存儲芯片行業(yè)市場分析

1.存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支

1.1.存儲芯片是市場規(guī)模巨大的集成電路產(chǎn)品之一

（1）存儲芯片屬于半導(dǎo)體中集成電路的范疇，是目前應(yīng)用面最廣、

標(biāo)準(zhǔn)化程度最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。半導(dǎo)體按照產(chǎn)品分類可

分為光電器件、傳感器件、分立器件和集成電路四大類，占半導(dǎo)體價

值量比例最高的為集成電路，約占整個半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模的

82.64%,其主要包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯

片等四種。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2022年全球半導(dǎo)體巾場規(guī)模為

5740.84億美元，集成電路占比達(dá)83%,其中存儲芯片市場規(guī)模為

1297.67億美元，占整個半導(dǎo)體行業(yè)的23%,由此可以看出，存儲芯

片和邏輯芯片在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中貢獻(xiàn)的價值量最大。

（2）存儲設(shè)備是計算機系統(tǒng)中用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，按

存儲介質(zhì)不同可分為光學(xué)存儲、磁性存儲和半導(dǎo)體存儲。光存儲器是

指用光學(xué)方法從光存儲媒體上讀取和存儲數(shù)據(jù)的一種設(shè)備，一般指光

盤機、光帶機和光卡機等；磁性存儲，是指利用磁能方式存儲信息的

磁介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程需要磁性盤片的機械運動，目前廣泛

應(yīng)用于PC硬盤、移動硬盤等領(lǐng)域；存儲芯片，又稱為半導(dǎo)體存儲器，

是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體

現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終

端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。按照斷電后是否保留存儲的信息，存儲芯

片主要可分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（ROM）。

RAM為隨機存儲器，斷電后不會保存數(shù)據(jù)，主要產(chǎn)品包括SRAM和

DRAM,DRAM即動態(tài)隨機存儲器，使用電容存儲，DRAM的一個

比特使用一個電容和一個晶體管存儲，由于電容會漏電，因此需要定

時刷新一次存儲單元來保持?jǐn)?shù)據(jù)；SRAM即靜態(tài)隨機存儲器，其內(nèi)部

結(jié)構(gòu)比DRAM復(fù)雜，可以在小刷新電路下保存數(shù)據(jù)。ROM是一種存

儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時修

改或重新寫入數(shù)據(jù)，在外部電源切斷后仍能保存數(shù)據(jù)，讀取速度較慢

但存儲容量更大，主要包括EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）、

Flash（閃存芯片）、PROM（可編程只讀存儲器）、EPROM（可擦除可編

程只讀存儲器）等。

（3）根據(jù)具體的功能，可以將計算機中的存儲器細(xì)分為寄存器、高

速緩存、主存儲器、磁盤緩存、固定磁盤、可移動存儲介質(zhì)等6層。

從CPUCache、內(nèi)存到SSD和HDD,構(gòu)成了計算機的存儲體系，

各層只和相鄰的層交換數(shù)據(jù)，隨著層級由高到低，設(shè)備容量變大、離

CPU距離變遠(yuǎn)、訪問速度變慢、傳輸時間變長，并且每字節(jié)的造價

成本也越來越便宜。CPU中的寄存器位于最頂部，記為L0,它使用

SRAM芯片做成，集成在CPU的內(nèi)部，其容量有限、速度極快、和

CPU同步；緩存是一種小而快的存儲器，一般作為DRAM的緩沖，

采用SRAM技術(shù)實現(xiàn)，通常也會被集成在CPU內(nèi)部；主存一般由

DRAM組成，和SRAM不同，其存儲密度更高，容量更大，價格更

低，速度也更慢。綜合來看，SRAM價格貴、速度快，DRAM價格

便宜、容量更大，SSD和HDD硬盤作為外部存儲設(shè)備容量更大、成

本更低、離CPU更遠(yuǎn)、訪問速度更慢。

圖3存儲器結(jié)構(gòu)層次圖

(4)DRAM和FLASH是目前市場上最為主要的存儲芯片。FLASH

可分為NOR和NAND兩種，兩者區(qū)別在于存儲單元連接方式不同,

導(dǎo)致兩者讀取方式不同，NAND由于引腳上復(fù)用，因此讀取速度比

NOR慢一點，但是擦除和寫入速度比NOR快很多；NAND內(nèi)部電

路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低，市場上一些大容量

的FLASH都采用NAND型，例如SSD、U盤、SD卡、EMMC,小

容量的2?12M的FLASH多是NOR型，NOR比較適合頻繁隨機讀

寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行。相比于Flash

與Nor,DRAM具有較高讀寫速度、存儲時間短等優(yōu)勢，但單位成本

更高，主要用于PC內(nèi)存（如DDR）、手機內(nèi)存（如LPDDR）和服務(wù)器

等設(shè)備等。

1.2.垂直分工和并購加速產(chǎn)業(yè)鏈整合

（1）存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，下游應(yīng)用空間廣闊。存儲

芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電

子特種氣體等半導(dǎo)體材料供應(yīng)商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、

清洗設(shè)備、封測設(shè)各等半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；產(chǎn)業(yè)鏈中游為存儲芯片制

造商，主要負(fù)責(zé)存儲芯片的設(shè)計、制造和封測，常見的存儲芯片包括

DRAM、NAND閃存芯片和NOR閃存芯片等；產(chǎn)業(yè)鏈下游為消費電

子、汽車電子、信息通信、人工智能等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，各類也子

化和智能化設(shè)備都離不開存儲芯片應(yīng)用。

（2）存儲芯片按照制造流程又可細(xì)分為一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈。存儲芯

片產(chǎn)業(yè)鏈主要由集成電路設(shè)計、晶圓制造、封裝和測試、模組廠商集

成等環(huán)節(jié)組成，從經(jīng)營模式來看，主要分為IDM和垂直分工模式。IDM

模式指企業(yè)業(yè)務(wù)覆蓋IC設(shè)計、制造、封裝和測試的所有環(huán)節(jié)，大部

分國際存儲芯片大廠均為IDM模式，例如東芝半導(dǎo)體、三星半導(dǎo)體、

飛索半導(dǎo)體、美光糅技等大型跨國企業(yè)。另一種模式為垂直分工模式,

即Fabless（無晶圓制造的設(shè)計公司）.Foundry（晶圓代工廠）+OSAT

（封裝測試企業(yè)），F(xiàn)abless模式是指無晶圓生產(chǎn)線集成電路設(shè)計模

式，即企業(yè)只進(jìn)行集成電路的設(shè)計和銷售，將制造、封裝和測試等生

產(chǎn)環(huán)節(jié)外包，例如高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、華大半導(dǎo)體等；Foundry

即晶圓代工廠，它是一種只負(fù)責(zé)芯片制造，不負(fù)責(zé)芯片設(shè)計環(huán)節(jié)的一

種產(chǎn)業(yè)運作模式，這類企業(yè)典型代表為臺積電、聯(lián)電、中芯國際等;

OSAT指專門從事半導(dǎo)體封裝和測試的企業(yè)，比如日月光、Amkor.

