1光伏電站晶硅組件隱裂檢測及判定方法凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）GB/T2828.1技術(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接受質(zhì)GB/T9535地面用晶體硅光伏組件設(shè)計和EL分為兩種類型：一種是半導(dǎo)體p-n結(jié)的注入式電致發(fā)光；另一種是本征型電致發(fā)光2采用固定式相機(jī)拍攝的EL成像系統(tǒng)，一般由成像探測器、成b)測試樣品組件外觀應(yīng)符合IEC61215-1:2016中第8章的規(guī)定。4.2檢測應(yīng)包含以下內(nèi)容：b)組件、電池片因功率偏低或PID現(xiàn)象導(dǎo)致的黑片現(xiàn)4.4在光伏發(fā)電站現(xiàn)場開展晶體硅光伏組件的EL檢測時，應(yīng)按GB/T356945.1環(huán)境條件5.2其他條件3檢測中光學(xué)檢測模塊成像像素應(yīng)不低于2400萬，顯示屏像素應(yīng)不低于100萬，近紅外光的感光能力范圍為波長550~1100nm，成像感光度（IS應(yīng)使用Si、Ge、InGaAs等材料制成，需對光伏組件的電致發(fā)光波段有響應(yīng)。近紅外光的感光能力范圍為波長550~1100nm，成像感光度（ISEL成像鏡頭應(yīng)該允許光伏組件產(chǎn)生的電致發(fā)光透過。為了得到高質(zhì)量的圖像，通?？梢圆捎?50nm作為允許成像波段的下限波，同時利用濾光片或涂層來消除雜散光。成像像素應(yīng)不低于240不大于0.02°,可控旋轉(zhuǎn)度不低于360°,俯仰向轉(zhuǎn)動范圍不低于±45°。7.1.2確認(rèn)光照、風(fēng)速等環(huán)境條件適47.1.4樣品：清潔樣品表面，確認(rèn)無明顯7.3.1選擇合適的時間或安裝暗室，使樣品處于弱光或暗能垂直于組串平面，并使組串或若干組件在b)檢查測試圖片缺陷，并按照缺陷分類（見附錄B）判定缺陷類型。5必須依據(jù)同一塊組件中兩個及以上單電池片圖像及相關(guān)電性能信息才可判定的隱裂問題稱為組件傷下，電池片黑色線條走向或黑色區(qū)域面積大小影響電池片電性能a)裂紋：電池片裂紋可分為線性隱裂、十字隱裂、閃電狀d)碎片：指EL圖像中電池片呈現(xiàn)多個三角或不直的黑色區(qū)域，局部斷路片變現(xiàn)為電池片主柵線的一側(cè)全6組件隱裂標(biāo)準(zhǔn)判定焊接工藝片電池片暗部面積≤電池片面積的10%，且該類電池片總數(shù)≤同電池片黑邊污染寬度≤1/5電池片寬度;電池黑邊污染寬度在1/5至1/8類電池片總數(shù)＞同一組件中電池片總數(shù)的電池片黑邊污染寬度＞1/5電池片寬度;外力同一組件中，裂紋故障不超過3同一組件上，面積＞6mm2的缺角電池片＞同一組件上，面積＞12mm2的裂同一組件上，面積＞8mm2的碎片電池片＞柵線電池片斷柵長度在0.5至1mm間電池片斷柵長度在0.5至1mm間的電池片塊片局部斷路片黑色面積≤1/3電池片面積的數(shù)量≤10%組件總電池局部斷路片黑色面積≤1/3電池片面積的7焊接虛題硅片黑單片電池黑心面積占電池片面積比例<25%的黑心片數(shù)量<15%單片電池黑心面積占電池片面積比例≥電池片暗部面積≤電池片面積的10%，且該類電池片總數(shù)≤同9檢測文件9.1檢測文檔內(nèi)容9.1.1檢測報告應(yīng)包括以下內(nèi)容：b)檢測設(shè)備的規(guī)格參數(shù)，如名稱、型號及等級等；c)現(xiàn)場檢測環(huán)境參數(shù)，如試驗(yàn)環(huán)境溫h)試驗(yàn)操作者、審核、批準(zhǔn)、報告編9.1.2檢測結(jié)果應(yīng)能夠重復(fù)驗(yàn)證?，F(xiàn)場應(yīng)如實(shí)記錄原始數(shù)據(jù)，原始記錄表應(yīng)有檢測人員、校核人員簽9.2檢測記錄1儀器設(shè)備123位置編號劃傷混檔黑片1234562 3外力損傷隱裂裂紋如上圖所示依次為樹狀裂紋、綜合型裂紋、斜裂紋（+45°)、斜裂紋（-45°)、平行于主柵線、垂直于主柵線、貫穿裂紋等