…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè)，總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，總=sectionpages11頁(yè)2025年粵教滬科版選修3化學(xué)上冊(cè)月考試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、在對(duì)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述中；確定一個(gè)“軌道”應(yīng)選擇以下四項(xiàng)中的（）

①能層②能級(jí)③電子云的伸展方向④電子的自旋狀態(tài)A.①②③④B.①②③C.①②D.①2、下列說(shuō)法正確的是()A.s能級(jí)的能量總是小于p能級(jí)的能量B.2s的電子云比1s的電子云大，說(shuō)明2s的電子云中的電子比1s的多C.當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，電子總是先占滿1個(gè)軌道，然后再占據(jù)其他原子軌道D.nf能級(jí)中最多可容納14個(gè)電子3、下列氮元素化學(xué)用語(yǔ)正確的是A.氮分子的電子式：B.氮原子電子排布式：lS22S22p5C.氮分子的結(jié)構(gòu)式：D.氮原子最外層軌道表示式：4、具有下列電子層結(jié)構(gòu)或性質(zhì)的原子：①2p軌道上有2對(duì)成對(duì)電子的原子；②外圍電子構(gòu)型為2s22p3的原子；③短周期第一電離能最?。虎艿谌芷陔x子半徑最小。則下列有關(guān)比較中正確的是（）A.第一電離能：②＞③＞①＞④B.原子半徑：④＞③＞②＞①C.電負(fù)性：①＞②＞④＞③D.最高正化合價(jià)：②＞③＞①＞④5、下列說(shuō)法中不正確的是（）A.N2O與CO2、CCl3F與CC12F2互為等電子體B.CCl2F2無(wú)同分異構(gòu)體，說(shuō)明其中碳原子采用sp3方式雜化C.H2CO3與H3PO4的非羥基氧原子數(shù)均為1,二者的酸性（強(qiáng)度）非常相近D.由IA族和VIA族元素形成的原子個(gè)數(shù)比為1:1、電子總數(shù)為38的化合物，是含有共價(jià)鍵的離子化合物6、下列粒子的中心原子形成sp3雜化軌道且該粒子的空間構(gòu)型為三角錐形的是（）A.SO42-B.CH3-C.ClO2-D.[PCl4]+7、設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是A.17g-OH中含有的電子數(shù)為10NAB.25°C時(shí)，Ksp(BaSO4)=1×10-10，則BaSO4飽和溶液中Ba2+數(shù)目為1×10-5NAC.1L1mol?L-1CH3COONH4溶液中CH3COO-與NH4+數(shù)目均為NAD.含0.5mol晶胞(下圖)的Cu2O晶體中Cu2+的數(shù)目為2NA

評(píng)卷人得分二、填空題(共8題，共16分)8、現(xiàn)有①BaCl2②金剛石③KOH④H2SO4⑤干冰⑥碘片⑦晶體硅⑧金屬銅八種物質(zhì)；按下列要求回答：（填序號(hào)）

（1）熔化時(shí)不需要破壞化學(xué)鍵的是________，熔化時(shí)需要破壞共價(jià)鍵的是________，熔點(diǎn)最高的是________，熔點(diǎn)最低的是________。

（2）屬于離子化合物的是________，只有離子鍵的物質(zhì)是________，晶體以分子間作用力結(jié)合的是________。

（3）請(qǐng)寫出③的電子式______，⑤的電子式______。9、氮元素可以形成多種化合物．請(qǐng)回答以下問(wèn)題：

⑴基態(tài)氮原子的價(jià)電子排布式是____________。

⑵肼(N2H4）分子可視為NH3分子中的一個(gè)氫原子被—NH2(氨基)取代形成的另一種氮的氫化物．

①請(qǐng)用價(jià)電子層對(duì)互斥理論推測(cè)NH3分子的空間構(gòu)型是__________________，其中H—N—H的鍵角為_(kāi)__________________，請(qǐng)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論解釋其鍵角小于109°28′的原因：_______。

②肼可用作火箭燃料；燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是：

N2O4(l)+2N2H4(l)═3N2(g)+4H2O(g)△H=－1038.7kJ·mol﹣1

若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂，則形成π鍵的數(shù)目為_(kāi)_________。

⑶比較氮的簡(jiǎn)單氫化物與同族第三、四周期元素所形成氫化物的沸點(diǎn)高低并說(shuō)明理由___________________________________________。10、以Fe和BN為原料合成的鐵氮化合物在光電子器材領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

（1）基態(tài)Fe原子核外電子排布式為_(kāi)__。

（2）硼在室溫下與F2反應(yīng)生成BF3，BF3的空間構(gòu)型為_(kāi)_。寫出一種與BF3互為等電子體的陰離子：___。

（3）以氨硼烷（NH3BH3）為原料可以獲得BN。氨硼烷的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_（配位鍵用“→”表示），氨硼烷能溶于水，其主要原因是__。

（4）如圖為Fe與N所形成的一種化合物的基本結(jié)構(gòu)單元，該化合物的化學(xué)式為_(kāi)_。

11、（1）可用作食鹽的抗結(jié)劑，高溫下會(huì)分解生成KCN、C、C等物質(zhì)，上述物質(zhì)中涉及的幾種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____；中，鐵原子不是采用雜化的理由是______。

（2）氣態(tài)為單分子時(shí)，分子中S原子的雜化軌道類型為_(kāi)_____，分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____；的三聚體環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，該結(jié)構(gòu)中鍵長(zhǎng)有a、b兩類，b的鍵長(zhǎng)大于a的鍵長(zhǎng)的可能原因?yàn)開(kāi)_____。

（3）已知：多原子分子中，若原子都在同一平面上且這些原子有相互平行的p軌道，則p電子可在多個(gè)原子間運(yùn)動(dòng)，形成“離域鍵”或大鍵大鍵可用表示，其中m、n分別代表參與形成大鍵的電子數(shù)和原子個(gè)數(shù)，如苯分子中大鍵表示為

①下列微粒中存在“離域鍵”的是______；

A.

