【MOOC】半導(dǎo)體物理-電子科技大學(xué)中國大學(xué)慕課MOOC答案第一章半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)與價鍵模型測試題1、【判斷題】晶體是指固體材料中的原子有規(guī)律的周期性排列。本題答案：【正確】2、【判斷題】非晶態(tài)固體材料中的原子在幾個原子的范圍內(nèi)保持著有序性，或稱為短程有序。本題答案：【正確】3、【判斷題】理想晶體由相同的結(jié)構(gòu)單元在空間無限重復(fù)排列而構(gòu)成。本題答案：【正確】4、【判斷題】密勒指數(shù)是描寫布喇菲點陣中晶面方位的一組互質(zhì)的整數(shù)。本題答案：【正確】5、【判斷題】原子最外層的電子稱為芯電子。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】共價鍵是相鄰原子間通過共用自旋方向相同的電子對與原子核間的靜電作用形成的。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】共價鍵成鍵的條件是成鍵原子得失電子的能力差別較大。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】共價鍵的數(shù)目遵從8-N原則。本題答案：【正確】9、【判斷題】半導(dǎo)體中有兩種載流子。本題答案：【正確】10、【判斷題】C、Si、Ge晶體都屬于閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。本題答案：【錯誤】第二章半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)測試題1、【單選題】德布羅意（DeBroglie）波長是普朗克常數(shù)（Planck）和粒子的（）的比值。本題答案：【動量】2、【單選題】海森伯堡?測不準(zhǔn)原理是指對于同一粒子不可能同時確定其（）動量。本題答案：【坐標(biāo)和動量】3、【單選題】量子化能級是（）的能級。本題答案：【分立】4、【單選題】波粒二象性是指微觀粒子有時表現(xiàn)為（），而有時表現(xiàn)為粒子性。本題答案：【波動性】5、【單選題】光照產(chǎn)生的載流子叫（）載流子。本題答案：【光生】6、【單選題】熱激發(fā)產(chǎn)生的載流子叫（）載流子。本題答案：【熱生】7、【單選題】空帶上能量最低的允帶稱為（）。本題答案：【導(dǎo)帶】8、【單選題】價電子所在的允帶稱為（）。本題答案：【價帶】9、【單選題】導(dǎo)帶底與價帶頂之間的能量區(qū)域稱為（）。本題答案：【禁帶】10、【單選題】禁帶寬度是導(dǎo)帶底與價帶頂之間的能量之（）。本題答案：【差】11、【單選題】載流子躍遷前后在（）所對應(yīng)的波數(shù)(ke)與價帶頂所對應(yīng)波數(shù)(kh)相同的能隙類型稱為直接能隙，相應(yīng)的半導(dǎo)體稱為直接能隙半導(dǎo)體。本題答案：【導(dǎo)帶底】12、【單選題】載流子躍遷前后在（）所對應(yīng)的波數(shù)(ke)的位置與價帶頂所對應(yīng)波數(shù)(kh)不同的能隙類型稱為間接能隙，相應(yīng)的半導(dǎo)體稱為間接能隙半導(dǎo)體。本題答案：【導(dǎo)帶底】"半導(dǎo)體中的載流子的定性描述”測試題1、【單選題】在純Si中摻入下列（）元素，Si將變?yōu)閚型半導(dǎo)體。本題答案：【As】2、【單選題】在純Ge中摻入下列（）元素，Ge將變?yōu)閜型半導(dǎo)體。本題答案：【In】3、【單選題】某Si半導(dǎo)體摻有2×10^17cm^-3的硼原子以及3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半導(dǎo)體主要是（）導(dǎo)電。