集成電路封裝與測試技術(shù)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院下面選項(xiàng)中采用疊層的外圍來互連疊層芯片的互連技術(shù)是（）。

答案:疊加帶載體法,焊接邊緣導(dǎo)帶法和絲焊疊層芯片法電子封裝工藝流程為：開始、____、老化篩選測試、____、老化篩選測試、____、老化篩選測試、入庫（）。

答案:芯管封裝;耦合封裝;模塊封裝設(shè)置程式名稱有什么用（）。

答案:確定所寫程序的產(chǎn)品型號(hào)csp封裝的芯片面積：封裝面積的比值（）

答案:1:1.15DIP封裝通過其上的____可插到主板上的插槽或焊接在主板上。（）。

答案:兩排引腳單芯片封裝的縮寫是（）。

答案:SCP如何判斷合適的拾晶高度（）。

答案:直到感應(yīng)器變成綠色雙酚類樹脂的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為（）。

答案:100～120℃盡管封裝焊料在氣密封裝中廣泛應(yīng)用，但可以加入一些合金添加劑，如銦和____，來提高強(qiáng)度或抗疲勞能力。（）。

答案:銀光電子封裝主要的封裝過程有____、____及____。（）。

答案:芯管封裝;器件（管芯）耦合封裝;模塊封裝光電子封裝在光通信系統(tǒng)中可分為_____、器件封裝、模塊封裝、系統(tǒng)封裝、子系統(tǒng)組裝和系統(tǒng)組裝（）。

答案:芯片IC級(jí)的封裝形成凸點(diǎn)的工藝技術(shù)多種多樣，錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。

答案:轉(zhuǎn)移法以下不屬于PBGA封裝優(yōu)點(diǎn)的是（）。

答案:對濕氣不敏感，適用于對氣密性要求和可靠性要求高的器件和封裝熱壓鍵合的優(yōu)點(diǎn)是（）。

答案:鍵合工藝簡單在位置設(shè)置界面點(diǎn)漿前要注意什么（）。

答案:關(guān)銀漿馬達(dá)CerDIP封裝的基座和蓋板一般是用（）制作的？（）。

答案:陶瓷工藝熱超聲波鍵合通常使用（）。

答案:金絲芯片凸點(diǎn)的類別，按凸點(diǎn)形狀分類，錯(cuò)誤的是（）。

答案:圓錐形焊料傳送轉(zhuǎn)移法中有焊料印刷轉(zhuǎn)移法和焊球注入轉(zhuǎn)移傳送法，其中對焊球注入轉(zhuǎn)移傳送法的說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:通過印刷的方法制作出焊球包封通過將_____和環(huán)境隔離來實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能（）。

答案:有源器件針對國際上微電子封裝技術(shù)的迅猛發(fā)展和我國十分落后的現(xiàn)狀，以下哪些對策是錯(cuò)誤的（）。

答案:加大進(jìn)口，閉門造車為了進(jìn)一步減小應(yīng)力對硅片的破壞作用，可以采用（）。

答案:激光切割引線鍵合技術(shù)簡稱什么（）。

答案:WB封裝好的元器件自鑄膜機(jī)中推出后，通常需要再施以_____的熱處理以使鑄膜材料完全硬化（）。

答案:4~6h、175℃包封材料是以_____為基礎(chǔ)成分添加了各種添加劑的混合物。（）。

答案:環(huán)氧樹脂在設(shè)置矩陣前的設(shè)置對點(diǎn)一與對點(diǎn)二位置為（）。

答案:互為對角軍用方面，最常用的封裝方法是（）。

答案:熔焊微電子封裝對芯片的_____尤為重要（）。

答案:保護(hù)作用光電子封裝是_____器件、_____元器件及_____材料系統(tǒng)的集成（）。

答案:光電子;電子;功能應(yīng)用任何微電子器件都由（）個(gè)基本組成部分組成（）。

答案:兩微電子封裝決定了電子整機(jī)系統(tǒng)的（）。

答案:小型化、可靠性、成本共晶固晶的優(yōu)點(diǎn)是_____（）。

答案:有效提升熱傳導(dǎo)效率:成本低下列哪一項(xiàng)不是飛邊毛刺現(xiàn)象（）。

答案:膠帶毛邊WLP的加工過程決定了它的優(yōu)點(diǎn)，但不包括（）。

答案:引腳線電阻、電感和電熔等大包封通過將_____和封裝材料形成一體，以達(dá)到機(jī)械保護(hù)的目的（）。

答案:芯片下面選項(xiàng)中不屬于三維封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)的是（）。

