半導體器件 能量收集和產(chǎn)生半導體器件 第2部分：基于熱功率的熱電能量收集器 征求意見稿_第1頁
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1GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2半導體器件能量收集和產(chǎn)生半導體器件第2部分：基于熱功率的熱電能量收集器義，規(guī)定了厚度小于5μm的線、塊和薄膜以及具有熱電薄膜的能量收集4測試方法2GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2直徑小于200μm的金屬絲和沉積在硅基底上具有100納米絕4.2熱功率測量4.2.1積分法參考線樣品線參考線樣品線3GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2最后，在參考材料的熱功率已知時，樣品絲的熱功率值如T+αref····························································4.2.1.2測試程序測量程序應遵循以下步驟:a)用任意方法將樣品材料制成線狀。b)使用熱端將樣品材料線和參考材料線連接起來。d)在第三根線和參考線之間放置一個電壓4.2.2微分法加熱器加熱器散熱器散熱器2:待測溫度4GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2對于均勻的參考線，第二和第四項積分可以合并+αref···············································4.2.2.2測試程序加熱器加熱器銅塊樣品銅塊Vtotal=VIR+α?T····················5GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2···································這就是為何應使用交流電或快速切換直流電測量熱電材料的電阻率。用于測量的典型樣品尺寸為2或(3×3)mm2。測量程序應遵循以下步驟:a)冷卻用于散熱器的銅塊b)將樣品的一端放在散熱器上c)將樣品的另一端連接到加熱器上4.3導熱系數(shù)測量4.3.1總則底的導熱系數(shù)和厚度的乘積。導熱系數(shù)測量值可以反射器反射器 加熱器或薄膜薄膜加熱功率或反射器散熱器輻射基底的薄帶金屬線連接。當角頻率ω的正弦電流加熱應用的樣品時，薄帶金屬6GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2壓振蕩可由2ω的電阻振蕩和ω的勵磁電流得到。最后，導熱系數(shù)的計算如式(11)所示。Vh3為頻率ω1·························微型加熱器微型加熱器微腔圖5瞬態(tài)3ω法測量薄膜材料導熱系數(shù)的MEMS結(jié)構(gòu)4.4測試報告7GB/TXXXXX—XXXX/IEC62830-2絡(WirelessSensorNetworks，WSN)等。能量收集器模塊可以由多種基于熱電或壓電的能量收集器組8GB/T

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