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文檔簡介

摘要

二次電池具有高能量密度和長循環(huán)壽命等特點,為儲存并利用清潔能源提供了有效的解決方案。為了滿足社會日益增長的能源需求,進一步研究和開發(fā)二次電池迫在眉睫,而X射線表征技術(shù)可以為二次電池的研究、設(shè)計與應(yīng)用提供全方位視角?;诖?,本綜述通過對近幾年相關(guān)文獻進行歸納總結(jié),綜述了X射線譜學技術(shù)在二次電池領(lǐng)域的最新進展以及遇到的問題,重點介紹了X射線表征技術(shù)(主要包括X射線光電子能譜、X射線吸收譜和共振非彈性X射線散射等)的基本原理、在二次電池領(lǐng)域的最新研究成果和科學挑戰(zhàn),詳細闡釋了不同X射線表征手段的技術(shù)特點、適用條件和獨特優(yōu)勢,并對未來X射線譜學在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用提出展望。綜合分析表明,X射線表征技術(shù)可以提供一系列電極材料晶格、電子、物相結(jié)構(gòu)等基本信息,實現(xiàn)從宏觀尺度到微觀尺度的電極材料結(jié)構(gòu)表征,進而系統(tǒng)揭示電極材料晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)演變、電荷補償機制、離子與電子輸運以及表界面化學過程等信息,為二次電池性能提升和技術(shù)瓶頸突破提供支持。關(guān)鍵詞

二次電池;正極材料;X射線譜學;同步輻射隨著社會工業(yè)體系的迅速發(fā)展,社會對能源的需求日益增長。傳統(tǒng)化石燃料(例如煤、石油和天然氣等)被大量消耗,導(dǎo)致其資源儲量迅速枯竭,并進一步加劇了環(huán)境污染。因此,利用太陽能、風能和潮汐能等可再生、更清潔的綠色能源已經(jīng)迫在眉睫。然而,可再生能源在時間、地點上的間歇性問題限制了其商業(yè)化發(fā)展和應(yīng)用。因此,可再生能源的高效存儲與利用不可或缺。作為可再生能源體系的配套技術(shù),儲能技術(shù)可以解決可再生能源的間歇性問題,對可再生能源的高效和持續(xù)利用至關(guān)重要。在各種儲能技術(shù)中,二次電池因其成本低廉、靈活便捷、能量轉(zhuǎn)化效率高等特點,在社會儲能體系中占據(jù)了重要地位,是極具前景的儲能技術(shù)。因此,開發(fā)高能量密度、長循環(huán)壽命、低成本的二次電池已經(jīng)成為全球普遍關(guān)心的焦點問題。在不同的二次電池體系中,鋰離子電池(LIBs)由于具有較高的循環(huán)壽命、能量密度和工作電壓,廣泛應(yīng)用于儲能領(lǐng)域。與其他二次電池(如鉛酸蓄電池、鎳氫電池等)相比,LIBs具有高比容量、高電壓、綠色環(huán)保等特點,在儲能體系中占據(jù)重要地位。然而,鋰資源儲量低且分布不均、成本高昂等缺點限制了其在儲能領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。與鋰離子電池相比,鈉離子電池(SIBs)因金屬鈉資源豐富、分布廣泛且成本低廉,受到了研究者的廣泛關(guān)注,有望應(yīng)用于大規(guī)模儲能領(lǐng)域。鈉和鋰在元素周期表中同屬第一主族堿金屬,在不同的化學環(huán)境中具有相似的化學性質(zhì)。并且,鈉離子電池的工作原理與鋰離子電池一致,在電池充放電過程中都伴隨著離子的嵌入與脫出。這些相似的性質(zhì)使得研究者可以借鑒鋰離子電池中的成功經(jīng)驗。并且,鈉不會與鋁形成合金,因此可以使用廉價的鋁箔作為集流體,從而進一步降低其商業(yè)化成本。然而,Na+單位質(zhì)量(23g/mol)大于Li+單位質(zhì)量(6.9g/mol),且Na+的標準氧化還原電位(2.71V)比Li+的標準氧化還原電位更低(3.02V),導(dǎo)致了相較于鋰離子電池更低的能量密度。綜上所述,設(shè)計結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、能量密度高、循環(huán)壽命長的LIBs/SIBs是目前二次電池研究和發(fā)展的重點和難點。正極材料是限制LIBs/SIBs能量密度和成本的主要因素,因此,正極材料的充放電機制逐漸成為研究重點。然而,由于缺少有效的表征方法,正極材料氧化還原過程中的電子結(jié)構(gòu)演變、離子及電子運輸以及界面反應(yīng)等關(guān)鍵信息難以明晰,而這些相關(guān)信息可以為深入理解鈉離子電池電極材料的電荷補償機制和容量衰減機制、優(yōu)化電極材料組成和結(jié)構(gòu)、提升電池性能提供重要的科學依據(jù)。隨著實驗室以及同步輻射X射線技術(shù)的不斷發(fā)展,在二次電池領(lǐng)域利用X射線光電子能譜(XPS)、X射線吸收譜(XAS)和共振非彈性X射線散射(RIXS)等技術(shù)開展相關(guān)非原位/原位表征成為了可能。上述X射線技術(shù)能準確捕獲材料本征電子和空間結(jié)構(gòu)的變化信息并獲取材料性能與性質(zhì)的關(guān)聯(lián),為高容量、長壽命二次電池材料的研究、設(shè)計與制備提供了豐富的理論依據(jù)。本綜述對XPS、XAS和RIXS技術(shù)的特點、優(yōu)勢及適用條件進行詳細闡述,系統(tǒng)總結(jié)了近年來高比能二次電池正極材料的X射線譜學研究進展,最后展望了X射線譜學在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用前景。1X射線表征技術(shù)基本原理1.1XPS技術(shù)基本原理當X射線照射到原子時,入射的光子可能經(jīng)歷三種過程:①光子沒有經(jīng)過相互作用而直接穿過;②發(fā)生康普頓散射,入射光子與軌道外層電子發(fā)生散射,將部分能量轉(zhuǎn)移給電子并使其脫離原子成為反沖電子;③發(fā)生光電效應(yīng),光子將全部能量轉(zhuǎn)移給原子的核外電子,導(dǎo)致原子中的電子發(fā)射出去而產(chǎn)生光電子。如圖1(a)所示,X射線入射原子時存在一定的概率發(fā)生光電效應(yīng),而且該過程遵守能量守恒定律:(1)式中,EB是原子中電子的結(jié)合能;hv是入射X射線源的能量;EK是出射光電子的動能;Фsp是儀器功函數(shù)。XPS通常采用一束單色光(hv)照射樣品,并利用能量分析器對光電效應(yīng)產(chǎn)生的光電子進行能量分析(EK),從而得到光電子能譜圖。其中EK是由能量分析器測試獲得的電子動能,其會因入射光子能量不同而發(fā)生改變,然而結(jié)合能(EB)是與原子相關(guān),不會因入射光子能量不同而發(fā)生改變,而且結(jié)合能有著化學分析的意義,所以XPS譜圖的橫坐標常以結(jié)合能EB來表示。X射線的穿透能力較強,1.5keV的AlKα射線的穿透能力依然達到微米級別,但是該能量范圍下的光電子的穿透能力非常有限。XPS特征峰源自于從樣品表面逃逸出來且未損失能量的光電子,這些出射光電子的動能通常在100~1000eV范圍內(nèi),該能量范圍內(nèi)電子的非彈性平均自由程較小,決定了XPS納米級的探測深度,因此XPS被認為是一種表面靈敏的分析技術(shù),其中基于AlKα射線的探測深度小于10nm。圖1

