半導(dǎo)體器件物理知到智慧樹(shù)期末考試答案題庫(kù)2025年中山大學(xué)頻率大于一定值的雙極晶體管的電流增益會(huì)隨信號(hào)頻率的增益而增大。（）

答案:錯(cuò)過(guò)驅(qū)動(dòng)狀態(tài)是指BJT基極電流大于臨界飽和基極電流的狀態(tài)，此時(shí)晶體管處于飽和狀態(tài)。（）

答案:對(duì)請(qǐng)選出n溝增強(qiáng)型JFET的結(jié)構(gòu)圖：（）

答案:請(qǐng)選出n溝增強(qiáng)型JFET的結(jié)構(gòu)圖：（）計(jì)算JFET直流特性中采用的緩變溝道近似指的是電場(chǎng)沿溝道厚度方向的變化率遠(yuǎn)大于沿溝道長(zhǎng)度方向的變化率。（）

答案:對(duì)線性緩變結(jié)的耗盡層寬度正比于（）

答案:線性緩變結(jié)的耗盡層寬度正比于（）相同正偏壓下，相同摻雜濃度分布的硅PN結(jié)比鍺PN結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電（）流大。

答案:對(duì)電流的連續(xù)性原理是指通過(guò)任何一個(gè)截面的電子電流等于空穴電流。（）

答案:錯(cuò)理想PN結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)小于禁帶寬度的電壓值。（）

答案:對(duì)理想MOSFET采用的緩變溝道近似是指沿垂直于溝道方向電場(chǎng)變化很小。（）

答案:錯(cuò)熱平衡pn結(jié)重?fù)揭粋?cè)的空間電荷區(qū)較寬。（）

答案:錯(cuò)晶體管是一種無(wú)源器件。（）

答案:錯(cuò)提升MOSFET截止頻率的方法錯(cuò)誤的是（）

答案:增大溝道長(zhǎng)度，減少短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET器件工作在飽和區(qū)，電流與漏壓無(wú)關(guān)，只存在柵控跨導(dǎo)gm，而漏源跨導(dǎo)等于0。（）

答案:對(duì)當(dāng)BJT由發(fā)射極注入基區(qū)的少子濃度大于或約等于基區(qū)多子濃度時(shí)，則發(fā)生大注入。（）

答案:對(duì)延遲時(shí)間越短，則BJT的電流增益會(huì)越大。（）

答案:對(duì)對(duì)于離子注入或在輕摻雜的原始晶片上進(jìn)行淺結(jié)擴(kuò)散的情況，突變結(jié)是一個(gè)可接受的近似。（）

答案:對(duì)實(shí)際MOSFET高頻等效電路相比理想MOSFET高頻等效電容多考慮了哪些因素？（）

答案:都是夾斷電壓對(duì)于N溝JFET絕對(duì)小于零，對(duì)于P溝JFET絕對(duì)大于零。（）

答案:錯(cuò)在理想pn結(jié)中，正偏穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散時(shí)，單位時(shí)間、單位體積內(nèi)擴(kuò)散和漂移積累的少子數(shù)量等于復(fù)合損失的少子的數(shù)量。（）

答案:錯(cuò)在測(cè)量MOS電容低頻C-V特性時(shí)采用“準(zhǔn)靜態(tài)技術(shù)”。（）

答案:對(duì)在放大工作狀態(tài)下，雙極晶體管的基極電流IB很小，集電極電流IC與發(fā)射極電流IE很相近。（）

答案:對(duì)在推導(dǎo)理想二極管方程中，下面哪一個(gè)假定沒(méi)有使用？（）

答案:窄基區(qū)二極管，即n和p的準(zhǔn)中性寬度遠(yuǎn)小于各自的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。在反向偏置和小的正向偏置下，保持在室溫下的大多數(shù)硅pn結(jié)二極管中主要的電流成分是下面中的哪一項(xiàng)？（）

