硅電池復(fù)習(xí)題一.填空題1、目前光伏企業(yè)太陽能電池材料是_晶硅_。2、化學(xué)清洗中HCL的作用_去除金屬離子_。3、光伏一般公司生產(chǎn)的單晶硅片是N型還是P型硅_P型_。制絨的目的是：去除表面污垢和金屬雜質(zhì)、去除硅片表面的損傷層、增加PN結(jié)的表面積、形成絨面減少反射增強(qiáng)陽光的吸收。5、制絨工藝化學(xué)反應(yīng)方程式__SI+NAOH→NA2SIO3+H2__。6、去PSG工藝化學(xué)總方程式__SIO2+HF→H2SIF6+H2O__。7、硅片在切割的過程中所造成的損傷層約__10um左右。8、制絨工藝主要控制點__減薄量__、__反射率___、_外觀__、_絨面成活率__。9、單晶制絨是利用晶體硅的___100__、___111___不同晶向在__堿溶液___中進(jìn)行__各向異性____腐蝕的特性。10、擴(kuò)散過程中應(yīng)用氣體N2、O2、___小N____。11、擴(kuò)散在電池片上主要目的是形成一層_PN結(jié)_____。12、進(jìn)入擴(kuò)散間必須經(jīng)過二次風(fēng)淋，穿戴好_潔凈服_____、_靜電鞋、口罩、乳膠手套。13、擴(kuò)散方塊電阻不均勻度__≤10%____，同一硅片擴(kuò)散方塊電阻不均勻度_≤5%____。14、檢測方塊電阻用到_四探針______儀器，測試時擴(kuò)散面向__上____。15、清洗石英器件所需要的化學(xué)品__HF____、__HCL2____，清洗時應(yīng)戴好積防毒面具，防酸服，戴好乳膠手套、防酸長手套。16、POCl3在高溫下（>600℃）分解的反應(yīng)式為__(5POCL3≥6003PCL5+P205)，其中生成的P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)式為(2P2O5+5Si=5SiO2+4P)，在有氧氣的存在時，POCl3熱分解的反應(yīng)式為(POCL3+O2=2P205+6CL2)。17、PECVD的中文名稱：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。18、PECVD鍍膜方式有直接式、間接式兩種。19、鍍減反射膜需要用到SIH4、NH3、N2、壓縮空氣四種氣體。20、鍍膜是以膜厚、折射率兩個參數(shù)為工藝依據(jù)，影響鍍膜質(zhì)量的有：管內(nèi)特氣流量比、壓強(qiáng)、功率、時間（或傳輸速度）、溫度。21、PECVD用橢偏儀儀器來檢測其質(zhì)量的好壞。22、絲網(wǎng)印刷機(jī)的壓縮空氣壓強(qiáng)要求0.6—0.8MPa，真空壓強(qiáng)要求-0.65—-0.7MPa24、絲網(wǎng)印刷有五大要素組成，分別是絲網(wǎng)、刮刀、漿料、工作臺以及基片25、絲網(wǎng)印刷添加漿料必須遵守少量多次26、燒結(jié)爐的作用是烘干漿料，去除漿料中的有機(jī)成分；提高電池片的開路電壓和填充因子，使其具有電阻特性；通過高溫?zé)Y(jié)，使上下電極形成良好的歐姆接觸；提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。27、燒結(jié)爐的流程有上料區(qū)、烘干區(qū)、(預(yù)、主）燒結(jié)區(qū)、回溫區(qū)（冷卻區(qū)）、下料區(qū)28、燒結(jié)爐的關(guān)機(jī)步驟需要注意的是爐溫降到200度以下時,才可以停止傳送帶。29、測試條件要求光強(qiáng)1000±50W/m2、溫度25±20C、光譜分布AM1.5。30.硅片表面沾污雜質(zhì)根據(jù)吸附形式分為分子型吸附、離子型吸附、原子型吸附31、硅烷可用低溫精餾和吸附法進(jìn)行提純。