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文檔簡介
離子去除特性離子去除特性第1頁
Slide2ElectropureEDI模塊:
離子去除特征EDI怎樣對待混合離子?PH值作用是什么?RO產(chǎn)水電導率有多少影響?為何二氧化碳如此主要?怎樣優(yōu)化EDI去除硅和硼?離子去除特性第2頁
Slide3介紹EDI工藝技術EDI簡單模型EDI模型工作床和拋光床Electropure特征離子EDI模型Electropure劃分4個離子等級優(yōu)化規(guī)則:CO2
和SiO2關系離子去除特性第3頁
Slide4Electropure離子模型在EDI中作用在離子上力
陽離子在力量上差異
陰離子在力量上差異
Electropure劃分4個離子等級
在EDI內(nèi)部PH=7離子去除特性第4頁
Slide5在EDI中作用于離子力第一個力:樹脂對電荷離子吸附力
K系數(shù),離子選擇性系數(shù)第二種力:電極對電荷離子吸引力E系數(shù),電荷/每個離子CX樹脂R-R-R-Na++-離子去除特性第5頁
Slide6在EDI中作用于陽離子力K,選擇性系數(shù)Ca+2>Mg+2>K+>Na+>H+
E,電場力/每個離子H+>Mg+2>Ca+2>Na+>K+離子去除特性第6頁
Slide7在EDI中作用于陰離子力K,選擇性系數(shù)SO4-2>Cl->OH-
>HCO3->HSiO3-E,電場力/每個離子OH-
>Cl->SO4-2>HCO3->HSiO3-離子去除特性第7頁
Slide8Electropure劃分4個離子等級離子去除特性第8頁
Slide9EDI工藝技術簡單模型陰離子到陽極陽離子到陰極純水出口穩(wěn)定狀態(tài)“TEA”TotalEquivalentAnions
總相當陰離子GraphicfromIonics離子去除特性第9頁
Slide10等級I~IV:I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3離子去除特性第10頁
Slide11等級I:H+和OH-I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3等級I離子遷移區(qū)域pH趨于7.0H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2HCO3-
SiO2H3BO3離子去除特性第11頁
Slide12等級II:輕易去除離子I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3在進水端pH趨于7.0H+
和OH-
處于平衡狀態(tài)H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2等級II離子遷移區(qū)域全部CO2
轉變?yōu)镠CO3-HCO3-
SiO2H3BO3離子去除特性第12頁
Slide13等級III:重碳酸鹽離子I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3在進水端pH趨于7.0H+和OH-處于平衡狀態(tài)H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2全部CO2
轉變?yōu)镠CO3-大多數(shù)電導率被去除HCO3-
SiO2H3BO3等級III離子遷移區(qū)域少許水裂解離子去除特性第13頁
Slide14等級IV:難去除離子I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3在進水端pH趨于7.0H+和OH-處于平衡狀態(tài)H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2全部CO2轉變?yōu)镠CO3-大多數(shù)電導率被去除HCO3-
SiO2&HSiO3-H3BO3&H4BO4-去除HCO3-等級IV離子去除區(qū)域大量水裂解“拋光層”離子去除特性第14頁
Slide15Electropure離子模型首先,H+
和OH-
遷移,平衡,高遷移特征,被樹脂弱吸附性。pH靠近7.0.CO2
轉換到HCO3-.第二步,“輕易去除離子”接著遷移。這些離子有固定電荷,能夠被樹脂很強吸附著,
樹脂展現(xiàn)Na+
和Cl-
飽和狀態(tài)而且象遷移橋一樣為離子提供服務,在這里大量進水電導率被去除。濃水電導率上升到高水平。第三步,“重碳酸鹽”離子接著遷移。在這里,重碳酸鹽濃度經(jīng)典比硅和硼高出許多,而且有全部電荷。
有弱小樹脂吸附性(極化離子)但在直流電場中有強烈遷移性。少許水開始裂解。第四步,“難去除離子”種類經(jīng)歷潔凈H+
和OH-形態(tài)樹脂。
在陰樹脂表面局部PH值高。轉變SiO2
為HSiO3-形態(tài)為了吸附和去除。強烈水電解能夠保持樹脂新鮮。離子去除特性第15頁
Slide16離子模型規(guī)則在模塊中不一樣離子在不一樣區(qū)域被去除去除離子區(qū)域長度取決于其它離子濃度每一個離子存在都會影響其它離子去除離子去除特性第16頁