X射線與原子相互作用(a)

光電效應(yīng);(b)X射線吸收導(dǎo)致內(nèi)層電子激發(fā)到未占據(jù)態(tài);(c)

俄歇過程;(d)

熒光過程XPS譜圖的峰位展示了原子電離體系中能級電子的結(jié)合能,即把電子從某能級中電離出所需的能量。結(jié)合能反映了原子核對內(nèi)層電子的束縛能,是進行元素組分分析的指紋特征;結(jié)合能也會受到原子周圍化學環(huán)境的影響而引起譜峰的位移,通過化學位移可以得到原子的化學價態(tài)信息。結(jié)合能可以定義為從特定軌道移去一個電子后,該電離體系電離后(終態(tài))和電離前(初態(tài))總能量之差值。(2)其中,Ef(n-1)是終態(tài)能量,Ei(n)是初態(tài)能量。初態(tài)是光電發(fā)射過程之前的原子基態(tài),通常認為初態(tài)效應(yīng)是產(chǎn)生化學位移的主導(dǎo)因素,隨著元素的氧化態(tài)增加,EB向高結(jié)合能端位移。例如,硫元素的化學態(tài)從-2價(Na2S)增加到+6價(Na2SO4),S2p軌道的EB會增加近8eV。但是光電發(fā)射過程中,當電子從內(nèi)殼層被電離,產(chǎn)生的離子處于激發(fā)態(tài),其他電子將通過重排來響應(yīng)空位的產(chǎn)生,經(jīng)過弛豫使激發(fā)態(tài)回到離子基態(tài)。終態(tài)效應(yīng)是由弛豫效應(yīng)所引起的,可對測量的結(jié)合能產(chǎn)生顯著影響,會導(dǎo)致結(jié)合能降低。當原子周圍化學環(huán)境發(fā)生變化時,如果弛豫能量的改變發(fā)生顯著變化,那么基于初態(tài)效應(yīng)預(yù)計的EB排序會發(fā)生改變,例如Co2p3/2的測試EB值排序是Co0(778.2eV)<Co3+(779.6eV)<Co2+(780.5eV),值得注意的是終態(tài)效應(yīng)導(dǎo)致Co3+(779.6eV)的結(jié)合能反而低于Co2+(780.5eV)。因此在XPS譜圖解析時,不能只考慮電離前的初態(tài),而必須綜合考慮因弛豫過程引起的終態(tài)效應(yīng)。此外,XPS作為表面分析方法還可以進行半定量分析,提供組分和化學態(tài)含量的相對濃度信息。XPS譜圖由連續(xù)的本底和一些分立的譜峰組成,譜圖類型可以分為全譜和窄譜,其中全譜的采譜范圍通常為0~1100eV,基本包含了元素周期表中元素的主要特征能量的光電子譜峰,而窄譜的采譜范圍通常為10~30eV,采用高能量分辨率參數(shù)用于化學態(tài)分析。XPS的測試流程通常是先對樣品進行全譜掃描,然后針對全譜中的特定特征譜峰進行高能量分辨的窄譜掃描。XPS譜圖的連續(xù)本底是由出射光電子的非彈性碰撞而損失能量的電子構(gòu)成,特征譜峰除了芯能級光電效應(yīng)激發(fā)的光電子譜峰外,還存在退激發(fā)過程產(chǎn)生的俄歇電子譜峰、弛豫效應(yīng)產(chǎn)生的震激峰和多重分裂峰等,這些特征譜峰為化學態(tài)的分析提供了有價值的信息。例如,Cu2p譜圖中明顯的震激伴峰是Cu(2+)的重要判別依據(jù);Zn化學態(tài)分析時使用修正的俄歇參數(shù)可以更好地區(qū)分不同的價態(tài);Mn3s的多重裂分峰間距是判斷Mn元素化學態(tài)的重要依據(jù)。深度剖析元素或化學態(tài)影像是XPS的高階功能,它們的數(shù)據(jù)結(jié)果往往是由一系列譜圖所組成的集合。XPS設(shè)備的X射線源通常是由高能電子束轟擊金屬陽極靶材而產(chǎn)生特征的X射線,根據(jù)X射線的能量可以將XPS分為軟X射線XPS和硬X射線XPS,其中AlKα(1486.6eV)是常見的單色化軟X射線源,CrKα(5415eV)是常見的單色化硬X射線源。采用大面積和高功率X射線是提高信號強度的直接方法,大面積束斑呈現(xiàn)的是平均結(jié)果,但是隨著電池樣品研究的深入,小束斑的微區(qū)XPS分析可以更準確地展示表面分布不均勻的特征。將X射線聚焦成小束斑是提高XPS空間分辨率的關(guān)鍵所在,同時也能保持足夠的靈敏度,這樣可以實現(xiàn)將點分析擴展到二維面分析,不僅可以獲取元素的空間分布影像,還可以得到化學態(tài)的空間分布影像。掃描微聚焦電子槍結(jié)合橢球面單色器,單色化AlKαX射線已經(jīng)可以實現(xiàn)直徑小于5μm的束斑尺寸,單色化CrKαX射線也已經(jīng)可以實現(xiàn)直徑小于10μm的束斑尺寸,為電池體系中的微區(qū)分析提供了可能。近年來,隨著同步輻射技術(shù)的發(fā)展,先進光源可以提供高亮度和聚焦X射線源,使用波帶片可以將X射線束斑聚焦到百納米級別。XPS作為表面靈敏的分析技術(shù),可以探測樣品表面10nm以內(nèi)的信息。深度分析是材料分析中獲取不同深度下組分和化學態(tài)信息的常用方法。在XPS深度分析中,有3個采樣深度值得關(guān)注:①0~10nm,這是基于常規(guī)AlKαX射線XPS的探測深度,對于超薄膜層結(jié)構(gòu)的深度分析可以通過變角度XPS實現(xiàn);②0~30nm,這是基于硬X射線XPS(HAXPES)的探測深度,可以通過切換X射線能量進行無損深度分析;③0~1000nm,需要采用離子束剝離的破壞性深度剖析。在SEI和CEI的深度分析中,可以采用不同能量的軟硬X射線進行非破壞性的深度分析,當深度大于30nm時,需要采用破壞性的深度剖析,常通過離子源(如Ar+/Xe+/Ar+GCIB)的轟擊來移除表面原子進行破壞性深度分析。對于有機物組分的深度分析,單原子離子束會顯著破壞共價鍵結(jié)構(gòu),需要采用Ar氣團簇離子源(Ar-GCIB)或C60團簇離子源進行刻蝕。值得注意的是,當被濺射樣品含有多種元素組分時,元素濺射差額的差異會導(dǎo)致?lián)駜?yōu)濺射,導(dǎo)致樣品的組成發(fā)生變化,例如電池材料中常見的氧化物物種CoOx、NiOx、MnOx和FeOx等在進行深度分析時容易發(fā)生擇優(yōu)濺射,導(dǎo)致Co/Ni/Mn/Fe等元素化學態(tài)被還原。1.2XAS技術(shù)基本原理物質(zhì)對光的吸收與物質(zhì)厚度的關(guān)系可以由朗伯-比爾定律描述,該定律指出,與入射強度(I0)相比,隨著樣品厚度d的增加,出射強度(IT)呈指數(shù)級降低,這是入射光子與材料中原子相互作用造成的:(3)式中,μ為線性吸收系數(shù),它取決于入射X射線的能量E,然而在一定能量下,元素的吸收系數(shù)會發(fā)生突躍,此時發(fā)生了X射線吸收現(xiàn)象。