GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-21半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第28部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試充電模型(CDM)器件級(jí)傷或退化,建立了器件和微型電路損傷或退化敏感度測(cè)試、評(píng)價(jià)、分級(jí)的程序。本文件適用于評(píng)價(jià)所有半導(dǎo)體封裝器件、薄膜電路、聲表面波（SAW）器件、光電器件、混合集成電路（HICs）及包括任意這些器件的多芯片組件（MCMs）。為進(jìn)行測(cè)試，元器件應(yīng)裝配在與終端應(yīng)用相似的測(cè)試機(jī)中。本CDM文件涉及的模型不適用于插座式放電模型測(cè)試機(jī)。本文件描述了場(chǎng)感應(yīng)（FI）方法。另本文件的目的是建立一種能夠復(fù)現(xiàn)CDM失效的測(cè)試方法,并為不同類型的器件提供可靠、可重復(fù)的CDMESD測(cè)試結(jié)果,且測(cè)試結(jié)果不因測(cè)試設(shè)備而改變。重復(fù)性數(shù)據(jù)可以保證CDMESD敏感度等級(jí)的準(zhǔn)確劃使用充電器件模型（CDM）來(lái)模擬現(xiàn)實(shí)中充電器件通過(guò)單引腳或端子向另一個(gè)低電位物體快速放電充電器件模型靜電放電測(cè)試機(jī)CDME某種集成電路或分立半導(dǎo)體器件到CDM場(chǎng)板的電容，等于或低于該值時(shí)，如果滿足規(guī)定的條件，則GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-282注：見(jiàn)圖1。注：見(jiàn)圖1。注：波形參數(shù)的規(guī)定見(jiàn)表1或表2。4.1.1通用要求圖1展示了CDM測(cè)試機(jī)裝置硬件原理圖，假定該測(cè)試機(jī)裝置使用阻性電試。被測(cè)器件可以是真實(shí)器件或者是附錄A中描述的兩個(gè)驗(yàn)證模塊（金屬圓片）之一。彈簧頂針應(yīng)通過(guò)50Ω同軸電纜彈性頂針對(duì)地彈簧頂針\i地高壓電源HV 充電電阻DUT絕緣介質(zhì)開關(guān)K1 充電電阻場(chǎng)板在搭建測(cè)試設(shè)備時(shí)，應(yīng)最小化充放電通路中的寄生參數(shù)，因?yàn)樵O(shè)備中的寄生RLC（電阻、電感、電對(duì)于現(xiàn)有的設(shè)備，建議在移除磁性組件時(shí)聯(lián)系有資質(zhì)的GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-234.1.2電流傳感器元件4.1.3地板對(duì)于FR4材料，介質(zhì)層厚度和厚度允差應(yīng)為0.381mm±0.0254mm（0.015英尺±0.001英尺以產(chǎn)生表A.1中規(guī)定范圍內(nèi)的電容測(cè)量值（參考附錄B中規(guī)定的電容測(cè)量）。4.1.5充電電阻可以使用超過(guò)100MΩ的電阻，但是這樣可能會(huì)導(dǎo)致大封裝器件在探針組件（參考5.9電之前未完全充電?？稍贑DM測(cè)試機(jī)編程軟件中通過(guò)增加放電時(shí)延來(lái)克服這種影響。若使用超過(guò)100M4.2波形測(cè)量設(shè)備4.2.1通用要求4.2.3高帶寬波形測(cè)量設(shè)備4.2.3.1高帶寬示波器示波器或瞬態(tài)數(shù)字轉(zhuǎn)換器最小實(shí)時(shí)（單次）3dB帶寬至少為6GHz，采樣率≥20GSa/s4.2.3.2衰減器GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-284注：用戶可以選擇使用更高帶寬的示波器，采用硬件或軟件濾波器的方式來(lái)產(chǎn)生等效于4.2.4.1中規(guī)定的帶寬和采4.2.4.2衰減器4.3驗(yàn)證模塊（金屬圓片）大驗(yàn)證模塊電容值為（55±5%）pF，小驗(yàn)證模塊電容值為（6.8±5%）pF。