ICS

T/CEC

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)

T/CECXXXXX—XXXX

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550kV及以上氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備

中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線(xiàn)技術(shù)規(guī)范

GeneralspecificationofdampingbusbarwithFerriteRingsusedtosuppre

ssVeryFastTransientOvervoltagefor550kVandabovegas-insulatedmetal

-enclosedswitchgear

征求意見(jiàn)稿

（本稿完成日期：2019.10）

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布

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目??次

前言.................................................................................II

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3使用條件...........................................................................1

4術(shù)語(yǔ)和定義.........................................................................1

5額定值與技術(shù)要求...................................................................2

6設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu).........................................................................4

7型式試驗(yàn)...........................................................................7

8出廠試驗(yàn)..........................................................................12

9阻尼母線(xiàn)選用導(dǎo)則..................................................................13

10隨訊問(wèn)單、標(biāo)書(shū)和訂單提供資料.....................................................14

11運(yùn)輸、儲(chǔ)存、安裝和維護(hù)...........................................................14

12安全性...........................................................................15

13環(huán)境方面.........................................................................15

附錄A（規(guī)范性附錄）磁環(huán)的檢驗(yàn)......................................................16

附錄B（資料性附錄）磁環(huán)的配置數(shù)量..................................................19

附錄C（資料性附錄）磁環(huán)吸收能量計(jì)算報(bào)告............................................20

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550kV及以上氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備中抑制VFTO用磁環(huán)型阻

尼母線(xiàn)技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了550kV及以上GIS中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線(xiàn)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)阻尼母線(xiàn)）的使用條件、

設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)、額定參數(shù)及試驗(yàn)等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于該裝置的生產(chǎn)、試驗(yàn)、驗(yàn)收、包裝、運(yùn)輸、貯存和安裝。

為了便于本標(biāo)準(zhǔn)使用，術(shù)語(yǔ)“GIS”用于表述“氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備”。

注1:HGIS同樣適用本標(biāo)準(zhǔn)。

注2:擴(kuò)建、改造的工程可參照?qǐng)?zhí)行。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本

文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T1.1—2009標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)

GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)

劃

GB/T2900.20—2016電工術(shù)語(yǔ)高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備

GB/T2900.59—2008電工術(shù)語(yǔ)發(fā)電、輸電及配電變電站

GB/T7674—2008額定電壓72.5kV及以上氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備

GB/T11022—2011高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的共用技術(shù)要求

GB/T24836—20181100kV氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備技術(shù)規(guī)范

GB/T9632.1—2002通信用電感器和變壓器磁芯測(cè)量方法

GB/T9634.4—2007鐵氧體磁心表面缺陷極限導(dǎo)則第4部分：環(huán)形磁心

SJ/T10213—1991鐵氧體材料牌號(hào)與元件型號(hào)命名方法

SJ20669—1998永磁鐵氧體總規(guī)范

SJ20966-2006軟磁鐵氧體材料測(cè)量方法

3使用條件

550kV及以上GIS抑制VFTO用阻尼母線(xiàn)安裝于GIS設(shè)備中，其使用條件應(yīng)與GIS母線(xiàn)一致，按照

GB/T11022—2011中第2章規(guī)定。

4術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

GB/T2900.20—2016、GB/T11022—2011和GB/T7674—2008定義的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用

于本標(biāo)準(zhǔn)。

4.1特快速瞬態(tài)過(guò)電壓VeryFastTransientOvervoltage（VFTO）

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GIS和HGIS在某些操作方式下，例如隔離開(kāi)關(guān)開(kāi)合空載短母線(xiàn)時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生的一種頻率高至

數(shù)十MHz的高頻振蕩過(guò)電壓，同時(shí)含有直流和低頻分量。

4.2母線(xiàn)busbar

可以連接多個(gè)電氣回路的低阻抗導(dǎo)體

[GB/T2900.59—2008的605-02-01]

4.3磁環(huán)型阻尼母線(xiàn)dampingbusbarwithFerriteRings

安裝于GIS中，內(nèi)部含有磁環(huán)元件，可用于抑制隔離開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的一段母線(xiàn)。

4.4隔板partition

把一個(gè)隔室和其它隔室分開(kāi)的支持絕緣子。

[GB/T7674—2008的3.108]

4.5支持絕緣子supportinsulator

支撐一極或多極導(dǎo)體的內(nèi)部絕緣子

[GB/T7674—2008的3.107]

4.6電壓抑制比voltagesuppressionratio

用于描述阻尼母線(xiàn)對(duì)特快速暫態(tài)電壓幅值抑制效果的一個(gè)參量。定義為阻尼母線(xiàn)安裝后特快速

暫態(tài)電壓的最大峰值與未裝阻尼母線(xiàn)時(shí)特快速暫態(tài)電壓的最大峰值的比值，參見(jiàn)本標(biāo)準(zhǔn)7.13。