②分子中大鍵可以表示為_(kāi)_____；

（4）鐵、鉀兩種單質(zhì)的堆積方式剖面圖分別如圖2、圖3所示。鐵晶體中原子的空間利用率為_(kāi)_____用含的式子表示12、鎳及其化合物是重要的合金材料和催化劑。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)鎳原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)__________，排布時(shí)最高能層的電子所占的原子軌道有__________個(gè)伸展方向。

（2）鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+等。下列說(shuō)法不正確的有_________。

A．CO與CN-互為等電子體；其中CO分子內(nèi)σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)之比為1:2

B．NH3的空間構(gòu)型為平面三角形。

C．Ni2+在形成配合物時(shí)；其配位數(shù)可能為是4或6

D．Ni(CO)4中，鎳元素是sp3雜化。

（3）丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni2+：在稀氨水中，丁二酮肟與Ni2+反應(yīng)生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖所示。該結(jié)構(gòu)中，除共價(jià)鍵外還存在配位鍵和氫鍵，請(qǐng)?jiān)趫D中用“???”表示出氫鍵。_____

（4）NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉的相同；相關(guān)離子半徑如下表：

NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為_(kāi)______，NiO熔點(diǎn)比NaCl高的原因是_______________________。

（5）研究發(fā)現(xiàn)鑭鎳合金LaNix是一種良好的儲(chǔ)氫材料。合金LaNix晶體屬六方晶系如圖a所示，其晶胞如圖a中實(shí)線所示，如圖b所示（其中小圓圈代表La，小黑點(diǎn)代表Ni）。儲(chǔ)氫位置有兩種，分別是八面體空隙（“”）和四面體空隙（“”），見(jiàn)圖c、d，這些就是氫原子存儲(chǔ)處。

①LaNix合金中x的值為_(kāi)____；

②LaNix晶胞的密度是________g/cm-3（阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示，LaNix的摩爾質(zhì)量用M表示）

③晶胞中和“”同類的八面體空隙有______個(gè)。13、（1）立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成，其硬度僅次于金剛石而遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它材料，因此它與金剛石統(tǒng)稱為超硬材料。BN的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其中B原子的雜化方式為_(kāi)_________，微粒間存在的作用力是__________。

（2）用“＞”；“＜”或“＝”填寫下列空格：

①沸點(diǎn)：H2S_______H2O②酸性：H2SO4_______H2SeO4

③原子的核外電子排布中，未成對(duì)電子數(shù)：24Cr_______25Mn

④A、B元素的電子構(gòu)型分別為ns2np3、ns2np4，第一電離能：A________B

（3）SiO2晶體結(jié)構(gòu)片斷如下圖所示。SiO2晶體中：

Si原子數(shù)目和Si－O鍵數(shù)目的比例為_(kāi)____________。

通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能?；瘜W(xué)鍵Si－OSi－SiO＝O鍵能/KJ·mol－1460176498

Si（s)＋O2（g)SiO2（s)，該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=___________14、已知NaCl、MgCl2、AlCl3、Al2O3晶體的熔點(diǎn)依次為801℃、714℃、190℃、2000℃，其中屬于分子晶體的一種晶體應(yīng)是________，它不適宜用作金屬冶煉的電解原料。工業(yè)上這種金屬的冶煉過(guò)程必須使用一種助熔劑___________。15、回答下列問(wèn)題：

(l)離子化合物中陰陽(yáng)離子半徑之比是決定晶體構(gòu)型的重要因素之一；配位數(shù)與離子半徑之比存在如下關(guān)系：

若某化合物由+1價(jià)陽(yáng)離子和-1價(jià)陰離子組成，陽(yáng)離子的半徑為70pm，陰離子的半徑為140pm，分析以上信息，可以推導(dǎo)出該晶體結(jié)構(gòu)，與常見(jiàn)的_______晶體(填寫化學(xué)式)陰陽(yáng)離子的配位數(shù)相同。與陰(陽(yáng))離子配位的這幾個(gè)陽(yáng)(陰)離子，在空間構(gòu)成的立體形狀為_(kāi)______。

(2)金剛石的晶胞為面心立方；另有四碳原子在晶胞內(nèi)部，如圖。

則一個(gè)金剛石的晶胞中含有的碳原子數(shù)為_(kāi)______，若金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為a，則其中C—C的鍵長(zhǎng)為_(kāi)______。評(píng)卷人得分三、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共2分)16、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案將這兩種配合物區(qū)別開(kāi)來(lái)_____________________________。評(píng)卷人得分四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共1題，共3分)17、（1）基態(tài)Fe原子的簡(jiǎn)化電子排布式為_(kāi)_____________________。

（2）常溫下，F(xiàn)e(CO)5為黃色液體，易溶于非極性溶劑。寫出CO的電子式______________；Fe(CO)5分子中σ鍵與π鍵之比為_(kāi)_____________。

（3）Ni能與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Ni(SCN)2。Ni(SCN)2中第一電離能最大的元素是_____________；(SCN)2分子中硫原子的雜化方式是_____________；

（4）硝酸銅溶于氨水形成[Cu(NH3)4](NO3)2的深藍(lán)色溶液。

①[Cu(NH3)4](NO3)2中陰離子的立體構(gòu)型是_________________。

②與NH3互為等電子體的一種陰離子為_(kāi)____________（填化學(xué)式）；氨氣在一定的壓強(qiáng)下，測(cè)得的密度比該壓強(qiáng)下理論密度略大，請(qǐng)解釋原因__________。

（5）金屬晶體可看成金屬原子在三維空間中堆積而成，單質(zhì)鋁中鋁原子采用銅型模式堆積，原子空間利用率為74%，則鋁原子的配位數(shù)為_(kāi)_______________。

（6）鐵和硫形成的某種晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，晶胞參數(shù)a＝xpm，則該物質(zhì)的化學(xué)式為_(kāi)__________________；A原子距離B原子所在立方體側(cè)面的最短距離為_(kāi)_______________pm（用x表示）；該晶胞的密度為_(kāi)___________g·cm-3。（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）