關(guān)于驗(yàn)尺寸，見(jiàn)規(guī)范性附錄A；關(guān)于電容的測(cè)量程序，見(jiàn)規(guī)范性如規(guī)范性附錄B中所述，電容表分辨率0.2pF，測(cè)量精度3%，測(cè)量5測(cè)試機(jī)定期鑒定、波形記錄、波形驗(yàn)證要求CDM測(cè)試機(jī)應(yīng)按照5.5和5.6規(guī)定進(jìn)行鑒定、重新鑒定和定期注1：介質(zhì)層、地板（接地板）、同軸放電電阻（探頭）、地板和場(chǎng)板間的距離，驗(yàn)證模塊和放電觸點(diǎn)（如彈簧頂5.2波形采集硬件5.3波形采集設(shè)置a)清潔驗(yàn)證模塊。在測(cè)試之前和測(cè)試期間，應(yīng)避免皮膚與模塊的接觸。推薦性程序見(jiàn)規(guī)范性附錄A。b)使用酒精擦拭布擦凈放電探頭和放置器件的場(chǎng)充電板，除去可能導(dǎo)致電荷損失的表面沾污。GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-25a)將待使用的驗(yàn)證模塊放到場(chǎng)板介質(zhì)上，確保場(chǎng)板介質(zhì)和驗(yàn)證模塊的緊密接觸。b)依據(jù)正在進(jìn)行的測(cè)試條件，將場(chǎng)板的電位設(shè)置為所需電壓。c)將接地頂針大致對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊的中e)在正在驗(yàn)證的極性下，驗(yàn)證模塊放電次數(shù)至少十f)在上述放電過(guò)程中觀測(cè)至少十個(gè)連續(xù)波形，記錄這組波形參數(shù)IP、Tr、半幅全寬（FWHM）和I應(yīng)再次清潔驗(yàn)證模塊和接地頂針，并檢查所有鏈接點(diǎn)是否牢固，調(diào)整場(chǎng)板電壓CDM測(cè)試系統(tǒng)，并提供了符合表2波形參數(shù)規(guī)定的兩種調(diào)整場(chǎng)板電變化出現(xiàn)的漂移，而漂移可能表明系統(tǒng)存在更大的問(wèn)題。有關(guān)示例，見(jiàn)遵循表2的規(guī)定的測(cè)試條件125至1000，采用正和負(fù)兩個(gè)極性，對(duì)大和小模塊兩個(gè)驗(yàn)證模塊，執(zhí)行5.3的設(shè)置和5.4的波形采集步驟，并采用符合4.2.3.1中歸定的高帶寬示波器進(jìn)行測(cè)量。有關(guān)程序流程GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-286在首次驗(yàn)收測(cè)試中，測(cè)試設(shè)備制造商應(yīng)采用符合4.2.3.1規(guī)定的高帶寬示波器進(jìn)行初始波形采集。如果測(cè)試站點(diǎn)只有符合4.2.4.1規(guī)定的1GHz示波器，測(cè)試機(jī)制造商和終端用戶應(yīng)使用適當(dāng)?shù)膸掃^(guò)濾技術(shù)，并與測(cè)試機(jī)制造商的示波器進(jìn)行比較，以確認(rèn)用戶的示波器在季度和常規(guī)驗(yàn)收中采集到符合表1規(guī)注：許多示波器上的Bessel-Thomson軟件濾波器選項(xiàng)是一個(gè)合適的高帶寬波形濾波器，因?yàn)樗c實(shí)際的1GHz示波5.6.1季度波形驗(yàn)證程序遵循表1的規(guī)范采用4.2.4.1中規(guī)定的1GHz示波器或遵循表2的規(guī)范采用4.2.3.1中規(guī)定的高帶寬示波器，按測(cè)試條件125至1000，執(zhí)行5.3的設(shè)置和5.4的波形采集步驟。應(yīng)在正負(fù)兩個(gè)極性下檢查兩個(gè)驗(yàn)證模塊。如果可選，建議使用高帶寬示波器。有關(guān)程序流程圖的示例，見(jiàn)附5.6.2.1通用要求遵循表1（1GHz示波器）或表2（高帶寬示波器）的規(guī)范中的測(cè)試條件500，在正負(fù)兩個(gè)極性下，選5.6.2.2常規(guī)驗(yàn)證頻率最初，在測(cè)試機(jī)鑒定或重新鑒定時(shí)，常規(guī)波形驗(yàn)證應(yīng)至少每班完成一次。