4.7電壓振蕩衰減比voltageoscillationattenuationratio

用于描述阻尼母線(xiàn)對(duì)特快速暫態(tài)電壓幅值衰減速度的一個(gè)參量。定義為阻尼母線(xiàn)安裝后特快速

暫態(tài)電壓的第二個(gè)峰值和第一個(gè)峰值的比值，參見(jiàn)本標(biāo)準(zhǔn)7.13。

4.8磁環(huán)magnetring

阻尼母線(xiàn)的元件，一種環(huán)狀的導(dǎo)磁體，高頻下有較高的磁導(dǎo)率和損耗，例如鐵氧體材料燒結(jié)成

形的導(dǎo)磁體，可以通過(guò)串聯(lián)構(gòu)成磁環(huán)串，對(duì)VFTO中高頻分量進(jìn)行抑制。

4.9均壓罩

利用自身外形結(jié)構(gòu)，使其適用于電壓形式為交流，需要高壓均勻分布的設(shè)備中，以改善電壓分

布的金屬罩。

5額定值與技術(shù)要求

550kV及以上GIS/HGIS中抑制VFTO用阻尼母線(xiàn)的額定值包括：

——額定電壓（Ur）；

——額定絕緣水平；

——額定頻率（fr）；

——主回路的額定電流（Ir）；

——主回路的額定短時(shí)耐受電流（Ik）；

——主回路的額定峰值耐受電流（Ip）；

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——額定短路持續(xù)時(shí)間（tk）；

——絕緣氣體的額定充入壓力；

——磁環(huán)的額定參數(shù)。

5.1額定電壓（Ur）

1100kV，800kV，550kV。

5.2額定絕緣水平

僅指相對(duì)地絕緣，絕緣水平如表1所示。

表1額定絕緣水平

額定短時(shí)工頻耐受電壓額定操作沖擊耐受電壓額定雷電沖擊耐受電壓

Ud/kVUs/kVUp/kV

（有效值）（峰值）（峰值）

110018002400

80015502100

55013001675

5.3額定頻率（fr）

50Hz。

5.4額定電流

5.4.1額定電流（Ir）

4000A；5000A；6300A；8000A。

5.5溫升

GB/T11022—2011的4.5.2適用。阻尼母線(xiàn)中部件的溫升沒(méi)有被GB/T11022所涵蓋時(shí)，不應(yīng)超過(guò)

相應(yīng)部件及其材料標(biāo)準(zhǔn)中的溫升限值。

溫升試驗(yàn)的電源電流應(yīng)為正弦波，流過(guò)阻尼母線(xiàn)的試驗(yàn)電流應(yīng)為額定電流（Ir）的1.1倍。

5.6額定短時(shí)耐受電流（Ik）

63kA。

5.7額定峰值耐受電流（Ip）

171kA。

5.8額定短路持續(xù)時(shí)間（tk）

2s、3s。

5.9絕緣氣體的額定壓力

按照制造廠規(guī)定。

5.10磁環(huán)的額定參數(shù)

5.10.1額定初始磁導(dǎo)率（μi）

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不小于2500×（1±25%）。

5.10.2飽和磁通密度（Bs）

不小于500mT。

5.10.3剩余磁通密度（Br）

不大于120mT。

5.10.4額定居里溫度（Tc）

不小于200℃。

5.10.5矯頑力（Hc）

不小于16A/m。

5.10.6額定功率損耗密度（Pcv）

不小于650mw/cm3。

6設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)

6.1總體結(jié)構(gòu)

阻尼母線(xiàn)應(yīng)為標(biāo)準(zhǔn)尺寸的獨(dú)立氣室，能夠單獨(dú)生產(chǎn)和檢驗(yàn)，與所安裝GIS/HGIS母線(xiàn)段接口和尺

寸兼容，SF6氣體壓力一致，以便于安裝到GIS/HGIS隔離開(kāi)關(guān)兩側(cè)的母線(xiàn)中。

阻尼母線(xiàn)為軸對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，由外殼、絕緣子、導(dǎo)體、磁環(huán)串和磁環(huán)串外部的均壓罩構(gòu)成，磁環(huán)串

套裝在主回路上，磁環(huán)之間以及磁環(huán)與導(dǎo)體之間絕緣，均壓罩套裝在磁環(huán)串外部。均壓罩可采用中

部安裝，如圖1中a)所示，也可采用兩端安裝，如圖1中b)所示，兩種安裝方式均能夠控制均壓罩與

磁環(huán)串之間的最大電壓約為磁環(huán)串兩端最大電壓的一半。

除了本標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)門(mén)規(guī)定以外，阻尼母線(xiàn)的各個(gè)部件應(yīng)滿(mǎn)足各自的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

a）均壓罩中部安裝

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b）均壓罩兩端安裝

圖1阻尼母線(xiàn)推薦典型結(jié)構(gòu)

6.2磁環(huán)