答案:制作成本較高電子封裝的發(fā)展趨勢將更輕、更小（）

答案:更薄計(jì)算矩陣時(shí)應(yīng)該注意什么（）。

答案:根據(jù)所給模板來靈活變化導(dǎo)電膠粘貼法的缺點(diǎn)是（）。

答案:熱穩(wěn)定性不好硅片上電路層有效厚度一般為（）。

答案:300um該局部加熱是為了防止對_____的破壞（）。

答案:內(nèi)部元件在切割過程中，藍(lán)膜的作用是（）。

答案:高頻集成電路芯片的集成度基本遵循摩爾定律變化，集成度越高，芯片功能越強(qiáng)大，對應(yīng)的____也越來越多（）

答案:I/O準(zhǔn)備做點(diǎn)漿時(shí)應(yīng)該做什么（）。

答案:開馬達(dá)，裝銀漿，刮平對于可靠性要求嚴(yán)格的大型電子計(jì)算機(jī)等應(yīng)用，必須采用（）。

答案:氣密性封裝TAB載帶的制作技術(shù)包括單層帶制作技術(shù)、雙層帶制作技術(shù)、三層帶制作技術(shù)和_____制作技術(shù)（）。

答案:雙金屬層帶導(dǎo)電膠是常見的______的高分子材料聚合物。（）。

答案:填充銀導(dǎo)電膠填充料是銀顆粒或銀薄片，填充量一般在_____之間，黏著劑都是導(dǎo)電的（）。

答案:75%~80%將載帶內(nèi)引線鍵合區(qū)于芯片凸點(diǎn)焊接在一起的方法主要有熱壓焊和（）。

答案:熱壓再流焊硅片的厚度一般為（）。

答案:900um晶圓級(jí)封裝是尺寸最小的低成本封裝技術(shù)，低成本的原因不包括以下選項(xiàng)的是（）。

答案:芯片制造、封裝、測量到出廠步驟分明由于包封需要高純度的聚合物，故_____的廣泛使用出現(xiàn)在氣密封裝使用后的許多年。（）。

答案:非氣密性封裝常見器件封裝技術(shù)不包括（）。

答案:包裝下面芯片的叫法錯(cuò)誤的是（）。

答案:硅片_____是微系統(tǒng)封裝技術(shù)中十分重要的環(huán)節(jié)（）。

答案:器件級(jí)封裝___技術(shù)簡稱為MCM（）。

答案:多芯片封裝BGA的類型有多少種？（）。

答案:5種FC工藝主要工藝步驟如下，其中有誤的一步是（）。

答案:第四步,使用導(dǎo)電材料填充芯片底部孔隙目前大量批生產(chǎn)所用到的主流硅片為（）。

答案:8in下面不是微電子封裝的功能是（）。

答案:電子封裝塑料封裝中常用的芯片粘貼方法是（）。

答案:導(dǎo)電膠粘貼法TAB設(shè)備是一次性完成芯片上所有焊區(qū)連接和芯片機(jī)械固定的并行芯片互連設(shè)備，具有承片臺(tái)、熱壓頭、視覺系統(tǒng)和（）。

答案:物料傳輸系統(tǒng)在熔焊中，高電流脈沖可以把局部加熱到_____℃，使封裝的蓋板或平板融化（）。

答案:1000-1500最具知識(shí)經(jīng)濟(jì)特征的技術(shù)是（）。

答案:IC技術(shù)光電子是光器件和電子電路互連的產(chǎn)物，連接的方式除_____連接外還有____連接（）。

答案:電子線路;光通路封裝元器件的損壞大多是因氯離子存在所導(dǎo)致的_____而造成的（）。

答案:腐蝕下列FCB的說法中，錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。

答案:互連線長，互連電容，電阻和電感小硅片的背面減薄技術(shù)主要有（）。

答案:其他三個(gè)都是打線鍵合技術(shù)，焊區(qū)金屬一般采用（）。

答案:鋁或金化學(xué)鍍法是一種不需要通電，利用強(qiáng)還原劑在化學(xué)鍍液中將預(yù)鍍的金屬離子還原成該金屬原子沉積在鍍層表面的方法。對其說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:適用于多芯片共晶粘結(jié)法是利用金硅合金在含_____硅，363℃時(shí)之共晶熔合反應(yīng)而產(chǎn)生接合（）。