本題答案：【空穴】4、【單選題】對應(yīng)于n型半導(dǎo)體，電子為（）本題答案：【多子】5、【單選題】Si材料的主要復(fù)合機(jī)制是（）本題答案：【間接復(fù)合】6、【單選題】對應(yīng)于直接能隙半導(dǎo)體，禁帶寬度越寬，發(fā)光波長越（）本題答案：【短】7、【單選題】對應(yīng)于p型半導(dǎo)體，平衡狀態(tài)時，多子、少子和本征載流子之間相互關(guān)系為（）本題答案：【】8、【單選題】受主雜質(zhì)在半導(dǎo)體中電離之后帶（）。本題答案：【負(fù)電】9、【多選題】施主雜質(zhì)能級的作用包括以下（）本題答案：【提供導(dǎo)帶電子#散射中心】10、【多選題】根據(jù)摻入的雜質(zhì)類型以及數(shù)量，半導(dǎo)體可分為（）本題答案：【n型半導(dǎo)體#p型半導(dǎo)體#高度補(bǔ)償半導(dǎo)體】11、【多選題】下面（）過程屬于間接復(fù)合的微觀過程本題答案：【發(fā)射電子#俘獲空穴】12、【多選題】對應(yīng)于p-Si半導(dǎo)體，室溫時，空穴的來源包括（）本題答案：【摻入p型雜質(zhì)#本征激發(fā)】13、【多選題】室溫下，施主濃度高于受主濃度的非簡并半導(dǎo)體是（）半導(dǎo)體。本題答案：【N型#補(bǔ)償】“第四章半導(dǎo)體載流子的定量統(tǒng)計描述”測試題1、【單選題】室溫下，n-Si中的電子濃度為空穴濃度的10000倍，則其費米能級位于（）。本題答案：【禁帶中線之上】2、【單選題】室溫下，非簡并Si中的電子濃度等于空穴濃度，則其費米能級位于（）。本題答案：【禁帶中線附近】3、【單選題】室溫下，p-Si的受主濃度為施主濃度的1.5倍，則其空穴濃度為（）。本題答案：【施主濃度的1倍】4、【單選題】n-Si的電子濃度為空穴濃度的10000倍，則其本征載流子濃度為空穴濃度的（）倍。本題答案：【100】5、【單選題】小注入下，直接復(fù)合的載流子的壽命與（）成反比。本題答案：【平衡多子濃度】6、【判斷題】最有效的復(fù)合中心在費米能級附近。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】位于費米能級附近的雜質(zhì)能級是有效的陷阱能級。本題答案：【正確】8、【判斷題】大注入下，直接復(fù)合的載流子的壽命與非平衡載流子濃度成反比。本題答案：【正確】9、【判斷題】間接復(fù)合的載流子的壽命與平衡載流子濃度成反比。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】小注入下，當(dāng)關(guān)閉光照的時間為非平衡載流子濃度壽命的2倍時，非平衡載流子濃度為光關(guān)閉時的濃度的一半。本題答案：【錯誤】“第五章三維半導(dǎo)體中載流子的電輸運”測試題1、【單選題】電子的漂移電流的方向，與()相同。本題答案：【電場方向】2、【單選題】對于工作在強(qiáng)電場下（達(dá)到速度飽和）的本征半導(dǎo)體，決定其遷移率的主要的散射機(jī)制是（）。本題答案：【光學(xué)波聲子散射】3、【單選題】下列關(guān)于硅的電子電導(dǎo)率的描述正確的是（）。本題答案：【室溫下，同一塊本征硅的電子電導(dǎo)率比空穴電導(dǎo)率大】4、【單選題】已知僅摻雜磷的n型硅樣品，且其室溫時的電阻率為，則其摻雜濃度最可能為()。本題答案：【】5、【單選題】室溫下，某半導(dǎo)體的本征載流子濃度為,摻雜濃度為，電子和空穴的遷移率分別為和。若外加電場強(qiáng)度為，則其漂移電流密度為（）。本題答案：【】6、【單選題】對于某均勻摻雜的半導(dǎo)體，若當(dāng)體內(nèi)某處電場與濃度梯度的方向相同時，多子漂移電流密度與多子擴(kuò)散電流密度方向相反，則該半導(dǎo)體的摻雜類型為（）。本題答案：【P型】7、【單選題】對于中等摻雜的某半導(dǎo)體樣品，T=200K時，其空穴擴(kuò)散系數(shù)為，則空穴遷移率大約為（）。本題答案：【】8、【單選題】下列情形中，室溫下擴(kuò)散系數(shù)最小的為()。本題答案：【含硼、磷的硅】9、【單選題】根據(jù)散射概率的定義，設(shè)有個電子以速度沿某方向運動，表示在時刻尚未遭到散射的電子數(shù)，則在時間內(nèi)被散射的電子數(shù)為()。