長電、通富微電等c

（3）垂直分工模式進(jìn)一步深化，降低成本同時顯著提升產(chǎn)業(yè)運作效

率。IDM模式下，企業(yè)投入大量資金用于晶圓制造設(shè)備和生產(chǎn)線的建

設(shè)，內(nèi)部各環(huán)節(jié)協(xié)同生產(chǎn)，整體規(guī)模效應(yīng)顯著，毛利率也會上升；但

IDM模式下，企業(yè)內(nèi)部管理成本增加，因此，IDM模式適合規(guī)模巨

大的企業(yè)。Fabless模式注重輕資產(chǎn)運營，更為靈活，可以充分利用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中主要精力用于產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)迭代，適應(yīng)激

烈的市場競爭環(huán)境，快速發(fā)展，缺點是無法實現(xiàn)工藝協(xié)同，同時需要

承擔(dān)各種市場風(fēng)險，相對來說適合小企業(yè)經(jīng)營。存儲芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度

較高，國際巨頭大部分采取IDM模式運行，國內(nèi)存儲企業(yè)由于規(guī)模

較小，剛開始從小眾市場切入，多數(shù)采用Fabless模式，隨著企業(yè)規(guī)

模的擴(kuò)大，長期或?qū)⑾騃DM模式轉(zhuǎn)型。近些年，國內(nèi)大型存儲項目

長江存儲、合肥長鑫、福建晉華均是IDM模式的大型晶圓廠布局。

（4）行業(yè)發(fā)展和技術(shù)升級驅(qū)動產(chǎn)業(yè)鏈模式變化，并購加速產(chǎn)業(yè)鏈整

合。在臺積電成立以前，半導(dǎo)體行業(yè)只有IDM一種模式，經(jīng)過半個

多世紀(jì)發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)一業(yè)鏈逐步朝向分工和整合趨勢發(fā)展。1）

產(chǎn)業(yè)鏈分工：摩爾定律推動半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)不斷更新迭代，同時帶動

生產(chǎn)制造設(shè)備的升級改造，先進(jìn)工藝晶圓廠資金投入增加，F(xiàn)oundry

模式能最大化的分?jǐn)偧夹g(shù)升級成本和利用產(chǎn)能，提高資本支出的收益

率。IDM企業(yè)為了減少投資風(fēng)險、輕資產(chǎn)化，逐漸采取Fablite（輕

晶圓廠)策略，將部分非核心和高難度工藝制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)為第三方代工,

自身保留其余制造業(yè)務(wù)。2)產(chǎn)業(yè)鏈整合：半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新的發(fā)展

階段，通過并購，企業(yè)間可以基于業(yè)務(wù)層面的協(xié)同互補，擴(kuò)展產(chǎn)品條

線和客戶群體，縮減成本的同時實現(xiàn)更強的供應(yīng)鏈溢價，提升行業(yè)市

占率。因此，隨著技術(shù)進(jìn)步，全球分工模式越來越多，同時，大企業(yè)

不斷成長又不斷合并為IDM模式，產(chǎn)業(yè)循環(huán)往復(fù)，推動全球技術(shù)不

斷推進(jìn)。

■71950—2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“式的交遷

1950s1960s1970s1980s1990s2000s2010s

_______BrProvt<lefICompaniesCompanies

FablessFablessManufacturManufactur

CompaniesCompaniestngToolsingTools

ManufacturManufactur必,IDM

Manufactur

ManufacturingTools

ingToolsIDM

IDMIDMEDAToots

(5)近些年，隨著技術(shù)難度不斷升級，F(xiàn)abless公司在全球￡銷售

額中的份額持續(xù)提升。根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，在銷售增長率方面，過

去20年里,采取Fabless模式的公司IC銷售額增長率顯著高于采取

IDM模式的公司,個別年份例如2017、2018年,Fabless公司份額

增長低于IDM公司，而且相較于IDM公司，F(xiàn)abless公司受市場環(huán)

境波動幅度更小。在銷售份額占比方面，2003-2021年，全球Fabless

公司銷售份額占IC銷售額比重穩(wěn)定增長,2019年IC市場的Fabless

份額較去年同期提高4.1個百分點至29.9%,隨后持續(xù)增長并在2021

年達(dá)到34.8%的峰值。Fabless模式的輕資產(chǎn)化更為靈活，在市場周

期下行的階段，能更好適應(yīng)激烈的市場競爭環(huán)境。我國國產(chǎn)化空間巨

大，大部分的存儲芯片企業(yè)成立之初均以Fabless模式為主。

1.3.存儲產(chǎn)業(yè)在空間上經(jīng)歷兩次遷移

（1）存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)源于美國，此后經(jīng)歷過兩次大的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。進(jìn)

入1960年代后，隨著計算機技術(shù)的發(fā)展，電子行業(yè)開始門存集成電

路技術(shù)用于計算機存儲領(lǐng)域的嘗試，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈從垂直整合到垂

直化分工越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)遷移，遷移路徑由

美國至日本再到韓國。1）美國：行業(yè)市占率居前的主要廠商也隨著

產(chǎn)業(yè)遷移發(fā)生了明顯的變化，最開始由美國加州的Advanced

MemorySystem公司生產(chǎn)出了世界上第一款DRAM芯片（容量僅有

1KB）,隨后英特爾、德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）＞美光

等存儲廠商逐漸發(fā)展壯大。2）日本：1976年，為了發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)

領(lǐng)域，日本通過舉國體制，成立了VLSI聯(lián)合研發(fā)體，隨后成功研制

出64KDRAM,追平了美國研發(fā)進(jìn)度；到了1980年代，日本廠商憑

借質(zhì)量和價格優(yōu)勢，開始反超美國，市占率逐漸達(dá)到全球第一；1985

年，美蘇冷戰(zhàn)氣氛不斷減弱，日美貿(mào)易摩擦不斷增加，美國開始對日

本經(jīng)濟(jì)實施打壓，在陸續(xù)的施壓下，日本存儲芯片市場份額一落千丈,

很快喪失了主導(dǎo)權(quán)。3）韓國：韓國企.業(yè)抓住了美日半導(dǎo)體競爭的契

機，在美國的技術(shù)轉(zhuǎn)讓和市場準(zhǔn)入扶持下，三星電子脫穎而出，逐漸

趕超日本。

（2）存儲市場加速發(fā)展，國內(nèi)廠商異軍突起。2016年之前，國內(nèi)沒

有生產(chǎn)DRAM、Flash的能力，直到合肥長鑫、長江存儲成立。2019

年，中國大陸公司開始全面進(jìn)軍存儲器市場，長江存儲64層

3DNANDFIash進(jìn)入量產(chǎn)階段，緊接著合肥長鑫宣布中國大陸第一座

12英寸DRAM工廠投產(chǎn)，并宣布首個19納米工藝制造的8GbDDR4o

三年時間里，國內(nèi)相繼攻克了3DNANDFIash和DRAM技術(shù)，在一

定程度上打破了內(nèi)存和閃存制造國際寡頭壟斷的局面。國內(nèi)存儲芯片

起步晚，要實現(xiàn)全球領(lǐng)先任重道遠(yuǎn)，先進(jìn)制造技術(shù)仍掌握在國際大廠

的手里，因此，存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要長期的資金投入和技術(shù)革新,

解決生產(chǎn)制造中不良率的下降以及產(chǎn)能的上升，提高性能指標(biāo)。

1.4.存儲芯片技術(shù)發(fā)展趨勢

(1)DDR、LPDDR、GDDR是基于DRAM的三種內(nèi)存規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)。