答案:3%使用有機(jī)物材料封裝稱為包裝，通常用_____來實(shí)現(xiàn)（）。

答案:低溫聚合物清模膠是____顏色（）。

答案:白色開始塑封前料餅醒料最少需要_____小時(shí)（）。

答案:4小時(shí)三聚氰胺清模料有幾種作用（）。

答案:其他三個(gè)選項(xiàng)都對使用合格的環(huán)氧樹脂填充材料應(yīng)符合相應(yīng)要求，錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。

答案:固化溫度要高微電子封裝直接影響著IC本身的（）。

答案:電性能、熱性能、光性能、機(jī)械性能不傷到硅片的切割方式是（）。

答案:激光切割下面選項(xiàng)中不屬于多芯片組件封裝的優(yōu)點(diǎn)是（）。

答案:提高抗壓能力第一個(gè)發(fā)明集成電路的國家是（）。

答案:美國電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。（）

答案:對電子封裝技術(shù)以高端電子產(chǎn)品制造為對象，由電子元器件再加工和連接組合以構(gòu)成系統(tǒng)、整機(jī)及合適工作環(huán)境的設(shè)計(jì)制造過程。（）

答案:對關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:信號(hào)傳遞快現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)的定義為：在半導(dǎo)體開發(fā)的最后階段，將一小塊材料（硅晶芯片，邏輯和存儲(chǔ)器）包裹在支撐外殼中，以防止物理損壞和腐蝕，并允許芯片連接到電路板的工藝技術(shù)。（）

答案:對電子封裝技術(shù)專業(yè)要求同學(xué)們要掌握（）。

答案:電子封裝與組裝技術(shù)###電子封裝材料###電子器件的設(shè)計(jì)與制造###微細(xì)加工技術(shù)與傳統(tǒng)板級(jí)系統(tǒng)集成相比，SiP尺寸更小，成本更低，系統(tǒng)性能和集成度大大提高；與SoC相比，SiP具有開發(fā)周期短，成本低，靈活度高等優(yōu)勢。（）

答案:對按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:4DB、2DC、2.5DD、3D使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。（）

答案:對收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。（）

答案:錯(cuò)下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。

答案:PCLP封裝是把芯片裝配為最終產(chǎn)品的過程。簡單說，就是把鑄造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個(gè)整體。（）

答案:對因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。（）

答案:對下列屬于BGAA形式的是（）。

答案:陶瓷圓柱柵格陣列###塑料球柵陣列###陶瓷球柵陣列###載帶球柵陣列QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F)，對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。（）

答案:對下列關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法正確的是（）。

答案:BGA引腳牢靠，不易變形###BGA引腳短，使信號(hào)路徑短，減小了引線電感和電容，增強(qiáng)了節(jié)點(diǎn)性能。###BGA適合MCM的封裝需要，有利于實(shí)現(xiàn)MCM的高密度、高性能。###明顯改善共面問題下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:不需要很精密的安放設(shè)備D、封裝面積縮小下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）

答案:與QFP相比，會(huì)有機(jī)械損傷現(xiàn)象下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。

答案:性能得到提高###可高效地進(jìn)行功率分配和信號(hào)屏蔽###I/O間距要求不太嚴(yán)格直接芯片連接技術(shù)和C4技術(shù)相同。（）

答案:對通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。

答案:銅片為使封裝效率提高，可以部分硅片同時(shí)加工。（）

答案:錯(cuò)在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，__再次來到大眾視線（）。

答案:FC技術(shù)制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）

答案:固化時(shí)間###固化溫度###聚合速率WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。（）

