測試方法前言 I 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 1 1 1 4.1.2等效電容測量方法 24.2電壓變化率測試 4 4 4本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)磊1金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)等效電容和電壓變化率測試方法本文件描述了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)等效電容和電壓變化率的測試方法。本文件適用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過義中的規(guī)槍性引用而構(gòu)成本文件必不可步的備款其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適本文件；不注日期的引用文件，其最新版(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T45894率導(dǎo)體器件。第8部分：場效應(yīng)晶體管GB/T17734998半導(dǎo)體器件分立器機(jī)集成電路第1部分：總則3術(shù)語和走義下列未語和定義適用于本文件在規(guī)定的電壓下，處子截征狀態(tài)的金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOsFEh的結(jié)電容儲存一定的能量，體據(jù)能量相等按電容儲存能量模型計(jì)算出的電容值?；陔姾?時間相等的等效電容effectiveoutputcapacitance,chagerelated(timerelated)在規(guī)定的電壓下，處于械止?fàn)顟B(tài)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體看(MOSFET)的結(jié)電容儲存一定的電荷，依據(jù)電荷相等按電容儲存電荷模型計(jì)算出的電容值。電壓變化率voltageratechange柵極-源極短接，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)品體管(MOSFET)處于截止?fàn)顟B(tài)，所能耐受的漏極-源極電壓變化率的極限。4測試方法4.1等效電容測試圖3電路圖適用于N溝道器件。通過改變儀器、發(fā)生器和電源的極性，則能適用于P溝道器件。GB/T17573—1998給出的操作注意事項(xiàng)和測量發(fā)生程序適用。2測試電路圖和波形如圖1和圖2所示。圖1N溝道MOSFEI等效電容測試電路34根據(jù)電容儲能模型，按公式(1)計(jì)算：可得Coer計(jì)算公式(2):積分時間從t到1?,電流L為電路中監(jiān)測的充電電流，規(guī)定電壓為V?,起始電壓為V。根據(jù)電容儲存電荷模型，按公式(3)Yfld根據(jù)電容儲存電荷模型，按公式(3)Yfld 規(guī)定條件如下——環(huán)境溫度T 時間通常為充電電流后的%以蹄免初始紋波于擾：圖3所示電路圖適用于N溝道器件。通過改變儀器、發(fā)生器和電源的極性，血能適用于P溝道器在規(guī)定的條件下測試金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSHET)能承受的單次電壓變化率dv/di56a)