本題答案：【】10、【單選題】電子遷移率通常高于空穴遷移率，這是由于電子電導(dǎo)有效質(zhì)量（）空穴電導(dǎo)有效質(zhì)量。本題答案：【小于】11、【多選題】半導(dǎo)體中載流子的電輸運包括（）。本題答案：【漂移#擴(kuò)散】12、【多選題】決定半導(dǎo)體的載流子遷移率的因素有（）。本題答案：【電導(dǎo)有效質(zhì)量#溫度】13、【多選題】在某溫度范圍內(nèi)，一定摻雜的硅的電阻率隨溫度升高而增大，涉及的物理機(jī)理有（）。本題答案：【晶格散射為主#雜質(zhì)完全電離】14、【多選題】假設(shè)其它條件不變，可以通過（）降低半導(dǎo)體材料的電阻率。本題答案：【提高摻雜濃度#采用遷移率高的半導(dǎo)體材料#采用禁帶寬度窄的半導(dǎo)體材料】15、【多選題】連續(xù)性方程所描述的物理現(xiàn)象包括（）。本題答案：【載流子的漂移、擴(kuò)散#載流子的復(fù)合#載流子的產(chǎn)生】第六章金屬半導(dǎo)體的接觸測試題1、【單選題】考慮鏡像力后，金屬半導(dǎo)體接觸的勢壘高度將()本題答案：【降低】2、【單選題】已知某種金屬與p型硅半導(dǎo)體接觸時形成阻擋層，且金屬一側(cè)的勢壘高度比半導(dǎo)體一側(cè)的高k0T，則該p型半導(dǎo)體為()半導(dǎo)體。本題答案：【弱簡并】3、【單選題】金屬與N型半導(dǎo)體形成阻擋層，滿足（）本題答案：【W(wǎng)mWs】4、【單選題】半導(dǎo)體的功函數(shù)定義為真空能級E0和（）之差本題答案：【費米能級】5、【單選題】肖特基勢壘二極管是一種（）載流子器件本題答案：【多子】6、【單選題】金屬和N型半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢壘，若外加正壓于金屬，隨電壓增加，則半導(dǎo)體表面電子勢壘高度將（）本題答案：【減小】7、【單選題】由某金屬和n-Si（ND=5x10^16cm-3）組成的Schottky二極管的J-V特性如圖所示，已知理查遜常數(shù)A*=252(A/cm2k2),Nc=10^19cm-3,χ(Si)=4.0eV,在J=4.72A/cm2時半導(dǎo)體需要施加的偏壓為（）本題答案：【0.5V】8、【單選題】在磷摻雜濃度為2×1016cm-3的硅襯底（功函數(shù)約為4.25eV）上要做出歐姆接觸，下面四種金屬最適合的是（A在磷摻雜濃度為2×1016cm-3的硅襯底（功函數(shù)約為4.25eV）上要做出歐姆接觸，下面四種金屬最適合的是（A在磷摻雜濃度為2e16cm-3的硅襯底（功函數(shù)約為4.25eV）上要做出歐姆接觸，下面四種金屬最適合的是（）本題答案：【In(Wm=3.8eV)】9、【單選題】金屬和N型半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢壘，若外加正壓于金屬，隨電壓增加，空間電荷區(qū)寬度將（）本題答案：【減小】10、【單選題】N型半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘二極管，其正向電流是（）。本題答案：【半導(dǎo)體的多子流向金屬形成，方向從金屬指向半導(dǎo)體】11、【單選題】隧道效應(yīng)引起肖特基勢壘高度的變化量隨（）的增加而增大本題答案：【反偏電壓絕對值的增加而增大】12、【單選題】金屬與N型半導(dǎo)體形成的整流接觸，擴(kuò)散理論適用于（）半導(dǎo)體本題答案：【勢壘區(qū)寬度遠(yuǎn)大于電子的平均自由程】13、【單選題】金屬與N型半導(dǎo)體形成的整流接觸，熱電子發(fā)射理論適用于（）半導(dǎo)體本題答案：【勢壘區(qū)寬度遠(yuǎn)小于電子的平均自由程】14、【多選題】歐姆接觸有哪些實現(xiàn)的方式（）本題答案：【選擇適當(dāng)?shù)慕饘?，形成反阻擋?