答案:錯(cuò)濕熱機(jī)械性能包含（）。

答案:吸濕膨脹###伸長率###粘附強(qiáng)度###熱到率凸點(diǎn)越小，距離越短，對位越困難。（）

答案:對常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。（）

答案:對凸點(diǎn)主要分類有（）

答案:金凸點(diǎn)###焊料凸點(diǎn)###聚合物凸點(diǎn)塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。

答案:彎曲強(qiáng)度###伸長率###剪切模量凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。

答案:電鍍凸點(diǎn)###印刷凸點(diǎn)###噴射凸點(diǎn)測試滲透技術(shù)分為稱重池和隔離池。（）

答案:對倒裝芯片的連接方式有（）。

答案:控制塌陷芯片連接###膠粘劑連接倒裝芯片###直接芯片連接為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。（）

答案:對膠粘劑連接倒裝芯片是用膠黏劑來代替焊料。（）

答案:對UBM的形成可以采用（）方法。

答案:濺射###蒸發(fā)###化學(xué)鍍###電鍍凸點(diǎn)倒裝與倒裝工藝相比其優(yōu)點(diǎn)更多。（）

答案:對鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

答案:在Al的超聲鍵合中，絲線太硬容易導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生###鍵合頭運(yùn)動(dòng)到焊盤的速度太大，易造成GaAs器件出坑###球太小導(dǎo)致堅(jiān)硬的鍵合頭接觸了焊盤###過高的超聲能導(dǎo)致Si晶格點(diǎn)陣的破壞積累下列對焊接可靠性無影響的是（）。

答案:燈光亮度引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。（）

答案:對引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。

答案:鍵合時(shí)間###鍵合溫度###鍵合壓力鍵合工藝失效,，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。

答案:金屬絲拉伸錯(cuò)誤###楔通孔中部分堵塞###引線表面骯臟###金屬絲傳送角度不對根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。

答案:載帶自動(dòng)鍵合###倒裝鍵合楔形鍵合是一種單一方向焊接工藝(即第二焊點(diǎn)必須對準(zhǔn)第一焊點(diǎn)的方向)。（）

答案:對鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋。原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。（）

答案:對引線鍵合的常用技術(shù)有（）。

答案:超聲焊###熱聲焊###熱壓焊固晶設(shè)備在自動(dòng)固晶的過程中操作者可以在設(shè)備運(yùn)行范圍指指點(diǎn)點(diǎn)。（）

答案:錯(cuò)芯片粘結(jié)工藝包括（）。

答案:銀漿固化###點(diǎn)銀漿###芯片粘結(jié)固晶機(jī)銀漿臂取完銀漿應(yīng)將銀漿點(diǎn)到引線架銅板的（）。

答案:正中心一般會(huì)根據(jù)實(shí)際情況對環(huán)氧樹脂進(jìn)行改性處理，改善環(huán)氧樹脂的導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能等。改性方法不合適的為（）。

答案:添加助燃劑下列芯片互連常用方法，說法錯(cuò)誤的是（）。

答案:共晶粘結(jié)固晶設(shè)備中銀漿在封裝中的作用是（）。

答案:將裸片固定在引線架上###導(dǎo)電作用###散熱作用高分子膠粘結(jié)法的缺點(diǎn)為熱穩(wěn)定性不良、容易在高溫時(shí)發(fā)生劣化及引發(fā)粘著劑中有機(jī)物氣體成分泄漏而降低產(chǎn)品的可靠性，因此不適用于高可靠性需求的封裝之中。（）

答案:對玻璃膠粘貼法是一種僅適用于陶瓷封裝的低成本芯片粘結(jié)技術(shù)。（）

答案:對玻璃膠粘貼法可以得到無孔洞，熱穩(wěn)定性優(yōu)良，低殘余應(yīng)力與低濕氣含量的結(jié)合。（）

答案:對自動(dòng)固晶機(jī)是高精度的精密設(shè)備。（）

答案:對下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

答案:干式拋光技術(shù)去飛邊毛刺工藝主要有：介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。（）

答案:對以下不屬于打碼目的的是（）。

答案:芯片外觀更好看。去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。（）