固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)定義了三種DRAM標(biāo)準(zhǔn)類別，幫助設(shè)計人

員滿足目標(biāo)應(yīng)用的功耗、性能和規(guī)格要求。標(biāo)準(zhǔn)DDR：面向服務(wù)器、

云計算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺式機和消費類應(yīng)用，支持更寬的通道

寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸，其發(fā)展路線通過提升核心頻率

來提高性能。移動DDR(LPDDR)：面向移動式電子產(chǎn)品和汽車這些

對規(guī)格和功耗非常敏感的領(lǐng)域，提供更窄的通道寬度和多種低功耗運

行狀態(tài)，四代之前是基于同代DDR發(fā)展，四代之后是基于應(yīng)用端獨

自發(fā)展，通過提高Prefetch預(yù)讀取位數(shù)來提升性能。圖形

DDR(GDDR)：面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序，例如圖

形相關(guān)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心加速和AI,是應(yīng)用于高端顯卡的高性能

DDR存儲器，側(cè)重于數(shù)據(jù)位寬、遠(yuǎn)超同期DDR的運行頻率。

圖12JEDEC定義了三類DRAM標(biāo)準(zhǔn)

DRAMbased

SORAMs

StandardDORMobileDOR

Form-Factor

DRAMoflTSVand

DIMMsMAMonDRAMon

PCBPCB.PoPPCB

(GDM)

(2)DDR因其性能和成本優(yōu)勢成為目前PC和服務(wù)器端主流內(nèi)存。

SDRAM也可稱為SDRSDRAM,即單倍數(shù)據(jù)傳輸率，SDRSDRAM

的核心、I/O、等效頻率皆相同，在1個周期內(nèi)只能讀寫1次，若需

要同時寫入與讀取，必須等到先前的指令執(zhí)行完畢，才能接著存取。

DDR是用于系統(tǒng)的RAM技術(shù)，規(guī)范名稱為DDRSDRAM,即雙倍

速率同步動態(tài)隨機存儲器，其特點是高帶寬、低延時，DDR總線每

個通道是64bit寬度，每根Data的管腳可以進(jìn)行讀操作或?qū)懖僮?不

同時)。目前已推出的DDR1-DDR5是由JEDEC制定的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),

從DDR1到DDR5的演進(jìn)路線來看，DDR的能耗越來越低，傳輸速

度越來越快、存儲容量也越來越大，目前的最新標(biāo)準(zhǔn)是DDR5,起步

速率為4800MT/S,最高可達(dá)6400MT/S,電壓則從1.2V降至1.1V,

功耗減少30%。目前，三星已經(jīng)率先開始了下一代DDR6內(nèi)存的早

期開發(fā)，預(yù)計其DDR6設(shè)計將在2024年之前完成，在2025年之后

開始商業(yè)應(yīng)用。

(3)受益于終端需求快速發(fā)展,LPDDR和GDDR步入高速迭代期。

LPDDR,即低功率雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，是DDRSDRAM

的一種，乂被稱為mDDR(MobileDDRSDRAM),擁有比同彳弋DDR

內(nèi)存更低的功耗和更小的體積。目前智能手機普遍使用的LPDDR5

內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)是2019年2月由JEDEC協(xié)會正式發(fā)布，相較于上一代

LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度提升到6400MT/S,是LPDDR4

速度的兩倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。GDDR,是用

于顯示的RAM技術(shù)，其特點是高帶寬、高延時，目前最新的標(biāo)準(zhǔn)是

GDDR6,2022年7月，三星推出了首款具有24Gbps處理速度的

GDDR6顯存。

(4)DRAM的先進(jìn)制程工藝已經(jīng)縮小到15nm以下，各大廠商繼續(xù)