X射線的吸收過程如圖1(b)所示,當入射光子的能量與原子內(nèi)層電子的結(jié)合能匹配時,X射線被吸收并激發(fā)內(nèi)層電子,內(nèi)層電子被激發(fā)到未占據(jù)態(tài)并產(chǎn)生一個內(nèi)層空穴,X射線吸收系數(shù)突變,這被稱為元素的“吸收邊”。當同一元素具有更高的氧化態(tài)時,吸收邊向高能側(cè)移動,因此XAS可以分辨同一元素的不同價態(tài)。由于每種元素都有其特征吸收邊,所以XAS可以獲得材料氧化態(tài)、鍵長和配位數(shù)等信息?;赬AS技術(shù)分辨率高、亮度高、能量連續(xù)可調(diào)的特點,其測試物質(zhì)的組成狀態(tài)涵蓋了氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)的晶相和非晶相,能夠深入研究各種材料的結(jié)構(gòu)特性與電子結(jié)構(gòu)。X射線根據(jù)能量范圍的不同,可以分為軟X射線與硬X射線。其相應(yīng)的吸收譜被分別稱為軟X射線吸收譜(sXAS)與硬X射線吸收譜(hXAS)。sXAS的能量(50eV~2keV)覆蓋了Li、C、O、F、Na、Mg等輕元素的K邊和3d過渡金屬的L邊,其譜圖可以定量分析電極材料中特定元素的價態(tài),并提供局域結(jié)構(gòu)組成的重要線索。hXAS的能量涵蓋2~5keV,整體分為兩部分,吸收邊前20eV到邊后50eV左右為X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES),吸收邊后50~1000eV為擴展的X射線吸收精細結(jié)構(gòu)(EXAFS)。XANES區(qū)域包含邊緣能量位置、光譜形狀和預(yù)邊緣特征等信息,邊緣能量位置可以定量地表征元素價態(tài),光譜形狀對中心原子的局域幾何結(jié)構(gòu)很敏感,而預(yù)邊緣特征則能較好地推測原子的配體特征,因此XANES可以提供中心原子化學狀態(tài)、局部對稱性和化學鍵合的信息。由于EXAFS區(qū)域光電子能量高、電子態(tài)密度高,EXAFS受中心原子電子結(jié)構(gòu)的影響要小得多,但是EXAFS對原子周圍電子密度的徑向分布很敏感,它提供了中心原子周圍的結(jié)構(gòu)信息,即鄰近原子的類型、配位數(shù)和鍵長,因此,吸收光譜的XANES和EXAFS提供了高度互補的信息。更重要的是,得益于高能X射線帶來的高穿透深度,hXAS在原位探測領(lǐng)域具有常規(guī)實驗表征無法比擬的優(yōu)勢,這為利用XAS技術(shù)進行原位實驗提供了契機。相較于非原位表征技術(shù),原位表征技術(shù)可以捕獲電極在充放電過程中產(chǎn)生的非平衡或瞬態(tài)中間產(chǎn)物,同時,原位技術(shù)可以消除樣品在非原位測試制樣環(huán)節(jié)造成的污染、弛豫以及其他不可逆變化。通過原位XAS技術(shù),能夠在原位、實時、動態(tài)條件下準確捕獲材料本征電子和空間結(jié)構(gòu)的變化信息,深入闡釋材料性能與結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián),對深入分析二次電池的充放電機理與失效機制等具有極為重要的作用。探測吸收過程最直接的實驗方法是透射法,通過測量入射X射線的衰減來獲得X射線的吸收信息,是硬X射線譜學分析中較為常用的方法。然而,透射法對樣品的均勻性要求較高,并且對待測元素含量有一定的要求(>5%),受短衰減長度和厚度效應(yīng)的影響,透射法一般用于hXAS。由于軟X射線能量較低、穿透深度較淺,sXAS一般選擇通過電子產(chǎn)額法或者熒光產(chǎn)額法,利用占據(jù)態(tài)電子的弛豫產(chǎn)物間接表征X射線的吸收。價帶電子向內(nèi)層空穴的弛豫過程主要有兩種途徑,如圖1(c)、(d)所示,多余的能量可以通過俄歇電子的形式以非輻射的方式釋放,也可以通過熒光光子的形式以輻射的方式釋放。由于電子逃逸深度較淺,電子產(chǎn)額法具有表面敏感性,探測深度為幾納米,相較而言,熒光產(chǎn)額法是體相敏感的,探測深度可以達到幾百納米到微米級別。盡管如此,與hXAS完全透射樣品的探測深度相比,sXAS中的熒光產(chǎn)額法不能精確地表征樣品內(nèi)部更深層的元素信息。目前,幾乎所有的軟XAS裝置都可以同時采集電子產(chǎn)額和熒光產(chǎn)額的數(shù)據(jù),以此進行樣品表面和體相之間的狀態(tài)對比,從而揭示樣品表面和體相之間的結(jié)構(gòu)演變區(qū)別、化學過程差異與界面副反應(yīng)等重要信息。1.3RIXS技術(shù)基本原理得益于第三代同步輻射光源亮度、光路設(shè)計以及探測效率的大幅度提升,RIXS譜學研究近年來得到了極大的發(fā)展。根據(jù)原子軌道理論,一束能量連續(xù)的X射線與物質(zhì)相互作用時會將物質(zhì)基態(tài)的芯能級電子激發(fā)到未占據(jù)態(tài),形成激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)隨后會以退激發(fā)的方式填充芯能級空穴,而退激發(fā)過程主要有三種方式(圖2):①激發(fā)態(tài)退激發(fā)到芯能級并釋放與入射X射線相同的能量,產(chǎn)生彈性(能量沒有變化)峰。②價層電子退激發(fā)填充芯能級空穴,此時發(fā)射光子的能量將由價電子與芯能級之間的能級差決定,而與入射X射線無關(guān),此時產(chǎn)生的特征峰被稱為發(fā)射峰,這與X射線發(fā)射譜(XES)的原理類似,但是實驗中,XES通常使用能量固定且高于吸收邊50eV左右的X射線激發(fā)芯能級電子來收集X射線。③在RIXS的吸收過程結(jié)束后,為了保持激發(fā)態(tài)的穩(wěn)定,中間態(tài)的芯能級空穴對外層電子施加很強的勢從而對空穴本身產(chǎn)生屏蔽作用。這種效應(yīng)可能導(dǎo)致其他低能級的激發(fā),如晶格振動、自旋翻轉(zhuǎn)、d-d激發(fā)和電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)等,這導(dǎo)致出射的光子與入射的光子相比有能量損失,此能量差與上述激發(fā)態(tài)所需能量相同,此時產(chǎn)生的特征峰被稱為能量損失峰。通過激發(fā)(吸收)和退激發(fā)過程,RIXS能夠給出在退激發(fā)過程中所包含的三種信息,即費米能級附近的未占據(jù)態(tài)、占據(jù)態(tài)以及材料內(nèi)部的低能激發(fā)。因此,通過激發(fā)和退激發(fā)過程,系統(tǒng)可以達到三種不同類型的終態(tài)。圖2

