根據(jù)住房城鄉(xiāng)建設(shè)部《關(guān)于印發(fā)2016年工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范制訂、修訂計(jì)劃的通知》(建標(biāo)函〔2015〕274,號)的要求，標(biāo)準(zhǔn)編制組經(jīng)廣泛調(diào)查研究，認(rèn)真總結(jié)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，參考有關(guān)國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，并在廣泛征求意見的基礎(chǔ)上，編制了本標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)主要技術(shù)內(nèi)容：總則，術(shù)語，總體設(shè)計(jì)，工藝設(shè)計(jì)，基本工藝，工藝設(shè)備配置，建筑與結(jié)構(gòu)，公用設(shè)施，電氣設(shè)計(jì)，環(huán)境保護(hù)、節(jié)能與安全設(shè)施等。本標(biāo)準(zhǔn)由住房城鄉(xiāng)建設(shè)部負(fù)責(zé)管理。本標(biāo)準(zhǔn)主編單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院(地址；北京市東城區(qū)安定門東大街1號，郵政編碼：100007)中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所本標(biāo)準(zhǔn)參編單位：中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所中國電子科技集團(tuán)公司第十四研究所中國電子科技集團(tuán)公司第二十九研究所中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所中國航天科技集團(tuán)公司五院西安分院中國兵器工業(yè)集團(tuán)公司第二一四研究所中國電子工程設(shè)計(jì)院有限公司南京市建筑設(shè)計(jì)研究院有限責(zé)任公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人員：劉玉根薛長立閆詩源晁宇晴吳希全夏慶水程凱何中偉江詩兵宋澤潤朱纮文秦躍利顧曉春夏雙練陸吟泉楊智良管雯徐仁春沈元明 3.1一般規(guī)定 3.2廠址選擇 3.3總圖規(guī)劃及布局 4.1工藝流程設(shè)計(jì) 4.2工藝區(qū)劃 5.4光刻工藝 5.5電鍍工藝 5.6刻蝕工藝 5.7激光調(diào)阻工藝 5.8激光打孔工藝 5.9劃片工藝 5.10測試工藝 6.1一般規(guī)定 6.2基板準(zhǔn)備工藝設(shè)備 6.3鍍膜工藝設(shè)備 6.4光刻工藝設(shè)備 6.5電鍍工藝設(shè)備 6.6刻蝕工藝設(shè)備 6.7激光調(diào)阻工藝設(shè)備 6.8激光打孔工藝設(shè)備 6.9劃片工藝設(shè)備 6.10測試工藝設(shè)備 7.1建筑 7.2結(jié)構(gòu) 8.1空氣調(diào)節(jié)和凈化系統(tǒng) 8.2給水排水 8.3氣體動(dòng)力 9.1供電系統(tǒng) 9.2照明、配電和自動(dòng)控制 9.3通信、信息 10環(huán)境保護(hù)、節(jié)能與安全設(shè)施 10.1環(huán)境保護(hù) 10.3安全設(shè)施 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄 3.1Generalrequireme 5.2Ceramiesubstrate 5.4Lithographypr 6Processequipment 6.1Generalrequireme 6.2Ceramicsubstra 6.5Platingprocessequ 6.6Etchingprocessequipmen 7Architecturea 9.2Lighting. 