向10nm逼近。從制程工藝的進(jìn)展來看，早前DRAM產(chǎn)品的更新時

間大致在3到5年更新一代,在步入20nm以內(nèi)突破進(jìn)展呈現(xiàn)放緩趨

勢，10nm?20nm系列制程至少包括六代，大約每兩年實現(xiàn)一次突破。

由于電路結(jié)構(gòu)是三維的，使用線性的衡量方式并不適合，存儲行業(yè)通

常使用1X、1Y、1Z、1(3、之類的術(shù)語表達(dá)制程。國際存儲

大廠三星電子、SK海力士和美光相繼在2020年后進(jìn)入1Znm階段，

美光IBnmDRAM在2022年11月實現(xiàn)量產(chǎn)，并率先應(yīng)用在智能手

機端的LPDDR5X；三星在2022年12月底推出12nmDRAM,功耗

較前一代降低23%；SK海力士最新一代DRAM為1anm,預(yù)計2023

年將會實現(xiàn)1bnm(即12nm)DRAM的量產(chǎn)。中國本土DRAM廠商

主要有合肥長鑫、紫光國芯、兆易創(chuàng)新、東芯股份和福建晉華等，兆

易創(chuàng)新依托合肥長鑫的代工資源，2021年推出首款自研4GbDRAM,

采用19nm制程工藝，目前即將推出17nm產(chǎn)品；北京君正采用中國

臺灣力晶、南亞科技的25rlm工藝平臺；紫光國芯、東芯股份等最新

工藝制程為25nm。

(5)按存儲單元密度來分，NANDFIash可分為SLC、MLC、TLC、

QLC四種。SLC為單級單元，每單元可存儲1比特數(shù)據(jù)，產(chǎn)品性能

好、耐久度高，提供高達(dá)10萬個P/E周期，但容量低、成本高，常

應(yīng)用于對讀寫耐久度要求很高的行業(yè)，如服務(wù)器、軍工等。MLC屬

于多級單元，每單元可存儲2比特數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比SLC要高，可

以有更大的存儲容量，擁有1萬個P/E周期，耐久性比SLC低，MLC

在服務(wù)器、工規(guī)級應(yīng)用較多。TLC為三級單元，每單元可存儲3比

特數(shù)據(jù)，性能和耐久性下降，P/E周期降至最高3000個，但是容量

可以做得更大，成本也可以更低，廣泛用于消費類產(chǎn)品，是性價比最

高的存儲方案，性能、價格、容量等多個方面達(dá)到了較好的平衡。

QLC為四級單元，每單元可存儲4比特數(shù)據(jù)，性能、耐久度進(jìn)一步

變差，P/E周期只有1000個，但價格便宜，單元空間內(nèi)的存儲容量

更高，消費級的大容量SSD就采用QLCNAND閃存顆粒。目前

NANDFIash主要以TLC為主，QLC比重正在逐步提高，QLC的性

能和耐久度的不足可以通過增大容量來彌補，在消費類產(chǎn)品中有取代

TCL的趨勢。

圖17NAND顆粒SLC、MLC、TLC、QLC對比

SLCMLC

IbiVcell2biVcell

更高性能、更高耐用度更高成本、更低容量

(6)NAND經(jīng)歷了2DNAND時期，現(xiàn)在邁入3DNAND時期。

2DNAND將存儲數(shù)據(jù)的單元水平并排地放置，放置單元的空間量有

限，縮小單元則會降低可靠性：3DNAND在縱向上增加疊放單元，

加大單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量，從而獲得更高存儲密度，實現(xiàn)更高的

存儲容量，此外，耐久度更高、功耗更小，同時不會導(dǎo)致價格大幅上

升。16nm制程以上的閃存多屬于2DNAND,其制程工藝不斷發(fā)展，

向1Znm逼近，不斷縮小的光刻技術(shù)在擴(kuò)展上局限性越來越強，平面

微縮工藝的難度也越來越大，無限接近物理極限，16nm制程后，繼

續(xù)采用2D微縮工藝的難度和成本已超過3D技術(shù)，因此3DNAND

開始成為主流。市場上的3DNAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA

(CMOSunderArray)架構(gòu)，2018年，長江存儲公布了其突破性

3DNAND架構(gòu)Xtacking,將晶圓鍵合這一關(guān)鍵技術(shù)在3DNAND閃存

上得以實現(xiàn)，隨著層數(shù)的不斷增高，基于Xtacking所研發(fā)制造的

3DNAND閃存將更具成本和創(chuàng)新優(yōu)勢。

(7)國內(nèi)外存儲廠商3DNAND層數(shù)已經(jīng)發(fā)展到200+層，未來將持

續(xù)拓展更高層數(shù)。未來三星電子最早在3DNAND領(lǐng)域拓展，2013

年8月，三星推出24層128Gb第一代VNAND閃存，這是全球首

個3D單元結(jié)構(gòu)“V-NAND”，后陸續(xù)推出32層、48層、64層、96層、

128層、176層、236層V-NAND?韓國第二大存儲廠商SK海力士

在2014年研發(fā)出24層3DNAND產(chǎn)品，之后陸續(xù)按照32、48層、

72層、76層、96層、128層、176層的順序陸續(xù)推出閃存新產(chǎn)品，

2022年8月，SK海力士將層數(shù)突破到238層的新高度，是目前全

球最高層數(shù)NAND閃存。此外，美國公司美光推出232層3DNAND,

凱俠和西部數(shù)據(jù)共同推出218層，國內(nèi)廠商長江存儲也將3DNAND

層數(shù)推至232層，未來，存儲廠商會向更具競爭力的300+層、400+

層數(shù)堆疊的3DNANDFIash邁進(jìn)。

2.存儲行業(yè)周期底部漸明

2.1.存儲芯片市場具有強周期屬性

(1)存儲芯片是半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化程度最高的市場，周期性表現(xiàn)顯著、

市場彈性較強。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，存儲芯片的市場規(guī)模僅次于邏輯芯片,

行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，呈現(xiàn)出較強的周期性，被視為半導(dǎo)

體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，2015-2022年，全球存儲

芯片市場規(guī)模呈周期性波動，2018年全球存儲芯片市場規(guī)模為1580

億美元，2019年受貿(mào)易摩擦和價格下降影響，全球存儲芯片市場下

降32.6%至1064億美元，2021年存儲芯片市場達(dá)到短期峰值，隨

后兩年市場景氣持續(xù)下行，WSTS預(yù)測2023、2024年存儲芯片市場

規(guī)模分別為840.41、1203.26億美元。根據(jù)歷史數(shù)據(jù)表現(xiàn)來看，半

導(dǎo)體和存儲市場周期性趨同，但存儲行業(yè)整體波動性較大，彈性較強。

我們預(yù)計2023年下半年市場加速筑底，有望迎來上行周期，且隨著

人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的發(fā)展，行業(yè)需求將得到持續(xù)擴(kuò)張。

（2）國內(nèi)存儲芯片市場近年來持續(xù)擴(kuò)大。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和

云計算技術(shù)的推進(jìn)，國內(nèi)電子制造水平不斷提升，對存儲芯片的需求

逐步攀升。國內(nèi)存儲芯片制造商積極投入存儲芯片研發(fā)和制造領(lǐng)域,

努力實現(xiàn)技術(shù)自主創(chuàng)新，提升本土產(chǎn)業(yè)競爭力，降低進(jìn)口依賴。數(shù)據(jù)

顯示，2018-2022年，中國存儲芯片行.業(yè)市場規(guī)?？傮w呈現(xiàn)上漲態(tài)勢,

2019年受全球存儲器行業(yè)的影響，市場規(guī)模有所下降，2022年國內(nèi)

存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模約為5938億元,預(yù)測2023年將達(dá)到6492

億元。隨著國內(nèi)消費電子市場高速發(fā)展，未來存儲芯片的需求空間也

會越來越廣闊。

（3）從全球存儲市場結(jié)構(gòu)來看，DRAM和NANDFIash占據(jù)絕對主

導(dǎo)地位。根據(jù)YoleGroup調(diào)查機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，2021年存儲芯片整

體市場規(guī)模達(dá)到了1665億美元。其中DRAM占比為56.3%,NAND

占比為40%,剩下的NOR、（NV）SRAM/FRAM、EEPROM、新型非

易失存儲等占比3.7%。同時,Yo失預(yù)測在2021—2027年,存儲市場

平均每年將會有8%的增長,到2027年市場規(guī)模將達(dá)到2630億美元,

其中DRAM和NAND依然占據(jù)絕對地位，預(yù)計在2027年DRAM達(dá)

至IJ60%,NAND市場稍微有所下降到36%,其他存儲器占剩余4%

的市場份額。

圖232021年全球存儲市場結(jié)構(gòu)（%）

■DRAM■NANDFlash■NORFlash■Other

（4）分季度來看，2022年成為拐點，存儲市場規(guī)模增長步入尾聲。

三年疫情期間，存儲市場需求上升，市場規(guī)模增長較快，據(jù)CFM閃

存市場預(yù)計，2021年Q3DRAM市場規(guī)模增長9%至264億美元，

NANDFlash市場規(guī)模增長15%達(dá)到186億美元,之后DRAM/NAND

市場規(guī)模開始下降，到2022年Q4存儲市場規(guī)模已經(jīng)回到2019年

Q1、Q2的周期底部水平，在淡季效應(yīng)下2023年一季度環(huán)比續(xù)跌，

二季度或為2023年最低點，預(yù)計從2023年下半年起，存儲市場規(guī)