評(píng)卷人得分五、原理綜合題(共1題，共9分)18、碳族元素包括：C、Si、Ge、Sn、Pb。

(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成，其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，每個(gè)碳原子通過(guò)____雜化與周圍碳原子成鍵，多層碳納米管的層與層之間靠____結(jié)合在一起。

(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C，SiH4中共用電子對(duì)偏向H，則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開(kāi)___。

(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn—Br的鍵角___120°（填“＞”“＜”或“＝”）。

(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是：Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba2+處于晶胞中心，O2-處于晶胞棱邊中心，該化合物化學(xué)式為_(kāi)______，每個(gè)Ba2+與____個(gè)O2-配位。評(píng)卷人得分六、有機(jī)推斷題(共4題，共16分)19、Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素；Y原子的價(jià)電子(外圍電子)排布為msnmpn；②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；③Q；X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4.請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)Z2＋的核外電子排布式是________。

(2)在[Z(NH3)4]2＋離子中，Z2＋的空軌道接受NH3分子提供的________形成配位鍵。

(3)Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲；乙；下列判斷正確的是________。

a．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲>乙。

b．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲<乙。

c．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲<乙。

d．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲>乙。

(4)Q；R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)開(kāi)_______(用元素符號(hào)作答)。

(5)Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26；其中分子中的σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為_(kāi)_______，其中心原子的雜化類型是________。

(6)若電子由3d能級(jí)躍遷至4p能級(jí)時(shí)，可通過(guò)光譜儀直接攝取________。A．電子的運(yùn)動(dòng)軌跡圖像B．原子的吸收光譜C．電子體積大小的圖像D．原子的發(fā)射光譜(7)某元素原子的價(jià)電子構(gòu)型為3d54s1，該元素屬于________區(qū)元素，元素符號(hào)是________。20、已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子，Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。X跟Y可形成化合物X2Y3；Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為_(kāi)_________，該元素的符號(hào)是__________。X與同周期鹵族元素的第一電離能比較，較大的是____________________(填元素符號(hào))。

(2)Y元素原子的價(jià)層電子的電子排布圖為_(kāi)_______，該元素的名稱是__________。

(3)X與Z可形成化合物XZ3，XZ3分子的VSEPR模型為_(kāi)___________________。

(4)已知化合物X2Y3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為XZ3，產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________________。

(5)XY43-的空間構(gòu)型為_(kāi)_________，與其互為等電子體的一種分子__________。

(6)X的某氧化物的分子結(jié)構(gòu)如圖所示。

該化合物的化學(xué)式為_(kāi)__________，X原子采取___________雜化。21、W；X、Y、Z四種元素的原子序數(shù)依次增大。其中Y原子的L電子層中；成對(duì)電子與未成對(duì)電子占據(jù)的軌道數(shù)相等，且無(wú)空軌道；X原子的L電子層中未成對(duì)電子數(shù)與Y相同，但還有空軌道；W、Z的原子序數(shù)相差10，且Z原子的第一電離能在同周期中最低。

(1)寫出下列元素的元素符號(hào)：W____，X____，Y____，Z____。

(2)XY分子中，X原子與Y原子都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則XY分子中X和Y原子用于成鍵的電子數(shù)目分別是____；根據(jù)電子云重疊方式的不同，分子里共價(jià)鍵的主要類型有____。

(3)XY2與ZYW反應(yīng)時(shí)，通過(guò)控制反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比，可以得到不同的產(chǎn)物，相同條件下，在水中溶解度較小的產(chǎn)物是________(寫化學(xué)式)。

(4)寫出Z2Y2的電子式：____________。22、原子序數(shù)依次增大的X；Y、Z、Q、E五種元素中；X元素原子核外有三種不同的能級(jí)且各個(gè)能級(jí)所填充的電子數(shù)相同，Z是地殼內(nèi)含量（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）最高的元素，Q原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子，E元素原子序數(shù)為29。

用元素符號(hào)或化學(xué)式回答下列問(wèn)題：

(1)Y在周期表中的位置為_(kāi)_________________。

(2)已知YZ2+與XO2互為等電子體，則1molYZ2+中含有π鍵數(shù)目為_(kāi)__________。

(3)X、Z與氫元素可形成化合物XH2Z，XH2Z分子中X的雜化方式為_(kāi)________________。

(4)E原子的核外電子排布式為_(kāi)_________；E有可變價(jià)態(tài)，它的某價(jià)態(tài)的離子與Z的陰離子形成晶體的晶胞如圖所示，該價(jià)態(tài)的化學(xué)式為_(kāi)___________。

(5)氧元素和鈉元素能夠形成化合物F，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（立方體晶胞），晶體的密度為ρg··cm-3，列式計(jì)算晶胞的邊長(zhǎng)為a=______________cm（要求列代數(shù)式）。參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、B【分析】【詳解】

在對(duì)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述中；確定一個(gè)“軌道”的方面包括：①能層，即電子層；②能級(jí)，即電子亞層；③電子云的伸展方向，①②③三個(gè)方面對(duì)電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)確定一個(gè)“軌道”，④電子的自旋狀態(tài)，與電子運(yùn)動(dòng)軌道無(wú)關(guān)，描述的是電子自旋的方向，故答案為B。

【點(diǎn)睛】

決定核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的四個(gè)量：①主量子數(shù)(n)-描述各電子層能量的高低和離核的遠(yuǎn)近；②副(角)量子數(shù)(l)-描述同一電子層內(nèi)還存在著能量差別很小的若干個(gè)亞層；③磁量子數(shù)(m)-用來(lái)描述原子軌道或電子云在空間的伸展方向；④自旋量子數(shù)(ms)：描述電子自旋的方向，與電子運(yùn)動(dòng)軌道無(wú)關(guān)。2、D【分析】【詳解】

