ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T20175—2025/ISO146062022

:

代替GB/T20175—2006

表面化學(xué)分析濺射深度剖析

用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

Surfacechemicalanalysis—Sputterdepthprofiling—

Optimizationusinglayeredsystemsasreferencematerials

ISO146062022IDT

(:,)

2025-06-30發(fā)布2026-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T20175—2025/ISO146062022

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………1

設(shè)置濺射深度剖析參數(shù)

5…………………2

概要

5.1…………………2

俄歇電子能譜

5.2………………………2

射線光電子能譜

5.3X…………………3

二次離子質(zhì)譜

5.4………………………3

濺射深度剖析時(shí)理想突變界面的深度分辨

6……………3

深度分辨的測量

6.1……………………3

平均濺射速率Z

6.2av……………………4

深度分辨z

6.3Δ………………………4

參數(shù)設(shè)定優(yōu)化的步驟

7……………………5

濺射區(qū)與較小分析區(qū)的對中

7.1………………………5

優(yōu)化參數(shù)設(shè)定

7.2………………………6

附錄資料性影響深度分辨的因素

A()…………………8

概要

A.1…………………8

濺射參數(shù)

A.2……………8

測量參數(shù)

A.3……………8

實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)

A.4………………………8

附錄資料性典型單層膜系參考物質(zhì)

B()………………10

附錄資料性典型多層膜系參考物質(zhì)

C()………………11

附錄資料性多層膜系的使用

D()………………………12

深度分辨的相關(guān)性

D.1…………………12

離子束流漂移

D.2………………………12

參考文獻(xiàn)

……………………13

Ⅰ

GB/T20175—2025/ISO146062022

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方

GB/T20175—2006《

法與相比主要技術(shù)變化如下

》,GB/T20175—2006,:

刪除與增加了部分術(shù)語和定義見第章年版的第章

———(3,20062);

增加了射線光電子能譜測量參數(shù)見年版的

———X(5.3,20064.3);

更改了優(yōu)化參數(shù)設(shè)定的要求見年版的

———(7.2,20066.2)。

本文件等同采用表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方

ISO14606:2022《

法

》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位清華大學(xué)中國礦業(yè)大學(xué)北京中國人民公安大學(xué)北京大學(xué)中山大學(xué)中國工

:、()、、、、

程物理研究院材料研究所

。

本文件主要起草人李展平郭沖章宇娟劉婕滿瀚澤孫令輝徐建業(yè)李芹馬靜怡周凌

:、、、、、、、、、、

胡小康陳建伏曉國

、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T20175—2006。

Ⅲ

GB/T20175—2025/ISO146062022

:

引言

在硅片多層膜器件如雙異質(zhì)結(jié)激光器各種高電子遷移率晶體管和車體防腐作用合

、(AlGaAs,)

金鍍鋅鋼等材料中參考物質(zhì)用于優(yōu)化濺射剖析方法的深度分辨

-,。

本文件的具體應(yīng)用范圍如下

:

在俄歇電子能譜射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜的儀器設(shè)定時(shí)用襯底上單層和多層膜系

a)、X,

為參考物質(zhì)來優(yōu)化深度分辨

;

用這些膜系來說明濺射弧坑的平滑度弧坑底的傾斜度樣品漂移以及各種濺射條件如離子

b)、、(

束流密度的漂移等因素對深度分辨的影響

);

用這些膜系來說明濺射誘導(dǎo)的表面粗糙度和原子混合等因素對深度分辨的影響

c);

用這些膜系為儀器供應(yīng)者和用戶來評估儀器的性能

d);

本文件是適時(shí)的可成為進(jìn)一步發(fā)展濺射深度剖析的基礎(chǔ)

e),。

在參考文獻(xiàn)中給出與本文件相關(guān)指南的目錄

[1]~[5]ISO。

Ⅳ

GB/T20175—2025/ISO146062022

:

表面化學(xué)分析濺射深度剖析

用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

1范圍

本文件提供了使用適當(dāng)?shù)膯螌雍投鄬訁⒖嘉镔|(zhì)優(yōu)化濺射深度分析參數(shù)的指導(dǎo)和要求以便優(yōu)化俄

,

歇電子能譜射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜中的儀器設(shè)置實(shí)現(xiàn)最佳深度分辨

、X,。

本文件不涵蓋特殊多層膜系例如摻雜層的使用

(δ)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語及譜學(xué)術(shù)語

ISO18115-11:(Surfacechemical

analysis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

注表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語及譜學(xué)術(shù)語

:GB/T22461.1—20231:(ISO18115-1:2013,IDT)

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

ISO18115