模將逐季增長，在需求改善的前提下有望回到之前的增長速度和市場

規(guī)模。

2.2.消費類終端設(shè)備搭載存儲容量持續(xù)增長

（1）存儲下游應(yīng)用空間廣泛，主要以消費電子和服務(wù)器為主。存儲

器產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、汽

車電子等行業(yè)以及個人移動存儲等領(lǐng)域，不同應(yīng)用場景對存儲器的參

數(shù)要求復(fù)雜多樣，涉及容量、讀寫速度、功耗、尺寸、穩(wěn)定性、兼容

性等多項內(nèi)容，由比也形成了不同的產(chǎn)品形態(tài)。DRAM中，LPDDR

主要與嵌入式存儲配合應(yīng)用于智能手機、平板等消費電子產(chǎn)品，近年

來亦應(yīng)用于功耗限制嚴(yán)格的個人電腦產(chǎn)品，DDR主要應(yīng)用于服務(wù)器、

個人電腦等，DRAM市場需求主要以手機、PC和服務(wù)器為主，2021

年占比分別為35%/16%/33%。NANDFlash包括嵌入式存儲（用于

電子移動終端低功耗場景）、固態(tài)硬盤（大容量存儲場景）和移動存

儲（便攜式存儲場景）等，其中嵌入式存儲市場主要受智能手機、平

板等消費電子行業(yè)驅(qū)動，固態(tài)硬盤下游市場包括服務(wù)器、個人電腦,

移動存儲廣泛應(yīng)用于各類消費者領(lǐng)域，2021年，應(yīng)用于mobile端的

嵌入式存儲產(chǎn)品、應(yīng)用于PC端的cSSD和應(yīng)用于服務(wù)器端的eSSD

產(chǎn)品分別占比34%、22%和26%。

（2）作為存儲芯片下游重要的細(xì)分市場，智能手機景氣度成為存儲

市場發(fā)展的核心驅(qū)動力之一。隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展和移動互聯(lián)網(wǎng)

的普及，手機ROM和RAM分別成為嵌入式NANDFIash和DRAM

的核心市場。得益于3G/4G通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)，全球智能手機市場出

貨量從2010年的3.05億臺迅速遞增至2016年的14.73億臺，2017

年開始智能手機市場趨向飽和，主要是4G智能手機增量市場觸及天

花板，智能手機整體出貨量主要受存量市場手機單位存儲容量增長驅(qū)

動。2019年是5G商用化元年，隨著5G逐漸普及，新一輪的換機周

期開啟，智能手機終端新需求進(jìn)一步打開。

（3）存儲芯片價格下跌，助推終端廠商容量配置升級。智能手機對

于存儲芯片需求不只取決于手機出貨量，同時取決于單臺手機的存儲

容量。目前主流智能手機的存儲容量為256GB至512GB,緩存容量

為8GB至12GB,隨著5G手機滲透率的逐步提升，智能手機的性能

進(jìn)一步升級，單臺智能手機的RAM模塊（LPDDR）和ROM模塊（嵌

入式NANDFIash）均在經(jīng)歷持續(xù)、大幅地提升。RAM擴(kuò)容是CPU

提升處理速率的必要條件，功能更為強大的移動終端將允許手機搭載

功能更為復(fù)雜、占據(jù)存儲容量更大的軟件程序，且消費者通過移動終

端欣賞更高畫質(zhì)、音質(zhì)內(nèi)容物的消費習(xí)慣亦會進(jìn)一步持續(xù)推動智能手

機ROM擴(kuò)容。2023年智能手機在生產(chǎn)數(shù)量上增長平緩，平均搭載

容量增加為移動端NAND需求增長的主要驅(qū)動力，預(yù)計隨著UFS價

格回調(diào)，2023年Q4256GB占比有望突破30%。

（4）PC市場需求有所回落，單臺設(shè)備存儲容量持續(xù)增加。三年疫

情帶來工作、生活方式的轉(zhuǎn)變，而平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程辦公、

在線教育場景需求，出貨量大幅增長，2020年、2021年出貨量同比

增長13.47%和1527%,但疫情并非長期性事件，PC需求量持續(xù)高

速增長存在較大不確定性，2022年開始需求已經(jīng)回落。由于SSD的

制造成本較高，PC端數(shù)據(jù)存儲過去主要使用機械硬盤（HDD）,近

年來，隨著NANDFIash單位存儲經(jīng)濟(jì)效益持續(xù)凸顯，同時筆記本電

腦，特別是輕薄筆記本電腦對存儲物理空間限制嚴(yán)格，SSD對HDD

的替代效應(yīng)顯著。同時，PC與其他消費電子產(chǎn)品相同，正在經(jīng)歷性

能和數(shù)據(jù)存儲需求的持續(xù)增長，隨著消費者處理數(shù)據(jù)的需求不斷增加,

單臺設(shè)備的存儲容量需求亦持續(xù)增加。

圖292017.2022年全球PC出貨量（百萬臺，%）

一出貨?（百萬臺）-----增速（右軸）

2013201420152016201720182019202020212022

2.3.AI&汽車電子驅(qū)動下游景氣復(fù)蘇

（1）數(shù)據(jù)規(guī)模持續(xù)增長，給存儲行業(yè)帶來較大的成長空間。傳統(tǒng)存

儲面對的應(yīng)用主要是數(shù)據(jù)庫、文件和流媒體等傳統(tǒng)應(yīng)用，在新興技術(shù)

驅(qū)動下，存儲主要面對的是云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等大規(guī)模數(shù)據(jù)

應(yīng)用場景。據(jù)IDC預(yù)測，2025年，全球數(shù)據(jù)量將達(dá)到175ZB,5年

年均復(fù)合增長率31.8%,而數(shù)據(jù)中心存儲量占比將超過70%。從全

球市場來看，2017-2022年全球數(shù)據(jù)中心市場保持平穩(wěn)增長趨勢，市

場規(guī)模從465.5億美元增長至679.3億美元，五年內(nèi)的年均復(fù)合增長

率為9.91%,預(yù)計2023年全球數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模將進(jìn)一步增至820.5

億美元。隨著我國各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入推進(jìn)，我國數(shù)據(jù)中心市場

規(guī)模也將保持持續(xù)增長態(tài)勢，預(yù)計2023年市場規(guī)模將達(dá)到2470.1

億元。一方面互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛自建數(shù)據(jù)中心，同時傳統(tǒng)企.亞上云進(jìn)程

加快，兩者共同帶動服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲市場規(guī)?？焖僭鲩L。在數(shù)據(jù)中心

作為新型基礎(chǔ)設(shè)施加快建設(shè)的背景下，服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲的市場規(guī)模將

繼續(xù)快速增長，存儲板塊的需求也將大幅噌加。

(2)“東數(shù)西算”工程全面實施，服務(wù)器存儲市場有望進(jìn)一步打開。

2021年5月，國家發(fā)展改革委、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國

家能源局聯(lián)合印發(fā)《全國一體化大數(shù)據(jù)中心協(xié)同創(chuàng)新體系算力樞紐實

施方案》，2022年2月，京津冀、長三角、粵港澳大灣區(qū)、成渝、

內(nèi)蒙古、貴州、甘肅、寧夏8地啟動了建設(shè)國家算力樞紐節(jié)點，并規(guī)