A．各能級(jí)能量由低到高的順序?yàn)?s＜2s＜2p＜3s＜3p＜4s＜3d＜4p＜5s＜4d＜5p＜6s＜4f；可見(jiàn)同一能層中s能級(jí)的能量小于p能級(jí)的能量，不同能層中s能級(jí)的能量不一定小于p能級(jí)的能量，如4s＞3p，A錯(cuò)誤；

B．2s的電子云比1s的電子云大；而s電子云的大小與能層有關(guān)，與電子數(shù)無(wú)關(guān)，B錯(cuò)誤；

C．電子排布在同一能級(jí)時(shí)；總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)不同軌道，且自旋方向相同，這種排布使整個(gè)原子的能量最低，而不是先占滿1個(gè)軌道，然后再占據(jù)其他原子軌道，C錯(cuò)誤；

D．f能級(jí)有7個(gè)軌道；每個(gè)軌道最多容納2個(gè)自旋方向相反的電子，所以nf能級(jí)中最多可容納14個(gè)電子，D正確；

故合理選項(xiàng)是D。3、D【分析】【詳解】

A．氮?dú)夥肿又械娱g形成三鍵，電子式為故A錯(cuò)誤；

B．氮原子質(zhì)子數(shù)為7，電子排布式為1s22s22p3；故B錯(cuò)誤；

C．氮分子的結(jié)構(gòu)式為：N≡N；故C錯(cuò)誤；

D．氮原子軌道表示式應(yīng)遵循泡利不相容原理，能量最低，洪特規(guī)則等，氮原子最外層電子軌道表示式為故D正確；

故答案選D。4、C【分析】【分析】

①2p軌道上有2對(duì)成對(duì)電子的原子，則其2p能級(jí)電子排布為2p5，為F元素；②外圍電子構(gòu)型為2s22p3的原子為N元素；③短周期第一電離能最小的元素為Na元素；④第三周期離子半徑最小的元素Al。

【詳解】

A．同周期主族元素第一電離能呈增大趨勢(shì)，F(xiàn)的第一電離能大于N，即①>②；故A錯(cuò)誤；

B．同周期主族元素的原子半徑自左至右依次減小，所以Na的原子半徑大于Al，即③>④；故B錯(cuò)誤；

C．非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大；所以電負(fù)性①＞②＞④＞③，故C正確；

D．F元素沒(méi)有最高正價(jià)；故D錯(cuò)誤；

故答案為C。5、C【分析】【詳解】

A.原子數(shù)相同，電子總數(shù)相同的分子，互稱為等電子體，N2O與CO2的價(jià)電子總數(shù)均為16，CCl3F與CC12F2的價(jià)電子總數(shù)均為32，它們互為等電子體，A項(xiàng)正確；B.CCl2F2無(wú)同分異構(gòu)體，說(shuō)明其分子為四面體形，C原子與其它原子以單鍵相連，碳原子采用sp3方式雜化，B項(xiàng)正確；C.碳酸屬于弱酸，磷酸屬于中強(qiáng)酸，它們的酸性不同，是因?yàn)樗鼈兊姆橇u基氧原子數(shù)不同，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D.由IA族和VIA族元素形成的原子個(gè)數(shù)比為1:1、電子總數(shù)為38的化合物是Na2O2，Na2O2是含有共價(jià)鍵的離子化合物，D項(xiàng)正確。答案選C。6、B【分析】【詳解】

A．SO42-中心原子為S，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+×(8-4×2)=4，雜化方式為sp3雜化；空間構(gòu)型為正四面體，故A不符合題意；

B．CH3-中心原子為C，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+×(5-3)=4，雜化方式為sp3雜化；空間構(gòu)型為三角錐形，故B符合題意；

C．ClO2-中心原子為Cl，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+×(8-2×2)=4，雜化方式為sp3雜化；空間構(gòu)V型，故C不符合題意；

D．[PCl4]+中心原子為P，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+×(4-4)=4，雜化方式為sp3雜化；空間構(gòu)型為正四面體，故D不符合題意；

答案選B。

【點(diǎn)睛】

分子或離子的構(gòu)型為三角錐形，雜化方式為sp3雜化，有一對(duì)孤對(duì)電子。7、D【分析】【詳解】

A．1個(gè)—OH所含電子數(shù)為8+1=9個(gè)，17g羥基的物質(zhì)的量為=1mol，所含電子為9mol，即9NA；A錯(cuò)誤；

B．溶液體積未知；無(wú)法計(jì)算離子的數(shù)目，B錯(cuò)誤；

C．醋酸銨溶液中，醋酸根和銨根均會(huì)發(fā)生水解，所以1L1mol?L-1CH3COONH4溶液中CH3COOˉ與NH4+數(shù)目均小于1NA；C錯(cuò)誤；

D．根據(jù)均攤法可知晶胞中白球的數(shù)目為=2，黑球數(shù)目為4，晶體的化學(xué)式為Cu2O，所以黑球?yàn)镃u2+，則0.5mol該晶胞中Cu2+的物質(zhì)的量為0.5mol×4=2mol，其數(shù)目為2NA；D正確；

答案為D。二、填空題(共8題，共16分)8、略

【分析】【分析】

①BaCl2是離子晶體；只含有離子鍵，熔化時(shí)破壞離子鍵；

②金剛石是原子晶體；只含有共價(jià)鍵，熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵；

④H2SO4是分子晶體；熔化時(shí)破壞分子間作用力，不破壞共價(jià)鍵；

⑤干冰是分子晶體；熔化時(shí)破壞分子間作用力，不破壞共價(jià)鍵；

⑥碘片是分子晶體；熔化時(shí)破壞分子間作用力，不破壞共價(jià)鍵；

⑦晶體硅是原子晶體；只含有共價(jià)鍵，熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵；

⑧金屬銅是金色晶體；只含有金屬鍵，熔化時(shí)破壞金屬鍵。

【詳解】

（1）分子晶體在熔化時(shí)不需要破壞化學(xué)鍵，H2SO4；干冰、碘片屬于分子晶體的；熔化時(shí)破壞分子間作用力，不破壞共價(jià)鍵；原子晶體在熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵，金剛石、晶體硅屬于原子晶體，熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵；原子晶體的熔點(diǎn)高，金剛石與硅相比，C的原子半徑小于Si原子半徑，屬于金剛石的共價(jià)鍵更強(qiáng)，熔點(diǎn)更高，則熔點(diǎn)最高的是金剛石；常溫下是氣體的物質(zhì)的熔點(diǎn)最低，則干冰的熔點(diǎn)最低，故答案為：④⑤⑥；②⑦；②；⑤；