但因硅烷沸點太低，因此精餾要有深冷設(shè)備和良好的絕熱裝置。32、__精餾_是利用混合液中各組分的沸點不同來達(dá)到分離各組分的目的。33、在自然界中，硅主要以_二氧化硅_和__硅酸鹽_的形式存在。34、平衡分凝系數(shù)是在一定溫度下，平衡狀態(tài)時，雜質(zhì)在固液兩相中濃度的比值，以此來描述該體系中系質(zhì)的分配關(guān)系。35、經(jīng)過多次區(qū)熔提純后，雜質(zhì)分布狀態(tài)將達(dá)到一個相對穩(wěn)定且不再改變的狀態(tài)，這種極限狀態(tài)叫極限分布或最終分布。36.粗硅制備的化學(xué)原理C+SiO2====Si+C0二、選擇題1、清洗間所涉及的化學(xué)品有（ABCD）。A氫氧化鈉B氫氟酸C鹽酸D硝酸2、磷硅玻璃是有（BC）組成。ACF4BSiO2C磷DSiF43、刻蝕工藝會影響電池片的哪項電性能？（A）A并聯(lián)電阻B開路電壓C短路電流D串聯(lián)電阻4、下列方程式中屬于刻蝕工藝的是（C）ASiF4+2HF→H2[SiF6]BCF4+SiO2——→SiF4+CO2↑CCF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑DSiO2+4HF——→SiF4+2H2O5、單晶絨面呈（B）形。A三角形B金字塔形C圓形D正方形6、擴(kuò)散潔凈度要求是__C__。A10萬級B100萬級C1萬級D1000萬級7、電阻測試_C___個點。A4B3C5D68、硅片擴(kuò)散工藝結(jié)束后應(yīng)抽取__B___片來檢測。A5B6C3D49、POCl3是一種__D_液體。A白色B紅色C浮白色D無色10、減反射膜的化學(xué)式是。（A）A、3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2B、CF4+Si+O2=SiF4+CO2C.Si+NaOH=Na2SiO3+H2D.H2+O2=H2O11、電池片鍍膜的厚度是利用光學(xué)中的＿＿＿＿原理來減少反射。（C）A、光程差。B、相長干涉C、相消干涉D、光的衍射12、電池片SiNx：H薄膜鍍膜厚度和折射率一般控制在（B）A、65nm,1.8—1.9B.75+5nm,2.0—2.1C.85+5nm,2.2---2.3D.50—60nm,2.5---2.6下列哪種說法是不正確的（C）A干氧氧化比水汽氧化氧化膜質(zhì)量好，且速度快。BPECVD是 低壓化學(xué)氣相沉積C拼接時要注意電池片串間距，引線間距，電池片和玻璃的間距。D電池正面（光照面）電極為電池正極。14、SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過程中不需要要控制（C）A、反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間B、硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥C、晶體生長速度D、合成時加入少量的催化劑，可降低溫度15、下列那一項不屬于SiHCl3提純的方法（A）A、橫拉法B、固體吸附法C、絡(luò)合物形成法D、精餾法16、下面選項中哪項是GeCl4提純的方法（B）A、水解法B、萃取法C、橫拉法D、固體吸附法17、下面選項中不是影響區(qū)熔提純的因素的是（A）A、區(qū)熔晶體溫度B、區(qū)熔移動速度C、區(qū)熔長度D、區(qū)熔次數(shù)的選擇連線題Snap-off網(wǎng)版上升速度Printingspeed回刮漿料速度Pressure絲網(wǎng)間距Speedupward壓力Floodspeed印刷速度四.判斷題1.在操作過程中可以裸手拿取硅片。(×)2.絲網(wǎng)間距的調(diào)整原則是:在保證印刷質(zhì)量的前提下，網(wǎng)板間距越大越好。