磁環(huán)對(duì)材料的高頻導(dǎo)磁和損耗特性有較高要求，需要明確要求和嚴(yán)格檢查（磁環(huán)的檢驗(yàn)見(jiàn)附錄

A）。磁環(huán)為脆性材料，容易磕碰掉渣，推薦要求采用絕緣材料封裝后使用。

6.2.1磁環(huán)型號(hào)規(guī)格

磁環(huán)的型號(hào)規(guī)格由兩部分組成，由制造廠確定并給出：

第一部分表示材料牌號(hào)，其命名方法按SJ/T10213中2的規(guī)定；

第二部分表示形狀和尺寸規(guī)格，其命名方法按SJ/T10213中3的規(guī)定。

例如：R2KBH185×140×30

第二部分：形狀和尺寸規(guī)格

第一部分：材料牌號(hào)

阻尼母線(xiàn)用磁環(huán)推薦采用R2KBH185×140×30和R2KBH140×120×15兩種型號(hào),磁環(huán)的配置

數(shù)量見(jiàn)附錄B。

6.2.2磁環(huán)的封裝

因磁環(huán)的易碎特性，使用過(guò)程中容易因磕碰破損而產(chǎn)生異物，阻尼母線(xiàn)中的磁環(huán)應(yīng)采用絕緣材

料封裝。封裝材料應(yīng)滿(mǎn)足長(zhǎng)期置于SF6氣體中不得有任何化學(xué)反應(yīng)、物理特性變化和氣體、固體的

要求，不得對(duì)GIS本身帶來(lái)任何不利影響。

封裝前應(yīng)保證磁環(huán)清潔、干燥。

磁環(huán)可以單個(gè)進(jìn)行封裝，也可以多個(gè)一組進(jìn)行封裝。封裝材料應(yīng)有一定厚度，在實(shí)現(xiàn)磁環(huán)自身

保護(hù)的同時(shí)，也保證磁環(huán)(組)之間以及磁環(huán)與主回路之間的絕緣強(qiáng)度。

多個(gè)磁環(huán)封裝在一起時(shí)，磁環(huán)之間應(yīng)有絕緣隔板，絕緣隔板應(yīng)滿(mǎn)足磁環(huán)間絕緣要求，具體要求

見(jiàn)6.3。

封裝材料應(yīng)完全包裹磁環(huán)。

6.3特殊絕緣要求

當(dāng)VFTO行波到達(dá)阻尼母線(xiàn)時(shí)，將在導(dǎo)體和磁環(huán)串沿線(xiàn)產(chǎn)生暫態(tài)電壓分布，磁環(huán)與磁環(huán)之間，磁

環(huán)與導(dǎo)體之間、均壓罩與磁環(huán)串和主回路的絕緣必須能夠耐受此暫態(tài)陡波電壓，具體絕緣要求如下：

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磁環(huán)與磁環(huán)之間暫態(tài)耐受電壓（圖2中cf間電壓）：根據(jù)仿真結(jié)果，阻尼母線(xiàn)兩端耐受最高暫

態(tài)電壓為0.6p.u.，考慮磁環(huán)配置數(shù)量S，裕度系數(shù)1.5，磁環(huán)與磁環(huán)間暫態(tài)耐受電壓按照1.5×

0.6p.u./S確定。

均壓罩與磁環(huán)之間，均壓罩與導(dǎo)體之間VFTO耐受暫態(tài)電壓（圖2中ab、ac間電壓）：根據(jù)磁環(huán)

兩端耐受最高暫態(tài)電壓為0.6p.u.，裕度系數(shù)k2（圖1中，均壓罩中部和兩端安裝方式）。

均壓罩應(yīng)牢固固定，設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)應(yīng)具有較高的剛度和精度。

以上特殊絕緣要求是考慮到抑制VFTO最?lèi)毫訔l件時(shí)的分析結(jié)果，僅供設(shè)計(jì)時(shí)參考，絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)

計(jì)的合理性應(yīng)在VFTO抑制試驗(yàn)中檢驗(yàn)。

圖2磁環(huán)串結(jié)構(gòu)剖面示意圖

6.4阻尼母線(xiàn)中氣體的要求

GB/T7674—2008的5.2適用，同時(shí)作如下規(guī)定：

阻尼母線(xiàn)中氣體應(yīng)使用符合GB/T11022要求的新的純SF6氣體，不能使用其它替代氣體或混合

氣體。SF6氣體濕度要求在交接驗(yàn)收時(shí)不大于250μL/L，長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)不大于500μL/L。