劃了10個國家數(shù)據(jù)中心集群，依托8大算力樞紐和10大集群，更

好引導(dǎo)數(shù)據(jù)中心集約化、規(guī)?；?、綠色化發(fā)展，促進(jìn)東西部數(shù)據(jù)流通、

價值傳遞，帶動數(shù)據(jù)中心相關(guān)產(chǎn)業(yè)由東向西有效轉(zhuǎn)移。國家東數(shù)西算

戰(zhàn)略不斷取得進(jìn)展，預(yù)計到2025年，韶關(guān)數(shù)據(jù)中心集群將建成50

萬架標(biāo)準(zhǔn)機架、500萬臺服務(wù)器規(guī)模，投資超500億元。東數(shù)西算戰(zhàn)

略聚焦于算力和數(shù)據(jù)存儲，工程的實施有望進(jìn)一步拉動服務(wù)器數(shù)據(jù)存

儲的總休市場規(guī)模，國產(chǎn)企.業(yè)級SSD廠商有望打開增量空間。

(3)生成式AI市場迅速擴(kuò)張，提高了對AI服務(wù)器內(nèi)存的需求。隨

著人工智能產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，全球主要國家和地區(qū)紛紛加快AI基礎(chǔ)設(shè)

施布局，AI服務(wù)器通常由CPU搭載GPU、FPGA、ASIC等加速芯

片組成，以滿足高吞吐量互聯(lián)的需求，是人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的核心。

2022年全球Al服務(wù)器市場規(guī)模約為183億美元，預(yù)計2023年全球

AI服務(wù)器市場規(guī)模增長15.30%,將達(dá)211億美元。2022年全球AI

服務(wù)器出貨量約占整體服務(wù)器比重近1%，約為14.5萬臺，預(yù)計2023

年出貨量將達(dá)15萬臺，到2026年將增長至22.5萬臺。AI大模型等

人工智能技術(shù)發(fā)展，引發(fā)了對服務(wù)器算力需求的進(jìn)一步增長，智能算

力需求爆發(fā)式增長意味著需要搭載更大的存儲容量以提升處理速度,

同時帶動存儲芯片需求成長。

（4）汽車存儲市場發(fā)展迅速，主要以智能座艙和ADAS&AD為主。

根據(jù)Yole報告，2021年，汽車存儲器市場規(guī)模達(dá)到43億美元，占

全球存儲器市場收入的2.6%,占汽車半導(dǎo)體的10%。汽車存儲器

2021到2027年的年均復(fù)合增長率為20%,超過同期存儲器市場和

汽車半導(dǎo)體市場的增速。汽車存儲市場由NAND和DRAM主導(dǎo)，合

計份額為80%,其中DRAM為41%,NAND為39%,NORFIash

在汽車領(lǐng)域表現(xiàn)的占有率較高，市場份額為15%。具有信息娛樂單

元、儀表盤和連接性的駕駛艙是目前主要的汽車存儲用戶，2021年

占比達(dá)到71%,ADAS&AD緊跟其后，成為第二大車載內(nèi)存用戶，

2021年占收入的24%,動力總成、底盤和安全以及車身和舒適性等

其他領(lǐng)域合計占需求的5%。預(yù)計到2027年，智能座艙仍將是存儲

領(lǐng)域主要消費者，但ADAS&AD的收入份額將增至36%,技術(shù)方面，

DRAM和NAND將占汽車內(nèi)存收入的90%左右。

（5）自動駕駛等級越高，對車載存儲容量、密度和帶寬的需求也大

幅提升。車載市場目前主要的存儲應(yīng)用包括DRAM（DDR、LPDDR）

和NAND(eMMC和UFS等)，其中低功耗的LPDDR和NAND將

是主要增長點。高等級自動駕駛汽車對于車載存儲容量、密度和帶寬

的需求更高，將需要采用更高帶寬的存儲器如LPDDR5、GDDR6等,

以簡化系統(tǒng)設(shè)計。以NANDFlash為例，主要用于ADAS系統(tǒng)、IVI

系統(tǒng)、汽車中控等，作用在于存儲連續(xù)數(shù)據(jù)，隨著自動駕駛等級提升，

ADAS系統(tǒng)對NAND容量需求增長顯著，L1/L2級ADAS一般只需

主流8-64GB的eMMC,L3級則提升至128/256GB,L5級最高可

能超過2TB,可能進(jìn)一步采用PCIeSSD。

3.存儲廠商縮減資本開支以調(diào)配供需平衡

3.1.存儲芯片市場行業(yè)集中度較高

(1)DRAM和NANDFIash市場集中度高，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。根

據(jù)Yole數(shù)據(jù),2021年全球存儲市場中，DRAM占比為56.3%,NAND

占比為40%,目前DRAM芯片的市場格局由三星、SK海力士和美

光三家存儲廠商主導(dǎo)，CR3市場占有率合計已超過95%,最新數(shù)據(jù)

來看，2023年Q2三星電子占全球DRAM市場營收的38.14%,SK

海力士占比達(dá)32.29%,美光的市占率也達(dá)到25.03%,市場高度集

中，寡頭壟斷的格局使得國內(nèi)廠商對DRAM芯片議價能力很低，也

使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

NANDFIash市場經(jīng)過幾十年的發(fā)展，逐漸形成了由三星電子、鎧俠、

西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等組成的穩(wěn)定市場格局，2023年Q2三

星電子、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光的營收占比分別為30.18%、

20.05%、18.25%,15.09%,11.10%,CR5合計市占率達(dá)95%,國

內(nèi)的長江存儲也在慢慢進(jìn)入NAND市場，但市占率相對較低。

圖39全球DRAM企業(yè)市場份額(％)

逆隨哨w'Q如QQ0如唯3Q，

(2)NOR行業(yè)經(jīng)歷二十多年演變，頭部廠商經(jīng)歷多次洗牌。2003

年由AMD和富士通整合各自的閃存業(yè)務(wù)合并成立飛索半導(dǎo)體，后逐

漸發(fā)展為NORFIash領(lǐng)域頭部廠商，然而在2009年，公司申請了破

產(chǎn)保護(hù)，三星電子也在2010年開始宣布退出NOR市場，由英特爾

和意法半導(dǎo)體在2008年合資成立的恒億也在2010年被美光收購。

全球NOR市場空間經(jīng)過較長時間的下行，國際巨頭美光和賽普拉斯

于2017年先后宣布逐步退出中低容量的消費電子市場，美光和賽普

拉斯的退出使華邦、旺宏和兆易創(chuàng)新的份額開始上升，另外產(chǎn)能的減

少也改善了市場的供需關(guān)系，2017年之后，全球NORFIash市場被

旺宏、華邦、賽普拉斯、美光和兆易創(chuàng)新壟斷。

(3)國際存儲巨頭相繼退出NORFIash市場，龍頭占據(jù)主要份額。

NORFIash屬于利基型存儲，在全球存儲市場份額很小，根據(jù)Yole

數(shù)據(jù)，2021年全球存儲市場中，NOR占比僅為2.1%。2015-2021

年，受5G、TWS等新智能設(shè)備，以及居家辦公、遠(yuǎn)程教育等需求帶

動，NORFIash市場規(guī)模保持穩(wěn)定增長，2021年市場規(guī)模達(dá)到28.84

億美元，同比增長15.36%,其中旺宏、賽普拉斯、華邦、美光和兆

易創(chuàng)新成為NORFIash全球前五大供應(yīng)商，2017年占據(jù)全球92%以

上的市場份額。隨著2017年國際存儲巨頭美光、賽普拉斯相繼退出

低端NOR市場，華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新則逐漸占據(jù)NORFIash剩余

