SJ-T 11866-2022 半導(dǎo)體光電子器件 硅襯底白光功率發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

I前言 I引言 12規(guī)范性引用文件 1本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件屬于發(fā)光二極管器件系列標(biāo)準(zhǔn),是GB/T36358—2018半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范下的詳細(xì)規(guī)范。發(fā)光二極管器件系列標(biāo)準(zhǔn)已出版了以下幾個(gè)部分:——GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范;——GB/T12565—1990半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范;——GB/T36358—2018半導(dǎo)體光電子器件一功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范;——SJ/T11400—2009半導(dǎo)體光電子器件T水功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范;請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不子擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口。本文件起草單位:晶能光電(江西)有限公司、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院江西省晶能半導(dǎo)體有限公司、南昌光各光年業(yè)業(yè)研究院有限公司、中節(jié)能晶和科技有限公司、匯西省綠野汽車照明有限公司、深圳市長方集團(tuán)股傷有限公司,惠州雷上光電科技有限公司、長春常達(dá)電子技不有限公司、上海三思電子工程有限公司深圳市洲陰科技股份有限公司、中國光學(xué)光電子協(xié)會(huì),惠州仲愷高新區(qū)LED品牌發(fā)展促進(jìn)會(huì)、中國計(jì)量科學(xué)研究院、汪西通用節(jié)能科技有限公司、昌高新區(qū)光電產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。本文件主度起草人:王微、劉秀娟、江柳楊、涂洪平、封波、尹江濤、王志、要利平、曾平、涂鴻斌、劉志圖、果芳超、洪眉,成森繼、于瓊,向健勇、白瑩杰、的飛龍、陳赤。 1半導(dǎo)體光電子器件硅襯底白光功率發(fā)光二極管詳細(xì)規(guī)范2規(guī)范性引用文件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適阻本文件;不注日期的引用文件,其最新版本括所有的修改單)適用于本GB/T2422.i2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A低溫GB/T24233+-2016電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第3部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)GB/T24284-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第4部分:試當(dāng)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱(12h+12h循環(huán))GB/T242322-2012環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化GB/I2423,28-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)填試驗(yàn)第2部分。試驗(yàn)方法試驗(yàn)錫焊GB/T45891+2006半導(dǎo)體器件一分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4921+2006半將體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法魔1部分:總貝GB/T49b7.21-2018半導(dǎo)體器件一機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分:可焊理GB/T[25651990半導(dǎo)體器件一光電子器件分規(guī)范GB/T36338-2018半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T3703il2半導(dǎo)體照明術(shù)語IEC601912半導(dǎo)體器件機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)第2部分:尺寸(MechanicalstandardiztionofsemiconductorGB/T37031-2018界定的術(shù)語定義適用于最件4要求4.1總則器件外形結(jié)構(gòu)應(yīng)符合附錄A的規(guī)定。器件應(yīng)符合GB/T36358—2018和本文件的規(guī)定,本文件與4.2.1材料21℃2℃3管殼溫度℃4(規(guī)定最長焊接時(shí)間)—s5一5V6管殼溫度為25℃下的直流正向電流(規(guī)定的脈沖條件下)F7管殼溫度為25℃下的峰值正向電流(規(guī)定的脈沖條件下)一8V9W4.3.2光電及色度特性除非另有規(guī)定Tamb=25℃1V2134半強(qiáng)度角05顯色指數(shù)(要求時(shí))K67 834.4環(huán)境適應(yīng)性4.4.1可焊性對(duì)器件進(jìn)行可焊性試驗(yàn)后,其性能參數(shù)應(yīng)滿足表4的要求。