6.5SF6氣體監(jiān)測(cè)裝置

GB/T7674—2008的5.9適用，并作如下補(bǔ)充：

阻尼母線(xiàn)所在隔室應(yīng)提供SF6氣體密度監(jiān)測(cè)裝置，氣體密度監(jiān)測(cè)裝置可安裝于相鄰?fù)羰褿IS母

線(xiàn)上。

6.6SF6氣體的密封

GB/T7674—2008的5.15適用。阻尼母線(xiàn)所在隔室的SF6氣體相對(duì)泄漏標(biāo)準(zhǔn)值取每年0.5%。

6.7隔板

阻尼母線(xiàn)使用隔板應(yīng)與GIS相同，GB/T7674—2008的5.104.2適用。

6.8接地

GB/T7674—2008的5.3適用。

6.9SF6氣體壓力配合

GB/T7674—2008的5.101適用。制造廠應(yīng)提供阻尼母線(xiàn)的設(shè)計(jì)壓力、SF6氣體的額定壓力（Pre）、

報(bào)警壓力（Pac）和最低功能壓力（Pme）。

6.10外殼

阻尼母線(xiàn)外殼及法蘭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)應(yīng)與GIS相同，GB/T7674—2008的5.103適用。

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6.11外殼提供的防護(hù)等級(jí)

GB/T11022—2011的5.13適用。阻尼母線(xiàn)外殼提供的防護(hù)等級(jí)應(yīng)與GIS母線(xiàn)相同，不低于IP65。

6.12內(nèi)部故障

GB/T7674—2008的5.102適用。根據(jù)保護(hù)系統(tǒng)性能確定的電弧持續(xù)時(shí)間的性能判據(jù)見(jiàn)表2。

表2性能判據(jù)

額定短路電流電流持續(xù)時(shí)間

保護(hù)段性能判據(jù)

（kA）（s）

10.1不允許燒穿

63

2≤0.3外殼允許燒穿但不能有碎片

6.13壓力釋放

GB/T7674—2008的5.105適用。阻尼母線(xiàn)不推薦安裝壓力釋放裝置。

6.14腐蝕

GB/T7674—2008的5.108適用。

6.15銘牌

GB/T7674—2008的5.10適用。阻尼母線(xiàn)應(yīng)提供獨(dú)立的銘牌，如果GIS的公共信息在一個(gè)銘牌上

標(biāo)明，獨(dú)立的銘牌可以簡(jiǎn)化，應(yīng)包含下列資料。

——制造廠的名稱(chēng)或商標(biāo)

——型號(hào)或系列號(hào)

——額定電壓Ur

——額定雷電沖擊耐受電壓Up

——額定操作沖擊耐受電壓Us

——額定工頻耐受電壓Ud

——額定電流Ir

——額定短時(shí)耐受電流Ik

——額定峰值耐受電流Ip

——額定頻率fr

——額定短路持續(xù)時(shí)間tk

——SF6的額定壓力和最低功能壓力；

——磁環(huán)型號(hào)規(guī)格；

——磁環(huán)配置數(shù)量；

注：“額定”一詞可以不出現(xiàn)在銘牌上。

7型式試驗(yàn)

7.1總則

7.1.1概述

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GB/T7674—2008的6.1適用，并作如下補(bǔ)充：

除在相關(guān)條款中另有規(guī)定外，所有試驗(yàn)應(yīng)在SF6氣體最低功能壓力下進(jìn)行。

正常生產(chǎn)的產(chǎn)品，每隔8年應(yīng)進(jìn)行一次絕緣試驗(yàn)、主回路電阻測(cè)量、溫升試驗(yàn)和密封試驗(yàn)，其

它強(qiáng)制試驗(yàn)必要時(shí)也可抽試。

所有型式試驗(yàn)的結(jié)果都應(yīng)記錄在型式試驗(yàn)報(bào)告中，型式試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含充分的數(shù)據(jù)以證明其符

合本標(biāo)準(zhǔn)，要有足夠的信息以確認(rèn)被試設(shè)備的主要零部件。磁環(huán)的型號(hào)規(guī)格和配置數(shù)量對(duì)阻尼母線(xiàn)

性能有較大影響，阻尼母線(xiàn)的型式試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)詳細(xì)記載上述參數(shù)值，如果上述參數(shù)發(fā)生變化，阻尼

母線(xiàn)應(yīng)重新進(jìn)行型式試驗(yàn)。

7.1.2型式試驗(yàn)項(xiàng)目

——均壓罩與主回路間隙尺寸檢查，按7.2；

——絕緣試驗(yàn)，按7.3；

——主回路電阻測(cè)量，按7.4；

——溫升試驗(yàn)，按7.5；

——短時(shí)耐受電流和峰值耐受電流試驗(yàn)，按7.6；

——密封試驗(yàn)，按7.7；

——?dú)んw的驗(yàn)證試驗(yàn)，按7.8；

——防護(hù)等級(jí)驗(yàn)證，按7.9；

——隔板的試驗(yàn)，按7.10；

——運(yùn)輸與沖擊的模擬試驗(yàn)，按7.11；

——評(píng)估內(nèi)部電弧故障效應(yīng)的試驗(yàn)，按6.12；

——VFTO抑制試驗(yàn)，按7.13。

——封裝磁環(huán)試驗(yàn)，按7.12；

7.2均壓罩與主回路間隙檢查

圖3給出了均壓罩與導(dǎo)體間隙h的描述，測(cè)量圖中h尺寸，測(cè)量位置應(yīng)在圓周內(nèi)均勻選取3處，應(yīng)

滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。

圖3均壓罩與導(dǎo)體間隙的描述

7.3絕緣試驗(yàn)

GB/T24836—2018的7.2適用，并作如下補(bǔ)充：

不需要考慮海拔及大氣修正。

阻尼母線(xiàn)安裝于GIS母線(xiàn)中，不直接連接套管，所以絕緣試驗(yàn)不包含套管。

阻尼母線(xiàn)絕緣試驗(yàn)僅包括相對(duì)地工頻電壓試驗(yàn)、操作沖擊電壓試驗(yàn)、雷電沖擊電壓試驗(yàn)、局部

放電試驗(yàn)和1.1倍工頻電壓裕度試驗(yàn)。

阻尼母線(xiàn)在1.2Um/下持續(xù)5min，最大允許局部放電量不應(yīng)超過(guò)5pC。

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7.4主回路電阻測(cè)量

GB/T24836—2018的7.4.1適用，并作如下補(bǔ)充：

測(cè)量電流應(yīng)不低于直流300A。

7.5溫升試驗(yàn)

GB/T24836—2018的7.5適用，并作如下補(bǔ)充：

在SF6氣體充最低功能壓力下進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)電流按照1.1倍額定電流。

測(cè)量磁環(huán)與導(dǎo)體接觸部位溫升，不應(yīng)超過(guò)磁環(huán)及其周?chē)^緣材料的長(zhǎng)期運(yùn)行溫升允許值。

7.6短時(shí)耐受電流和峰值耐受電流試驗(yàn)

GB/T24836—2018的7.6適用。

試驗(yàn)后不應(yīng)出現(xiàn)可能防礙正常運(yùn)行的導(dǎo)體、接觸連接及其接觸部件的變形或損壞。

試驗(yàn)后測(cè)量主回路電阻增加不應(yīng)超過(guò)20%。

試驗(yàn)后測(cè)量5.9中列舉的磁環(huán)材料參數(shù)不應(yīng)有顯著變化。

7.7密封試驗(yàn)

GB/T11022—2011的6.8適用。

7.8殼體的驗(yàn)證試驗(yàn)

GB/T24836—2018的7.13適用。

7.9防護(hù)等級(jí)驗(yàn)證

GB/T11022—2011的6.7適用。

7.10隔板的試驗(yàn)

GB/T7674—2008的6.104適用。

7.11運(yùn)輸與沖擊的模擬試驗(yàn)

選取阻尼母線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)單元，在振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)對(duì)X、Y、Z方向分別依次進(jìn)行正弦頻率掃描、寬

帶隨機(jī)振動(dòng)和沖擊試驗(yàn)，試驗(yàn)后按照表3的要求進(jìn)行尺寸和外觀檢查。試驗(yàn)結(jié)束后，磁環(huán)不得有斷

裂，均壓罩與主回路間隙不得超出7.2的要求。

X軸、Y軸和Z軸三個(gè)方向分別按照表3的步驟進(jìn)行試驗(yàn)。

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表3試驗(yàn)步驟

序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)步驟

從2Hz到500Hz范圍內(nèi)尋找諧振頻率，每分鐘1倍頻。

1正弦頻率掃描注：此項(xiàng)試驗(yàn)前，在試品各部件的連接部位，做好標(biāo)記，便于

發(fā)現(xiàn)振動(dòng)是否對(duì)試品產(chǎn)生影響。

噪聲振動(dòng)從10Hz～500Hz，持續(xù)30分鐘。根據(jù)機(jī)械環(huán)境等級(jí)2M2，

2寬帶隨機(jī)振動(dòng)在10Hz到200Hz頻率范圍內(nèi)，加速度頻譜密度為1m2/s3；在200Hz

到500Hz頻率范圍內(nèi)，加速度頻譜密度為0.3m2/s3。

振動(dòng)正負(fù)方向的加速度為50m/s2持續(xù)11ms。在預(yù)振動(dòng)階段，以每

個(gè)方向上的振動(dòng)為?18dB、?15dB、?12dB、?9dB、?6dB、?3dB的

3沖擊試驗(yàn)

方式來(lái)調(diào)整記錄和振動(dòng)臺(tái)，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重?fù)p壞時(shí)停止振動(dòng)臺(tái)振動(dòng)。

加速度為50m/s2持續(xù)11ms的沖擊在正負(fù)方向各進(jìn)行5次。

從2Hz到500Hz范圍內(nèi)尋找諧振頻率，每分鐘1倍頻。諧振頻率與

4正弦頻率掃描步驟1的結(jié)果對(duì)比。如變化超過(guò)10%，應(yīng)檢查是否為連接松動(dòng)導(dǎo)

致，而非產(chǎn)品自身的問(wèn)題。

7.12封裝磁環(huán)試驗(yàn)