(a)RIXS不同退激發(fā)方式的原子模型;(b)RIXS過程涉及的不同狀態(tài)RIXS是一個雙光子過程,首先激發(fā)內(nèi)層電子進入未占據(jù)態(tài),隨后探測不同軌道退激發(fā)填充芯能級空穴的出射光子能量。RIXS實驗可以在不同狀態(tài)樣品上以多種方式開展。在軟X射線(50eV~2keV)范圍內(nèi),RIXS已經(jīng)在小分子、金屬氧化物和配位化合物中的C、N和OK邊上進行了研究。2p3dRIXS(2p→3d激發(fā),3d→2p發(fā)射)也常用于研究Ti、Mn、Fe和Ni化合物中的d-d相互作用、配體場和電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)。在硬X射線(>2keV)波段,2p5dRIXS可用于研究第5周期過渡金屬(如鉑)的價軌道,2p3dRIXS也被用于研究鑭系元素的電子結(jié)構(gòu)。到目前為止,RIXS表征技術(shù)在電池領(lǐng)域有著不可替代的地位。首先,RIXS技術(shù)可以利用光譜儀分辨并統(tǒng)計出射光子能量分布,因此可以獲得沿著發(fā)射能量方向的新維度的信息,從而對電極材料的化學狀態(tài)更加敏感,可以捕獲到XAS無法分辨的電子結(jié)構(gòu)信息,為二次電池反應(yīng)機制的研究提供了有力支持。另外,通過共振X射線非彈性散射全譜圖(mRIXS)發(fā)展的反向部分熒光光譜(iPFY)可以很大程度上解決由于自吸收效應(yīng)導(dǎo)致的錳基氧化物材料中Mn的TFY光譜譜形畸變的問題。而RIXS的高分辨共振散射有利于在測試過程中保留電子自旋、電荷轉(zhuǎn)移和晶格振動等關(guān)鍵信息。值得一提的是,在二次電池領(lǐng)域,陰離子氧的氧化還原過程對于設(shè)計和合成具有更高能量密度的二次電池正極材料至關(guān)重要,而RIXS則是闡明晶格氧的氧化還原過程的可靠技術(shù)之一。盡管XPS和XAS技術(shù)也被用來研究晶格氧的氧化還原反應(yīng),但兩者都有其局限性。對于OK邊XAS光譜,關(guān)于氧的氧化還原反應(yīng)的討論主要集中在535eV以下邊前特征峰強度,而Groot等在1989年提出OK邊XAS光譜邊前峰的變化與金屬的3d軌道有關(guān),而這些特征峰對應(yīng)的是TM3d與O2p的雜化態(tài),而非單純的O2p態(tài)。其邊前特征峰的強度由雜化強度決定,由于高價態(tài)TM與O的雜化更強,因此充電狀態(tài)下邊前特征峰強度增加。也就是說,盡管部分氧的氧化還原特征確實隱藏在OK邊前峰區(qū)域中,但是由于TM與O的雜化特征峰在OK邊XAS光譜邊前特征峰區(qū)域中占據(jù)主導(dǎo)地位,因此基于邊前特征峰的氧的氧化還原分析在技術(shù)上可信度較低。而對于XPS來說,其探測深度僅為幾個納米,只能反映電極表面的氧的信息。與XPS和XAS相比,RIXS受芯空穴效應(yīng)影響要小得多,因此可以很好地區(qū)分氧的氧化還原和TM-O雜交特征,獲得準確的晶格氧的氧化還原信息。2X射線表征技術(shù)在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用2.1XPS技術(shù)在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用XPS作為重要的表面分析工具,不僅可以研究電池材料和電解質(zhì)界面處的元素組成、化學態(tài)和含量,還可以研究微觀尺度上(橫向和縱向)的元素和化學態(tài)的空間分布,以及研究電池在原位外場條件下的動態(tài)演變過程。XPS是分析電池材料化學組成的常用實驗技術(shù)之一,也是為數(shù)不多可以對鋰元素進行化學態(tài)分析的技術(shù)。例如利用XPS對鋰離子電池中常見的鋰化合物包括鋰金屬(Li0)、氧化鋰(Li2O)、過氧化鋰(Li2O2)、氫氧化鋰(LiOH)、碳酸鋰(Li2CO3)和氮化鋰(Li3N)進行了分析,并結(jié)合不同元素芯能級之間的結(jié)合能差值以及價帶譜圖對鋰化合物進行了鑒別。例如,利用XPS對三種電解液鋰鹽(LiFSI、LiTFSI和LiPF6)進行了研究,通過分析譜圖中Li1s和F1s的結(jié)合能位移可以識別三種組分[圖3(a)]。XPS還可以對不同循環(huán)階段的電池極片的表面組分和化學態(tài)進行分析,進而揭示循環(huán)過程的內(nèi)在機理。類似地,Han等報道了氟硅酸鋰(二氟)硼酸鋰(LiFMDFB)作為電解液添加劑在高能量密度鋰離子電池中的應(yīng)用,并利用XPS對預(yù)循環(huán)的不同充放電狀態(tài)下的富鋰正極表面的C1s、O1s和F1s進行了測試,正極上形成了相當大比例的C=O和C—O—C組分,同時金屬氟化物的形成最小化,結(jié)果表明LiFMDFB在正極上構(gòu)建了一個適當覆蓋的保護層,限制了電解質(zhì)直接接觸時對正極表面的損壞。此外,XPS在電池組分失效和表界面失效研究中也發(fā)揮著重要作用。利用XPS研究了磷酸鐵鋰/石墨電池的高溫存儲性能,發(fā)現(xiàn)在存儲過程中正極Fe2+峰值強度降低,F(xiàn)e3+峰值強度增加,表明在存儲過程中存在LiFePO4相向FePO4相的轉(zhuǎn)變過程;負極表面形成了富含Li2CO3和LiF的界面膜,導(dǎo)致了電池阻抗增加和容量損失。圖3

