ICS3108001

CCSL.40.

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE121—2021

逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試方法

TechnicalmethodforthermalresistancetestofreverseconductingIGBT

RC-IGBT

()

2021-11-22發(fā)布2022-02-01實(shí)施

中國電子學(xué)會發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE121—2021

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測試系統(tǒng)

4…………………2

通則

4.1…………………2

熱電偶

4.2………………2

測試電路

4.3……………2

測試電路要求

4.4………………………3

恒溫平臺

4.5……………3

K系數(shù)校準(zhǔn)裝置

4.6……………………3

測試條件

5…………………3

加熱電流

5.1……………3

加熱電壓

5.2……………3

測試電流

5.3……………3

測試時(shí)序

5.4……………4

測試延遲時(shí)間t

5.5(MD)…………………4

測試程序

6…………………5

基準(zhǔn)點(diǎn)溫度

6.1…………………………5

K值的確定

6.2…………………………5

熱阻測試

6.3……………6

數(shù)據(jù)記錄

7…………………8

通則

7.1…………………8

產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范和測試報(bào)告中的數(shù)據(jù)

7.2………………8

測試報(bào)告中記錄的數(shù)據(jù)

7.3……………8

Ⅰ

T/CIE121—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子學(xué)會可靠性分會提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子科技大學(xué)北京工業(yè)大學(xué)中國振華集團(tuán)永

:、、、

光電子有限公司西安衛(wèi)光半導(dǎo)體有限公司

、。

本文件主要起草人陳媛來萍何小琦馮士維劉宇李彥鋒王嘉蓉田文燕孟繁新陳義強(qiáng)

:、、、、、、、、、、

付志偉賀志遠(yuǎn)周斌劉昌

、、、。

Ⅲ

T/CIE121—2021

引言

對于新型逆導(dǎo)型器件在同一個芯片中集成了和續(xù)流二極管在導(dǎo)通初期的小電流情

IGBT(IGBT)

況下集電極和發(fā)射極電壓V隨電流增加迅速增大當(dāng)大于特定值V時(shí)V會突然陡降電流密度

,(CE),p,CE,

則陡增I-V特性曲線上出現(xiàn)一段負(fù)阻區(qū)這種現(xiàn)象稱為回跳現(xiàn)象如果電流繼續(xù)增加

,,(snap-back)。,

I-V曲線上還會出現(xiàn)一系列的小幅回跳現(xiàn)象由于回跳現(xiàn)象逆導(dǎo)型采用傳統(tǒng)電學(xué)法測量的熱

。,IGBT

阻并不準(zhǔn)確現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)采用小電流的集電極發(fā)射極電壓作為熱敏參數(shù)測量器件或模塊結(jié)殼熱阻由于

。-,

逆導(dǎo)型在小電流小電壓時(shí)處于回跳危險(xiǎn)區(qū)無法準(zhǔn)確測量逆導(dǎo)型的熱阻另外由于其內(nèi)

IGBT,IGBT。,

部結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的不同測試時(shí)的噪聲參數(shù)高于標(biāo)準(zhǔn)值也會帶來較大的測量誤差因此本文件以

IGBT,。,

中體二極管導(dǎo)通電壓為熱敏參數(shù)建立適用于逆導(dǎo)型器件的熱阻測試電路和方法規(guī)范逆

IGBT,IGBT,

導(dǎo)型的熱阻測試流程提高測試準(zhǔn)確性

IGBT,。

Ⅳ

T/CIE121—2021

逆導(dǎo)型IGBT的熱阻測試方法

1范圍

本文件描述了逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管器件以下簡稱器件的穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻的

(IGBT)()

電學(xué)法測試的基本原理和方法

。

本文件適用于逆導(dǎo)型器件的熱阻測試

IGBT。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體分立器件文字符號

GB/T11499

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548C

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

GJB128A

3術(shù)語和定義

和中界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GJB548C、GJB128AGB/T11499。

31

.

穩(wěn)態(tài)熱阻steadystatethermalresistance

R

th

器件加熱時(shí)間足夠長在芯片發(fā)熱與管殼散熱達(dá)到熱平衡后結(jié)溫與參考點(diǎn)溫度差值與加熱功率

,,

之比

。

32

.

瞬態(tài)熱阻抗transientthermalimpedance

Z

th

器件加熱后在芯片發(fā)熱與管殼散熱尚未達(dá)到熱平衡時(shí)的熱阻為瞬態(tài)熱阻抗

,。

注由于器件芯片和底座熱時(shí)間常數(shù)的差異可以通過選擇加熱脈寬時(shí)間使之大于芯片而小于底座的時(shí)間常數(shù)進(jìn)

:,