7.12.1自由跌落試驗(yàn)

封裝后的磁環(huán)應(yīng)有一定抵御搬運(yùn)期間可能經(jīng)受到的自由跌落的能力。

封裝后的磁環(huán)應(yīng)開(kāi)展自由跌落試驗(yàn)，試驗(yàn)方法:跌落試驗(yàn)高度選取為500mm，選取磁環(huán)環(huán)面朝下

和圓周面朝下兩種工況，每組試驗(yàn)應(yīng)選取2個(gè)試品開(kāi)展。

完成自由跌落試驗(yàn)后的磁環(huán)封裝件，要求磁環(huán)本身不能斷裂，封裝材料不能有裂紋。2個(gè)試品

應(yīng)同時(shí)通過(guò)試驗(yàn)

7.12.2熱性能試驗(yàn)

本試驗(yàn)的目的是檢查封裝后的磁環(huán)在溫度交變環(huán)境中的耐受能力，試驗(yàn)應(yīng)通過(guò)3個(gè)樣品10個(gè)熱

循環(huán)來(lái)驗(yàn)證，熱循環(huán)如圖4所示。

圖4熱循環(huán)試驗(yàn)程序（1個(gè)循環(huán)）

完成熱性能試驗(yàn)后的磁環(huán)封裝件要求磁環(huán)本身不能斷裂，封裝材料不能有裂紋。

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7.13VFTO抑制及絕緣試驗(yàn)

本試驗(yàn)?zāi)康氖谴_認(rèn)阻尼母線(xiàn)VFTO抑制性能，在磁環(huán)規(guī)格型號(hào)、配置數(shù)量調(diào)整和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)改變時(shí)

要求開(kāi)展本試驗(yàn)。

試驗(yàn)分兩部分進(jìn)行，分別檢驗(yàn)阻尼母線(xiàn)的抑制VFTO效果及耐受VFTO電壓的能力。

本試驗(yàn)在規(guī)定的試驗(yàn)回路中進(jìn)行。

7.13.1試驗(yàn)回路

試驗(yàn)回路如圖5所示。直流或交流試驗(yàn)電源經(jīng)保護(hù)電阻和套管施加在串聯(lián)的阻尼母線(xiàn)和3-5m長(zhǎng)

的直母線(xiàn)段上，直母線(xiàn)段末端開(kāi)路，在套管根部設(shè)置距離可調(diào)的放電間隙，在直母線(xiàn)段末端安裝VFTO

測(cè)量裝置測(cè)量試驗(yàn)電壓。VFTO測(cè)量裝置應(yīng)采用寬頻帶手窗式傳感器。

放電間隙應(yīng)盡可能電場(chǎng)均勻和放電距離短，以使放電后產(chǎn)生的試驗(yàn)電壓上升時(shí)間盡可能縮短。

在測(cè)量未安裝阻尼母線(xiàn)的VFTO時(shí)，阻尼母線(xiàn)采用相同電壓等級(jí)的等長(zhǎng)母線(xiàn)替代。

圖5試驗(yàn)回路布置圖

7.13.2試驗(yàn)要求

圖6為未安裝阻尼母線(xiàn)時(shí)產(chǎn)生的典型試驗(yàn)電壓波形，圖中U1、U2為產(chǎn)生VFTO電壓波形的第一和第

二個(gè)峰值（階躍），試驗(yàn)要求U1上升時(shí)間滿(mǎn)足20～70ns，U2/U1不小于0.9。

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圖6未安裝阻尼母線(xiàn)時(shí)的試驗(yàn)電壓波形（實(shí)際波形）

7.13.3VFTO抑制試驗(yàn)

試驗(yàn)間隙擊穿電壓不小于1p.u.，分別在未安裝和安裝阻尼母線(xiàn)條件下進(jìn)行3次試驗(yàn)，對(duì)比兩

種條件下的VFTO波形分析阻尼母線(xiàn)對(duì)暫態(tài)電壓的抑制效果。

圖7為安裝阻尼母線(xiàn)時(shí)產(chǎn)生的典型試驗(yàn)電壓波形，試驗(yàn)通過(guò)判據(jù)為電壓抑制比V1/U1和電壓衰減

比V2/V1均不大于0.8。

圖7安裝阻尼母線(xiàn)時(shí)的試驗(yàn)電壓波形

7.13.4特殊絕緣試驗(yàn)

試驗(yàn)間隙擊穿電壓不小于1.3p.u.，安裝阻尼母線(xiàn)進(jìn)行3次試驗(yàn)，分析試驗(yàn)電壓波形(金光耀補(bǔ)

充原理描述)及試驗(yàn)后對(duì)阻尼母線(xiàn)解體檢查，磁環(huán)之間、磁環(huán)與導(dǎo)體之間、均壓罩與磁環(huán)串及導(dǎo)體

間不應(yīng)有任何放電痕跡。

8出廠試驗(yàn)