10Environmenta AppendixABasicprocessflowofthin-filmceramic Explanationofwordinginthisstandard Listofquotedstandar 1.0.1為規(guī)范薄膜陶瓷基板工廠工程建設(shè)中設(shè)計(jì)內(nèi)容、設(shè)計(jì)深度和廠房設(shè)施要求，做到技術(shù)先進(jìn)、安全適用、經(jīng)濟(jì)合理、環(huán)保節(jié)能，制定本標(biāo)準(zhǔn)。1.0.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于新建、擴(kuò)建和改建的采用薄膜工藝制造陶瓷基板工廠的工程設(shè)計(jì)。1.0.3薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)除應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)外，尚應(yīng)符合國家現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。利用真空蒸發(fā)、濺射或其他方法淀積在基板上的電導(dǎo)型、電阻型或介質(zhì)材料膜層。2.0.2薄膜陶瓷基板thin-filmceramicsubstrate采用真空鍍膜、光刻、電鍍等不藝形成有一定厚度的薄膜導(dǎo)體、電阻、介質(zhì)圖形的陶瓷基板。將固體材料置于高真空環(huán)境中加熱，使其氣化并淀積到襯底上形成薄膜的工藝。以一定能量的粒子轟擊靶材表面，使靶材表面的原子或分子獲得較大的能量，最終逸出靶材沉積到襯底表面的工藝。通過涂膠、曝光、顯影等工序，將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的基板上的工藝。通過化學(xué)、物理或兩者相結(jié)合的方法，有選擇性地去除基板表面不需要的膜層材料。2.0.7激光調(diào)阻lasertrimming利用來自聚焦激光源的激光光束去除電阻體材料，減小有效寬度或增加路徑，達(dá)到目標(biāo)阻值。3.1.1薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)滿足薄膜陶瓷基板生產(chǎn)工藝要3.1.2薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)，合理利用3.1.3薄膜陶瓷基板工廠設(shè)計(jì)應(yīng)為施工安裝、調(diào)試檢測、安全運(yùn)行以及維護(hù)管理等創(chuàng)造條件。3.2.1薄膜陶瓷基板工廠的廠址選擇應(yīng)根據(jù)建設(shè)規(guī)模、原輔材料護(hù)、消防安全等因素進(jìn)行技術(shù)經(jīng)濟(jì)方案的分析。1應(yīng)避免對周邊住所、人群活動(dòng)或環(huán)境造成污染與危害；2應(yīng)避開空氣污染嚴(yán)重的區(qū)域；3場地應(yīng)相對平整，并遠(yuǎn)離強(qiáng)振源；4生產(chǎn)所需的供電、給排水、供氣、通信等動(dòng)力3.3總圖規(guī)劃及布局3.3.1薄膜陶瓷基板工廠總圖規(guī)劃應(yīng)符合所在地區(qū)的城市規(guī)劃要求?？偲矫娌季謶?yīng)符合下列規(guī)定：區(qū)域宜相對集中、分開設(shè)置、合理布置；2廠區(qū)的動(dòng)力設(shè)施宜集中布置，并靠近工廠的負(fù)荷中心；3廠區(qū)人流和物流的出入口宜分開設(shè)置。3.3.2廠區(qū)道路面層應(yīng)選用發(fā)塵量少的材料。3.3.3廠區(qū)綠化宜選用無飛絮、少花粉的植物。3.3.4豎向設(shè)計(jì)應(yīng)滿足生產(chǎn)和運(yùn)輸要求，并應(yīng)有利于節(jié)約用地。4.1工藝流程設(shè)計(jì)4.1.1薄膜陶瓷基板應(yīng)根據(jù)陶瓷材料、工藝設(shè)計(jì)以及薄膜體系的不同選擇不同的工藝路線。4.1.2薄膜陶瓷基板典型的工藝流程宜符合本標(biāo)準(zhǔn)附錄A的規(guī)定。