如果連續(xù)班次進(jìn)行CDM應(yīng)力測(cè)試，一個(gè)班次結(jié)束時(shí)的波形檢查也可以作為下一個(gè)班次5.7波形特性IP）應(yīng)符合表1中采用1GHz示波器條件下的規(guī)范和表2中采用高帶寬示波器條件下的規(guī)范。如果采用高帶寬示波器進(jìn)行鑒定、季度和常規(guī)波形驗(yàn)證，則無(wú)需考慮1GH小大小大小大小大小大GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-27AA表2寬帶(≥6GHz）示波器條件下CDM波形特性小大小大小大小大小大AA注：為了產(chǎn)生特定的峰值電流范圍，測(cè)試條件中的電壓值從125至1000進(jìn)行了調(diào)整，這些電壓值原先對(duì)應(yīng)的分級(jí)測(cè)試電壓分別為125V、250V、500V、750V和GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28876543210II//90%Ip//FWHMFWHM<10%Ip10%IpTr<<Ip2），IP，計(jì)算10個(gè)波形的平均IP。GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-29e)即使上述兩個(gè)平均IP值匹配，超大封裝器件（比大驗(yàn)證模全充電。由于器件封裝技術(shù)差異很大，因此沒(méi)有確切的維度f(wàn))為了確定超大封裝的器件是否仍然需要充電延時(shí)，可以使用器件的接地引腳重復(fù)上述步此外，如果CDM測(cè)試機(jī)有活動(dòng)部件，員工在操CDM測(cè)試之前、測(cè)試期間、測(cè)試之后及后期的電參數(shù)測(cè)試都要采取ESD在測(cè)試開始之前，CDM測(cè)試機(jī)探針和場(chǎng)板/介質(zhì)層應(yīng)當(dāng)清潔干燥?？梢远ㄆ谑褂脻舛炔坏陀?0%的異在進(jìn)行ESD應(yīng)力測(cè)試前，應(yīng)對(duì)所有提交的器件進(jìn)行全面的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試。參數(shù)和功能結(jié)果應(yīng)在產(chǎn)經(jīng)ESD應(yīng)力測(cè)試后，應(yīng)對(duì)所有的器件進(jìn)行完整的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試。如果參數(shù)和功能測(cè)試結(jié)果不在產(chǎn)品規(guī)格書的范圍內(nèi)，則將該器件判為失效。如果失效分析證明失效和CDMESD不相關(guān)，則可以忽略該失注1：靜態(tài)泄漏（例如引腳泄漏、待機(jī)電流）的變化不足以確定通過(guò)/失敗。它可以作為損+85℃)進(jìn)行測(cè)試。a)除非另有規(guī)定，至少應(yīng)獲取三個(gè)已驗(yàn)證符合其產(chǎn)品規(guī)范的樣本。GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28的最低電壓等級(jí)并且器件在初始電壓等級(jí)條件下失效，則應(yīng)在下一個(gè)較低等級(jí)使用三個(gè)新器c)對(duì)于每個(gè)器件，每個(gè)引腳至少施加一次正極性和一次負(fù)極性放電。在放電之前留出足夠的時(shí)本量至少為三個(gè)單位。引腳也可以劃分為一個(gè)或多個(gè)樣本集，確保器件的每個(gè)引腳至少是一產(chǎn)品的CDM測(cè)試程序應(yīng)按各個(gè)公司的數(shù)據(jù)保存程序進(jìn)行記錄和存儲(chǔ)。有關(guān)測(cè)試機(jī)波形參數(shù)的信息應(yīng)產(chǎn)品CDM測(cè)試結(jié)果（包括封裝信息）應(yīng)當(dāng)記錄在報(bào)告中，并在產(chǎn)品可靠性報(bào)告中為采用特定工藝和設(shè)計(jì)流程的集成電路建立電容CSmall。對(duì)于電容低于CSmall的器件，不再需要進(jìn)行CDM測(cè)試。