內(nèi)部進(jìn)行光輻射工作的半導(dǎo)體器件及分類為光電子器件的基

、、

本額定值和特性用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外

,。

第部分光電子器件測(cè)試方法目的在于給出光電子器件的測(cè)試方法用于光纖系統(tǒng)或

———5-3:。,

子系統(tǒng)的除外

。

第部分光電子器件半導(dǎo)體激光器目的在于給出半導(dǎo)體激光器的基本額定值特性和

———5-4:。、

測(cè)試方法

。

第部分光電子器件光電耦合器目的在于給出光電耦合器的術(shù)語(yǔ)基本額定值特性

———5-5:。、、、

安全試驗(yàn)及測(cè)量方法

。

第部分光電子器件發(fā)光二極管目的在于給出發(fā)光二極管的術(shù)語(yǔ)額定值和特性測(cè)

———5-6:。、、

試方法和質(zhì)量評(píng)估方法

。

第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管目的在于給出光電二極管和光電晶體

———5-7:。

管的術(shù)語(yǔ)基本額定值和特性以及測(cè)量方法

、。

Ⅳ

GB/T156517—2024

.

半導(dǎo)體器件第5-7部分光電子器件

:

光電二極管和光電晶體管

1范圍

本文件規(guī)定了光電二極管以下簡(jiǎn)稱和光電晶體管以下簡(jiǎn)稱的術(shù)語(yǔ)基本額定值和

(“PDs”)(“PTs”)、

特性以及測(cè)試方法

。

本文件適用于光電二極管和光電晶體管

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31物理概念

.

311

..

電磁輻射electromagneticradiation

輻射

radiation

能量以與光子有關(guān)聯(lián)的電磁波的形式發(fā)射或傳播

a)。

電磁波或光子

b)。

來(lái)源有修改

[:GB/T2900.65—2004,845-01-01,