（2）BaCl2、KOH中含有離子鍵，屬于離子化合物，其中BaCl2中只有離子鍵；以分子間作用力相結(jié)合的晶體是分子晶體；則④⑤⑥是分子晶體，故答案為：①③；①；④⑤⑥；

（3）KOH是離子化合物，是由鉀離子和氫氧根離子形成，電子式為干冰是二氧化碳，二氧化碳是含有碳氧雙鍵的共價(jià)化合物，電子式為故答案為：【解析】④⑤⑥②⑦②⑤①③①④⑤⑥9、略

【分析】【分析】

⑴N基態(tài)氮原子電子排布式為1s22s22p3，基態(tài)氮原子價(jià)電子排布式是2s22p3；故答案為：2s22p3。

⑵①先計(jì)算NH3分子中氮原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)，根據(jù)孤電子對(duì)影響鍵角進(jìn)行分析；②有4molN—H鍵斷裂即1molN2H4反應(yīng)；生成1.5mol氮?dú)膺M(jìn)行分析。

⑶NH3、AsH3、PH3是分子晶體，NH3可形成分子間氫鍵，AsH3、PH3根據(jù)相對(duì)分子質(zhì)量越大；范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高進(jìn)行分析。

【詳解】

⑴N核外有7個(gè)電子，其基態(tài)氮原子電子排布式為1s22s22p3，基態(tài)氮原子價(jià)電子排布式是2s22p3；故答案為：2s22p3。

⑵①NH3分子中氮原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為推測(cè)出NH3分子的空間構(gòu)型是三角錐形，其中H—N—H的鍵角為107°18′，請(qǐng)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論解釋其鍵角小于109°28′的原因是NH3分子含有1個(gè)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)影響鍵角；故答案為：三角錐形；NH3分子含有1個(gè)孤電子對(duì)；孤電子對(duì)影響鍵角。

②若該反應(yīng)中有4molN—H鍵斷裂即1molN2H4反應(yīng)，生成1.5mol氮?dú)?，因此形成π鍵的數(shù)目為3NA；故答案為：3NA。

⑶比較氮的簡(jiǎn)單氫化物與同族第三、四周期元素所形成氫化物的沸點(diǎn)高低并說(shuō)明理由，NH3可形成分子間氫鍵，沸點(diǎn)最高，AsH3、PH3是分子晶體，根據(jù)相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高分析得到AsH3相對(duì)分子質(zhì)量比PH3大，分子間作用力大，因而AsH3比PH3沸點(diǎn)高；故答案為：NH3＞AsH3＞PH3，NH3可形成分子間氫鍵，沸點(diǎn)最高，AsH3相對(duì)分子質(zhì)量比PH3大，分子間作用力大，因而AsH3比PH3沸點(diǎn)高。

【點(diǎn)睛】

物質(zhì)結(jié)構(gòu)是?？碱}型，主要考查電子排布式、分子構(gòu)型，共價(jià)鍵分類，鍵角分析、熔沸點(diǎn)分析?！窘馕觥竣?2s22p3；②.三角錐形③.107°18′④.NH3分子含有1個(gè)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)影響鍵角⑤.3NA⑥.NH3＞AsH3＞PH3，NH3可形成分子間氫鍵，沸點(diǎn)最高，AsH3相對(duì)分子質(zhì)量比PH3大，分子間作用力大，因而AsH3比PH3沸點(diǎn)高。10、略

【分析】【分析】

根據(jù)分子中δ鍵和孤電子對(duì)數(shù)判斷雜化類型和分子的空間構(gòu)型；根據(jù)均攤法；晶胞中的S；Fe原子數(shù)目，進(jìn)而確定化學(xué)式。

【詳解】

（1）根據(jù)電子能級(jí)排布，基態(tài)Fe原子核外電子排布式為[Ar]3d64s2。

（2）BF3分子中，B原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+中心原子B原子沒(méi)有孤對(duì)電子，則應(yīng)為sp2雜化，空間構(gòu)型為平面三角形。原子數(shù)相同，價(jià)電子數(shù)相同的粒子互為等電子體，則與BF3互為等電子體的陰離子為CO32-。

（3）氮原子提供一對(duì)共用電子對(duì)給硼原子形成配位鍵，氨硼烷的結(jié)構(gòu)式為氨硼烷能溶于水，其主要原因是氨硼烷與水分子間形成氫鍵。

（4）由圖可知，根據(jù)均攤法，該晶胞中鐵原子個(gè)數(shù)為4，氮原子個(gè)數(shù)=1+4×=1.5，鐵原子和氮原子的數(shù)目之比為8：3，所以該化合物的化學(xué)式為Fe8N3?！窘馕觥竣?[Ar]3d64s2②.平面三角形③.CO32-④.⑤.氨硼烷與水分子間形成氫鍵⑥.Fe8N311、略

【分析】【分析】

（1）第一電離能實(shí)際上就是失電子的難易程度；電離能越小則代表失電子越容易，則還原性越強(qiáng)，因此可以從氧化還原性的強(qiáng)弱來(lái)考慮；

（2）鍵長(zhǎng)與鍵能呈負(fù)相關(guān)，即鍵越長(zhǎng)則能量越低，越容易斷裂；對(duì)于穩(wěn)定性而言是三鍵>雙鍵>單鍵，則鍵長(zhǎng)是單鍵>雙鍵>三鍵；