磁環(huán)裝置的出廠試驗(yàn)項(xiàng)目包括：

a）均壓罩與主回路間隙尺寸檢查，按8.1；

b）主回路絕緣試驗(yàn)，按8.2；

d）主回路電阻測(cè)量，按8.3；

e）密封試驗(yàn)，按8.4；

g）設(shè)計(jì)和外觀檢查，按8.5；

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h）殼體的壓力試驗(yàn)，按8.6；

j）隔板的壓力試驗(yàn)，按8.7。

k）VFTO抑制試驗(yàn)，按8.8。

8.1均壓罩與主回路間隙檢查

本標(biāo)準(zhǔn)7.2條。

8.2主回路絕緣試驗(yàn)

GB/T24836—2018的8.1適用，并作如下補(bǔ)充：

磁環(huán)裝置絕緣試驗(yàn)僅包括相對(duì)地工頻電壓試驗(yàn)、雷電沖擊電壓試驗(yàn)和局部放電試驗(yàn)。

磁環(huán)裝置在1.2Um/下持續(xù)5min，最大允許局部放電量不應(yīng)超過(guò)5pC。

8.3主回路電阻的測(cè)量

GB/T24836—2018的8.3適用，并作如下補(bǔ)充：

測(cè)量電流應(yīng)不低于300A，測(cè)量阻尼母線(xiàn)兩端的接觸電阻。

8.4密封試驗(yàn)

GB/T24836—2018的8.4適用。

8.5設(shè)計(jì)和外觀檢查

GB/T11022—2011的7.6適用。

8.6殼體的壓力試驗(yàn)

GB/T24836—2018的8.7適用。

8.7隔板的壓力試驗(yàn)

GB/T24836—2018的8.9適用。

8.8VFTO抑制試驗(yàn)

本標(biāo)準(zhǔn)7.13條，并作如下補(bǔ)充：

不需要進(jìn)行特殊絕緣試驗(yàn)。

9阻尼母線(xiàn)選用導(dǎo)則

在采用阻尼母線(xiàn)抑制VFTO的應(yīng)用中，應(yīng)首先根據(jù)具體變電站的接線(xiàn)情況和隔離開(kāi)關(guān)的操作方

式，仿真獲得不裝阻尼母線(xiàn)情況下的VFTO分布，確定是否存在VFTO超標(biāo)的隔離開(kāi)關(guān)操作。

在存在VFTO超標(biāo)的情況下，選擇安裝阻尼母線(xiàn)。

建議阻尼母線(xiàn)安裝在盡量靠近隔離開(kāi)關(guān)兩側(cè)任選一側(cè)的位置。

對(duì)于3/2接線(xiàn)形式的GIS變電站，建議阻尼母線(xiàn)安裝在進(jìn)、出線(xiàn)相連的隔離開(kāi)關(guān)分支的靠近三通

節(jié)點(diǎn)的位置，如圖8中所示。

對(duì)于4/3接線(xiàn)形式的GIS變電站，建議阻尼母線(xiàn)安裝在進(jìn)、出線(xiàn)相連的隔離開(kāi)關(guān)分支的靠近三通

節(jié)點(diǎn)的位置，如圖9中所示。

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圖8變電站3/2接線(xiàn)方式中阻尼母線(xiàn)的推薦安裝位置

圖9變電站4/3接線(xiàn)方式中阻尼母線(xiàn)的推薦安裝位置

10隨訊問(wèn)單、標(biāo)書(shū)和訂單提供資料

本章的目的是規(guī)定能夠使用戶(hù)對(duì)GIS用阻尼母線(xiàn)進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑?xún)問(wèn)和能夠使制造廠給出標(biāo)書(shū)所需

的資料。

此外，能夠使用戶(hù)對(duì)不同的制造廠提供的資料進(jìn)行比較和評(píng)估。

10.1詢(xún)單和訂單資料

GB/T7674—2008的9.101適用。

10.2標(biāo)書(shū)的資料

GB/T7674—2008的9.102適用。

11運(yùn)輸、儲(chǔ)存、安裝和維護(hù)

GB/T7674—2008的第10章適用。

11.1運(yùn)輸、儲(chǔ)存和安裝條件

GB/T11022—2011的10.1適用。

11.2安裝

GB/T11022—2011的10.2適用。

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11.2.1現(xiàn)場(chǎng)安裝后的交接試驗(yàn)

阻尼母線(xiàn)在安裝后、投運(yùn)前，為了檢查設(shè)備的正確性和完整性，應(yīng)進(jìn)行交接試驗(yàn)。

交接試驗(yàn)和驗(yàn)證包括：條款號(hào)

主回路的絕緣試驗(yàn)11.2.1.1

主回路的電阻測(cè)量11.2.1.2

氣體密封試驗(yàn)11.2.1.3

檢查和驗(yàn)證11.2.1.4

氣體質(zhì)量驗(yàn)證11.2.1.5

11.2.1.1主回路的絕緣試驗(yàn)