答案:R-G電流在反向偏置下，靠近PN結(jié)耗盡區(qū)邊界的準(zhǔn)中性區(qū)內(nèi)載流子會(huì)發(fā)生什么過(guò)程？（）

答案:產(chǎn)生和擴(kuò)散雙極晶體管的穩(wěn)態(tài)熱阻反映了其散熱能力的大小。（）

答案:對(duì)雙極晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間由開(kāi)啟時(shí)間和下降時(shí)間構(gòu)成。（）

答案:錯(cuò)雙極晶體管的開(kāi)關(guān)可以分為飽和型開(kāi)關(guān)和截止型開(kāi)關(guān)。（）

答案:錯(cuò)雙極晶體管的“雙極”代表兩種載流子共同參與導(dǎo)電。（）

答案:對(duì)雙極型晶體管是通過(guò)調(diào)控結(jié)勢(shì)壘高度來(lái)控制電流大小，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是通過(guò)調(diào)節(jié)導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)來(lái)控制電流。（）

答案:對(duì)減少PN結(jié)結(jié)面積可以減少PN結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。（）

答案:對(duì)冶金結(jié)附近的空間電荷是由p型一側(cè)電子和n型一側(cè)空穴的積累引起的。（）

答案:錯(cuò)關(guān)于理想MOS結(jié)構(gòu)的描述，下面不正確的是（）

答案:金屬與半導(dǎo)體之間存在一個(gè)電勢(shì)差關(guān)于PN結(jié)的擴(kuò)散電容的描述，以下哪一個(gè)是不正確的（）

答案:擴(kuò)散電容在高頻電路中特別重要，而在低頻時(shí)擴(kuò)散電容很小。以下提高雙極晶體管直流電流增益的方法不正確的是：（）

答案:減小基區(qū)寬度的數(shù)值，來(lái)增大基區(qū)少子濃度梯度，增大漂移電流，減小基區(qū)復(fù)合以下哪個(gè)選項(xiàng)是理想二極管電壓-電流公式中的與外加偏壓無(wú)關(guān)的參數(shù)J0：（）

答案:以下哪個(gè)選項(xiàng)是理想二極管電壓-電流公式中的與外加偏壓無(wú)關(guān)的參數(shù)J0：（）以下哪個(gè)選項(xiàng)不屬于均勻基區(qū)晶體管的前提條件：（）

答案:外加電壓全部降落在發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘區(qū)以下哪個(gè)條件是計(jì)算理想的長(zhǎng)pn結(jié)電流的邊界條件？（）

答案:以下哪個(gè)條件是計(jì)算理想的長(zhǎng)pn結(jié)電流的邊界條件？（）以下哪個(gè)不屬于PN結(jié)伏安特性非理想效應(yīng)（）

答案:耗盡區(qū)擴(kuò)散電流（正偏）以下減少BJT基極電阻的措施不正確的是：（）

答案:減少并聯(lián)單元的個(gè)數(shù)交流小信號(hào)條件下的BJT集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)兩側(cè)的電流不相等，是因?yàn)榧妳^(qū)勢(shì)壘區(qū)有一定寬度，載流子存在時(shí)間延遲，導(dǎo)致兩側(cè)的載流子濃度不一樣，因此電流不相等。（）

答案:對(duì)交流小信號(hào)下正常工作狀態(tài)的BJT的集電結(jié)延遲時(shí)間主要是因?yàn)榧娊Y(jié)勢(shì)壘電容的充放電時(shí)間。（）

答案:對(duì)亞閾值擺幅的定義為MOSFET所加?xùn)艍簩?duì)溝道電流的導(dǎo)數(shù)，其物理含義是，漏電流變化一個(gè)數(shù)量級(jí)需要改變多大柵壓。（）

