1+X集成電路理論模擬習(xí)題及答案一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.晶圓進(jìn)行扎針測試時(shí)，其操作步驟正確的是（）。A、輸入晶圓信息→清零→測試→檢查扎針情況（無異常）→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果B、輸入晶圓信息→檢查扎針情況（無異常）→測試→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果C、輸入晶圓信息→測試→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果D、輸入晶圓信息→測試→清零→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果正確答案：A2.分選機(jī)選擇依據(jù)是（）。A、芯片的應(yīng)用等級B、芯片的電氣特性C、芯片的管腳數(shù)量D、芯片封裝類型正確答案：D3.一般情況下，制造晶圓的原材料是()。A、硼B(yǎng)、鍺C、硅D、硒正確答案：C答案解析：晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。4.晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)之后，需要進(jìn)行的操作是()。A、加溫、扎針調(diào)試B、扎針測試C、烘烤D、外檢正確答案：C答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。5.植球時(shí)，球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時(shí)形成的焊點(diǎn)為（）。A、第一焊點(diǎn)B、第二焊點(diǎn)C、第三焊點(diǎn)D、芯片焊點(diǎn)正確答案：A答案解析：劈刀下降到芯片焊點(diǎn)表面，加大壓力和功率，使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，形成第一焊點(diǎn)。6.下面選項(xiàng)中不屬于鍍錫工序中酸洗的目的是（）。A、中和堿性膜B、消毒C、增加表面活性D、增強(qiáng)鍍層與框架結(jié)合度正確答案：B答案解析：酸洗的目的一般是為了中和堿性膜，并將引線金屬表面的氧化膜清除，增加基層表面活性，使鍍錫時(shí)鍍層能與引線金屬牢固結(jié)合。7.用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過()可以得到高純度的四氯化硅。A、高溫還原爐B、精餾塔C、多晶沉積設(shè)備D、單晶爐正確答案：B答案解析：用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通常使用精餾法，精餾法是在精餾塔中實(shí)現(xiàn)的。8.以全自動(dòng)探針臺為例，上片過程中，當(dāng)承重臺下降到指定位置時(shí)，()。A、紅色指示燈亮B、紅色指示燈滅C、綠色指示燈亮D、綠色指示燈滅正確答案：B答案解析：以全自動(dòng)探針臺為例，承重臺前的兩個(gè)按鈕指示燈：綠色表示上升，紅色表示下降。承重臺下降到指定位置后，下降指示燈滅，即紅色指示燈滅。9.脫水烘烤是在（）的氣氛中進(jìn)行烘烤。A、真空B、干燥氮?dú)釩、真空或干燥氮?dú)釪、清潔的空氣正確答案：C答案解析：脫水烘烤是在真空或干燥氮?dú)獾臍夥罩羞M(jìn)行。10.下列說法錯(cuò)誤的是（）。A、在cadence軟件界面上，單擊Tools菜單，選擇LibraryManager命令，出現(xiàn)“庫文件管理器”B、用戶可以在庫文件里新建單元，但不能在新建的單元下新建視圖C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng)，表示在單元下建立電路圖視圖D、在電路編輯窗口中，利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖正確答案：B11.使用測編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，如果遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是（）。A、編帶B、外觀檢查C、測試D、上料正確答案：A12.塑封一般采用（）為塑封料。A、熱固性塑料B、人工催化塑料C、芳烴類塑料D、結(jié)晶性塑料E、熱塑性塑料正確答案：A13.晶圓進(jìn)行扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過（）傳輸給探針臺。A、USDB、GPIBC、HDMID、VGA正確答案：B14.管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有()種標(biāo)簽。A、1B、2C、3D、4正確答案：B答案解析：管裝內(nèi)盒上的標(biāo)簽有合格標(biāo)簽和含芯片信息的標(biāo)簽。15.封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱中進(jìn)行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。A、175B、200C、150D、225正確答案：A16.下面選項(xiàng)中不屬于激光打字的優(yōu)點(diǎn)的是（）。A、精度高B、塑封體上易反復(fù)進(jìn)行C、不易擦除D、字跡清晰正確答案：B17.下列有關(guān)平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是（）。A、平移式分選機(jī)是采用測壓手臂下壓的壓測方式進(jìn)行的B、通過入料梭移動(dòng)將芯片從待測區(qū)“中轉(zhuǎn)站”轉(zhuǎn)移至測試區(qū)，等待測壓手臂吸取芯片進(jìn)行測試。C、收料時(shí)，為了確保料盤能平穩(wěn)地放入，需要將收料架上的料盤向下壓緊D、測試機(jī)通過GPIB將測試結(jié)果反饋給分選機(jī)，在分選機(jī)的顯示界面顯示測試結(jié)果并記錄正確答案：C18.扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過()傳輸給探針臺。A、USBB、GPIBC、HDMID、VGA正確答案：B答案解析：扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過GPIB傳輸給探針臺。19.在刻蝕工藝中，有幾個(gè)非常重要的參數(shù)，其中（）定義為當(dāng)刻蝕線條時(shí)，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量ΔX的比值V/ΔX，比值越大，說明橫向刻蝕速率小，刻蝕圖形的保真度好。A、刻蝕因子B、刻蝕速率C、選擇比D、均勻性正確答案：A20.用比色法進(jìn)行氧化層厚度的檢測時(shí)，看到的色彩是（）色彩。A、衍射B、二氧化硅本身的C、反射D、干涉正確答案：D21.以下不屬于模擬集成電路的是（）。A、穩(wěn)壓器B、功率放大器C、運(yùn)算放大器D、鎖相環(huán)正確答案：D22.平移式設(shè)備芯片檢測工藝流程中，上料之后的環(huán)節(jié)是()。A、測試B、分選C、真空包裝D、外觀檢查正確答案：A答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。23.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見故障不包括（）。A、真空吸嘴無芯片B、測試卡與測試機(jī)調(diào)用的測試程序錯(cuò)誤C、料軌堵塞D、IC定位錯(cuò)誤正確答案：D24.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，測試機(jī)對芯片測試完畢后，將檢測結(jié)果通過()把結(jié)果傳回分選機(jī)。A、GPIBB、數(shù)據(jù)線C、串口D、VGA正確答案：A答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，測試機(jī)對芯片測試完畢后，將芯片檢測結(jié)果通過GPIB傳回分選機(jī)25.風(fēng)淋室在運(yùn)行時(shí)，風(fēng)淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強(qiáng)風(fēng)。A、高溫烘烤B、車間內(nèi)部C、低溫處理D、高效過濾正確答案：D答案解析：風(fēng)淋是為了吹出人體表面的灰塵，故其噴出的風(fēng)必須是經(jīng)過高效過濾，除掉掉微塵的潔凈風(fēng)。26.平移式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是：()。A、待測芯片上料→吸嘴轉(zhuǎn)移芯片→空料盤替換B、吸嘴轉(zhuǎn)移芯片→待測芯片上料→空料盤替換C、空料盤替換→待測芯片上料→吸嘴轉(zhuǎn)移芯片D、吸嘴轉(zhuǎn)移芯片→空料盤替換→待測芯片上料正確答案：A答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為：待測芯片上料→吸嘴轉(zhuǎn)移芯片→空料盤替換。27.晶圓進(jìn)行扎針測試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對（）上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測試機(jī)操作界面、晶圓測試隨件單B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單正確答案：A28.添加連線時(shí)，在先的起點(diǎn)處（）鼠標(biāo)，移動(dòng)光標(biāo)，在線的終點(diǎn)（）鼠標(biāo)完成連線繪制。A、雙擊、雙擊B、單擊、單擊C、單擊、雙擊D、雙擊、單擊正確答案：C29.風(fēng)淋的作用是（）。A、清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵B、檢測進(jìn)入車間人員的體重與生態(tài)狀況C、降低人體衣物表面的溫度D、使衣物保持潔凈、平整正確答案：A答案解析：風(fēng)淋的操作是針對芯片處于裸露狀態(tài)工藝的車間設(shè)計(jì)的，其目的是為了清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵，保證車間內(nèi)的無塵環(huán)境不被破壞。30.（）是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。A、刻蝕B、薄膜制備C、填充D、金屬化正確答案：D答案解析：金屬化是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。31.在淀積時(shí)，反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及均勻性，因此需嚴(yán)格控制氣體流量，通常采用（）來實(shí)現(xiàn)精確控制。A、電磁流量計(jì)B、質(zhì)量流量計(jì)C、氣體流量計(jì)D、液體流量計(jì)正確答案：B32.點(diǎn)銀漿時(shí)，銀漿的覆蓋范圍需要（）。A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正確答案：C答案解析：引線框架被推至點(diǎn)銀漿指定位置后，點(diǎn)膠頭在晶粒座預(yù)定粘著晶粒的位置點(diǎn)上定量的銀漿（銀漿覆蓋范圍>75%）。33.平移式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。