電容低于CSmall且滿足附錄C要求的ICDS應(yīng)視為達(dá)到CDM裝類型。器件分級(jí)是至少三只ESD應(yīng)力測(cè)試的器件樣本通過(guò)其產(chǎn)品資料規(guī)定的全靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試后的最高ESD應(yīng)力電壓級(jí)別（正、負(fù)極性）。CDMESDS器件分級(jí)如VGB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28驗(yàn)證模塊（金屬圓片）規(guī)格及驗(yàn)證模塊和測(cè)試機(jī)清潔指南A.1測(cè)試機(jī)驗(yàn)證模塊和場(chǎng)板介質(zhì)選擇合適的場(chǎng)板介質(zhì)（見(jiàn)4.1.4）以產(chǎn)生表A.1中規(guī)定范圍內(nèi)的小大A.2驗(yàn)證模塊的保養(yǎng)為避免充電器件模型（CDM）評(píng)估過(guò)程中驗(yàn)證模塊上的電荷損失，應(yīng)使用當(dāng)?shù)匕踩M織的批準(zhǔn)的異丙醇（2-丙醇，IPA）棉簽對(duì)驗(yàn)證模塊進(jìn)行約20s的清潔，并在溫和的氣流中干燥以防止測(cè)試操作過(guò)程GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2測(cè)試機(jī)場(chǎng)板介質(zhì)上驗(yàn)證模塊（金屬圓片）的電a)應(yīng)現(xiàn)場(chǎng)（CDM模擬器內(nèi)部）測(cè)量驗(yàn)證模塊的電容，也b)放置小驗(yàn)證模塊在介質(zhì)層上，該介質(zhì)層與接地金屬場(chǎng)板表面直接接觸。確保模塊和介質(zhì)層之間沒(méi)有空隙，介質(zhì)層和金屬場(chǎng)板之間也沒(méi)有空隙。建議使用真空以保證驗(yàn)證模塊緊緊貼合場(chǎng)d)將電容表（CP）的兩根引線按以下方式連接：將CP的一根金屬引線/電纜連接到個(gè)暴露點(diǎn)。將CP的第二根金屬引線/電纜連接到驗(yàn)證模塊的頂部（中心）。然后進(jìn)行第二次測(cè)量，此時(shí)驗(yàn)證模塊的引線/電纜剛好位于驗(yàn)證模塊的上方，但不接觸它。從第一次讀數(shù)中減GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28定最小的封裝尺寸或電容，因?yàn)镃DM失效等級(jí)取決于多種變量，包括以下列出的——制造器件的工藝●具備先進(jìn)低壓工藝的低耐壓薄柵極氧化物，如果沒(méi)有采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)機(jī)制，則更易受到——器件的設(shè)計(jì)風(fēng)格——關(guān)于從同一技術(shù)中考慮電路的要求，見(jiàn)附錄封裝的尺寸至少應(yīng)是介質(zhì)層或金屬場(chǎng)板上真空孔的4倍，以較大者為準(zhǔn)。如果封裝尺寸小于真空孔——如果測(cè)試夾具使用與CDM測(cè)試機(jī)場(chǎng)板介質(zhì)層相同的厚度和材料，那么可以將其單獨(dú)用于電容為確保集成電路與介質(zhì)層之間以及介質(zhì)層與金屬場(chǎng)板GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2如果ICDS的襯底到CDM測(cè)試機(jī)場(chǎng)板的電容等于或小于CSmall，并且滿足以下條件，則不需要對(duì)其進(jìn)行——根據(jù)產(chǎn)品的工藝要求，ICDS通過(guò)了HBM測(cè)試。這表明預(yù)期的保護(hù)電路存在。750測(cè)試（分級(jí)C3b）。若滿足以下條件，ICDS應(yīng)被視為采用了相GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28本文件目標(biāo)是通過(guò)發(fā)布一個(gè)單獨(dú)的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，改正之前標(biāo)準(zhǔn)缺陷的同時(shí)保留之前CDM標(biāo)準(zhǔn)中相似應(yīng)6GHz或更快的示波器（如果有快速示波器）進(jìn)行季度和常規(guī)●修改了測(cè)試機(jī)鑒定和驗(yàn)證程序，為獲取要求的峰值電流，賦予了場(chǎng)板電壓設(shè)置更多的靈現(xiàn)在這么普及，而且性能不如今天的示波器。