（3）題干中已經(jīng)告知我們大鍵的形成條件；因此我們只要從這些微粒的分子結(jié)構(gòu)來(lái)判斷存不存在相互平行的p軌道即可；

（4）利用率即“原子的體積占整個(gè)晶胞體積的百分比”；分別算出二者的體積再構(gòu)造分式即可。

【詳解】

一般金屬性越強(qiáng)則第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，IIA族、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能：與形成6個(gè)配位鍵，配位數(shù)為6，雜化無(wú)法形成6個(gè)空軌道；

分子中S原子形成2個(gè)鍵，孤電子對(duì)數(shù)為價(jià)層電子對(duì)數(shù)故分子中S原子的雜化軌道類型為雜化；分子的立體構(gòu)型為V形；連接2個(gè)S原子的氧原子與S原子之間形成單鍵，連接1個(gè)S原子的氧原子與S之間形成雙鍵，單鍵之間作用力比雙鍵弱，單鍵的鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)；

形成離域鍵的條件是“原子都在同一平面上且這些原子有相互平行的p軌道“，硫酸根離子是正四面體結(jié)構(gòu)，原子不處于同一平面內(nèi)，硫化氫中H原子和S原子沒(méi)有平行的p軌道，為V形結(jié)構(gòu)，為平面三角形，有相互平行的p軌道，可以形成離域鍵；

故答案為AD；

為直形型結(jié)構(gòu)，有相互平行的p軌道，分子中大鍵可以表示為：

鐵的晶體為面心立方最密堆積，令Fe原子的半徑為rcm，則晶胞的棱長(zhǎng)為晶胞體積晶胞中Fe原子數(shù)目晶胞中Fe原子總體積晶胞中原子的空間利用率【解析】中配位數(shù)為6V形形成b鍵的氧原子與兩個(gè)S原子結(jié)合，原子之間形成單鍵，作用力較小12、略

【分析】【分析】

（1）Ni元素原子序數(shù)是28；其3d；4s電子為其價(jià)電子，3d、4s能級(jí)上電子數(shù)分別是8、2，據(jù)此書寫其價(jià)電子排布式，找到最高能層，為N層，能級(jí)為4s，判斷它的空間伸展方向；

（2）A．CO與CN-互為等電子體；則一氧化碳中含有碳氧三鍵，其中σ鍵個(gè)數(shù)為1；π鍵個(gè)數(shù)為2；故σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)之比為1:2；

B．NH3的中心原子為N；價(jià)層電子歲數(shù)為4對(duì)，有一對(duì)孤對(duì)電子，sp3雜化，空間構(gòu)型為三角錐形；

C．根據(jù)題干信息，鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+，因此Ni2+在形成配合物時(shí)；其配位數(shù)可能為是4或6；

D．Ni(CO)4中；鎳元素成鍵電子對(duì)數(shù)為4，孤電子對(duì)數(shù)為0，則價(jià)電子對(duì)數(shù)為4；

(3)中心原子提供空軌道配體提供孤電子對(duì)形成配位鍵;氫鍵存在于已經(jīng)與N、O、F等電負(fù)性很大的原子形成共價(jià)鍵的H與另外的N、O、F等電負(fù)性很大的原子之間，則氫鍵表示為

(4)因?yàn)镹iO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同；而氯化鈉中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6，所以NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6；根據(jù)表格數(shù)據(jù)，氧離子和鎳離子的半徑小于鈉離子和氯離子，則NiO的鍵長(zhǎng)小于NaCl，離子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高，所以氧化鎳熔點(diǎn)高于氯化鈉熔點(diǎn)；

(5)①由圖b可知，La的個(gè)數(shù)為8×=1，Ni的個(gè)數(shù)為8×+1=5；La與Ni的個(gè)數(shù)比1:5，則x=5；

②由圖a可得晶胞的體積V=5×10-8cm×5×10-8cm×4×10-8cm=1×10-21cm3，密度=進(jìn)行計(jì)算；

③六個(gè)球形成的空隙為八面體空隙，顯然圖c中的八面體空隙都是由2個(gè)La原子和4個(gè)Ni原子所形成，這樣的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，共有8×+2×=3個(gè)；

【詳解】

（1）Ni元素原子序數(shù)是28，其3d、4s電子為其價(jià)電子，3d、4s能級(jí)上電子數(shù)分別是8、2，其價(jià)電子排布式為3d84s2；最高能層的電子為N，分別占據(jù)的原子軌道為4s，原子軌道為球形，所以有一種空間伸展方向；

答案為：3d84s2；1；

（2）A．CO與CN-互為等電子體；則一氧化碳中含有碳氧三鍵，其中σ鍵個(gè)數(shù)為1；π鍵個(gè)數(shù)為2；故σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)之比為1:2，故A正確；

B．NH3的中心原子為N；價(jià)層電子歲數(shù)為4對(duì)，有一對(duì)孤對(duì)電子，sp3雜化，空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；

C．根據(jù)題干信息，鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+，因此Ni2+在形成配合物時(shí)；其配位數(shù)可能為是4或6，故C正確；

D．Ni(CO)4中，鎳元素成鍵電子對(duì)數(shù)為4，孤電子對(duì)數(shù)為0，則價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化；故D正確；

答案選B。

(3)中心原子提供空軌道配體提供孤電子對(duì)形成配位鍵;氫鍵存在于已經(jīng)與N、O、F等電負(fù)性很大的原子形成共價(jià)鍵的H與另外的N、O、F等電負(fù)性很大的原子之間，則氫鍵表示為

故答案為：

(4)因?yàn)镹iO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同；而氯化鈉中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6，所以NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6；根據(jù)表格數(shù)據(jù)，氧離子和鎳離子的半徑小于鈉離子和氯離子，則NiO的鍵長(zhǎng)小于NaCl，二者都屬于離子晶體，離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，離子所帶電荷越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，所以氧化鎳熔點(diǎn)高于氯化鈉熔點(diǎn)；

