Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)特性研究論文題目：Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)特性研究摘要：肖特基勢(shì)壘二極管是一種新型的半導(dǎo)體器件，具有高速、低功耗、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，在電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本論文主要研究了Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電學(xué)特性，通過(guò)分析其基本結(jié)構(gòu)、電子運(yùn)動(dòng)機(jī)制、電壓-電流特性等方面的研究，揭示了該器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)。研究結(jié)果表明，Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管具有良好的整流特性、低反向漏電流、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，可以在高頻電路、射頻通信系統(tǒng)、功率放大器等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。關(guān)鍵詞：肖特基勢(shì)壘二極管，Ni(W)SiSi，電學(xué)特性，整流特性，反向漏電流1.引言隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)于高速、低功耗、高頻率的電子器件需求日益增加。傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管由于存在固有的載流子復(fù)合效應(yīng)和寄生電容，其在高頻應(yīng)用中存在一定局限。肖特基勢(shì)壘二極管由于采用金屬/半導(dǎo)體接觸形成勢(shì)壘，能夠有效降低載流子復(fù)合效應(yīng)和寄生電容，因此具有很好的高頻性能，成為高頻電子器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。2.Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的基本結(jié)構(gòu)和制備方法Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管是一種由鎳（鎢）和硅硅化物（SiSi）組成的器件。其基本結(jié)構(gòu)為金屬/半導(dǎo)體接觸，金屬層為鎳（鎢）層，半導(dǎo)體層為硅硅化物。制備方法采用的是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)。首先，通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射技術(shù)，在硅基片上沉積一層鎳（鎢）薄膜。然后，將硅基片放入高溫爐中，在氧氣氣氛下進(jìn)行退火處理，使鎳（鎢）薄膜與硅基片反應(yīng)形成硅硅化物。3.Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電子運(yùn)動(dòng)機(jī)制Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電子運(yùn)動(dòng)機(jī)制主要涉及勢(shì)壘高度、載流子注入和漏電流等方面。在零偏壓下，勢(shì)壘高度決定了肖特基勢(shì)壘二極管的整流特性。當(dāng)肖特基勢(shì)壘高度較大時(shí)，能夠限制反向電流，在高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。載流子注入是指在正向偏置情況下，載流子由金屬/半導(dǎo)體界面注入進(jìn)入半導(dǎo)體區(qū)域。漏電流由于勢(shì)壘的隧穿效應(yīng)引起，在肖特基勢(shì)壘二極管中需控制漏電流，以保證正向電流傳輸?shù)目煽啃浴?.Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電壓-電流特性為了研究Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電學(xué)特性，我們進(jìn)行了電壓-電流特性的測(cè)試。通過(guò)測(cè)試，在不同偏置電壓下，測(cè)量了肖特基勢(shì)壘二極管的正向電流和反向電流，得到了其伏安特性曲線。結(jié)果表明，該器件具有很好的整流特性，在正向偏置情況下，可以實(shí)現(xiàn)良好的電流傳輸，同時(shí)在反向電流方面也具有優(yōu)秀的抑制能力。5.Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用前景Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管由于其優(yōu)異的電學(xué)特性，在高頻電路、射頻通信系統(tǒng)、功率放大器等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用前景。其速度快、功耗低、噪聲小的特點(diǎn)使其能夠在高頻信號(hào)的調(diào)制解調(diào)、射頻信號(hào)的放大等方面發(fā)揮重要作用，對(duì)于提高通信系統(tǒng)的性能具有積極的推動(dòng)作用。6.結(jié)論本論文對(duì)Ni(W)SiSi肖特基勢(shì)壘二極管的電學(xué)特性進(jìn)行了研究，揭示了其工作原理和性能優(yōu)勢(shì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該器件具有良好的整流特性、低反向漏電流、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，適用于高頻電子器件的設(shè)計(jì)和制造。未來(lái)的研究方向包括進(jìn)一步優(yōu)化制備方法、探索新材料、提高器件性能等方面，以滿足新一代高速通信系統(tǒng)對(duì)于高頻器件的需求。參考文獻(xiàn)：[1]LiY,ChenH,GanapathiK.DesignandmodelingofNiSi/Si-basedSchottky-barrierdiodeforhigh-speedandlow-powerapplications[J].IEEEElectronDeviceLetters,2015,36(10):1031-1033.[2]TungareAM,SethiMS.DesignandoptimizationofSchottkydiodeforRF,TX&RXapplications[C]//20183rdIEEEInternationalConferenceonRecentTre