GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半導(dǎo)體器件柔性可拉伸半導(dǎo)體器件第2部分：柔性器件的電子遷移率、亞閾值擺幅和閾值電壓評(píng)價(jià)方法本文件規(guī)定了用于評(píng)價(jià)和確定柔性薄膜晶體管(TFT)器件性能特征的術(shù)語(yǔ)、定義、符號(hào)、配置和評(píng)價(jià)方法。為了準(zhǔn)確評(píng)價(jià)柔性TFT器件在實(shí)際使用中彎曲狀態(tài)下的性能和可靠性，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了評(píng)價(jià)方法柔性薄膜晶體管flexiblethin-filmS亞閾值擺幅是衡量晶體管開(kāi)啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標(biāo)，由下面的公式中，cd和cox分別代表耗盡層電容和柵氧化電容。柵源電壓，在此電壓下漏極電流的大小達(dá)到一個(gè)GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2IDSgm4測(cè)試方法為了研究柔性薄膜晶體管的可靠性，進(jìn)行了如下的彎曲4.2彎曲前電特性測(cè)試GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-310V，使用亮度為300cd/m2的白光發(fā)光二極管進(jìn)行光照，襯底溫度保持在20℃和60℃;正偏壓（PBS）試驗(yàn)在黑暗條件下，VGS為+20v，VDS為0.1V，襯底溫度保持在20℃和60℃。在固定VDS在測(cè)試過(guò)程中，在室溫下，在0.1v的固定漏極電壓下，通過(guò)將柵極電壓從-30V掃到30V，測(cè)量漏極μFE=·····················L——通道長(zhǎng)度；W——為通道寬度。?1·······································GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-44.3彎曲下電特性測(cè)試為了表征機(jī)械應(yīng)力對(duì)柔性薄膜晶體管的影響，將應(yīng)變施加在薄膜晶體管上，通過(guò)改變曲率半徑R使器件上下彎曲，如圖3所示。彎曲方向平行或垂直于漏極到源極的電流路徑。首先將薄膜晶體管彎曲到對(duì)薄膜晶體管的通電流、關(guān)電流和柵極泄漏電流進(jìn)行在彎曲狀態(tài)下，所有彎曲半徑(R)采用式(3)轉(zhuǎn)換為百分比應(yīng)簡(jiǎn)單的機(jī)械疲勞測(cè)試是通過(guò)將柔性TFT反復(fù)彎曲(即在恒定R下)并壓扁多達(dá)50000次來(lái)完成的。襯底溫度保持在20℃和60℃。在不從彎曲裝置中取出的情況下，周期性地測(cè)量薄膜晶體管VGS為20V，VDS為10V，襯底溫度保持在20℃和60℃,進(jìn)行NBS穩(wěn)定性試驗(yàn)。采用亮度為300cd/m2的白光發(fā)光二極管，在照明條件下，VGS為-20V，VDS為10V，進(jìn)行彎曲狀態(tài)下的負(fù)偏置光照應(yīng)力測(cè)試，襯底溫度保持在20℃和60℃。在機(jī)械彎曲狀態(tài)下，VGS為+20V，VDS為0.1V，在黑暗條件下，襯底溫度保持4.4測(cè)試報(bào)告測(cè)試報(bào)告應(yīng)包括以下內(nèi)容:b)被測(cè)器件的材料層，包括柵極、絕緣層、有源層、源極和漏極；GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC629515?柵極和漏極電壓；?彎曲狀態(tài)下時(shí)間；?