標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 22452-2025 硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范》與《GB/T 22452-2008 硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件》相比,在多個(gè)方面進(jìn)行了更新和改進(jìn)。新版本標(biāo)準(zhǔn)更加注重技術(shù)的先進(jìn)性和實(shí)用性,以適應(yīng)當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)行業(yè)發(fā)展的需求。具體變更包括但不限于以下幾個(gè)方面:

  1. 術(shù)語定義的更新:根據(jù)最新的科研成果和技術(shù)發(fā)展,對部分專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了重新定義或補(bǔ)充,確保了術(shù)語使用的準(zhǔn)確性和一致性。

  2. 性能指標(biāo)調(diào)整:針對硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件的關(guān)鍵性能參數(shù)(如折射率、損傷閾值等),基于最新研究成果進(jìn)行了修訂,提出了更為嚴(yán)格的要求,同時(shí)也增加了對于新型材料性能評價(jià)的相關(guān)內(nèi)容。

  3. 檢測方法優(yōu)化:引入了先進(jìn)的測試技術(shù)和設(shè)備,對原有檢測方法進(jìn)行了改進(jìn)或替代,提高了測量精度與可靠性;同時(shí)新增了一些必要的檢測項(xiàng)目,以全面評估晶體質(zhì)量。

  4. 包裝運(yùn)輸要求細(xì)化:考慮到實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的各種環(huán)境因素影響,新版標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品的包裝方式、防護(hù)措施以及運(yùn)輸過程中的注意事項(xiàng)給出了更詳細(xì)的規(guī)定,旨在減少物流環(huán)節(jié)對產(chǎn)品造成的損害。

  5. 安全環(huán)保條款增加:強(qiáng)調(diào)了生產(chǎn)過程中應(yīng)遵循的安全操作規(guī)程,并首次明確提出了關(guān)于環(huán)境保護(hù)的具體要求,體現(xiàn)了綠色可持續(xù)發(fā)展的理念。

  6. 質(zhì)量管理體系建設(shè):鼓勵(lì)企業(yè)建立和完善質(zhì)量管理體系,通過ISO9001認(rèn)證等方式提升整體管理水平,保證產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。

以上變化反映了我國在該領(lǐng)域技術(shù)水平的進(jìn)步與發(fā)展,也為相關(guān)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)提供了更加科學(xué)合理的指導(dǎo)依據(jù)。


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....

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  • 2025-04-25 頒布
  • 2025-08-01 實(shí)施
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GB/T 22452-2025硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范_第3頁
GB/T 22452-2025硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范_第4頁
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GB/T 22452-2025硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

CCSL.51

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T22452—2025

代替GB/T22452—2008

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范

Generalspecificationofnon-linearopticalboratecrystaldevices

2025-04-25發(fā)布2025-08-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T22452—2025

目次

前言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測試條件

4…………………2

環(huán)境條件

4.1……………2

測試儀器及計(jì)量要求

4.2………………2

激光安全要求

4.3………………………2

技術(shù)要求

5…………………2

激光性能

5.1……………2

二次諧波工作波長

5.1.1(SHG)……………………2

特定波長臨界相位匹配角

5.1.2SHG………………2

倍頻轉(zhuǎn)換效率

5.1.3…………………4

特定波長吸收率

5.1.4………………4

光學(xué)均勻性

5.1.5……………………4

波前畸變

5.1.6………………………4

有效通光孔徑

5.1.7…………………4

減反膜剩余反射率

5.1.8……………5

激光損傷閾值

5.1.9…………………5

透光波長范圍

5.1.10…………………5

散射點(diǎn)

5.1.11…………………………5

加工性能

5.2……………5

尺寸公差

5.2.1………………………5

切割角度偏差

5.2.2…………………6

面形偏差

5.2.3………………………6

平行度

5.2.4…………………………6

側(cè)面垂直度

5.2.5……………………6

表面粗糙度

5.2.6……………………6

崩邊崩口及崩裂

5.2.7、………………6

倒角

5.2.8……………6

表面疵病

5.2.9………………………6

膜層牢固度

5.2.10……………………7

膜層的抗摩擦性能

5.2.11……………7

GB/T22452—2025

環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)要求

5.3………………7

膜層的抗高濕性能

5.3.1……………7

膜層的抗溫度沖擊性能

5.3.2………………………7

測試方法

6…………………7

激光性能

6.1……………7

工作波長

6.1.1SHG…………………7

特定波長臨界相位匹配角

6.1.2SHG………………7

倍頻轉(zhuǎn)換效率

6.1.3…………………7

特定波長吸收率

6.1.4………………8

光學(xué)均勻性

6.1.5……………………8

波前畸變

6.1.6………………………8

有效通光孔徑

6.1.7…………………8

減反膜剩余反射率

6.1.8……………8

激光損傷閾值

6.1.9…………………8

透光波長范圍

6.1.10…………………8

散射點(diǎn)

