一.選擇題（本題共5小題，每小題2分，共10分下列對(duì)稱要素組合不正確的是（A D．L2℃L3→L3 下列對(duì)稱關(guān)系哪種不正確(D C．L6L3L3 D．L4L4 點(diǎn)缺陷是熱力學(xué) 缺陷，而位錯(cuò)是熱力學(xué) 缺陷（B B．穩(wěn)定，不穩(wěn)定 a≠b≠c、α＝β＝γ=90°的晶體屬于什么晶族和晶系（C） B．中級(jí)晶族，四方晶系 由晶面（121）與（100）所決定的晶帶軸指數(shù)為（

二．填空題（本題共14小題，除第3、5小題為2分外，每空140分材料科學(xué)基礎(chǔ)的研究?jī)?nèi)容是：結(jié)構(gòu)與性的關(guān)系復(fù)合材料。根據(jù)材料特性和用途常又可分為：結(jié)構(gòu)材料和功能材料。根據(jù)晶體中高次軸的存在及數(shù)目將晶體劃分為高級(jí)晶族、中級(jí)晶族和低級(jí)晶族3個(gè)晶族，據(jù)旋轉(zhuǎn)軸和旋轉(zhuǎn)反伸軸的軸次和數(shù)目把晶體分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、六方晶系、正交晶系、單任斜晶系、三斜晶系7個(gè)晶系。請(qǐng)寫出在立方晶系中{111}固溶體據(jù)外來組元位置不同可分為置換固溶體和間隙固溶體兩種非晶態(tài)固體的結(jié)構(gòu)具有近程有序和遠(yuǎn)程無序特點(diǎn)Na2O·Al2O3·2SiO2中，網(wǎng)絡(luò)形成體：SiO2，網(wǎng)絡(luò)中間體：Al2O3，網(wǎng)絡(luò)變性體：Na2O。網(wǎng)絡(luò)變性體增加，橋氧下降，玻璃粘高分子材料相對(duì)分子質(zhì)量愈大，機(jī)械強(qiáng)度愈大，粘度增加，加工成型愈困鏈段長(zhǎng)度越大，柔順性就愈高聚物結(jié)晶晶胞的特點(diǎn)：一條分子鏈可以穿過幾個(gè)晶胞。晶體中缺陷有點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷這三種類型常通過淬火、輻照和塑性變形這三種方法產(chǎn)生過飽和點(diǎn)缺陷垂直于滑移面排列，異號(hào)的將束縛于450線上?？麓苟鷼鈭F(tuán)會(huì)阻礙位攜帶它們的位錯(cuò)相同，大小取決于與之相交的另一位錯(cuò)的柏氏矢量。三．簡(jiǎn)答題（本題共7小題，每小題6分，共42分（102BCC晶體結(jié)構(gòu)的圓柱體受到軸拉伸作用，作用力方向?yàn)閇421]τc0.4MPa25mm2。求最先滑移的滑移系；（2）P。BCC答：（1）BCC

P213213cosλ[421][111] cos?[421][101]41 2121

τcA

4

6347 答：高嶺石屬單網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，上層是鋁氧羥基八面體[AlO2(OH)4]5-是硅氧四面體[SiO4]4-，活性氧向上，每個(gè)活性氧連1個(gè)[SiO4]和2[AlO2(OH)4]或連1個(gè)H+和2個(gè)[AlO2(OH)4]若面心立方晶體中有ba[101的全位錯(cuò)和ba[121 答：（1） b

a

a

2ab

2ab∴合成位錯(cuò)的柏氏矢量為a[111在下圖所示的立方體形晶體中，ABCD滑移面上有一個(gè)位錯(cuò)環(huán)，其柏氏矢量b平行于BA（1）（2）指出使（1A—左螺旋位錯(cuò)，D—沿BA方向與b滑移面下部相對(duì)上部產(chǎn)生與b相同的滑移，側(cè)表面形成相應(yīng)臺(tái)階，臺(tái)階大小等于b大小。 Fe-C（ω=0.4%）Fe-C（ω=0.4%）-Si（ω=3.8%）焊接在一起，答：如左圖A、B分別是焊接處兩邊無Si、有Si開始時(shí)，A點(diǎn)沒有Si，CB點(diǎn)有硅，C的活度高，B點(diǎn)的C向A點(diǎn)擴(kuò)散，A點(diǎn)C濃度升高，B點(diǎn)C濃度下（2分）B點(diǎn)的硅也向A點(diǎn)擴(kuò)散，同時(shí)引起A點(diǎn)CB點(diǎn)C活度降低，過一段時(shí)間，A點(diǎn)C濃度達(dá)最大值，B點(diǎn)C（2分）隨時(shí)間進(jìn)一步推移，A點(diǎn)C活度大于BC由A點(diǎn)向點(diǎn)擴(kuò)散，最后擴(kuò)散達(dá)到平衡，A、B兩點(diǎn)的Si和C的濃度相等，不再（2分）四．計(jì)算題：（8分20927℃1.10%并保0.5