的主要市場份額，2021年三家存儲廠商的市占率分別為35%、33%

和23%,CR3合計市占率達(dá)到91%,國內(nèi)廠商例如普冉股份、北京

君正、東芯股份、恒爍股份等也迅速加入市場。

(4)國內(nèi)廠商加快產(chǎn)業(yè)鏈布局，聚焦利基型存儲市場。存儲芯片行

業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，全球存儲芯片市場基本均被韓國、日本以及

美國等國家壟斷，國內(nèi)存儲芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)積累，國內(nèi)廠

商除合肥長鑫和長江存儲外，大部分聚焦于利基型市場，與國際龍頭

展開錯位競爭。國內(nèi)代表性存儲芯片設(shè)計及制造企業(yè)包括兆易創(chuàng)新、

長江存儲、長鑫存儲、武漢新芯、普冉股份等，近年來，中國紫光集

團(tuán)旗下長江存儲、武漢新芯，以及兆易創(chuàng)新及其合作廠商合肥長鑫等

在DRAM和Flash領(lǐng)域逐漸突破技術(shù)壁壘，存儲芯片供給格局正在

悄然變化，從過去高度依賴進(jìn)口，到國產(chǎn)品牌逐漸開始占據(jù)市場。盡

管目前國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展與海外巨頭仍然存在差距，各家存

儲芯片產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)，但隨著國內(nèi)

廠商不斷取得關(guān)鍵性技術(shù)突破，市場有望迎來黃金發(fā)展期。

3.2.國內(nèi)外存儲廠商業(yè)績普遍承壓

(1)需求疲軟及客戶調(diào)整庫存，三星電子存儲業(yè)績大幅下滑。三星

電子是全球存儲行業(yè)龍頭廠商，DRAM和NANDFIash的市占率均位

列全球第一。三星電子成立于1969年，1974年三星收購了韓國半

導(dǎo)體公司50%的股份并于1979年收購了剩余股份，改名三星半導(dǎo)體,

并于1980年與三星電子合并，進(jìn)一步鞏固了三星電子在半導(dǎo)體制造

領(lǐng)域的統(tǒng)治地位。根據(jù)三星電子公布的財報數(shù)據(jù)，2022年Q3開始，

三星電子業(yè)績開始出現(xiàn)下滑，公司2023年Q2實現(xiàn)營業(yè)收入60.01

萬億韓元，同比-22%/環(huán)比-6%；實現(xiàn)營業(yè)利潤0.67萬億韓元，同比

-95.26%/環(huán)比+4.69%。其中，存儲業(yè)務(wù)營收為8.97萬億韓元，同比

?57%/環(huán)比+1%,存儲市況惡化使得三星電子整體業(yè)績回落，不僅存

儲營收急速下滑，而且存儲所在的DS部門2023年Q2虧損4.36萬

億韓元，上季度虧損4.58萬億韓元，環(huán)比虧損收窄。

(2)美光2023年Q3業(yè)績環(huán)比改善，AI領(lǐng)域拉動存儲芯片需求增

加。美光科技是全球領(lǐng)先的DRAM供應(yīng)商之一，同時也是NAND閃

存市場的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其存儲芯片行.業(yè)市占率全球領(lǐng)先。公司成立

于1978年，總部位于美國愛達(dá)荷州博伊西市，最初是生產(chǎn)DRAM芯

片的專業(yè)廠商，隨著技術(shù)不斷升級和業(yè)務(wù)范圍的擴(kuò)大，美光科技逐漸

成為了集計算存儲、移動存儲?、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)與通信、工業(yè)與汽車等

多個領(lǐng)域的智能存儲解決方案提供商。公司2023財年第三財季實現(xiàn)

營業(yè)收入37.52億美元，同比下降56.58%,其中DRAM占營收比重

的71%,NAND占27%；三季度調(diào)整后運營虧損14.69億美元，市

場預(yù)期虧損16.9億美元，較上季度虧損20.77億美元顯著收窄。受

益于生成式人工智能技術(shù)的加速普及，人工智能服務(wù)器對于內(nèi)存芯片

和存儲芯片市場需求拉動，疊加上游減產(chǎn)和渠道清庫存，傳統(tǒng)的個人

電腦和智能手機市場，存儲芯片供大于求的難題有所緩解，存儲芯片

行業(yè)開始逐漸回溫c

圖46美光科技營收及存儲業(yè)務(wù)收入（億美元，％）

—營業(yè)收入（億美元）-----增速（右軸）

（注：美光科

技2023年第三季度財務(wù)報告截至2023年6月1日）

（3）AI推動高端存儲產(chǎn)品銷售增加，SK海力士二季度營收虧損收

窄。SK海力士成立于1983年，公司主要生產(chǎn)和提供電腦和移動產(chǎn)

品等IT設(shè)備必需的DRAM和NAND閃存產(chǎn)品，在世界IT產(chǎn)業(yè)中占

據(jù)主導(dǎo)地位，是世界第二大內(nèi)存芯片廠商，自1984年生產(chǎn)

16KbSRAM以來，之后持續(xù)提供世界最小、最高速、最低電壓的內(nèi)