(a)

三種電解液鋰鹽(LiFSI、LiTFSI和LiPF6)的XPS譜圖;(b)

鋰化石墨負極截面的Li1sXPS化學態(tài)影像;(c)Ar離子濺射導(dǎo)致LiOH、Li2CO3和鋰片成分分解對比結(jié)果;(d)

原位XPS電池在極化條件下鋰/電解質(zhì)界面處C1s、N1s、Li1s、F1s、S2p和O1s譜圖鋰離子電池中部分材料具有高反應(yīng)活性,容易與空氣中的水和氧氣等發(fā)生反應(yīng)。例如,Cho等利用XPS研究了高鎳三元正極材料,發(fā)現(xiàn)如果暴露在空氣中,材料表面的殘鋰會與空氣中的CO2、H2O發(fā)生反應(yīng)形成LiOH、Li2CO3等副產(chǎn)物。對于大氣敏感樣品,可靠和可重復(fù)的表征是具有挑戰(zhàn)性的,因為樣品的制備、轉(zhuǎn)移和分析必須在不與空氣氣氛接觸的情況下進行。設(shè)計開發(fā)出鑭系金屬鹵化物基固態(tài)電解質(zhì)新家族LixMyLnzCl3,可直接與鋰金屬負極和三元正極匹配,實現(xiàn)無任何電極修飾且室溫可運行的全固態(tài)鋰金屬電池。該工作利用XPS研究了Li/SEI界面的穩(wěn)定性機制,并利用惰性氣氛轉(zhuǎn)移管將樣品進行樣品轉(zhuǎn)移,同時為驗證轉(zhuǎn)移管的密封能力的可靠性,在樣品托上附加了一塊新鮮的金屬鈉片作為參照樣品,隨樣品一起由手套箱轉(zhuǎn)移到XPS設(shè)備進行測試。XPS結(jié)果表明鈉參照樣品中金屬Na比例高達95.2%,很好地證明了樣品轉(zhuǎn)移管的密封能力。在Li/SEI的表面檢測到86.6%的Ta5+,表明界面鈍化層可以有效地緩解鋰沉積/剝離過程中的界面應(yīng)變,并保護SEI免受鋰金屬的影響。隨著XPS空間分辨能力的提升,微區(qū)XPS技術(shù)可以獲取樣品表面的組分和化學態(tài)的局域化分布信息。Lu等通過在石墨負極中構(gòu)建基于LixCu6Sn5網(wǎng)絡(luò)的固體鋰傳輸通道大幅度降低了石墨負極的鋰離子濃度梯度和相應(yīng)的極化。利用微區(qū)XPS分析了電極截面上Li元素的化學態(tài)影像,金屬Li0(54.66eV)為主要化學態(tài),而且沿截面均勻分布,顯著降低了Li+濃度梯度和相應(yīng)的極化效應(yīng)[圖3(b)]。借助離子束剝離的XPS深度分析是研究SEI層組分和化學態(tài)在深度方向上分布的常用方法。利用XPS深度分析研究了LiPF6-mixTHF電解質(zhì)在負極上形成的LiF-有機雙層SEI,研究結(jié)果表明SEI的頂部由有機物(RCH2OLi)和無機物(Li2O、LiF)兩種組分組成,且碳含量(表示有機分解產(chǎn)物)隨濺射時間增加而降低。但是,需要注意的是基于離子刻蝕的XPS深度分析是一個破壞過程,可能因為破壞化學態(tài)而導(dǎo)致產(chǎn)生假象。指出Ar離子濺射可能改變SEI化學組成,導(dǎo)致鋰鹽的F1s譜圖中LiF峰的強度顯著增加。類似的,Otto等指出Ar離子濺射會導(dǎo)致LiOH和Li2CO3部分分解為Li2O[圖3(c)]。此外,擇優(yōu)濺射效應(yīng)會導(dǎo)致部分氧化物如CoOx、NiOx、MnOx和FeOx中的金屬元素被還原。因此,深度分析中常用的Ar離子蝕刻的結(jié)果必須謹慎使用,因為離子濺射可能會引起副反應(yīng),導(dǎo)致高估表面上的LiF、Li2CO3和Li2O組分,以及對化學態(tài)的誤判。Yin等利用基于機械剝離方式的XPS深度分析證明了鋰金屬表面鈣鈦礦界面層的“鈣鈦礦-合金-鋰金屬”梯度漸變結(jié)構(gòu)。由于離子刻蝕會導(dǎo)致ABX3鈣鈦礦B位離子的部分還原,這就導(dǎo)致基于Ar離子濺射的XPS深度分析無法真實客觀地反映不同深度下B位元素的價態(tài)變化。因此,可以在手套箱惰性氣氛的保護下利用Kapton膠帶進行機械剝離,同時通過惰性氣氛轉(zhuǎn)移腔將制備好的樣品從手套箱中轉(zhuǎn)移到XPS實驗裝置中,逐層地暴露界面層在不同深度下的化學成分。結(jié)果表明表面處于氧化態(tài)(Sn2+和Pb2+),隨著機械剝離深度增加,暴露出合金層(Sn0和Pb0)的比例逐漸增加。