Slide17在EDI進水高或者低PH情形I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2輕易去除離子HCO3-
SiO2&HSiO3-H3BO3&H4BO4-重碳酸鹽HCO3-弱離子化離子
pH=5意味著H+
和Cl-
導電性在4.3uS/cmpH=9意味著Na+和OH-導電性在2.4uS/cmpH逐步趨于7.0離子去除特性第17頁
Slide18在EDI進水是高電導率情形I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3pH靠近7.0H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2高電導率重碳酸鹽HCO3-HCO3-
離子去除特性第18頁
Slide19在EDI進水中是高CO2
和HCO3-
情形I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3pH靠近7.0H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2低電導率重碳酸鹽HCO3-HCO3-
離子去除特性第19頁
Slide20EDI對于去除硅優(yōu)化原理I:H+OH-II:Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2III:HCO3-CO2(g)IV:SiO2H3BO3pH靠近7.0H+OH-Na+Cl-Ca+2Mg+2SO4-2低電導率低CO2+HCO3-HCO3-
SiO2&HSiO3-H3BO3&H4BO4-大拋光床層大量水裂解長停留時間
pH控制在6.5to7.5
高脫鹽率RO
配置CO2
去除系統(tǒng))
濃水室電導率和電壓最優(yōu)化離子去除特性第20頁
Slide21EDI模塊:多個單元并聯(lián)離子去除特性第21頁
Slide22XLbyElectropuretm進水產(chǎn)水離子去除特性第22頁
Slide23EDI模塊:開啟(都是H和OH形態(tài))H-形態(tài)OH-形態(tài)Na-形態(tài)Cl-形態(tài)離子去除特性第23頁
Slide24EDI工作穩(wěn)定狀態(tài)進入離子量=排放出去離子量形成一個“前沿”在低端進水個別樹脂呈“飽和”狀態(tài)在高端出水個別樹脂呈“新鮮”狀態(tài)離子去除特性第24頁
Slide25EDI模塊穩(wěn)定狀態(tài)H-形態(tài)OH-形態(tài)Na-形態(tài)Cl-形態(tài)離子進...…=離子出離子去除特性第25頁
Slide26Model#2:WorkingBedPolishingBed離子去除特性第26頁
Slide27模型#2:工作床...較低床層因為進水離子(Na+andCl-)而使樹脂呈飽和狀態(tài)濃水室有低電導特征(如同RO產(chǎn)水)電壓驅動大量離子進入濃水室沒有水裂解...拋光床上部床層樹脂呈新鮮H+和OH-形態(tài)濃水展現(xiàn)高電導特征(在90%回收率時是進水11倍)電壓驅動力裂解水樹脂展現(xiàn)拋光樹脂模式離子去除特性第27頁
Slide28EDI模型:工作床/拋光床H-形態(tài)OH-形態(tài)Na-形態(tài)Cl-形態(tài)工作床拋光床離子去除特性第28頁
Slide29EDI模型#2進水產(chǎn)水“工作床”“拋光床”10S/cm0.5S/cm18M.cm離子去除特性第29頁
Slide30總結簡單EDI穩(wěn)定狀態(tài)模型EDI工作床和拋光床模型Electropure
EDI離子模型Electropure劃分四個離子等級首先去除輕易去除離子,有優(yōu)先級對于除SiO2優(yōu)化標準進水(RO產(chǎn)水)pH值靠近7高脫鹽率RO系統(tǒng)去除CO2優(yōu)化電壓離子去除特性第30頁
Slide31主要用途半導體行業(yè)超純水處理多晶硅、太陽能、LED等電子行業(yè)超純水處理電力、冶金行業(yè)鍋爐補給水處理石油化工行業(yè)鍋爐補給水或化工工藝用水生物醫(yī)藥行業(yè)純化水處理汽車、核電等其它特種行業(yè)用純水
離子去除特性第31頁
Slide32EDI測試建立標準測試條件建立質量檢測標準重點關注參數(shù):產(chǎn)水電阻率、產(chǎn)水流量、淡水進水和產(chǎn)水之間壓力差濃水流量、濃水壓力差極水流量、極水壓力差測試電壓、測試電流值二氧化硅測試在有條件情況下執(zhí)行測試條件下水溫,測試表格要反應25度條件下值建立標準測試值表格作為質檢標準,建立測試偏差標準離子去除特性第32頁
Slide33EDI模塊檢測及維修客戶送來問題模塊需要分類處理建立故障模塊處理標準程序
1)拆箱后首先進行外觀檢驗
2)全部問題模塊一律先上測試臺檢驗其真實工況
3)依據(jù)測試初步判斷是否需要化學清洗?是否需要打開?
4)假如清洗,就執(zhí)行相關化學清洗程序和再生程序,
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