標準解讀

《GB/T 20176-2025 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度》是一項國家標準,旨在規(guī)范使用二次離子質(zhì)譜技術(shù)(SIMS, Secondary Ion Mass Spectrometry)來測定硅材料中硼元素原子濃度的方法。該標準適用于半導(dǎo)體工業(yè)及其他相關(guān)領(lǐng)域,特別是對于需要精確控制材料成分的應(yīng)用場景。

標準首先定義了適用范圍,明確了其主要針對的是通過均勻摻雜方式制備的硅樣品,并且這些樣品中的硼含量應(yīng)該在一定范圍內(nèi),以確保測試結(jié)果的有效性和準確性。接著,對所使用的儀器設(shè)備提出了具體要求,包括但不限于二次離子質(zhì)譜儀的技術(shù)參數(shù)、校準方法等,這些都是為了保證測量過程的一致性和可靠性。

此外,《GB/T 20176-2025》還詳細描述了樣品準備步驟,比如如何進行表面清潔處理、選擇合適的襯底材料等,以及實驗操作流程,如設(shè)置正確的加速電壓、聚焦條件等參數(shù)。同時也給出了數(shù)據(jù)處理的方法,包括如何從原始數(shù)據(jù)中提取有用信息、計算硼原子濃度的具體公式及其不確定度評估原則。

最后,本標準強調(diào)了質(zhì)量控制的重要性,建議實驗室應(yīng)定期參加能力驗證活動或與其他認可實驗室進行比對試驗,以此來監(jiān)控和提高自身的檢測水平。通過遵循這些指導(dǎo)方針,可以有效地利用二次離子質(zhì)譜技術(shù)準確地測定硅中微量硼元素的存在形式及分布情況,為科學(xué)研究和技術(shù)開發(fā)提供強有力的支持。


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....

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  • 即將實施
  • 暫未開始實施
  • 2025-06-30 頒布
  • 2026-01-01 實施
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GB/T 20176-2025表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標準

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

代替GB/T20176—2006

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determination

ofboronatomicconcentrationinsiliconusinguniformlydopedmaterials

ISO142372010IDT

(:,)

2025-06-30發(fā)布2026-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

原理

3………………………1

參考物質(zhì)

4…………………1

一級參考物質(zhì)

4.1………………………1

二級參考物質(zhì)

4.2………………………1

儀器

5………………………2

樣品

6………………………2

步驟

7………………………2

二次離子質(zhì)譜儀器的調(diào)試

7.1…………2

優(yōu)化二次離子質(zhì)譜儀器的設(shè)定

7.2……………………3

進樣

7.3…………………3

被測離子

7.4……………3

校準

7.5…………………3

試樣的測量

7.6…………………………5

結(jié)果表述

8…………………5

計算方法

8.1……………5

精密度

8.2………………6

測試報告

9…………………6

附錄資料性硅片中載流子濃度確定

A()………………7

附錄資料性用測量硼同位素比

B()SIMS……………9

附錄規(guī)范性儀器性能的評估步驟

C()…………………12

附錄資料性實驗室間測試統(tǒng)計報告

D()………………14

參考文獻

……………………17

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

前言

本文件按照標準化工作導(dǎo)則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的

GB/T20176—2006《

原子濃度與相比主要技術(shù)變化如下

》,GB/T20176—2006,:

更改了氧離子束的測試條件見年版的

———(7.1,20067.1)。

本文件等同采用表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的

ISO14237:2010《

原子濃度

》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國表面化學(xué)分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC608)。

本文件起草單位清華大學(xué)中國地質(zhì)大學(xué)北京中國礦業(yè)大學(xué)北京中國人民公安大學(xué)北京

:、()、()、、

大學(xué)中山大學(xué)中國工程物理研究院材料研究所

、、。

本文件主要起草人李展平郭沖王夢琴和平王富芳劉兆倫郎玉博李芹張碩劉可心

:、、、、、、、、、、

吳美璇陳建伏曉國

、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T20176—2006;

本次為第一次修訂

———。

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

引言

本文件為用二次離子質(zhì)譜對均勻摻雜硅片中硼原子濃

(secondaryionmassspectrometry,SIMS)

度的確定而制定

。

的定量分析需要參考物質(zhì)價格昂貴經(jīng)標定的參考物質(zhì)僅適用于特定基體與雜質(zhì)的組合

SIMS。

物在每一次測量中都不可避免地要消耗這些參考物質(zhì)

。SIMS。

每個實驗室可制備標定參考物質(zhì)校準的二級參考物質(zhì)它們在日常分析中很有用

,。

本文件描述用二級參考物質(zhì)進行單晶硅中硼定量分析的標準步驟該二級參考物質(zhì)經(jīng)已標定注入

,

硼參考物質(zhì)校準

。

GB/T20176—2025/ISO142372010

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度

1范圍

本文件詳細說明了用標定的均勻摻雜物質(zhì)用注入硼的參考物質(zhì)校準確定單晶硅中硼的原子濃度

()

的二次離子質(zhì)譜方法它適用于均勻摻雜硼濃度范圍從163203

。1×10atoms/cm~1×10atoms/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列引用文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引

。,

用文件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適

,;,()

用于本文件

。

測量方法和結(jié)果的準確度正確度和精密度

ISO5725-2()(Accuracy(truenessandprecision)of

measurementmethodsandresults—Part2:Basicmethodforthedeterminationofrepeatabilityandre-

producibilityofastandardmeasurementmethod)

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼的深度剖析方法

ISO17560(Surfacechemicalanalysis—

Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofboroninsilicon)

注表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼深度剖析方法

:GB/T40109—2021(ISO17560:2014,IDT)

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜從離子注入的參考物質(zhì)中確定相對靈敏度因子

ISO18114(Sur-

facechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determinationofrelativesensitivity

factorsfromion-implantedreferencematerials)

注表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜由離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)確定相對靈敏度因子

:GB/T25186—2010

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