因為HAXPES采用高能量X射線(5~10keV)激發(fā)出的高動能光電子(具有更大的非彈性平均自由程),所以HAXPES可以將常規(guī)XPS的探測深度(<10nm)擴展到幾十納米,實現(xiàn)無損深度分析。利用表面靈敏的軟X射線XPS和體相靈敏的HAXPES對石墨電極的SEI進行了無損深度分析,提供了不同深度下C1s、F1s、O1s和P2p的譜圖。無損深度分析結(jié)果表明LiF、Li2O和LiC6存在于SEI深處。采用含有赤蘚糖醇雙(碳酸酯)(EBC)的電解液實現(xiàn)在0~-20℃下對軟包電池進行快速地充放電。為了揭示EBC添加劑對CEI/SEI形成的影響機理,利用HAXPES對新鮮的和循環(huán)后的負極進行了分析,在EBC體系中未發(fā)現(xiàn)金屬態(tài)Li,驗證了EBC作為負極成膜添加劑對鋰枝晶形成的抑制作用。有關(guān)電池的大多數(shù)電化學過程和SEI形成的XPS分析都是基于非原位表征方式,即將循環(huán)到某個階段的電池拆解后再進行測試,這個過程涉及手套箱中的操作、轉(zhuǎn)移管的使用和清洗過程,這些過程可能會導(dǎo)致表面的破壞。原位XPS(OperandoXPS)可以探測電化學誘導(dǎo)下或者外場條件下電解質(zhì)/電極界面化學結(jié)構(gòu)的演變。但是關(guān)于原位XPS的報道依然較少,主要是因為XPS的探測深度很淺和設(shè)備超高真空環(huán)境與揮發(fā)性有機液體電解質(zhì)不兼容。離子液體電解質(zhì)和全固態(tài)電池為原位XPS測試提供了可能。設(shè)計了一種基于二維平面的OperandoXPS電池,并采用真空兼容的離子液體電解質(zhì)。電池固定于帶有四個電觸點的特定樣品臺,可以通過外部電化學工作站控制電壓和電流。采用掃描微聚焦XPS的X射線誘導(dǎo)的二次電子影像(SXI)精確定位到鋰電極與電解質(zhì)之間的界面,在開路電壓條件下和極化條件下測試鋰/電解質(zhì)界面化學結(jié)構(gòu)的演變和表面電位的變化[圖3(d)]。F1s譜圖清楚地證明了極化作用下LiF的形成,S2p峰形的變化和低結(jié)合能處新峰的產(chǎn)生證實了鋰/電解質(zhì)界面化學結(jié)構(gòu)的演變。利用XPS對LiPON/LiCoO2樣品進行原位加熱,研究制造過程中熱量對LiPON固態(tài)電解質(zhì)層的影響。在加熱前,在Co2p3/2譜圖中可以明顯觀察到來自Co3+的衛(wèi)星峰;在對樣品進行加熱后,Co2p3/2譜圖中Co3+衛(wèi)星峰消失并出現(xiàn)了金屬Co的信號,結(jié)果表明在加熱過程中LiPON和LiCoO2之間會發(fā)生一些相互作用,Co3+被還原為金屬Co。綜上所述,XPS作為表界面分析的利器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于二次電池領(lǐng)域的研究中。XPS的表面靈敏特性既是其優(yōu)勢,也是其局限。關(guān)于大氣敏感樣品的測試以及離子刻蝕深度分析結(jié)果的使用,需要引起注意,要選用合適的方法確保實驗結(jié)果的可靠性。微區(qū)XPS、HAXPES以及原位XPS技術(shù)的發(fā)展,必將為電池的深入研究提供更多可能性。2.2XAS技術(shù)在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用近年來,隨著同步輻射相關(guān)技術(shù)水平的不斷提升,XAS在電池材料研究中的優(yōu)勢愈發(fā)突出,在電池的電荷補償機理、電子結(jié)構(gòu)分析、微觀結(jié)構(gòu)演變與表界面化學等相關(guān)問題上有著不可替代的作用。對于電池正極材料而言,其價態(tài)信息變化能反映電荷補償過程,而理解電荷補償過程有助于合理設(shè)計并調(diào)控電池的電化學性能。XAS中XANES部分的譜學分析能清晰地闡明充放電過程中特定元素的價態(tài)變化,并解釋其氧化還原反應(yīng)與晶體材料演變的內(nèi)在邏輯,例如,Cheng等利用MnK邊XANES分析了Na0.7Li0.03[Mg0.15Li0.07Mn0.75]O2