A、吸取、搬運(yùn)芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運(yùn)、吹放芯片B、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運(yùn)芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運(yùn)、吹放芯片C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→搬運(yùn)、吹放芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→吸取、搬運(yùn)芯片D、搬運(yùn)、吹放芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運(yùn)芯片→壓測→記錄測試結(jié)果正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運(yùn)芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運(yùn)、吹放芯片。34.用重力式選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、分選B、測試C、上料D、外觀檢查正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。35.電鍍工序中完成前期清洗后，下一步操作是（）A、裝料B、高溫退火C、電鍍D、后期清洗正確答案：C答案解析：電鍍流程：裝料→前期清洗→電鍍槽電鍍→后期清洗→高溫退火。36.“6s”的管理方式相較于“5s”，多的一項(xiàng)內(nèi)容是（）。A、整理B、整頓C、清潔D、安全正確答案：D答案解析：5S即整理、整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)。6S管理是5S的升級，6S即整理、整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)、安全(SECURITY)。37.料盤完成外觀檢查后,需要進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、分選B、上料C、測試D、真空包裝正確答案：D答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為:上料→測試一分選一外觀檢查-真空包裝。38.封裝工藝中，在晶圓切割后的光檢中環(huán)節(jié)發(fā)現(xiàn)的不良廢品，需要做（）處理。A、修復(fù)B、剔除C、標(biāo)記D、降檔正確答案：B39.晶圓檢測工藝中，進(jìn)行晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在（）℃。A、120B、150C、130D、110正確答案：A二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.塑封工序需要的設(shè)備有（）。A、裝片機(jī)B、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)C、顯微鏡D、排片機(jī)E、高頻預(yù)熱機(jī)F、注塑機(jī)正確答案：DEF答案解析：裝片機(jī)-芯片粘接工序；轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)-芯片檢測工藝；顯微鏡-第二道光檢和第三道光檢；排片機(jī)、高頻預(yù)熱機(jī)、注塑機(jī)-塑封工藝。2.出現(xiàn)下列()的情況可能需要進(jìn)行墨管更換。A、墨點(diǎn)大小點(diǎn)B、小而空心的墨點(diǎn)C、位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致D、位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致正確答案：AB答案解析：出現(xiàn)墨點(diǎn)大小點(diǎn)、小而空心的墨點(diǎn)等情況需更換墨管。出現(xiàn)位置偏移且在晶粒上的偏移情況一致則需要調(diào)節(jié)打點(diǎn)器的旋鈕，使墨點(diǎn)處于晶粒中央。出現(xiàn)位置偏移且在晶粒上的偏移情況不一致等情況需調(diào)節(jié)打點(diǎn)的步進(jìn)。3.塑封時(shí)（）等現(xiàn)象統(tǒng)稱為飛邊毛刺現(xiàn)象。A、樹脂溢料B、貼帶毛邊C、生長晶須D、引線毛刺正確答案：ABD答案解析：晶須是在電鍍之后，高濃度的錫在潮濕或者溫度變化的環(huán)境中易生長出晶須，不同于飛邊毛刺，故C選項(xiàng)不選。4.抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A、破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）B、將晶圓傾斜一定的角度C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2D、進(jìn)行快速熱退火正確答案：ABC答案解析：快速熱退火使為了消除晶格損傷。5.通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。A、SOP封裝B、QFN封裝C、LGA封裝D、DIP封裝正確答案：AD答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。6.測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)()等功能。A、電性的測試B、測試程序的下載C、施加電壓電流D、采集測試數(shù)據(jù)正確答案：ABCD答案解析：測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)電性的測試、測試程序的下載、施加電壓電流、采集測試數(shù)據(jù)等功能。7.封裝工藝中，塑封時(shí)出現(xiàn)的（）等現(xiàn)象統(tǒng)稱為飛邊毛刺現(xiàn)象。A、樹脂溢料B、貼帶毛邊C、引線毛刺D、生長晶須正確答案：ABC8.選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。A、性能價(jià)格比B、性能指標(biāo)C、工作條件D、芯片原料正確答案：ABC9.編帶外觀檢查前需要準(zhǔn)備的工具是()。A、保護(hù)帶B、放大鏡C、紙膠帶D、防靜電鋁箔袋正確答案：ABC答案解析：在編帶外觀檢查前，需要準(zhǔn)備保護(hù)帶、紙膠帶、放大鏡、周轉(zhuǎn)盤等。防靜電鋁箔袋是抽真空環(huán)節(jié)會用到的材料。10.