答案:錯(cuò)不同工作狀態(tài)的均勻雙極晶體管都可以利用EM1模型求解直流電流的數(shù)學(xué)關(guān)系。（）

答案:對(duì)下面那個(gè)圖正確表示了PN結(jié)正偏的少子濃度分布圖：（）

答案:下面那個(gè)圖正確表示了PN結(jié)正偏的少子濃度分布圖：（）下面那個(gè)圖正確表示了PN結(jié)反偏的少子濃度分布圖：（）

答案:下面那個(gè)圖正確表示了PN結(jié)反偏的少子濃度分布圖：（）下面選項(xiàng)是同一類雙極晶體管的是：（）

答案:點(diǎn)接觸型晶體管、面接觸型晶體管下面有關(guān)BJT擊穿電壓的描述正確的是：（）

答案:共射極連接時(shí)，基極懸空會(huì)使得雪崩擊穿更容易發(fā)生下面對(duì)于緩變基區(qū)晶體管的描述不正確的是：（）

答案:多子在基區(qū)中存在凈電流流動(dòng)下面對(duì)于不同工作狀態(tài)的BJT的電荷控制方程的描述不正確的是：（）

答案:放大工作狀態(tài)下，基極電流一部分用于空間電荷區(qū)的電荷積累，另一部分全部用于補(bǔ)充復(fù)合損失的電荷下面對(duì)于NPN管的基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）

答案:是由于基區(qū)中發(fā)生電子的大注入，為了滿足電中性條件，基區(qū)中空穴濃度減小從而導(dǎo)致基區(qū)電阻率顯著下降。下面對(duì)于BJT電荷控制模型的時(shí)間常數(shù)描述不正確的是：（）

答案:基極時(shí)間常數(shù)表明基極電流全部用來(lái)補(bǔ)充基區(qū)內(nèi)部非平衡少子的復(fù)合下面對(duì)于BJT電荷控制模型描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:該模型將晶體管端電流和各區(qū)域的電荷關(guān)系建立函數(shù)關(guān)系下面對(duì)于BJT發(fā)射結(jié)對(duì)電流增益的影響說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

答案:下面對(duì)于BJT發(fā)射結(jié)對(duì)電流增益的影響說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）下面哪個(gè)圖代表線性緩變PN結(jié)熱平衡的電場(chǎng)分布：（）

答案:下面哪個(gè)圖代表線性緩變PN結(jié)熱平衡的電場(chǎng)分布：（）下面哪一種說(shuō)法是不正確的？（）

答案:下面哪一種說(shuō)法是不正確的？（）下面關(guān)于影響MOSFET閾值電壓大小的因素不包括：（）

答案:所施加的柵電壓大小下面關(guān)于基區(qū)對(duì)雙極晶體管直流電流增益的影響表的描述不正確的是：（）

答案:表面缺陷會(huì)減弱基區(qū)的表面復(fù)合效應(yīng)，這是提高電流增益的有效方法下面關(guān)于厄爾利效應(yīng)描述不正確的是：（）

答案:厄爾利電壓越大說(shuō)明基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)越明顯下面關(guān)于PN結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的說(shuō)法哪個(gè)是正確的？（）

答案:減少PN結(jié)結(jié)面積可以減少這兩個(gè)電容下面關(guān)于BJT基極電阻描述不正確的是：（）

答案:梳妝管芯的基極電阻由n+1個(gè)發(fā)射條和n個(gè)基極條組成下面關(guān)于BJT發(fā)射結(jié)的復(fù)合效應(yīng)說(shuō)法正確的是：（）

答案:發(fā)射結(jié)結(jié)深較大時(shí)，主要以SHR復(fù)合為主，可以忽略禁帶窄化效應(yīng)下圖中表示氧化層正的陷阱電荷引起的N型MOS電容C-V曲線平移的是（）

答案:下圖中表示氧化層正的陷阱電荷引起的N型MOS電容C-V曲線平移的是（）下列改善雙極晶體管頻率特性的途徑不正確的是：（）

答案:減小晶體管發(fā)射結(jié)面積、增大和集電結(jié)的面積，提高集電結(jié)的收集能力下列提高雙極晶體管開(kāi)關(guān)速度方法是：（）