4.1.3薄膜陶瓷基板的工藝設(shè)計(jì)宜優(yōu)先選擇新材料、新工藝、新4.2.1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)廠房應(yīng)結(jié)合下列因素進(jìn)行工藝區(qū)劃：1薄膜陶瓷基板生產(chǎn)的工藝流程；2人流、物流、設(shè)備搬運(yùn)通道；3大房建筑、結(jié)構(gòu)形式及內(nèi)部尺寸；4×主要?jiǎng)恿┙o；5√產(chǎn)量、產(chǎn)品特性和設(shè)備選型；6二次配管配線接入方式；7生產(chǎn)區(qū)、維修區(qū)布置；8未來生產(chǎn)擴(kuò)展的可能性及靈活性。4.2.2薄膜陶瓷基板生產(chǎn)區(qū)應(yīng)位于受控環(huán)境區(qū)域內(nèi)，生產(chǎn)區(qū)應(yīng)主要包括光刻區(qū)、鍍膜區(qū)、刻蝕區(qū)、劃片區(qū)、打孔區(qū)、調(diào)阻區(qū)、電鍍區(qū)、測試區(qū)。4.2.3基板生產(chǎn)區(qū)中的光刻區(qū)、鍍膜區(qū)、刻蝕區(qū)、電鍍區(qū)應(yīng)分別布置在獨(dú)立的工作間內(nèi)，基板生產(chǎn)區(qū)的其他分區(qū)可同處于一個(gè)大的工作間內(nèi)而分別相對集中布置。4.2.4潔凈廠房內(nèi)人員凈化用室、生活用室及吹淋室的設(shè)置應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472的有關(guān)規(guī)定。4.2.5人員凈化用室和生活用室的區(qū)劃應(yīng)符合下列規(guī)定：1人員凈化用室入口處宜設(shè)置凈鞋設(shè)施；2存外衣和更換潔凈工作服的房間應(yīng)分別設(shè)置；3外衣存衣柜應(yīng)按設(shè)計(jì)人數(shù)每人一柜設(shè)置；4廁所不宜設(shè)置在潔凈生產(chǎn)區(qū)內(nèi)，宜設(shè)置在更換潔凈工作服前；5人員凈化用室和生活用室的建筑面積宜按潔凈室內(nèi)設(shè)計(jì)人數(shù)，平均每人小于或等于4m2計(jì)算。4.2.6潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施。物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗等物料凈化設(shè)施。5.1.1薄膜陶瓷基板工藝應(yīng)包括基板準(zhǔn)備、鍍膜、光刻、電鍍、刻蝕、激光調(diào)阻、激光打孔、劃片和測試等工藝5.1.2光刻區(qū)的空氣潔凈度等級宜達(dá)到6級或優(yōu)于6級，其他工藝區(qū)應(yīng)達(dá)到7級或優(yōu)于7級。5.1.3光刻工藝應(yīng)在黃光環(huán)境下進(jìn)行。5.1.4薄膜工藝過程中所使用的純水在工藝設(shè)備入口處的絕緣電阻不應(yīng)低于10MΩ~cm。(RH)為30%>70%的潔凈廠房中進(jìn)行。5.1.6陶瓷基板在加工工藝期間應(yīng)放置在溫濕度恒定的氮?dú)夤裰小?.2.1√基板的種類、規(guī)格、厚度等性能應(yīng)符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。5.2.2陶瓷基板檢驗(yàn)應(yīng)符合工藝要求，基板表面應(yīng)無劃痕，致密無針孔。5.2.3薄膜陶瓷基板處理工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1陶瓷基板表面的清洗應(yīng)采用物理清洗或化學(xué)清洗方式；2清洗后的陶瓷基板表面應(yīng)無油污、顆粒、水漬等污染。5.2.4使用酸、堿、有機(jī)溶劑的操作應(yīng)在通風(fēng)條件下進(jìn)行，未使用的化學(xué)試劑應(yīng)密封并分類儲(chǔ)存在化學(xué)品專用儲(chǔ)存柜中。5.3.1鍍膜工藝可采用蒸發(fā)、濺射的方法在基板上順序沉積復(fù)合膜系。5.3.2鍍膜工藝應(yīng)根據(jù)工藝設(shè)計(jì)選擇合適的薄膜沉積方式。