答案為：6；離子半徑越?。浑x子所帶電荷越多，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高；

(5)①由圖b可知，La的個(gè)數(shù)為8×=1，Ni的個(gè)數(shù)為8×+1=5；La與Ni的個(gè)數(shù)比1:5，則x=5；

答案為：5；

②由圖a可得晶胞的體積V=5×10-8cm×5×10-8cm×4×10-8cm=1×10-21cm3，密度==g/cm-3；

答案為：

③六個(gè)球形成的空隙為八面體空隙，顯然圖c中的八面體空隙都是由2個(gè)La原子和4個(gè)Ni原子所形成，這樣的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，共有8×+2×=3個(gè)；

答案為：3。

【點(diǎn)睛】

考查同學(xué)們的空間立體結(jié)構(gòu)的思維能力，難度較大。該題的難點(diǎn)和易錯(cuò)點(diǎn)在(5)的③，與“”同類的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，且空隙與其他晶胞共用，計(jì)算數(shù)目時(shí)也要注意使用平均法進(jìn)行計(jì)算?！窘馕觥?d84s21B6離子半徑越小，離子所帶電荷越多，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高5313、略

【分析】【詳解】

(1)BN的硬度較大，所以BN是原子晶體，根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)知BN中B原子的雜化方式為sp3，原子晶體中只含有共價(jià)鍵，故答案為sp3；共價(jià)鍵；

(2)①水分子間能夠形成氫鍵，沸點(diǎn)：H2S＜H2O；②非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)，酸性：H2SO4＞H2SeO4；③24Cr核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s1，未成對(duì)電子數(shù)為6，25Mn核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s2，未成對(duì)電子數(shù)為5，所以未成對(duì)電子數(shù)：24Cr＞25Mn；④元素的電子構(gòu)型為ns2np3，為第ⅤA族，電子排布為半滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，不易失去電子，所以第一電離能較大，B元素的電子構(gòu)型為ns2np4；為第ⅥA族，所以第一電離能：A＞B；故答案為＜；＞；＞；＞；

(3)二氧化硅晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol二氧化硅晶體中含有4molSi-O鍵，則SiO2晶體中Si和Si-O鍵的比例為1：4；

因晶體硅中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每Si原子與周圍的4個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)Si原子提供個(gè)Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有1mol×4×=2molSi-Si鍵；

反應(yīng)熱△H=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能，所以Si(s)+O2(g)=SiO2(s)中；△H=176kJ/mol×2mol+498kJ/mol-460kJ/mol×4=-990kJ/mol，故答案為1：4；-990kJ/mol。

點(diǎn)睛：本題考查氫鍵、元素周期律、電子排布式、第一電離能，鍵能與反應(yīng)熱的關(guān)系等。本題的易錯(cuò)點(diǎn)是(3)中反應(yīng)熱的計(jì)算，確定1mol晶體硅中Si-Si鍵、1mol二氧化硅晶體中Si-O鍵的物質(zhì)的量是解題關(guān)鍵?！窘馕觥縮p3共價(jià)鍵＜＞＞＞1∶4－990kJ/mol14、略

【分析】【分析】

根據(jù)離子晶體和分子晶體的熔點(diǎn)關(guān)系分析判斷；根據(jù)分子晶體在熔融狀態(tài)下不能導(dǎo)電分析判斷冶煉的金屬；再分析判斷。

【詳解】

根據(jù)NaCl、MgCl2、AlCl3、Al2O3晶體的熔點(diǎn)依次為801℃、714℃、190℃、2000℃，分子晶體的熔點(diǎn)一般較低，離子晶體的熔點(diǎn)較高，所以AlCl3為分子晶體；氧化鋁的熔點(diǎn)很高，直接電解熔融的氧化鋁冶煉鋁時(shí)會(huì)消耗大量的能量，因此常用冰晶石作助熔劑，在故答案為：AlCl3；冰晶石?！窘馕觥竣?AlCl3②.冰晶石15、略

【分析】【分析】

【詳解】

略【解析】NaCl正八面體8三、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共2分)16、略

【分析】【分析】

兩種配合物可電離出的氯離子數(shù)目不同；可將等質(zhì)量的兩種配合物配制成溶液，滴加硝酸銀，根據(jù)生成沉淀的多少判斷。

【詳解】

兩種配合物晶體[Co（NH3）6]Cl3和[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，內(nèi)界氯離子不能與硝酸銀反應(yīng)，外界氯離子可以與硝酸銀反應(yīng)，將這兩種配合物區(qū)別開(kāi)來(lái)的實(shí)驗(yàn)方案：稱取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量用硝酸酸化的硝酸銀溶液，充分反應(yīng)后，過(guò)濾、洗滌、干燥后稱量，所得AgCl固體質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，所得AgCl固體質(zhì)量小的，原晶體為[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，故答案為：取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量AgNO3溶液，靜置、過(guò)濾、干燥、稱量，沉淀質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2。

【點(diǎn)睛】

把握配合物的構(gòu)成特點(diǎn)，為解答該題的關(guān)鍵。解答此類試題要注意配合物的內(nèi)界和外界的離子的性質(zhì)不同，內(nèi)界中以配位鍵相結(jié)合，很牢固，難以在水溶液中電離，而內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合，在溶液中能夠完全電離?！窘馕觥糠Q取相同質(zhì)量的兩種晶體配成溶液，向兩種溶液中分別加入足量的硝酸銀溶液，靜置、過(guò)濾、干燥、稱量，所得氯化銀固體多的是[Co(NH3)6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共1題，共3分)17、略

【分析】【詳解】

(1)鐵元素位于周期表中第四周期第Ⅷ族，原子序數(shù)是26，其基態(tài)原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d64s2；

(2)CO分子中C與O原子形成了三鍵，其電子式為：Fe(CO)5是由CO和Fe形成的羰基配合物；所以分子中σ鍵總數(shù)為10，π鍵總數(shù)為10，所以二者個(gè)數(shù)比例為1:1；