答案:都是下列影響B(tài)JT開(kāi)關(guān)過(guò)程中儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間的因素中正確的是：（）

答案:集電區(qū)少子壽命越大，超量存儲(chǔ)電荷小時(shí)越慢，儲(chǔ)存時(shí)間越短下列影響B(tài)JT開(kāi)關(guān)過(guò)程中上升時(shí)間的因素錯(cuò)誤的是：（）

答案:兩結(jié)的結(jié)電壓，結(jié)電壓越大，上升時(shí)間越大下列對(duì)混合π模型的意義描述正確的是：（）

答案:引入了結(jié)構(gòu)參數(shù)相關(guān)的模型參數(shù)下列對(duì)混合π模型求出的BJT器件參數(shù)描述或公式正確的是：（）

答案:下列對(duì)混合π模型求出的BJT器件參數(shù)描述或公式正確的是：（）下列對(duì)共射極組態(tài)雙極晶體管描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:減小集電極厚度可以增大飽和壓降和正向壓降下列對(duì)于強(qiáng)場(chǎng)下BJT基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)描述不正確的是：（）

答案:強(qiáng)場(chǎng)大電流注入，有效基區(qū)寬度增大，電流增益增大下列對(duì)于弱場(chǎng)下BJT基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)描述正確的是：（）

答案:集電區(qū)中電阻率增大，出現(xiàn)感應(yīng)基區(qū)下列對(duì)于小信號(hào)模型下雙極晶體管各區(qū)域的變化描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:發(fā)射結(jié)的擴(kuò)散電容會(huì)導(dǎo)致基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)增大下列對(duì)于增大BJT功率增益有效的途徑是：（）

答案:降低基區(qū)電阻下列對(duì)于雙極晶體管的反向直流參數(shù)的描述不正確的是（）

答案:擊穿電壓越小越好下列對(duì)于雙極晶體管的功率耗損來(lái)源不包括：（）

答案:基區(qū)電阻下列對(duì)于雙極晶體管的功率性能參數(shù)描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:晶體管本身的耗散功率越大，轉(zhuǎn)換效率越大下列對(duì)于雙極晶體管最大耗散功率說(shuō)法不正確的是：（）

答案:選擇電阻率小的材料可以降低最大耗散功率下列對(duì)于雙極晶體管延遲時(shí)間描述錯(cuò)誤的是（）

答案:整個(gè)延遲時(shí)間內(nèi)，基極電流保持不變，且IBI越大，延遲時(shí)間越大下列對(duì)于NPNBJT大注入描述不正確的是：（）

答案:大注入使得發(fā)射效率上升，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)下降下列對(duì)于MOS電容的在氧化物-半導(dǎo)體界面處的空間電荷區(qū)的寬度說(shuō)法不正確的是（）

答案:耗盡層寬度與半導(dǎo)體摻雜濃度的二分之一次方成反比下列對(duì)于MOSFET的柵源、柵漏之間的分布電容描述不正確的是：（）

答案:當(dāng)器件進(jìn)入飽和區(qū)，柵源之間的分布電容CGS等于總氧化層電容CG的二分之三下列對(duì)于BJT的頻率特性描述正確的是：（）

答案:低頻下，晶體管的電流增益基本不變下列對(duì)NPN管的發(fā)射極電流集邊效應(yīng)描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:大電流下，要考慮發(fā)射極電極上產(chǎn)生的壓降會(huì)導(dǎo)致實(shí)際輸出電壓減小，增大電流增益下列對(duì)MOSFET閾值電壓襯底偏置效應(yīng)（反向偏置）描述正確的是：（）

答案:對(duì)于nMOS，為了保證不發(fā)生襯偏效應(yīng)，需要保證源到襯底的PN結(jié)必須為零或反偏下列對(duì)JFET直流特性描述錯(cuò)誤的是（）