5.3.3蒸發(fā)、濺射鍍膜工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)設(shè)置薄膜沉積的工藝參數(shù)，并應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整；2沉積前工藝腔室真空度不宜大于2×10-'Pa;3沉積前應(yīng)去除基板表面的水氣、雜質(zhì)，可選擇基板加熱和表面射頻清洗的方式；4膜層應(yīng)均勻、致密，對基板有較強(qiáng)的附著力，膜層厚度應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求；5表面應(yīng)無針孔、起泡、裂紋等缺陷，無劃傷、擦傷、污染及其他多余物。5.3.4等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)根據(jù)需要沉積的介質(zhì)種類，選擇相應(yīng)的各種工藝氣體；2應(yīng)設(shè)置保護(hù)氣體流量，向腔體通入保護(hù)氣體進(jìn)行吹掃；3應(yīng)根據(jù)沉積介質(zhì)種類和厚度等要求，調(diào)用相應(yīng)的沉積工藝程序，開始絕緣介質(zhì)層的沉積工藝；4沉積過程中應(yīng)確認(rèn)工藝程序中的氣體壓力、溫度、氣體流量等工藝參數(shù)無異常情況。5.4.1光刻工藝應(yīng)采用紫外光和掩模版曝光的方法，將設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠和陶瓷基板上。5.4.2光刻的基本工藝過程應(yīng)包括基板預(yù)處理、涂膠、前烘、曝5.4.3光刻工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1對基板應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理，提供清潔干燥的表面；2根據(jù)工藝需求應(yīng)選擇勻膠或噴膠方式，在基板表面涂覆光刻膠層，要求膠層厚度均勻、邊緣平整；3應(yīng)根據(jù)光刻膠的類型和厚度設(shè)置不同的基板烘烤溫度和時(shí)間；4曝光機(jī)曝光工藝參數(shù)應(yīng)根據(jù)選用的光刻膠以及光刻膠厚度設(shè)置；5顯影時(shí)間應(yīng)根據(jù)光刻膠厚度以及選用的顯影液進(jìn)行調(diào)整；6堅(jiān)膜溫度和時(shí)間應(yīng)根據(jù)光刻膠型號和光刻膠厚度調(diào)整；7光刻工藝過程中使用的掩模版、光刻膠、顯影液等物料均工藝設(shè)計(jì)要求。5.5.1薄膜陶瓷基板應(yīng)通過電鍍工藝加厚金屬膜層厚度，提高表面金屬化的可焊性、鍵合性及導(dǎo)電性能。5.5.2電鍍工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)按工藝要求配置鍍銅、鍍鎳和鍍金溶液；2薄膜基板應(yīng)固定在電鍍夾具上；3基板電鍍前應(yīng)去除基板表面沾污，并應(yīng)用去離子水沖洗4基板電鍍前應(yīng)進(jìn)行活化處理以去除金屬化表面的氧化層；5基板在鍍銅、鍍鎳和鍍金溶液中應(yīng)按規(guī)定的電流強(qiáng)度、時(shí)6鍍涂后的基板應(yīng)退火以提高鍍層和底部金屬化的結(jié)合力；7鍍涂結(jié)束后應(yīng)在顯微鏡下檢查鍍層表面，測量鍍層厚度，5.5.3電鍍工藝地面與墻面應(yīng)符合工藝防腐要求。5.5.4電鍍工藝應(yīng)在7級或優(yōu)于7級潔凈的工作間中進(jìn)行，廠房5.6.1光刻后的薄膜基板應(yīng)通過刻蝕工藝去除表面不需要的膜層材料。5.6.2刻蝕工藝可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，應(yīng)根據(jù)工藝設(shè)計(jì)要求選擇相應(yīng)的刻蝕方法。5.6.3刻蝕工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)根據(jù)刻蝕的材料種類、厚度等參數(shù)選擇刻蝕溶液或刻蝕工藝氣體；2腐蝕前應(yīng)確認(rèn)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)正常，濕法刻蝕設(shè)備腐蝕槽中藥液溫度達(dá)到工藝文件要求；3應(yīng)根據(jù)工藝文件要求調(diào)用相應(yīng)的刻蝕工藝程序；4刻