ICS29045

CCSL.90

團體標準

T/CEMIA023—2021

半導體單晶硅生長用石英坩堝

Quartzcrucibleforsemiconductormonosilicongrowth

2021-07-15發(fā)布2021-12-25實施

中國電子材料行業(yè)協(xié)會發(fā)布

T/CEMIA023—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子材料行業(yè)協(xié)會提出并歸口

。

本文件主要起草單位內蒙古歐晶科技股份有限公司錦州佑鑫石英科技有限公司江西中昱新材

:、、

料科技有限公司

。

本文件參與起草單位寧波寶斯達坩堝保溫制品有限公司常州裕能石英科技有限公司江陰龍源

:、、

石英制品有限公司江蘇中天科技股份有限公司北京雅博石光照明器材有限公司隆基綠能科技股份

、、、

有限公司廊坊赫爾勞斯太陽能光伏有限公司湖南黎輝新材料科技有限公司中國建筑材料科學研究

、、、

總院有限公司

。

本文件主要起草人何文兵陳曼蘇光都杜興林李宗輝王文慶朱旦李曉航朱劍徐曉軍

:、、、、、、、、、、

王君偉王慧韓東李秀英錢宜剛賈建亮萬鵬遠潘志華楊軍周銳

、、、、、、、、、。

Ⅰ

T/CEMIA023—2021

半導體單晶硅生長用石英坩堝

1范圍

本文件界定了半導體單晶硅生長用石英坩堝的術語和定義規(guī)定了規(guī)格尺寸技術要求試驗方法

,、、、

檢驗規(guī)則標志包裝運輸儲存

、、、、。

本文件適用于以高純石英砂成分二氧化硅為原料采用電弧熔融法生產(chǎn)用于半導體單晶硅生

(:),,

長的石英坩堝

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

石英玻璃化學成分分析方法

GB/T3284

石英玻璃術語

JC/T2205—2014

光伏單晶硅生長用石英坩堝

T/CEMIA004—2018

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

JC/T2205—2014、T/CEMIA004—2018。

31

.

微氣泡microbubble

直徑小于的氣泡

0.5mm。

來源有修改

[:T/CEMIA004—2018,3.1,]

32

.

白斑vaporspots

目視可見的帶有微小氣泡的灰色乳白色粗糙或平滑的斑點

、、。

來源

[:T/CEMIA004—2018,3.2]

33

.

凸起bulge

高出石英坩堝內表面和外表面的點

。

來源

[:T/CEMIA004—2018,3.3]

34

.

圓度偏差circularitytolerance

石英坩堝圓柱體同一橫截面上最大與最小直徑之差

。

來源有修改

[:T/CEMIA004—2018,3.4,]

35

.

偏壁值sidingvalue