(3)周期表中從左至右，第一電離能呈現(xiàn)增大趨勢(shì)，從下至上第一電離能呈現(xiàn)增大趨勢(shì)，此外，相同周期ⅡA第一電離能大于ⅢA的，ⅤA第一電離能大于ⅥA的，所以Ni(SCN)2中N元素的第一電離能最大；(SCN)2的結(jié)構(gòu)為S原子形成2個(gè)成鍵電子對(duì)以及2個(gè)孤電子對(duì)，總計(jì)4個(gè)價(jià)層電子對(duì)，所以S原子采用的是sp3的雜化方式；

(4)①中有3個(gè)成鍵電子對(duì)，經(jīng)過(guò)計(jì)算不含孤電子對(duì)，所以是平面三角形；

②書寫與NH3互為等電子體且為陰離子的粒子時(shí)，可以考慮用族序數(shù)比N元素小的其他元素代替N元素，如C，所以可以為氨分子之間可以形成氫鍵；因此可能會(huì)通過(guò)氫鍵形成締合分子，分子間作用力增強(qiáng)，分子間間距減小，進(jìn)而導(dǎo)致密度比理論密度大；

(5)單質(zhì)銅采用的是面心立方最密堆積；Al與Cu采用相同的堆積方式，所以Al的配位數(shù)也是12；

(6)由晶胞的結(jié)構(gòu)可知，F(xiàn)e存在于晶胞的內(nèi)部，一共有4個(gè)，S存在于晶胞的頂點(diǎn)和面心上，所以均攤法計(jì)算一個(gè)晶胞有4個(gè)S原子，晶胞中Fe與S的個(gè)數(shù)比為1:1，所以該物質(zhì)的化學(xué)式為FeS；由FeS的晶胞結(jié)構(gòu)可知，其與ZnS具有相似的晶胞結(jié)構(gòu)，將晶胞八等分，那么A原子則位于下層四個(gè)小正方體中右側(cè)的正方體的體心，所以與B原子所在平面的距離即晶胞邊長(zhǎng)的即0.25xpm；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，列式計(jì)算，晶胞的密度為：【解析】[Ar]3d64s21:1Nsp3雜化平面三角形CH3－NH3通過(guò)氫鍵形成“締合”分子，分子間作用力增強(qiáng)，分子間距離減小，導(dǎo)致密度反常增大。12FeS0.25x五、原理綜合題(共1題，共9分)18、略

【分析】【詳解】

（1）碳納米管的結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體，石墨屬于平面層狀結(jié)構(gòu)，同一層內(nèi)碳原子通過(guò)sp2雜化與其它碳原子成鍵；而層與層之間通過(guò)范德華力結(jié)合在一起。

（2）元素電負(fù)性越大，共用電子對(duì)就偏向該原子，CH4中共用電子對(duì)偏向C，則電負(fù)性：C>H，SiH4中共用電子對(duì)偏向H，則電負(fù)性：H>Si；C；Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镃＞H＞Si。

（3）根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，中心原子Sn含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)（4－2×1）÷2=1，σ鍵電子對(duì)數(shù)為2，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為1+2=3，其VSEPR模型為平面三角形，由于孤電子對(duì)間的排斥作用>孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)間的排斥作用>成鍵電子對(duì)間的排斥作用；所以其鍵角小于120°。

（4）Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn)，Ba2+處于晶胞中心，O2-處于晶胞棱邊中心，所以每個(gè)Ba2+與12個(gè)O2-配位，則晶胞中Pb4+的個(gè)數(shù)為8×=1、Ba2+是1個(gè)、O2-是12×=3，所以化學(xué)式為BaPbO3?！窘馕觥縮p2范德華力C＞H＞Si＜BaPbO312六、有機(jī)推斷題(共4題，共16分)19、略

【分析】Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z的原子序數(shù)為29，Z為銅元素，其余的均為短周期主族元素；Y原子的價(jià)電子(外圍電子)排布為msnmpn，n＝2，Y是C或Si；②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；③Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4，因此Q為碳元素，則R為氮元素，X為氧元素，Y為硅元素。（1）Z為銅，其核外電子排布式為[Ar]3d104s1，失去2個(gè)電子，即為銅離子，其核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d9。（2）配位鍵形成時(shí)，銅離子提供空軌道，氨分子中的氮原子提供孤電子對(duì)。（3）甲為甲烷，乙為硅烷，同主族元素對(duì)應(yīng)氫化物越向上越穩(wěn)定，沸點(diǎn)越向下越高(不含分子間氫鍵時(shí))，所以b選項(xiàng)正確。（4）第一電離能氮比碳高，因?yàn)榈卦雍送怆娮觩軌道為半充滿結(jié)構(gòu)，硅的第一電離能最小，即第一電離能大小順序是Si54s1，該元素是24號(hào)元素，為Cr，屬于d區(qū)元素?！窘馕觥?s22s22p63s23p63d9孤電子對(duì)bSi20、略

【分析】【分析】

X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子，X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，處于第四周期第ⅤA族，故X為As元素；Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子，Y的2p軌道上有2個(gè)電子或4個(gè)電子，所以Y為碳元素或氧元素，X跟Y可形成化合物X2Y3；故Y為氧元素；X；Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42，則Z的質(zhì)子數(shù)為42-8-33=1，則Z為氫元素，氫原子可以形成負(fù)一價(jià)離子，符合題意，據(jù)此分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析；X為As元素，Y為O元素，Z為H元素。

(1)根據(jù)上述分析可知，X為As；X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3；與X同周期鹵族元素為Br，第一電離能較大的是Br，故答案為1s22s22p63s23p63d104s24p3；As；Br；

(2)Y為O元素，O原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子，價(jià)層電子的電子排布圖為故答案為氧；

(3)X為As元素，Z為H元素，X與Z可形成化合物AsH3；As的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+1=4，VSEPR模型為四面體，故答案為四面體；

(4)X為As元素