銀漿固化在烘干箱中進(jìn)行，在（）℃的環(huán)境下烘烤（）小時(shí)A、175B、100C、1D、8正確答案：AC答案解析：為了使芯片與引線框架之間焊接牢固，需要進(jìn)行銀漿固化處理。利用銀漿在高溫下能完全反應(yīng)的特性，將貼裝完成的芯片放于烘干箱中，在175℃的環(huán)境下高溫烘烤1個(gè)小時(shí)。11.以下屬于技術(shù)文件的是（）。A、各個(gè)層的定義B、符號化層的定義C、層、物理和電學(xué)規(guī)則等的定義D、版圖轉(zhuǎn)換成GDSII時(shí)所用到的層號和定義正確答案：ABCD12.扎針測試時(shí)，在MAP圖上可能會看到()區(qū)域。A、沿邊直接剔除區(qū)域B、故障區(qū)域C、待測區(qū)域D、測試合格區(qū)域正確答案：ABCD答案解析：扎針測試過程中，在MAP圖上會出現(xiàn)不同的標(biāo)記，含有沿邊直接剔除區(qū)域、測試區(qū)域、待測扎針、故障區(qū)域、待測區(qū)域。13.電子產(chǎn)品組裝工作是由多種基本技術(shù)構(gòu)成的,如（）。A、焊接技術(shù)B、線材加工處理技術(shù)C、質(zhì)量檢驗(yàn)技術(shù)D、調(diào)試技術(shù)正確答案：ABC14.直徑大于8英寸的單晶硅錠可以用()方法制備出來。A、FZ法B、CZ法C、直拉法D、懸浮區(qū)熔法正確答案：BC答案解析：只有直拉法能制造處直徑大于200mm的單晶硅錠，直拉法又稱CZ法，其中8英寸的晶圓直徑為200mm。15.以下LED流水燈程序少了一部分代碼，應(yīng)增加那一部分的代碼（）。A、在點(diǎn)亮LED后，增加一段延時(shí)時(shí)間B、使用PWM輸出控制LED亮滅C、在點(diǎn)亮LED燈后用定時(shí)器控制LED燈點(diǎn)亮?xí)r間D、循環(huán)較短，再增加一個(gè)循環(huán)語句正確答案：AC16.用重力式設(shè)備進(jìn)行芯片檢測時(shí)，可用于并行測試的芯片有()。（多選題）A、DIPB、DIP24C、SOPD、DIP27正確答案：AC答案解析：并行測試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測試，適用于普通DIP/SOP封裝的芯片；串行測試一般是要進(jìn)行多項(xiàng)測試，適用于DIP24/DIP27等模塊電路。17.下列平移式分選機(jī)的日常維護(hù)頻率錯(cuò)判的是（）。A、電源供應(yīng)：每周B、機(jī)械手臂：每日C、測試壓座：每月D、高壓空氣：每日正確答案：ABC18.編帶外觀檢查的內(nèi)容有（）。A、蓋帶皺紋B、載帶破損C、脫膠D、壓痕正確答案：ABCD19.下列描述正確的是（）。A、靜態(tài)電源電流越大越好B、共模抑制比越大越好C、輸入失調(diào)電壓越大越好D、開環(huán)增益越大越好正確答案：BD20.晶圓制造過程中，檢測刻蝕質(zhì)量的好壞，一般通過以下幾個(gè)方面體現(xiàn)出來：（）。A、刻蝕均勻性B、圖形保真度C、刻蝕選擇比D、刻蝕的潔凈度正確答案：ABCD21.晶圓檢測工藝中，晶圓在烘烤過程所采用的設(shè)備稱為（）。A、紅外線加熱器B、高溫烘箱C、高溫干燥箱D、加熱平板正確答案：BC22.下列描述正確的是（）。A、表征差分電路抑制共模信號及對差模信號的放大能力B、共模抑制比越大越好C、共模抑制比定義為放大器對差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)之比D、共模抑制比越小越好正確答案：ABC23.在設(shè)計(jì)限流電阻版圖時(shí)要考慮以下方面：（）。A、電阻盡量做的寬一些B、電阻盡量做的窄一些C、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣近一些D、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣遠(yuǎn)一些正確答案：AD24.OUTEN是單片機(jī)GPIO接口的輸出使能寄存器，它的功能是（）。A、0：將GPIO引腳配置為輸入B、1：將GPIO引腳配置為輸出C、0：將GPIO引腳配置為輸出D、1：將GPIO引腳配置為輸入正確答案：AB25.平移式分選機(jī)芯片檢測結(jié)束后，后續(xù)工作有()。A、核對測試后芯片數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上數(shù)量一致B、臨時(shí)捆扎C、將測試結(jié)果記錄在隨件單上D、放到待檢查品貨架上正確答案：ABCD答案解析：平移式分選機(jī)在分選完成要進(jìn)行清料。清料是為了確保芯片測試前后的總數(shù)一致、測試后芯片的不良品、合格品的數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上記錄的數(shù)量一致，并將測試結(jié)果記錄在隨件單上；為便于核對實(shí)際芯片的數(shù)量，對料盤進(jìn)行臨時(shí)捆扎，核對無誤后，將料盤和隨件單放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，把中轉(zhuǎn)箱放到“待檢查品貨架”等待外觀檢查。26.切割機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.集成電路的品種很多，總的可分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路兩大類。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B2.刻蝕過程中有一項(xiàng)重要的參數(shù)是選擇比?？涛g選擇比高表現(xiàn)為對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A3.在管裝外觀檢查中，如果發(fā)現(xiàn)芯片的方向不一致，要用零頭盒中合格的芯片進(jìn)行替換。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：芯片方向不一致時(shí)，可以將芯片方向進(jìn)行調(diào)整，不需要替換芯片。4.