(NMLMO)在不同充放電狀態(tài)下Mn的價態(tài)變化,認為Mn在Li摻雜之后能更充分地參與電荷補償[圖4(a)]。類似地,利用Mn、CoK邊XANES證明了Co可以有效抑制Na2/3Li1/6Co1/6Mn2/3O2中Mn的氧化還原,增強Mn—O鍵強度的同時提升正極的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。與XANES類似,sXAS技術(shù)可以定量分析元素不同價態(tài)的含量,有效論證結(jié)構(gòu)設(shè)計對電極材料表界面化學的調(diào)控。例如通過對MnK邊sXAS的價態(tài)擬合,發(fā)現(xiàn)100次循環(huán)之后,相較于Na2/3Ni1/3Mn2/3O2(NNMO),CaTiO3包覆的NNMO正極材料中Mn2+含量具有更好的可逆性,表明CaTiO3介電涂層可以物理地減輕材料與電解質(zhì)的副反應(yīng)[圖4(b)]。同樣地,通過擬合Na0.6Mg0.3Mn0.7O2

(NMMO)中Mn的價態(tài),闡明了F摻雜可以利用較強的Mn—F鍵減少Mn2+的溶解,并且促進Mn2+和Mn4+之間的轉(zhuǎn)化。然而,XANES與sXAS都有其局限性。對于具有不同晶體構(gòu)型的材料而言,XANES難以準確定量分析其價態(tài)組成;而sXAS受探測深度所限,無法表征電池材料內(nèi)部深層次的電子信息。因此,需要將XANES/sXAS所獲取的元素價態(tài)信息與電池材料內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)等信息相結(jié)合,綜合考量其內(nèi)在聯(lián)系與邏輯關(guān)系。圖4

(a)NMMO在不同帶電狀態(tài)下的歸一化MnK邊XANES光譜;(b)NNMO和CTO@NNMO在第1次和第100次充放電狀態(tài)下的MnL邊XANES光譜和定量擬合結(jié)果;(c)Air-NMM和Ar-NMM的MnK邊傅里葉變換EXAFS譜;(d)

由EXAFS分析得出的Ni-O和Mn-O配位數(shù)的變化和TM的遷移途徑;(e)Fe-N3C2-C、Fe-N4-C、Fe2O3和Fe箔的WT圖;(f)NaxLMNMT的Ni、MnK邊的原位XANES光譜;(g)

一系列TiK邊XANES,鈦酸鋰中Li嵌入過程中Li4/3Ti5/3O4頻譜加權(quán)函數(shù)隨光譜指紋歸一化幅度的演變以及鋰化驅(qū)動的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的演變傅里葉變換-擴展邊X射線吸收精細結(jié)構(gòu)(FT-EXAFS)光譜可以定量地表征材料的局部配位結(jié)構(gòu)變化,進而將材料的電荷補償機制與局部配位結(jié)構(gòu)演變相關(guān)聯(lián)。例如Chen等利用MnK邊FT-EXAFS證明相較于傳統(tǒng)的空氣退火的Na0.75Mg0.25Mn0.75O2

(Air-NMM)正極材料,氬氣退火的Na0.75Mg0.25Mn0.75O2

(Ar-NMM)材料擁有了更多氧空位,同時空位誘導(dǎo)Mn聚集在一起,形成“錳域”[圖4(c)],進而論證了其Mn電荷補償?shù)目赡娉潭忍岣叩靡嬗诰w材料中Mn的宏觀結(jié)構(gòu)調(diào)控。類似的,利用MnK邊FT-EXAFS證明了Ru摻雜可以有效抑制Na0.6Mg0.3Mn0.6Ru0.1O2中Mn3+的姜-泰勒(J-T)畸變,進而使得Mn的電荷補償過程更具有可逆性。Hu等通過Ti、MnK邊FT-EXAFS譜圖分析發(fā)現(xiàn)Na3.5MnTi0.5(PO4)3材料中TiO6八面體在充放電過程中保持穩(wěn)定而MnO6八面體在充電過程中發(fā)生Mn3+的J-T畸變,而在放電過程中可逆恢復(fù)的現(xiàn)象。通過對Ni、MnK邊的FT-EXAFS擬合得到Li1.2Ni0.2Mn0.56Ti0.04O2(Ti-LNMO)的Ni-O、Mn-O的配位數(shù)信息,進而推測得到Ti-LNMO中過渡金屬由過渡金屬層向堿金屬層的遷移路徑[圖4(d)]??紤]到FT-EXAFS譜學分析難以直觀展現(xiàn)特定結(jié)構(gòu)的配位環(huán)境信息(如同一配位距離包含不同種類的元素),對EXAFS使用Morlet小波作為基波進行變換處理,能在展示配位鍵長的同時,直觀地展示出配位原子的種類。小波變換是確定材料中原子狀態(tài)的有力工具,有助于分析特定結(jié)構(gòu)構(gòu)型對電極材料的調(diào)控。例如通過小波變換確定了Fe在FeSA-PCNF中的單原子狀態(tài)。通過小波變換確定了嵌入Co的N摻雜石墨烯(Co-N/G)中Co以Co單分子或Co的氧化物納米晶體的形式存在于石墨烯上。類似地,證明了Fe-N4-C以及Fe-N3C2-C中Fe為單原子結(jié)構(gòu)[圖4(e)]。除此之外,通過小波變換也可以直觀地測定材料的局部結(jié)構(gòu)變化。例如,發(fā)現(xiàn)在充放電過程中Na0.7Mg0.15Mn0.85O2的小波變換譜圖中峰的形狀與強度均有較大的改變,而NMLMO的小波變換譜圖在充放電過程中保持一致,這說明了Li的引入提升了NMLMO材料的結(jié)構(gòu)。類似的,通過小波變換分析認為Na0.6Mg0.15Mn0.7Cu0.15O2

(NMMCO)循環(huán)后Mn-TM的特征強度基本保持不變,而NMMO中的強度在循環(huán)過程中明顯降低,這說明了Cu摻雜可以有效穩(wěn)定NMMCO的結(jié)構(gòu),抑制TM不可逆遷移導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)破壞。更重要的是,非原位狀態(tài)表征難以清晰反映電池工況條件下的動態(tài)電子結(jié)構(gòu)演變、離子及電子輸運以及界面動態(tài)反應(yīng)等關(guān)鍵信息,而原位XAS的成熟為探明電池充放電過程中真實的電荷補償機制和復(fù)雜結(jié)構(gòu)演變提供了可能。例如Guo等利用Ni、MnK邊原位XANES以及EXAFS分析認為放電過程中P2-Na0.7Li0.03Mg0.03Ni0.27Mn0.6Ti0.07O2