6.1.11…………………………8

加工性能

6.2……………8

尺寸公差

6.2.1………………………8

切割角度偏差

6.2.2…………………8

面形偏差

6.2.3………………………9

平行度

6.2.4…………………………9

側(cè)面垂直度

6.2.5……………………9

表面粗糙度

6.2.6……………………9

崩邊崩口及崩裂

6.2.7、……………10

倒角

6.2.8……………10

表面疵病

6.2.9………………………10

膜層牢固度

6.2.10…………………10

膜層的抗摩擦性能

6.2.11…………10

環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)方法

6.3………………10

膜層的抗高濕性能

6.3.1……………10

膜層的抗溫度沖擊性能

6.3.2………………………10

檢驗(yàn)規(guī)則

7…………………10

檢驗(yàn)分類

7.1……………10

出廠檢驗(yàn)

7.2……………11

型式檢驗(yàn)

7.3……………12

檢測項(xiàng)目

7.3.1………………………12

批的組成

7.3.2………………………12

GB/T22452—2025

抽樣

7.3.3……………12

型式檢驗(yàn)時(shí)機(jī)

7.3.4…………………12

合格判定

7.4……………12

標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

8、、…………………12

包裝

8.1…………………12

采用彈性膜盒包裝

8.1.1……………12

裝箱單

8.1.2…………………………12

標(biāo)志

8.2…………………13

運(yùn)輸

8.3…………………13

貯存

8.4…………………13

圖臨界相位匹配角參考圖

1LBOSHG…………………3

圖臨界相位匹配角參考圖

2BBOSHG…………………3

圖單晶元件尺寸標(biāo)注示意圖

3……………6

表單晶元件特定波長的倍頻轉(zhuǎn)換效率要求

1……………4

表單晶元件高功率下特定波長的吸收率要求

2…………4

表單晶元件常規(guī)功率下特定波長的吸收率要求

3………4

表單晶元件減反膜剩余反射率的要求

4…………………5

表單晶元件激光損傷閾值的要求

5………………………5

表單晶元件表面疵病的要求

6……………7

表檢驗(yàn)項(xiàng)目

7……………10

GB/T22452—2025

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件與

GB/T22452—2008《》,GB/T22452—

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

2008,,:

更改了術(shù)語和定義見第章年版的第章

———(3,20083);

刪除了產(chǎn)品分類見年版的第章

———(20084);

增加了測試條件見第章

———(4);

更改了技術(shù)要求見第章年版的第章

———(5,20085);

增加了工作波長特定波長臨界相位匹配角特定波長吸收率膜層牢固度膜層

———SHG、SHG、、、

的抗高濕性能膜層的抗溫度沖擊膜層的抗摩擦性能表面粗糙度崩邊崩口及崩裂倒角等

、、、、、、

指標(biāo)的內(nèi)容見第章

(5);

增加了膜層牢固度膜層的抗高濕性能膜層的抗溫度沖擊膜層的抗摩擦性能指標(biāo)見第

———、、、(6

);

增加了檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)項(xiàng)目見第章

———,(7)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會提出

。

本文件由全國光輻射安全和激光設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC284)。

本文件起草單位中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室福建福晶科技股份有限公司

:、、、

中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所江西省檢驗(yàn)檢測認(rèn)證總院工

、、

業(yè)產(chǎn)品檢驗(yàn)檢測院北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司成都東駿激光股份有限公司中國電子科技集團(tuán)

、、、

公司第十一研究所中國兵器工業(yè)第二〇九研究所大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司中國計(jì)量

、、、

大學(xué)

本文件主要起草人王帥華鄭熠黃鑫鄭發(fā)鯤吳少凡麻云鳳張星陳偉丁雨憧何彤斌張戈

:、、、、、、、、、、、

朱建慧周世斌孫雨彤郭麗賈凱秦來順李丙軒陳旻羅興木柴賢丹

、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———2008GB/T22452—2008;

本次為第一次修訂

———。

GB/T22452—2025

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用規(guī)范

1范圍

本文件界定了硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件β相偏硼酸鋇β簡稱和三硼酸鋰

(-BaB2O4,BBO)

簡稱的術(shù)語和定義規(guī)定了技術(shù)要求檢驗(yàn)規(guī)則及包裝標(biāo)志運(yùn)輸貯存描述了相應(yīng)的

(LiB3O5,LBO),、、、、,

試驗(yàn)方法

。

本文件適用于硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件和研制生產(chǎn)檢驗(yàn)銷售其他非線性光學(xué)

BBOLBO、、、。

單晶元件參照執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

溫馨提示

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