導(dǎo)致先前標(biāo)準(zhǔn)中的原始波形比實(shí)際CDM事件特性中的半寬窄。為滿足半峰值寬度的要求，通常需要在測(cè)試頭中加鐵氧體磁珠，使電流波形符合要求。隨著4GHz到8GHz帶寬示波器的普及，用1GHz示波器測(cè)量時(shí)發(fā)現(xiàn)，鐵氧體磁珠只是簡(jiǎn)單地展寬了峰值寬度，卻產(chǎn)生了意料之外的非期望的高頻諧波。本文件的一個(gè)主要目的是去除CDM測(cè)試頭中的鐵氧體磁珠，并修改以前規(guī)定的1GHz示波器僅勉強(qiáng)能夠捕獲CDM事件別是對(duì)于小驗(yàn)證模塊和小封裝集成電路而言。準(zhǔn)確的峰值電流測(cè)量需要測(cè)量鏈中6GHz或更高帶寬示波器的應(yīng)用，新的聯(lián)合標(biāo)準(zhǔn)反映了CDM測(cè)試機(jī)鑒定的這一要求。以前認(rèn)為1GHz示波器足以滿足常規(guī)波形驗(yàn)證要求，該選項(xiàng)在新標(biāo)準(zhǔn)中仍然可用，但如果可選的話，推薦使用更高帶寬示波器。行了調(diào)整，以便在CDM測(cè)試機(jī)軟件中選擇規(guī)定電壓時(shí)獲得所需的波形。這種調(diào)整是合理的，眾所周知，損壞集成電路的是峰值電流，而不是場(chǎng)板電壓。其結(jié)果是，當(dāng)集成電路通過(guò)500V時(shí)，場(chǎng)板電壓通常與方法中的峰值電流更高。這就是為獲取所需由于CDM失效是CDM事件期間峰值電流造成的結(jié)果，因此對(duì)于特定的測(cè)試條件，不同的CDM測(cè)試機(jī)產(chǎn)生的試電壓已被一系列能夠產(chǎn)生與之前標(biāo)準(zhǔn)中類似的峰值電流的測(cè)試條件所GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2圖E.1展示了一個(gè)CDM測(cè)試機(jī)設(shè)置的電氣模型。CDUT是DUT和場(chǎng)板之間示波器阻抗的并聯(lián)組合。彈簧頂針和DUT之間形成的火花電阻假定是可變電阻。彈簧頂針和火花電感作1Ω的有效阻值電阻CFG彈性頂針與火花電感CDG火花電阻CDUT高壓電源HV充電電阻GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28垂直200mV/div（小驗(yàn)證模塊）或200mV/div（觸發(fā)小驗(yàn)證模塊300mV或大驗(yàn)證模塊將20dB衰減器連接到示波器。將電纜連接到衰減器的末端和CDM測(cè)試機(jī)的電壓輸注：20dB衰減器是一個(gè)10倍衰減器。如果示GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2泰克運(yùn)行：5.00泰克運(yùn)行：5.00GS/s采樣觸發(fā)？@:532mV CH1200mVΩM400psCh1292mV泰克運(yùn)行泰克運(yùn)行：5.00GS/s采樣觸發(fā)？△：1.068V@：1.068VM400psCh1r292mV200mVΩCH1GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28C2A3.68VV1-9.2mVV2C2A3.68VV1-9.2mVV27.946VΔV7.955VC22.0V/div50ΩBW：8.0G光標(biāo)1Y位置-9.2mV光標(biāo)2Y位置⑥7.95V400ps/div25.0GS/sIT2.0ps/pt運(yùn)行高阻采集次數(shù)10RL:2.0kC2A3.68VV1-9.2mVV2C2A3.68VV1-9.2mVV210.506VΔV10.515VC22.0V/div50ΩBW：8.0G光標(biāo)1Y位置-9.2mV光標(biāo)2Y位置⑥10.51V400ps/div25.0GS/sIT2.0ps/pt運(yùn)行高阻采集次數(shù)10RL:2.0kGB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2單次正向和單次負(fù)向放電可以通過(guò)使用兩個(gè)單獨(dú)的放電來(lái)實(shí)現(xiàn)，按照以下步驟順序產(chǎn)生如圖G.1所b)將場(chǎng)板上的電壓升高到規(guī)定的應(yīng)力d)彈簧針繼續(xù)下降，直到與被測(cè)器件引腳（PUT）物理接觸，并確保電荷轉(zhuǎn)移完全并提彈簧頂針彈簧頂針V場(chǎng)平面V）；單次正向和單次負(fù)向放電可以通過(guò)使用一對(duì)交替極性的放電來(lái)實(shí)現(xiàn)，按照以下步驟順序產(chǎn)生如圖GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28b)將場(chǎng)板上的電壓升高到規(guī)定的應(yīng)力等級(jí)來(lái)建立正向應(yīng)力場(chǎng)電壓。d)彈簧頂針繼續(xù)下降直到接觸到被測(cè)器件引腳（PUT確保電荷完全轉(zhuǎn)移并提供一條對(duì)地導(dǎo)電），f)場(chǎng)板電壓緩慢（阻性地）恢復(fù)到0V，完彈簧頂針彈簧頂針V場(chǎng)平面ICDM時(shí)間在彈簧頂針首次接觸DUT時(shí)，場(chǎng)板（虛線表示V場(chǎng)板）處于高電壓（+）；在彈簧頂V場(chǎng)板）處于零電位。GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2H.1因子/偏移（Factor/Off——整個(gè)測(cè)試條件范圍內(nèi)使用單因子/偏移（Factor/Offset——每種極性可以使用不同的因子/偏移（Factor/Offset——大小兩個(gè)驗(yàn)證模塊應(yīng)使用相同的因子/偏移（FaGB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28季度性鑒定流程記錄每個(gè)TC記錄每個(gè)TC條件的設(shè)定TC500測(cè)試條件開始<>是Ip、Tr、FWMH、Ip2,<>是否兩種極性驗(yàn)證是否完成?以及每個(gè)極性的最否兩種極性驗(yàn)證是否完成?放置大或小模塊到系統(tǒng)放置大或小模塊到系統(tǒng)上用類似H.3中所用表格否設(shè)定正極或負(fù)極結(jié)束是是大小兩個(gè)模塊驗(yàn)證是否完成?Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi)，見(jiàn)否設(shè)定正極或負(fù)極結(jié)束是是大小兩個(gè)模塊驗(yàn)證是否完成?Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi)，見(jiàn)注3輸入軟件電壓(TC500=輸入軟件電壓(TC500=500V)調(diào)整系統(tǒng)因子/偏移量，見(jiàn)注2記錄Ip、Tr、FWMH與Ip2的均值否采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形輸入軟件電壓125V)輸入軟件電壓250V)輸入軟件電壓=750V)輸入軟件電壓=1000V)調(diào)整系統(tǒng)因子/偏否采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形輸入軟件電壓125V)輸入軟件電壓250V)輸入軟件電壓=750V)輸入軟件電壓=1000V)調(diào)整系統(tǒng)因子/偏移見(jiàn)注2記錄Ip、Tr、FWMH值否否否否TC250是否采集到?或者因子/偏移量無(wú)變化TC750是否采集到?或者因子/偏移量無(wú)變化TC1000是否采集到?或者因子/偏移量無(wú)變化TC125是否采集到?