(NaxLMNMT)中Mn未參與氧化還原反應(yīng),而Ni參與氧化還原反應(yīng)并生成三價Ni進而導(dǎo)致J-T效應(yīng),使得晶體結(jié)構(gòu)畸變[圖4(f)]。Sun等通過對比第1圈與第451圈xLi2MnO3·(1-x)LiMeO2(Me=Mn,Ni,Co)(LMR-NMC)充放電過程中MnK邊的原位XANES譜圖,發(fā)現(xiàn)450圈的充放電循環(huán)后Mn的氧化還原活性被極大地削弱了,并通過對Co、NiK邊原位XANES的分析,認為450圈后的充放電過程中Co失去大量活性,并且Ni已完全失活,因此將450圈后LMR-NMC的容量歸因于陰離子氧化還原。另外,Wang等通過對TiK邊原位XANES中邊前峰積分強度、主峰位置等參數(shù)的分析,發(fā)現(xiàn)Li4/3Ti5/3O4在嵌鋰過程中并非發(fā)生簡單的兩相相變,而是在亞晶胞和顆粒尺度上發(fā)生多階段的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變[圖4(g)]。利用原位XAS分析能深入理解鈉離子電池電極材料的電荷補償機制與容量衰減機制,優(yōu)化電池材料組成與結(jié)構(gòu),為進一步提升電池性能提供重要科學依據(jù)。綜上所述,XAS已被研究人員廣泛應(yīng)用于二次電池領(lǐng)域的研究中。如何進一步合理利用實驗室/同步輻射的原位/非原位XAS技術(shù),考察并闡釋正極材料的微觀電子結(jié)構(gòu)和化學演變信息,分析并優(yōu)化正極材料的組分與晶體結(jié)構(gòu),最終實現(xiàn)高性能二次電池的開發(fā),是目前研究人員關(guān)注的重點與難點。2.3RIXS技術(shù)在二次電池領(lǐng)域的應(yīng)用RIXS技術(shù)能對不同激發(fā)能的發(fā)射光子進行分辨和統(tǒng)計,并進一步獲得更高維度的信息,從而有效解決sXAS難以分辨的價態(tài)信息。例如,通過MnL3邊mRIXS譜圖對NaxMn[Mn(CN)6]0.81(MnHCMn)正極材料中Mn在充放電過程中的價態(tài)進行表征,發(fā)現(xiàn)放電過程中mRIXS譜圖中出現(xiàn)多組平行于彈性峰的d-d激發(fā)特征區(qū)域,說明t2g和eg態(tài)被部分占據(jù),證明了二價Mn的存在;充電過程中,mRIXS譜圖在激發(fā)能為643.5eV時具有較高的能量損失,這種特征對應(yīng)于Mn1+低自旋3d6體系的d-d激發(fā),反映該體系的t2g態(tài)被完全占據(jù),從而證明了MnHCMn中一價Mn的存在[圖5(a)]。類似地,Yang等通過對比發(fā)現(xiàn),sXAS技術(shù)并不能區(qū)分一價Mn與二價Mn,這說明RIXS技術(shù)在價態(tài)分辨方面有不可替代的作用。圖5

(a)MnHCMn電極在放電和充電狀態(tài)下的MnL3邊RIXS圖和相應(yīng)的RIXS計算;(b)

激發(fā)能在MnL邊、發(fā)射能在MnL邊和OK邊初始態(tài)NNMO的mRIXS圖像;(c)Li1.2Ni0.2Mn0.6O2和Li1.2Ni0.2Ru0.6O2電極在不同電荷狀態(tài)下的OK邊RIXS圖;(d)NMMCO和NMMO在不同電荷狀態(tài)下的OK邊RIXS和sPFY光譜除此之外,對于錳基材料而言,XAS熒光模式下嚴重的自吸收效應(yīng)會導(dǎo)致吸收峰展寬、峰強減弱,使得對Mn的價態(tài)進行定量分析較為困難,而mRIX-iPFY技術(shù)可以有效解決自吸收效應(yīng)導(dǎo)致sXAS-TFY譜形畸變的問題,獲得高分辨、體相敏感的Mn吸收譜圖,從而能夠擬合得到準確的價態(tài)信息。例如,Yang等利用MnL邊mRIX-iPFY對LiMn2O4進行表征,依據(jù)發(fā)射能的高低得到了Mn共振散射、Mn3s-2p躍遷以及O非共振散射三部分譜圖,對前兩部分譜圖進行積分得到的PFY-1和PFY-2均因Mn自吸收現(xiàn)象而產(chǎn)生畸變,無法準確得到價態(tài)信息;對O非共振散射區(qū)域積分得到PFYO-K,并將iPFY定義為n/PFYO-K(n為歸一化常數(shù)),使MnL邊iPFY在體相敏感的前提下排除了自吸收效應(yīng),因此能夠可靠地量化體相Mn的價態(tài)。類似的,通過MnL邊mRIX-iPFY確定了NNMO體相中Mn為四價,而這是sXAS難以定量表征的[圖5(b)]。此外,基于mRIX-iPFY表征,通過對參考文獻中Mn不同價態(tài)標準譜的線性擬合得到Li1.68Mn1.6O3.7F0.3

(LMOF03)中Mn在充放電過程中的價態(tài)變化,進而探明了LMOF03的氧化還原機理。而Yang等也通過對mRIX-iPFY的精確擬合確定了Na0.6[Li0.2Mn0.8]O2

(NLMO)中Mn在不同充放電狀態(tài)下的價態(tài),從而獲得Mn的氧化還原在NLMO體系中的容量貢獻、可逆性等信息。更重要的是,RIXS是一種將XAS中單個數(shù)據(jù)點在發(fā)射能量上進一步解碼為全光譜的技術(shù),這項技術(shù)可以很好地區(qū)分氧的氧化還原和TM-O雜交特征,這為區(qū)分sXAS中無法明確定義的化學狀態(tài)提供了優(yōu)越的化學靈敏度。例如Tong等研究了富鋰金屬氧化物Li1.2Ni0.2TM0.6O2

(TM=Mn,Ru)顯示出高電化學容量的原因,Li1.2Ni0.2Mn0.6O2的RIXS譜圖可以直接觀察到陰離子氧氧化還原的特征,而Li1.2Ni0.2Ru0.6O2中缺少相關(guān)特征,這說明盡管兩種材料的結(jié)構(gòu)相似,但是參與電荷補償?shù)难趸€原過程并不相同[圖5(c)]。同樣地,Yang等利用RIXS技術(shù)探測NNMO的氧化還

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