2020-04-28發(fā)布2020-11-01實(shí)施國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) I 2 2 3 48測(cè)試報(bào)告 5附錄A(資料性附錄)相關(guān)測(cè)試結(jié)果分析示例 6附錄B(規(guī)范性附錄)相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法 8 I1發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引LED模塊LEDmodule一個(gè)或多個(gè)LED芯片或器件組成的發(fā)光單元。熱功率heatpowerPh2a)環(huán)境溫度：15℃~35℃;b)相對(duì)濕度：20%～80%;3數(shù)k;電壓/V電壓/V4時(shí)間/s7.1熱阻熱容模型及結(jié)構(gòu)函數(shù)當(dāng)熱功率施加到LED模塊上，不僅具有熱阻R?h,而且也包含熱容Cm,會(huì)有一個(gè)溫度響應(yīng)時(shí)間T(t)=Pa·Rh·[1-exp(-t/t)]5數(shù)則會(huì)以拐點(diǎn)等形式分割開(kāi)來(lái)。越靠近縱軸代表參見(jiàn)附錄A。7.2不同界面相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試8測(cè)試報(bào)告a)測(cè)試人員；6(資料性附錄)相關(guān)測(cè)試結(jié)果分析示例熱容/(Ws/K)熱容/(Ws/K)最終可以獲得該LED模塊的總熱阻為14.4K/W。7微分熱容/(W2s/K2)微分熱容/(W2s/K2)8(規(guī)范性附錄)相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法采用不同界面相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法，將更加有利于分辨出不同熱特性的變化。根據(jù)公式(2),B(z)=In[b(z)]以中功率LED模塊為例，利用相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試分析有無(wú)導(dǎo)熱硅脂的情況。首先，按第6章對(duì)具有不同接觸界面的LED模塊進(jìn)行瞬態(tài)熱特性測(cè)試。第一次測(cè)量時(shí)可以在冷板和待測(cè)模塊之間不放置任何熱界面材料。第二次測(cè)量在界面處放置一層導(dǎo)熱硅脂，如圖B.1所示。50圖B.1有無(wú)導(dǎo)熱硅脂的LED模塊瞬態(tài)溫度變化曲線9熱阻/(K/W)圖B.2有無(wú)導(dǎo)熱硅脂的LED模塊微分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線圖B.3顯示了有無(wú)導(dǎo)熱硅脂的LED模塊雙界面相對(duì)瞬態(tài)熱特性分析曲線。其中，雙峰分別對(duì)應(yīng)芯片與銅柱之間的粘結(jié)層以及器件與鋁基板之間的界面材料?？梢钥闯鲇袩o(wú)導(dǎo)熱硅脂的LED模塊在相對(duì)熱特性曲線中的第二個(gè)峰的區(qū)域顯示出明顯的差異。無(wú)導(dǎo)熱硅脂有導(dǎo)熱硅脂時(shí)間/s圖B.3有無(wú)導(dǎo)熱硅脂的LED模塊雙界面相對(duì)瞬態(tài)熱特性分析曲線[1]EIA/JESD51-1Integratedcircuitsthermalmeasuremen[2]EIA/JESD51-14Transientdualinterfacetestresistancejunction-to-caseofsemiconductordeviceswithheatflowthroughasinglep[3]JESD51-51Implementationoftheelectricaltestmethodforthemeasurementofrealthemalresistanceandimpedanceoflight-emitting[4]Transientthermalanalysisasmeasurement