4.4.2溫度循環(huán)在高溫125℃保持30min和低溫-40℃保持30min的條件下進(jìn)行100個(gè)周期溫度循環(huán)試驗(yàn)后,其性能參數(shù)應(yīng)滿足表4的要求。4.4.3濕熱循環(huán)在高溫85℃和相對(duì)濕度85%條件下進(jìn)行168h濕熱循環(huán)試驗(yàn)后,其性能參數(shù)應(yīng)滿足表4的要求。4.4.4耐焊接熱4.4.5穩(wěn)態(tài)濕熱4.5電耐久性4.6靜電敏感電壓5檢驗(yàn)方法5.1測(cè)試條件5.1.2加電工作條件5.1.3試驗(yàn)條件和方法a)溫度:18℃~26℃;b)環(huán)境濕度:20%~60%;c)測(cè)試系統(tǒng)接地良好,接地電阻不大于4Ω。按GB/T36358—2018的規(guī)定,對(duì)照附錄A進(jìn)行。5.3光電和色度特性5.3.1正向電壓按SJ/T11394—2009中方法1001進(jìn)行。4器件在-40℃保持30min,然后升溫40min至125℃,在125℃保持30min,后降溫15min至器件分別在55℃和相對(duì)濕度95%條件下進(jìn)5.6電耐久性按GB/T4589.1-2006的3.10.2的規(guī)定,施加規(guī)定的正向電流,5.7靜電敏感電壓56檢驗(yàn)規(guī)則器件的檢驗(yàn)規(guī)則應(yīng)符合GB/T4589.1-2006和本文件的規(guī)定。6.2檢驗(yàn)分類本文件規(guī)定的檢驗(yàn)為質(zhì)量一致性檢驗(yàn)(見6.7)。6.3批的組成6.3.1器件批從器件加工開始,采用同一組原材料、同工藝過程的器件構(gòu)從器件加工開始,采用同一組原材料、同工藝過程的器件構(gòu)成一個(gè)器件批次。每個(gè)器件批次應(yīng)給定一個(gè)能追溯到所有器件加工步驟的識(shí)別代碼6.3.2檢驗(yàn)批6.4抽樣質(zhì)量一致性檢輸?shù)某闃討?yīng)按本文件的67規(guī)定進(jìn)行。當(dāng)提交質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合要求時(shí),應(yīng)進(jìn)行大效分析并確定朱效機(jī)理。如確認(rèn)該失效是可以通過過整批器件重新進(jìn)行A組和B組檢驗(yàn)而有效剔除的缺陷;或者該失政并不反映產(chǎn)品具有基本設(shè)計(jì)或基本生產(chǎn)工藝問題的缺陷,則允許對(duì)該分組采用加嚴(yán)檢驗(yàn)(按雙倍樣品量及合格判定數(shù)為零的方案)的方法重新提交一次。重新提交的批不得與其他的批相溫。如果失效分析表明失效是由于基本工藝程序不良、基本設(shè)計(jì)缺陷或是無法通過篩選剔除的缺陷,則該批不得重新提交6.6質(zhì)量評(píng)是類別按GBT.-2006的2.61尖的規(guī)定,進(jìn)行A組和B組逐批檢驗(yàn)以及上組周期檢驗(yàn)。6.7質(zhì)量一致性檢驗(yàn)每一檢驗(yàn)批的器件在交付前應(yīng)按本文件的規(guī)定進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。質(zhì)量一教性檢驗(yàn)包括A組、組檢驗(yàn)合格的批可以交付在C組檢驗(yàn)不合格的情況下應(yīng)停業(yè)交付待按65規(guī)定對(duì)C組重新檢驗(yàn)合格后方可恢復(fù)交付。6.7.2A組檢驗(yàn)從檢驗(yàn)批中隨機(jī)抽取器件,按表3的規(guī)定進(jìn)行A細(xì)檢驗(yàn)。各分組的測(cè)試可按任意順序進(jìn)行。6.7.3B組檢驗(yàn)從A組檢驗(yàn)合格的檢驗(yàn)批中隨機(jī)抽取器件,按表4的規(guī)定進(jìn)行B組檢驗(yàn)。各分組的測(cè)試可按任意順序進(jìn)行。6表3A組(逐批)除非另有規(guī)定極性顛倒≥1.5USL或≤0.5LSL電特性Vr=5V—顯色指數(shù)(要求時(shí))R電特性k—顯色指數(shù)(要求時(shí))R一7表4B組(逐批)—相關(guān)色溫Vr=5V相關(guān)色溫Vr=5V電耐久性注2:IVD為初始值。8除非另有規(guī)定,最小C1分組(同B1分組)半強(qiáng)度角反向電流正向電歷電耐久性正向電庫反向電流V5注2:IVD為初始值。9保存5年。8.1.1型號(hào)組成硅襯底功率白光LED型號(hào)命名由兩部分組成,其中,第一部分由一位大寫字母X代表器件采用的是是硅襯底LED芯片,第二部分由一位大寫英文字母代表芯片尺寸。圖1器件型號(hào)命名組成8.1.2型號(hào)代號(hào)型號(hào)命名的第二部分的大穿英文字母目FOSKL、M,各自代表的意義見表6。表6器件類型代號(hào)D硅襯底LED芯片的尺寸為30mil86mkE硅襯成ED芯片的尺寸為mil42oilF礎(chǔ)社高LED芯片的尺寸為G對(duì)底LED芯片的尺寸為56mil56milK硅襯底LED芯片的尺寸為63mil63milL硅MX注:1milQ.02mn8.2訂貨資料a)準(zhǔn)確的型號(hào);b)主要光電及色度特性參數(shù),如正向電壓、光通量、相關(guān)色溫、顯色指數(shù)、色品坐標(biāo)。硅襯底白光功率發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)A.1器件結(jié)構(gòu)器件典型外形結(jié)構(gòu)圖見圖A.1。圖A.1外形結(jié)構(gòu)示意圖A.2外形尺寸和標(biāo)志器件典型外形尺寸和標(biāo)志見圖A.2和圖A.3。十圖A.23.5mm×3.5mm規(guī)格外形尺寸和極性標(biāo)志圖A.35.0mm×5.0mm規(guī)格外形尺寸和極性標(biāo)志A.3包裝規(guī)格包裝方式:7英寸卷盤包裝(包裝數(shù)量:1000pcs),載帶尺寸圖見圖A.4、卷盤尺寸圖見圖A.5、防潮包裝圖見圖A.6。帶尺寸圖

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