GB/T7674—2008的10.2.101.1適用。

11.2.1.2主回路的電阻測(cè)量

GB/T7674—2008的10.2.101.2適用。

11.2.1.3氣體密封試驗(yàn)

GB/T7674—2008的10.2.101.3適用。

11.2.1.4檢查和驗(yàn)證

GB/T7674—2008的10.2.101.5適用。

11.2.1.5氣體質(zhì)量驗(yàn)證

GB/T7674—2008的10.2.101.6適用。

12安全性

GB/T11022—2011第11章適用。

13環(huán)境方面

GB/T7674—2008的第12章適用。

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AA

附錄A

（規(guī)范性附錄）

磁環(huán)的檢驗(yàn)

A1概述

磁環(huán)的檢驗(yàn)分類(lèi)和檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)包含：

a）材料檢驗(yàn)，檢驗(yàn)項(xiàng)目包含：額定初始磁導(dǎo)率μi、飽和磁通密度Bs、剩余磁通密度Br、額定

居里溫度Tc、矯頑力Hc和額定功率損耗密度Pcv。

b）質(zhì)量一致性檢驗(yàn)，包含外觀、尺寸、電感系數(shù)、功率損耗及標(biāo)識(shí)的檢驗(yàn)。

每一批磁環(huán)均應(yīng)開(kāi)展所使用材料的檢驗(yàn)，相同批次材料可以生產(chǎn)多批磁環(huán)，材料的檢驗(yàn)只需一

次。材料的檢驗(yàn)在小型試樣上進(jìn)行。

每一批磁環(huán)均應(yīng)按一定比例抽取試品開(kāi)展質(zhì)量一致性檢驗(yàn)，檢驗(yàn)項(xiàng)目及試品數(shù)量由用戶(hù)與制造

廠協(xié)商。

A2一致性檢驗(yàn)抽檢方案

外觀、尺寸、電感系數(shù)：依據(jù)GB/T2828.1正常檢查一次抽樣方案，一般檢查水平Ⅱ，AQL=1.5。

功耗：功耗的交收試驗(yàn)每批產(chǎn)品抽檢2只，若有一只不合格，則從該批中加倍抽檢，若還有一

只不合格則該批產(chǎn)品退回后進(jìn)行100%挑選，合格后再次交驗(yàn)。

標(biāo)識(shí)：100%檢查。

A3檢驗(yàn)條件

除非另有規(guī)定所有檢驗(yàn)均應(yīng)在SJ20966所規(guī)定的試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行。

A3.1試驗(yàn)電壓

試驗(yàn)電壓的諧波畸變不應(yīng)超過(guò)5%。

A3.2試驗(yàn)頻率

當(dāng)試驗(yàn)頻率未規(guī)定偏差時(shí)所有試驗(yàn)頻率的偏差均為0.l%。

A3.3磁正常狀態(tài)化

磁環(huán)在進(jìn)行電氣性能測(cè)量前應(yīng)按GB/T9632.1中6.2規(guī)定的一種方法進(jìn)行磁正常狀態(tài)化處理。

A3.4夾緊力

除非另有規(guī)定對(duì)多于一個(gè)磁環(huán)件構(gòu)成的磁環(huán)夾緊力應(yīng)按GB/T9632.1中4.3的規(guī)定。

A3.5線(xiàn)圈

詳細(xì)規(guī)范應(yīng)根據(jù)GB/T9632.1附錄E或其它國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定電感測(cè)量線(xiàn)圈及品質(zhì)因數(shù)測(cè)量線(xiàn)圈。

A4檢驗(yàn)方法

A4.1外觀檢查

T/CECXXXXX—201X

用目測(cè)法檢驗(yàn)磁芯的結(jié)構(gòu)外現(xiàn)缺陷和標(biāo)志外觀缺陷的允許程度應(yīng)按GB/T9634.4的規(guī)定，進(jìn)行

判定標(biāo)志應(yīng)用在鑒定有效期內(nèi)的量具稱(chēng)量磁芯的重量。

A4.2尺寸

應(yīng)采用精度適合于被測(cè)磁芯公差要求的在計(jì)量周期內(nèi)的量具測(cè)量磁芯的尺寸。

A4.3電感

a）電感測(cè)量

磁芯應(yīng)按GB/T9632.1中7章的規(guī)定進(jìn)行測(cè)量，夾緊力按A3.4的規(guī)定，測(cè)量頻率不大于10kHz，

有效峰值磁通密度不大于0.25mT，出廠檢驗(yàn)可在15℃-27℃下進(jìn)行。

在試驗(yàn)報(bào)告中均應(yīng)記錄測(cè)量溫度。

b）電感因數(shù)

磁芯應(yīng)按a）的規(guī)定測(cè)出電感，電感因數(shù)按下式計(jì)算：

L

A（1）

LN2

式中：AL——電感因數(shù)，