使用J-link燒入程序時(shí)，在魔法棒按鈕的output的選項(xiàng)設(shè)置地址范圍，選擇的地址范圍應(yīng)與所使用單片機(jī)的地址范圍對應(yīng)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B5.完成了相關(guān)信號的添加以后，還需要進(jìn)入ADE運(yùn)行仿真，并對運(yùn)行仿真的一些參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A6.將花籃放在承重臺上后，可以直接按確認(rèn)鍵開始下降。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：將花籃放在承重臺上后，需要前后移動(dòng)花籃，確?；ɑ@卡槽與承重臺密貼，然后再按下確認(rèn)鍵使花籃和承重臺下降到指定位置。7.PB->OUTEN=0x00ff;中I/O設(shè)置為0表示輸出；1表示輸入。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B8.編帶盤真空包裝時(shí)會放干燥劑。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A9.經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測試的芯片都需要進(jìn)行編帶。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：TO封裝的芯片不需要進(jìn)行編帶。10.開短路測試通常被稱為continuitytest或者open/shorttest，是對芯片管腳內(nèi)部對地或?qū)CC是否出現(xiàn)開路或短路的一種測試方法。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A11.集成電路測試包括邏輯功能測試和交/直流參數(shù)測試。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A12.使用并行測試的重力式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，只能選擇2sites進(jìn)行測試。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B13.若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A14.利用平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片測試時(shí)是采用壓測的方式，壓測可以同時(shí)完成多個(gè)芯片的測試，并且各個(gè)芯片能夠均勻受力，確保各個(gè)工位的芯片引腳和測試座穩(wěn)定接觸。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15.PCB文件是所有電路設(shè)計(jì)軟件都可以產(chǎn)生的一種文件格式，在電子組裝行業(yè)又稱為模版文件（stencil.data）,在PCB制造業(yè)又稱為光繪文件。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B16.標(biāo)準(zhǔn)單元版圖其主要是用于大規(guī)模數(shù)字集成電路版圖的自動(dòng)布局布線。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A17.防靜電鋁箔袋中，干燥劑、濕度卡要隨料管一起放入。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A18.編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有：載帶是否有破裂、沾污、破損；蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠；編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A19.在使用串口助手燒入程序時(shí)會用到Hex文件，keil中的hex不需要設(shè)置，程序編譯完成后自動(dòng)生成。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B20.芯片粘接中的“芯片”就是晶粒。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A21.芯片檢測工藝中，對料盤進(jìn)行外觀檢查是采用全檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A22.WM板函數(shù)：_set_hmeasure()函數(shù)原形：void_set_hmeasure(unsignedintchannel，unsignedintcouple，unsignedIntvrange，unsignedintsamplenum)；函數(shù)功能：設(shè)置交流表低速測量模式；參數(shù)說明：channel——波形測量通道（1，2，3，4）、Couple——交直流耦合（1，2）、1：直流耦合；2：交流耦合；Vrange——量程選擇（1，2，3，4，5）、1：1V；2：2V；3：4V；4：10V；Samplenum——設(shè)置采樣點(diǎn)數(shù)，范圍10~1024；應(yīng)用實(shí)例：_set_hmeasure(1，2，2，256)；//設(shè)置測量通道1為高速測量模式，輸入為交流耦合，量程選擇2V，采樣256個(gè)數(shù)據(jù)。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A23.利用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行測前光檢時(shí)，會在光檢顯示區(qū)顯示光檢結(jié)果，其中進(jìn)行芯片方向判斷時(shí)，會在界面上顯示的角度有360度。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B24.封裝工藝中，激光打標(biāo)可以留下永久性標(biāo)記。A、正確B、錯(cuò)誤正確