或者因子/偏移量無(wú)變化Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi)，見(jiàn)注1否GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2常規(guī)流程放置大尺寸或小尺寸模塊到系統(tǒng)上設(shè)定正極或負(fù)極輸入已存檔的軟件電壓將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形記錄IpTrFWMH與Ip2放置大尺寸或小尺寸模塊到系統(tǒng)上設(shè)定正極或負(fù)極輸入已存檔的軟件電壓將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形記錄IpTrFWMH與Ip2的均值Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi),見(jiàn)注1否參考圖H.1中的流程是大尺寸模塊小尺寸模塊是否完成使用類似H.3中所用表記錄每個(gè)TC條件下的Ip、Tr、FWMH、Ip2，以及每個(gè)極性的軟件電壓結(jié)束否設(shè)定TC500測(cè)試條件開始否是兩種極性驗(yàn)證完成？是GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28注1：將TC500的范圍中值作為場(chǎng)板電壓調(diào)整的起點(diǎn)。根據(jù)其他測(cè)試條件（TC125/250/750/1000）的結(jié)果，Ipeak可能最終高于或低于TC500的范圍中值。如圖H.3注2：為了正確校準(zhǔn)系統(tǒng)，測(cè)試機(jī)制造商已經(jīng)實(shí)施了一個(gè)二次“調(diào)整”參數(shù)，作為軟件電壓設(shè)置的偏移，可以表示在經(jīng)過(guò)幾次循環(huán)后，如果用戶發(fā)現(xiàn)它們無(wú)法滿足表1或表2中規(guī)定的Ipeak范圍，或者因子/偏移超出響場(chǎng)板電壓的值，并使用軟件電壓輸入作為場(chǎng)板電壓的主要調(diào)整手段。這種方法可以更準(zhǔn)確地定位表1或表2中規(guī)定的IP范圍的中點(diǎn)，但在五個(gè)測(cè)試條件之間確定正確的軟件電壓輸入會(huì)產(chǎn)生復(fù)雜性。確定除五個(gè)測(cè)試條件級(jí)別以外的軟件電壓輸入時(shí)（將在本程序中確定）將需要進(jìn)行線性插值——為每個(gè)測(cè)試條件確定一個(gè)唯一的軟件電壓設(shè)置；——在每個(gè)測(cè)試條件下，大小兩個(gè)驗(yàn)證模塊應(yīng)使用相同的軟件電壓設(shè)置；——在對(duì)五個(gè)測(cè)試條件外的級(jí)別進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要線性插值/外推確定合適的軟件電壓輸入。GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2季度性鑒定流程設(shè)定TC500測(cè)試條件開始放置大或小模塊到系統(tǒng)上兩種極性否是設(shè)定正極或負(fù)極Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi)？a否輸入初始軟件電壓放置大或小模塊到系統(tǒng)上兩種極性否是設(shè)定正極或負(fù)極Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi)？a否輸入初始軟件電壓調(diào)整軟件是使用類似H.3中所用表格記錄每個(gè)TC條件下的Ip、Tr、FWMH、Ip2，以及對(duì)應(yīng)于TC/極性下的最終軟件電壓設(shè)置結(jié)束否大模塊小模塊是否完成確認(rèn)因子/偏移量設(shè)置成1/0記錄Ip、Tr、FWMH、Ip2的均值將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊是結(jié)束否大模塊小模塊是否完成確認(rèn)因子/偏移量設(shè)置成1/0記錄Ip、Tr、FWMH、Ip2的均值將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊是采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形采用單次或者次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形輸入初始軟件電壓(輸入初始軟件電壓(TC750=750V)輸入初始軟件電壓(TC250=250V)輸入初始軟件電壓(TC125=125V)調(diào)整軟件輸入初始軟件電壓(TC1000=1000V)否否否否否TC750是否采集到？