答案:柵源電壓等于漏端電壓時(shí)，溝道中的電導(dǎo)為溝道區(qū)的最小電導(dǎo)下列減小MOSFET亞閾值擺幅的途徑不包括（）

答案:減小氧化層電容COX下列關(guān)于共基極組態(tài)下BJT的基區(qū)小信號(hào)特性參數(shù)描述正確的是：（）

答案:小信號(hào)下基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)下列關(guān)于共BJT的集電區(qū)小信號(hào)特性參數(shù)描述錯(cuò)誤的是（）

答案:集電區(qū)衰減因子與集電極延遲時(shí)間無(wú)關(guān)下列關(guān)于BJT中淺埋層的描述錯(cuò)誤的是：（）

答案:淺埋層同時(shí)起到了隔離器件的作用下列不屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的是（）

答案:BJTPN結(jié)非理想效應(yīng)不包括：（）

答案:隨著溫度的升高，二極管電流會(huì)增大PN結(jié)的勢(shì)壘電容隨反偏電壓的增大而增大。（）

答案:錯(cuò)PN結(jié)的p型和n型間的勢(shì)壘隨正向偏壓的增加而升高。（）

答案:錯(cuò)PN結(jié)由正偏突變成反偏時(shí)，立刻出現(xiàn)少子抽取。（）

答案:錯(cuò)PN結(jié)由正偏突變成反偏時(shí)，電流與電壓存在延遲現(xiàn)象，這是因?yàn)檎€(wěn)態(tài)存儲(chǔ)的電荷不能立刻消失。（）

答案:對(duì)PN結(jié)正偏時(shí)，擴(kuò)散區(qū)中非平衡少子濃度隨擴(kuò)散距離的增大而指數(shù)增大，逐漸趨向熱平衡值。（）

答案:錯(cuò)PN結(jié)小信號(hào)模型中的準(zhǔn)靜態(tài)是指信號(hào)變化速率低于器件內(nèi)載流子弛豫到穩(wěn)態(tài)的速率，即器件內(nèi)部的載流子分布的變化跟得上信號(hào)的變化。（）

答案:對(duì)PN結(jié)在較低正偏壓下，隨正向電壓的增加，擴(kuò)散電流變的越來(lái)越不占主導(dǎo)。（）

答案:錯(cuò)MOS電容會(huì)隨柵壓發(fā)生變化，當(dāng)信號(hào)頻率比較高，耗盡層中電子—空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合跟不上信號(hào)的變化，反型層中的電子電荷Qn來(lái)不及改變，在高頻情況下MOS電容維持極大值。（）

答案:錯(cuò)MOSFET的亞閾值電流正比于表面勢(shì)的指數(shù).（）

答案:對(duì)MOSFET器件的跨導(dǎo)截止頻率和器件截止頻率均越高越好。（）

答案:對(duì)MOSFET中會(huì)有哪些寄生電容（）

答案:都是FET是電壓控制型器件，BJT是電流控制型器件。（）

答案:對(duì)EM模型通過(guò)將BJT看成兩個(gè)背靠背的PN結(jié)來(lái)建立模型。（）

答案:錯(cuò)BJT集電極最大電流是為了保證晶體管電流增益的臨界標(biāo)準(zhǔn)，那么下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）

答案:它可以由大電流效應(yīng)所限定的臨界電流的最大值來(lái)確定BJT的雪崩擊穿和二次擊穿都是非破壞性的可逆擊穿。（）

答案:錯(cuò)BJT的關(guān)斷時(shí)間是決定器件開(kāi)關(guān)頻率上限的主要因素。（）

答案:對(duì)BJT中淺埋層是為了解決器件微小化過(guò)程中出現(xiàn)的表面復(fù)合增大的問(wèn)題。（）

答案:對(duì)

答案:

答案:共射極

答案:

答案:

答案:錯(cuò)

答案:104ps

答案:

答案:104ps

答案:I

答案:上升過(guò)程

答案:上升過(guò)程

答案:1.53GHz

答案:V

答案:24ps

答案:正偏

答案:基區(qū)內(nèi)少子密度大于反向偏置時(shí)的情況

答案:26ps

答案: