ICS31200

L01.

備案號46441—2015

:

上海市地方標準

DB31/792—2014

硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額

Normofenergyconsumptionperunitproductsfor

monocrystallinesiliconandsiliconwafers

2014-04-15發(fā)布2014-08-01實施

上海市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

DB31/792—2014

前言

本標準4.1和4.2是強制性的其余為推薦性的

,。

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準是按照單位產(chǎn)品能源消耗限額編制通則的要求和硅片的單位產(chǎn)品能源消耗

GB/T12723《》

實際情況進行編制的

。

本標準由上海有色金屬行業(yè)協(xié)會和上海市有色金屬標準化技術(shù)委員會建議由上海市發(fā)展和改革

,

委員會上海市經(jīng)濟和信息化委員會上海市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局共同提出

、、。

本標準由上海市有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口

。

本標準起草單位上海有色金屬行業(yè)協(xié)會上海市有色金屬標準化技術(shù)委員會上海合晶硅材料有

:、、

限公司上海晶盟硅材料有限公司上海九晶電子材料股份有限公司上海申和熱磁電子有限公司上海

、、、、

新傲科技股份有限公司上?？返た颂柲芸萍加邢薰?/p>

、。

本標準起草人張敏祥唐宗平謝江華魯臻劉秋麗袁美君萬國強陶廣平劉勇沈夏搏

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

DB31/792—2014

硅單晶及其硅片單位產(chǎn)品能源消耗限額

1范圍

本標準規(guī)定了硅單晶和硅單晶片單位產(chǎn)品能源消耗以下簡稱能耗限額的要求計算原則計算范

()、、

圍計算方法和節(jié)能管理與措施

、。

本標準適用于硅單晶包括半導(dǎo)體級硅單晶太陽能級硅單晶硅單晶片包括半導(dǎo)體器件用硅單晶

,、;,

片和光伏太陽能電池用硅單晶片以下統(tǒng)稱硅片生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品能耗的計算考核以及對新建項目的能

()、

耗控制

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

綜合能耗計算通則

GB/T2589

企業(yè)能量平衡通則

GB/T3484

單位產(chǎn)品能源消耗限額編制通則

GB/T12723

用能單位能源計量器具配備和管理通則

GB17167

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

硅單晶monocrystallinesilicon

以多晶硅為原材料直拉法或區(qū)熔法從熔體中生長出的棒狀硅單晶又稱單晶硅并經(jīng)

,(CZ)(FZ)(),

整形處理成硅單晶棒用于生產(chǎn)硅單晶片

。

32

.

硅片siliconwafers

用硅單晶加工成的圓形或方形八邊形薄片其主要分為半導(dǎo)體硅圓片和太陽能硅片兩類是制作

(),,

半導(dǎo)體器件和太陽能電池的基礎(chǔ)材料又稱硅單晶片

,。

33

.

硅外延片siliconepitaxialwafer

用外延工藝在硅單晶片上沿其原來的晶向再生長一層或多層硅單晶薄膜或在絕緣體上形成半導(dǎo)

,

體薄膜的深加工半導(dǎo)體硅片包括片絕緣體上的硅

,SOI()。

34

.

工序能源單耗unitenergyconsumptioninworkingprocedure

單一工序生產(chǎn)過程中生產(chǎn)單位合格產(chǎn)品直接消耗的全部能源量

。

35

.

硅單晶綜合能源單耗unitconsumptionofintegrateenergymonocrystallinesilicon

報告期內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的合格硅單晶產(chǎn)品所消耗的各種能源并折算成標準煤后的全部能源