TC250是否采集到？否否否否否TC750是否采集到？TC250是否采集到？是否采集到？1000是否采集Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間見(jiàn)注1記錄Ip、Tr、FWMH、Ip2的均值是是是是是是是是是是檢查系統(tǒng)真空度或更換接地引腳。跟多信息，咨GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28常規(guī)流程放置大尺寸或小尺寸模塊到系統(tǒng)上設(shè)定正極或負(fù)極輸入已存檔的軟件電壓將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形記錄Ip、TrFWMH放置大尺寸或小尺寸模塊到系統(tǒng)上設(shè)定正極或負(fù)極輸入已存檔的軟件電壓將接地引腳對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊采用單次或者雙次放電方法，并用合適的示波器記錄10個(gè)連續(xù)波形記錄Ip、TrFWMH與Ip2的均值Ip的均值是否落在表1或表2定義的Ip的中間范圍內(nèi),見(jiàn)注1否參考圖H.4中的流程是兩種極性驗(yàn)證完成？大尺寸模塊小尺寸模塊是否完成使用類似H.3中所用表記錄每個(gè)TC條件下的Ip、Tr、FWMH、Ip2，以及每個(gè)極性的軟件電壓結(jié)束否設(shè)定TC500測(cè)試條件開始否是是GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2表H.1給出了使用因子/偏移（Factor/Offset）調(diào)整法時(shí)需要記錄的CDM鑒定/季度驗(yàn)證波形參數(shù)的AA大小大小大小大小大小AA大小大小大小大小大小GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28c)將預(yù)充電延時(shí)增加50ms，收集10個(gè)波形并記錄每個(gè)的IP），果使用了大驗(yàn)證模塊）或特定大型封裝器件所需的充電延時(shí)（如果使用了大封裝器件作為數(shù)h)重要提示，更長(zhǎng)延時(shí)不會(huì)造成器件“過(guò)度充電”，僅GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-2靜電放電（ESD）敏感度測(cè)試直接接觸充電器件模型（D注：本附錄中所描述的方法并未被證實(shí)與本文件主體部分所附錄J描述了靜電放電測(cè)試方法直接接觸充電器件模型（DC-場(chǎng)感應(yīng)CDM模擬器的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模塊可以使用異丙醇超聲波清洗約20小大件DUT，并且應(yīng)能夠保持零電位。絕緣片的厚度為0.4mm±0.04mm，在1GHz時(shí)相對(duì)介電常數(shù)4.0±0.5，GB/T4937.28—XXXX/IEC60749-28金屬棒/板連接到零電位。金屬棒/板的形狀可以是圓柱狀、方形立柱、圓片或方型板。金屬棒/板用導(dǎo)線連接到地上（將導(dǎo)線連接到測(cè)試設(shè)備外殼的接地處）。測(cè)試設(shè)備可以通過(guò)改變金屬棒/金屬板的DUT開關(guān)金屬棒DUT開關(guān)H.V.阻性材料R3阻性材料R3端子絕緣片金屬板絕緣片H.V.H.V.阻性材料R3端子阻性材料R2開關(guān)——阻性材料R3端子阻性材料R2DUT文本DUT文本金屬板絕緣片金屬板a）金屬棒的使用示例b）金屬板和阻性材料R2的使用示例要通過(guò)導(dǎo)線連接到DUT的端子時(shí)，應(yīng)在電源和端子之間串聯(lián)一個(gè)能夠承受測(cè)試電壓的充電電