多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)范圍本要求規(guī)定了多晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗標(biāo)準(zhǔn)等本要求適用于多晶硅片的選購及其檢驗。標(biāo)準(zhǔn)性引用文件GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸取測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸取測量方法的試驗方法術(shù)語和定義TV：硅片中心點的厚度，是指一批硅片的厚度分布狀況；〔標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片54；時，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；理或裂痕；垂直度：硅片相鄰兩邊與標(biāo)準(zhǔn)90°相比較的差值。54：125125；156156；210210。5外觀V〔〕缺口，崩邊、缺0.5mm，深度≤0.3mm，2外表需清洗干凈，無可見斑點、玷污及化學(xué)殘留物；硅片外表局部凹凸不平深度〔如外表劃痕、凹坑、臺階等〕≤20μm，切20um。無密集型線痕。彎曲度≤30μm≤30μm；切片前的棒/錠要經(jīng)化學(xué)腐蝕或機械拋光去除損傷層，即切完的硅片邊沿是光亮的。外形尺寸5.2.1標(biāo)稱厚度系列為200±20μm；220±20μm；240±20μm；對于每單合同需要明確規(guī)定標(biāo)稱厚度。m，160μm、180μmTV±15μm。200μm180μm～220μm他類推；一批硅片厚度必需符合>190μm；15%。其他尺寸要求見表1。相鄰邊的垂直度：90o±0.3o。材料性質(zhì)導(dǎo)電類型：P〔Boron〕硅片電阻率：2Ω2cm，可接收電阻率為1Ω2cm～3Ω2cm，<15%〔測試位置為硅片中心點與四個角上距離兩邊1cm的四個點〕硅棒少子壽命≥2us〔此壽命為硅棒切片前的少子壽命；氧碳含量：氧含量≤11018atoms/cm3，碳含量≤51016atoms/cm3。25℃的室800W/m25〔2.5%的相對效率衰減將被認(rèn)為硅材料性能不合格所致。彎曲度≤30μm≤30μm；切片前的棒/錠要經(jīng)化學(xué)腐蝕或機械拋光去除損傷層，即切完的硅片邊沿是光亮的。外形尺寸5.2.1標(biāo)稱厚度系列為200±20μm；220±20μm；240±20μm；對于每單合同需要明確規(guī)定標(biāo)稱厚度。m，160μm、180μmTV±15μm。200μm180μm～220μm他類推；一批硅片厚度必需符合>190μm；15%。其他尺寸要求見表1。相鄰邊的垂直度：90o±0.3o。材料性質(zhì)導(dǎo)電類型：P〔Boron〕硅片電阻率：摻硼多晶硅片：目標(biāo)電率為2Ω2cm，可接收電阻率為1Ω2cm～3Ω2cm，單片電阻率不均勻性1cm點〕硅棒少子壽命≥2us〔此壽命為硅棒切片前的少子壽命；氧碳含量：氧含量≤11018atoms/cm3，碳含量≤51016atoms/cm3。25℃的室800W/m25〔2.5%的相對效率衰減將被認(rèn)為硅材料性能不合格所致。錄A 表檢驗工程檢驗要求檢驗工程檢驗要求檢測工抽樣具打算A

B長≤0.5mm≤0.3mm長≤1mm1mm崩邊∕缺口外表粗糙度外

數(shù)量≤2≤20μm

≤20μm切割線痕凹 坑觀

≤20μm，無密集線痕≤30μm，無密集線痕直徑＜0.5mm ≤≤30μm20μm

檢測燈光照度1000LUX〕裂痕∕鴉爪 無 無孔 洞 無 無

外表無可見花斑、油污、污跡和化學(xué)藥劑殘留尺寸規(guī)格〔㎜〕尺

邊長〔㎜〕

度〔㎜〕

垂直度〔O〕

游標(biāo)卡尺 全(邊長直 徑、倒角差)1253125寸1563156TV

Max125.5156.5±20μm

Min124.5155.5

萬能角規(guī)＜0.6 90±0.5 (垂直度)90±0.5±30μmTTV電型號電阻率氧含量碳含量

≤30μm≤30μmP1Ω-3Ω≤131018

≤40μm50μmPatoms/cm3