半導(dǎo)體表面高摻雜，利用隧道效應(yīng)原理制備歐姆接觸#半導(dǎo)體表面通過磨砂處理，形成大量的復(fù)合中心】15、【多選題】硅肖特基二極管的特點（）本題答案：【開關(guān)速度快#反向泄漏電流較PN結(jié)二極管大#不存在少子存儲效應(yīng)】第七章半導(dǎo)體表面效應(yīng)和MIS結(jié)構(gòu)測試題1、【單選題】對于非理想的MIS結(jié)構(gòu)，當(dāng)半導(dǎo)體功函數(shù)小于金屬功函數(shù)時，引起平帶電壓為（）；當(dāng)絕緣層中存在負(fù)電荷時，若電荷密度（），或者電荷分布越（）金屬一側(cè)，平帶電壓的絕對值越大。H、負(fù)值，越小，遠(yuǎn)離本題答案：【負(fù)值，越大，遠(yuǎn)離】2、【單選題】P型半導(dǎo)體構(gòu)成的MIS結(jié)構(gòu)，若，假定絕緣層中無電荷且不存在界面態(tài)時，則其平帶電壓()。本題答案：【】3、【單選題】在MIS結(jié)構(gòu)的金屬柵極和半導(dǎo)體上加一變化的電壓，在柵極電壓由負(fù)值增加到足夠大的正值的的過程中，如半導(dǎo)體為P型，則在半導(dǎo)體的接觸面上依次出現(xiàn)的狀態(tài)為()。本題答案：【多數(shù)載流子堆積狀態(tài)，多數(shù)載流子耗盡狀態(tài)，少數(shù)載流子反型狀態(tài)】4、【單選題】MOS器件絕緣層中的可動電荷是（）本題答案：【鈉離子】5、【單選題】設(shè)在金屬與n型半導(dǎo)體之間加一電壓，且接高電位，金屬接低電位，使半導(dǎo)體表面層內(nèi)出現(xiàn)耗盡狀態(tài)。若表面勢；外加電壓為,施主濃度，則耗盡層厚度約為（）。本題答案：【】6、【單選題】MIS結(jié)構(gòu)的表面發(fā)生強(qiáng)反型時，其表面的導(dǎo)電類型與體材料的（），若增加摻雜濃度，其開啟電壓將（）。本題答案：【不同/增加】7、【單選題】對n型襯底MIS結(jié)構(gòu)而言，當(dāng)絕緣層中存在正電荷時，其高頻C-V特性曲線將()。本題答案：【向負(fù)偏壓方向平行移動】8、【單選題】半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型以后，隨外加電壓的增加，耗盡層寬度()。本題答案：【不變】9、【單選題】如圖所示為Al/SiO2/Si組成的MOS結(jié)構(gòu)實驗測得的高頻C-V曲線，和理想C-V曲線比較，實驗曲線沿電壓軸平移了-1.6V，則該半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型為()。本題答案：【n型】10、【單選題】一個理想的MOS電容器，p型Si襯底的摻雜濃度為。當(dāng)氧化層厚度為時，閾值電壓為，則當(dāng)氧化層厚度為時的閾值電壓為()。本題答案：【】11、【單選題】下圖是理想MOS電容在室溫下的能帶圖，其中施加一個柵極偏壓使得能帶彎曲，且在Si-SiO2界面處半導(dǎo)體的費米能級與本征費米能級重合。已知Si的禁帶寬度為1.18eV，電子親合勢為4.0eV，導(dǎo)帶底有效狀態(tài)密度為，則Si-SiO2界面處的電子濃度為()。本題答案：【】12、【多選題】理想結(jié)構(gòu)必須滿足的條件有（）本題答案：【金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)差為零#絕緣層內(nèi)沒有任何電荷且絕緣層完全不導(dǎo)電#絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在任何界面態(tài)】13、【多選題】當(dāng)在理想MIS結(jié)構(gòu)上外加電壓時，可能發(fā)生的狀態(tài)有()本題答案：【多子積累#多子耗盡#少子反型】14、【多選題】由硅半導(dǎo)體構(gòu)成的某理想MOS結(jié)構(gòu)上外加電壓時，已知在絕緣層與硅界面處存在超過體內(nèi)多子濃度的空穴濃度，則可能的原因有（）。本題答案：【n型半導(dǎo)