(×)3.背電場印刷、背電極印刷和正電極印刷使用了三種不同的漿料，使用過程中要嚴(yán)格區(qū)分開，杜絕混用現(xiàn)象出現(xiàn)。(√)4.烘箱的工藝數(shù)和燒結(jié)的工藝參數(shù)不允許隨意更改。(√)5.直視測試儀閃光燈對人眼傷害的危險。(√)6.在同等條件下，正常凝固比一次區(qū)熔提純的效果好(√)7.多次區(qū)熔熔區(qū)越寬提純效果越好。(×)在晚上，太陽能電池組件也可以發(fā)電。(×)有效分凝系數(shù)是在一定溫度下，平衡狀態(tài)時，雜質(zhì)在固液兩相中濃度的比值，以此來描述該體系中系質(zhì)的分配關(guān)系。(×)EVA是一種化學(xué)物品，在操作中，需佩戴手套，避免污染(√)電池片正面會有兩個或三根主柵線，顏色一般是白色，是為了焊接使用的。(√)名詞解釋1.分凝現(xiàn)象p222、極限分布P363、歐姆接觸P150絲網(wǎng)印刷P156區(qū)熔提純P22等離子體刻蝕：利用氣壓為了10——1000Pa的特定氣體（混合氣體）輝光放電產(chǎn)生能與薄膜發(fā)生離子反應(yīng)的分子或分子基團(tuán)，生成的反應(yīng)物是揮發(fā)性的被真空抽走而去除。六、問答題1、寫出太陽能電池片產(chǎn)業(yè)鏈的分布流程？答：太陽能級硅材料→硅棒和硅片→電池片→組件→系統(tǒng)和應(yīng)用2、寫出太陽能電池片的生產(chǎn)工藝制造過程？答：來料檢驗——清洗制絨面——擴(kuò)散（制P/N結(jié)）——（周邊）刻蝕——PECVD（鍍減反射膜）——絲網(wǎng)印刷（正負(fù)電極）——燒結(jié)——分類檢測——包裝入庫3.刻蝕及去PSG的目的與原理？答：刻蝕的目的：去除邊緣的PN結(jié)，防止上下短路而造成的并聯(lián)電阻低。去PSG的目的：去除硅片表面含有磷原子的SIO2層。刻蝕原理：（1）濕法刻蝕HNO3+HF+Si==H2SiF6+NO+H2O（2）于法刻蝕CF4在高能量的電子的碰撞作用下分解成多種中性基團(tuán)或離子通過擴(kuò)散或電場作用下到Si表面并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)。CF4-----CFx*+（4-x）F*（x《3）Si+F*=FSi4F*+SiO2==SiF4+O2去PSG原理：SiO2+HF===H2SiF6+H2O4.邊緣刻蝕冷熱探針的工作原理？答：熱探針和N型半導(dǎo)體接觸時，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。同樣道理，P型半導(dǎo)體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負(fù)的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。5.分別寫出刻蝕及去PSG的工藝控制流程？答：刻蝕的流程;預(yù)抽，主抽，送氣，輝光，清洗，預(yù)抽，主抽，充氣去PSG的流程：酸洗(HF)，溢流水洗，噴淋，甩干6.簡述太陽能電池片制造PECVD的目的及原理？答：目的：在太陽電池表面沉積深藍(lán)色減反膜-SiN膜。PECVD技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。7.什么是等離子體？答：等離子體：由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。8.磷源更換操作流程是什么？泄露應(yīng)該怎么處理？答：源瓶更換的標(biāo)準(zhǔn)操作過程依次關(guān)閉進(jìn)氣閥門、出氣閥門，拔出連接管道，更換源瓶，連接管道，打開出氣閥門、進(jìn)氣閥門。