電纜接頭的內(nèi)置式局放監(jiān)測缺陷模擬試驗研究_第1頁
電纜接頭的內(nèi)置式局放監(jiān)測缺陷模擬試驗研究_第2頁
電纜接頭的內(nèi)置式局放監(jiān)測缺陷模擬試驗研究_第3頁
電纜接頭的內(nèi)置式局放監(jiān)測缺陷模擬試驗研究_第4頁
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文檔簡介

要:現(xiàn)場制作電纜接頭時易產(chǎn)生缺陷,造成電纜后期運行過程中出現(xiàn)擊穿故障,據(jù)此對電纜接頭制作過程中易發(fā)生的幾種缺陷進(jìn)行了模擬試驗,通過對比內(nèi)置式局部放電監(jiān)測和實驗室局放儀檢測的局放量來驗證放電情況,為防止后期現(xiàn)場制作電纜接頭出現(xiàn)類似缺陷提供參考。關(guān)鍵詞:電纜接頭;缺陷;局部放電;起始放電電壓;放電量

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引言隨著電網(wǎng)公司對電網(wǎng)智能化要求的逐漸提高,電纜線路智能化成為必然的發(fā)展趨勢。電纜接頭作為電纜線路的薄弱環(huán)節(jié),據(jù)國內(nèi)外不完全統(tǒng)計,電纜線路的70%故障由電纜接頭引起。目前國內(nèi)電纜接頭處的智能化工作主要是智能測溫,或在電纜線路運行狀態(tài)下采用便攜式局部放電檢測儀對電纜接頭進(jìn)行局部放電檢測。便攜式局部放電檢測儀對于如何解決現(xiàn)場環(huán)境干擾問題還沒有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),無法實時監(jiān)測電纜接頭運行狀態(tài)。本文針對電纜接頭制作時易產(chǎn)生的幾種缺陷,采用內(nèi)置式局放監(jiān)測方法驗證其性能狀態(tài),為后期電纜接頭的局放在線監(jiān)測提供參考。

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局放監(jiān)測技術(shù)局部放電信號的探測與設(shè)備、周邊環(huán)境因素息息相關(guān),電纜局部放電診斷技術(shù)采用電容耦合、HFCT(高頻電流)檢測技術(shù),可有效進(jìn)行電纜接頭內(nèi)部局放信號的探測及識別?,F(xiàn)有便攜式局部放電監(jiān)測儀的基本原理是:通過安裝在電纜接頭接地線上的HFCT傳感器或電容耦合式傳感器,耦合電纜接頭處的局部放電脈沖電流,耦合到的高頻脈沖電流信號經(jīng)過處理后,再將數(shù)據(jù)通過上位機(jī)軟件進(jìn)行分析,得出局部放電情況。內(nèi)置式電纜接頭局放監(jiān)測技術(shù)是將局放傳感器內(nèi)置到電纜接頭內(nèi)部,通過容式、感式一體耦合方式感應(yīng)局放信號,解決了局放傳感器局放干擾信號大、局放定位不精確的實際問題,提高了局放設(shè)備的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。將局部放電監(jiān)測芯片內(nèi)置于電纜接頭左端和右端金屬屏蔽層間的絕緣段上,芯片的左右端絕緣線分別連接接頭的左右端金屬屏蔽層,信號線通過銅殼灌膠口引出,與局放信號采集器連接,數(shù)據(jù)通過分析后直接給出局放結(jié)果,用戶可以清晰觀察結(jié)果,通過提取數(shù)據(jù),對接頭內(nèi)部絕緣水平(局部放電)進(jìn)行實時監(jiān)測,大幅簡化了電纜運行管理部門的工作量,也為電纜運行管理部門的安全管理提供數(shù)據(jù)支撐。

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電纜接頭缺陷模擬試驗按照標(biāo)準(zhǔn)工藝建立一條110kV試驗回路,其中含2個終端頭和3個接頭;接頭安裝有內(nèi)置式局放傳感器,實驗室采用瑞士哈弗萊局放儀,實驗室背景局放值為2pC。首先,對試驗回路加壓至96kV,內(nèi)置式局放監(jiān)測儀和實驗室局放儀檢測的局放量均超過背景值2pC;缺陷模擬試驗分別模擬接頭外半導(dǎo)電層刮傷、接頭內(nèi)部存在尖端、接頭內(nèi)部存在氣隙這幾種缺陷。2.1

模擬接頭外半導(dǎo)電層刮傷在電纜接頭絕緣表面去掉約直徑10mm的外半導(dǎo)電層,升壓至67kV時,內(nèi)置式局放監(jiān)測儀和實驗室局放儀檢測的放電量分別是6.5pC和6pC,如圖1所示。2.2

模擬接頭內(nèi)部存在尖端在電纜接頭絕緣層中心扎入5mm深的鐵釘,升壓至92kV時,內(nèi)置式局放監(jiān)測儀和實驗室局放儀檢測的放電量都是2.4pC,如圖2所示。2.3

模擬接頭內(nèi)部存在氣隙在電纜接頭絕緣層扎入3mm深鐵釘,拔出鐵釘,恢復(fù)外半導(dǎo)電層,模擬內(nèi)部氣隙,升壓至80kV時,內(nèi)置式局放監(jiān)測儀和實驗室局放儀檢測的放電量分別是48.0pC和43.1pC,如圖3所示。3

結(jié)語本文根據(jù)電纜接頭缺陷模擬試驗可以看出,不同類型缺陷的起始放電電壓不同,且放電量也不同;對比內(nèi)置式局放監(jiān)測儀和實驗室局放儀檢測的不同缺陷放電情況,兩者的缺陷

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