液態(tài)源外溢了，要立即擦拭干凈，并暫停工藝運行，仔細(xì)檢查源瓶是否有破損。對泄漏物處理必須戴好防毒面具和手套。液體泄漏用沙土混和,倒至大量水中以稀釋。沾染皮膚時,要先用紙、棉花將液體吸去，然后再用清水沖至少15分鐘。如用水過少，會在皮膚形成磷酸引起灼傷，按酸灼傷處理。9.擴(kuò)散間生產(chǎn)流程及返工流程是什么？操作時應(yīng)注意哪些事項？答：生產(chǎn)流程：開機(jī)→對硅片自檢→檢查石英舟→插片→上漿→運行工藝→卸片→測方塊電阻→返工片和碎片處理→流程卡填寫返工流程：來料時檢出不合格的片源→制絨，擴(kuò)散時中途故障導(dǎo)致→清洗間→擴(kuò)散間→反面擴(kuò)散。在生產(chǎn)操作時嚴(yán)禁裸手接觸硅片，拿各種石英器件要輕拿輕放，工藝在運行時，時刻檢查氣體流量、溫度、時間、設(shè)備是否有異常。10、分別寫出絲網(wǎng)印刷背極、背場、正極的目的、作用和使用的漿料以及烘箱的作用？答：目的背電極---在太陽電池背面絲網(wǎng)印刷印上引出電極背電場---通過燒結(jié)穿透背面PN結(jié)，和P型硅形成良好的歐姆接觸。正電極---在太陽電池正面絲網(wǎng)印刷銀漿形成正電極作用背電極---易于焊接背電場---收集載流子正電極---收集電流漿料背電極---銀鋁漿背電場---鋁漿正電極---銀漿烘箱的作用-------烘干漿料,去除漿料中的有機(jī)物,便于下一道印刷11、絲網(wǎng)印刷常見的問題有哪些?分別寫出產(chǎn)生的原因及解決方法？(至少寫出5個問題)故障現(xiàn)象造成原因解決方法粘板絲網(wǎng)間距太小加大絲網(wǎng)間距印刷刮條不平檢查刮條的平整度硅片有厚薄不均檢查來料網(wǎng)板張力太小更換網(wǎng)板絲網(wǎng)刮不干凈增大刮條下降深度和印刷壓力真空吸力太小調(diào)大真空吸力漿料粘稠度太大攪拌時間太長減少攪拌時間漿料在網(wǎng)板內(nèi)停留時間過長經(jīng)常用刮漿板刮漿料加完漿料未及時蓋上蓋子，導(dǎo)致有機(jī)溶劑揮發(fā)加完漿料后及時蓋上蓋子加完漿料未及時蓋上蓋子，導(dǎo)致有機(jī)溶劑揮發(fā)加完漿料后及時蓋上蓋子印刷偏移設(shè)備故障通知設(shè)備維修更換新的網(wǎng)板后沒有校準(zhǔn)相機(jī)從新校準(zhǔn)相機(jī)X/Y/Z軸或角度發(fā)生偏移調(diào)整X/Y/Z軸使得網(wǎng)板印刷圖形與硅片四邊完全對稱。漏漿網(wǎng)板微破且不影響圖形用薄膠帶粘住漏漿部位印刷偏移見上面（印刷偏移解決方法）WorkingBeam上定位卡口處有漿料用干凈的酒精布擦拭干凈網(wǎng)板破壞嚴(yán)重?zé)o法用膠帶粘住更換網(wǎng)板隱裂臺面上有碎屑停機(jī),清理碎屑網(wǎng)板上沾有碎屑用干凈的無塵布將網(wǎng)板擦拭干凈壓力偏大降低壓力實際壓力比設(shè)定壓力大出很多刮刀高度上升虛印印刷參數(shù)不適宜抬高絲網(wǎng)間距，適當(dāng)加大壓力刮條不平更換刮條網(wǎng)板使用時間太長更換網(wǎng)板印刷模糊網(wǎng)板及刮條高度太高降低網(wǎng)板及刮條高度或降低電機(jī)高度硅片厚度不均勻檢查來料臺面不平更換襯紙或調(diào)整臺面絲網(wǎng)間距太小增大絲網(wǎng)間距刮條不平更換刮條12、分類檢測的電性能參數(shù)有哪些?分別是什么意思?(至少8個)Ⅰsc：在某特定溫度和輻射度條件下，光伏發(fā)電器在短路狀態(tài)下的輸出電流；Uoc：在某特定的溫度和輻射度下，光伏發(fā)電器在無負(fù)載（即開路）狀態(tài)下的端電壓Pmax：在I-V曲線上電流和電壓乘積為最大的點所表示的功率Vmp:對應(yīng)最大功率點的電壓Ⅰmp:對應(yīng)最大功率點的電流Rs：系指太陽電池內(nèi)部的與P-N結(jié)串聯(lián)的電