存半導(dǎo)體，隨著移動端和PC端用戶量日益增多，對內(nèi)存芯片的需求

也越來越多，SKHynix加速產(chǎn)品布局，技術(shù)發(fā)展層層突破。公司2023

財年第二財季實現(xiàn)營收7.31萬億韓元，較一季度5.09萬億韓元環(huán)比

增長44%,同比減少47%；經(jīng)營虧損2.88萬億韓元，相比去年同期

是由盈轉(zhuǎn)虧，環(huán)比收窄15%；凈虧損2.99萬億韓元，凈利潤率?41%

優(yōu)于Q1和去年Q4。盡管PC、移動端市場弱勢，DDR4等普通DRAM

價格持續(xù)下降，但隨著以ChatGPT為中心的生成式AI市場的擴(kuò)大,

用于AI服務(wù)器的存儲器產(chǎn)品需求強勢，HBM3、高性能DDR5和

LPDDR5DRAM等高價格、高配置產(chǎn)品銷售增加，DRAM整體ASP

比第一季度有所提高。

（4）國內(nèi)存儲廠商經(jīng)營狀況下滑，多數(shù)業(yè)績表現(xiàn)不佳。面對全球消

費電子行業(yè)需求疲軟、產(chǎn)業(yè)庫存較高、全球通脹、新冠疫情、經(jīng)濟(jì)放

緩等多重因素疊加，半導(dǎo)體存儲行業(yè)需求下滑，存儲產(chǎn)品價格下滑，

市場整體表現(xiàn)下行趨勢。國內(nèi)存儲廠商財務(wù)表現(xiàn)來看，大多數(shù)廠商出

現(xiàn)營收、歸母凈利潤下滑，盈利水平下降，個別廠商如聚辰股份，把

握DDR內(nèi)存模組換代升級以及汽車級EEPROM芯片供應(yīng)短缺帶來

的市場發(fā)展機遇，應(yīng)用于DDR5內(nèi)存模組、汽車電子及工業(yè)控制等

高附加值市場的產(chǎn)品于2021年第四季度起大批量供貨，帶動公司收

入規(guī)模和資產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。隨著2023年下半年消費端需求逐步恢

復(fù)，存儲芯片價格逐漸回暖，各廠商庫存水平恢復(fù)正常，存儲廠商業(yè)

績情況有望呈現(xiàn)階段性恢復(fù)。

3.3.頭部存儲廠商紛紛縮減資本開支

(1)存儲大廠紛紛縮減資本支出，降低產(chǎn)能利用率以調(diào)配供需平衡。

根據(jù)?insights數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體資本支出在2021年增長35%,

2022年增長19%后，預(yù)計2023年下降14%,達(dá)1560億美元。細(xì)

分來看，在存儲領(lǐng)域，以SK海力士和美光科技為首的存儲芯片廠商

對半導(dǎo)體投資支出顯著下滑，其中，SK海力士在2023年降低50%

資本支出，美光在2023年資本支出下降42%,存儲廠商龍頭三星電

子2022年只增加了5%的資本支出，2023年維持上年同等水平。當(dāng)

前，存儲市場處于下行周期，全球存儲廠商面臨價格下降、產(chǎn)業(yè)本身

的周期屬性以及外部經(jīng)濟(jì)環(huán)境下行因素，為應(yīng)對持續(xù)低迷的存儲芯片

市場，三星電子、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片入廠

都宣布將于2023年大幅度減產(chǎn)、削減資本開支，改善供需結(jié)構(gòu)c

(2)存儲芯片價格下跌幅度減緩，短期有望筑底反彈。截至2023

年8月，年初至今DRAM現(xiàn)貨價格下跌30%左右，雖然DRAM廠

商較早計劃減產(chǎn)，但由于今年服務(wù)器需求不如預(yù)期，服務(wù)器DRAM

供應(yīng)整休溢出嚴(yán)重，部分現(xiàn)貨DDR顆粒供應(yīng)過剩，原廠不斷收縮供

應(yīng)過剩的DDR4轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5,市場供需狀況在產(chǎn)能調(diào)動

中持續(xù)變化，供需兩端持續(xù)博弈，部分DRAM行情短期承壓。目前

存儲行情位于底部橫盤階段，市場仍然處于爭奪存量需求的階段，在

上游廠商減產(chǎn)、資源拉漲和消費持續(xù)復(fù)蘇的帶動下，預(yù)計下半年存儲

行情將持續(xù)回暖。

（3）NANDFIash價格日益趨緊，部分產(chǎn)品價格出現(xiàn)上揚趨勢。截至

2023年8月28日，SLC2Gb256MBx8/SLC1Gb128MBx8現(xiàn)貨價格

分別為0.79/0.82美元,環(huán)比7月28日跌幅為1.13%/2.26%；

MLC64Gb8GBx8/MLC32Gb4GBx8現(xiàn)貨價格分別為3.86/2.06美元,

環(huán)比小幅增長0.26%/0.34%,鞏固了NAND資源漲價趨勢；

3DTLC256Gb現(xiàn)貨價格為2.10美元，環(huán)比保持不變。隨著存儲大廠

紛紛宣布大幅減產(chǎn)，NAND芯片供給端過?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善，8月

渠道需求環(huán)比有所恢復(fù)，存儲行情有底部反轉(zhuǎn)跡象。

（4）美光在華銷售產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全檢查，國產(chǎn)化自主安全可控

需求凸顯。2023年5月21日，網(wǎng)信中國發(fā)文稱，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公

室依法對美光公司在華銷售產(chǎn)品進(jìn)行了網(wǎng)絡(luò)安全審查，審查發(fā)現(xiàn)：美

光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施

供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險，影響我國國家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查

辦公室依法作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》

等法律法規(guī)，國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)

品。美光是美國的存儲芯片行業(yè)龍頭，也是全球第三大存儲芯片巨頭,

審查結(jié)果將影響美光的產(chǎn)品在中國市場的銷售，三星、SK海力士將

逐漸取而代之，中國的存儲廠商也能獲得更多市場機會，此前采購美

光存儲晶圓、芯片的中國存儲模組制造企業(yè)將進(jìn)行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整。

（5）美光在華銷售份額較高，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù)美光科技2022

年財報數(shù)據(jù)，2022財年美光營收為307.58億美元，其中中國內(nèi)地為

33.11億美元，占比為11%,是除美國和中國臺灣外第三大市場。在

美光銷售的產(chǎn)品中，DRAM內(nèi)存是其最主要的來源，2022年營收

223.86億美元，占二匕73%,NAND閃存是第二大產(chǎn)品，2022年營收

78.11億美元，占比25%。根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)，全球車規(guī)DRAM

市占率前三分別為美光（45%）、北京君正（15%）和三星（11%）,

隨著美光在華銷售產(chǎn)品受到限制，國內(nèi)車載存儲龍頭北京君正最先受

益；SLCNAND領(lǐng)域，國內(nèi)龍頭東芯股份有望從中受益；此外，根據(jù)

CINNOResearch數(shù)據(jù)，2020年美光在全球NORFlash市場占約

4%的份額，國內(nèi)NORFlash龍頭廠商兆易創(chuàng)新有望加速產(chǎn)品升級以

及提高市占率。

圖5520232022財年美光科技分產(chǎn)品收入（億美元）

■DRAM（億美元）■NAND（億美元）■Other（億美元）

300n

250-223.86

200.39

200-

150

-^170,0778.11

50-

IMI!6.59

0

20212022

4.公司介紹

4.1.兆易創(chuàng)新：國內(nèi)NORFlash龍頭廠商，多產(chǎn)品線多賽道布局

(1)持續(xù)完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，支撐'業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展。兆易創(chuàng)新是一家廣泛

布局于存儲芯片、微控制器、傳感器芯片的半導(dǎo)體設(shè)計廠商，公司成

立于2005年4月，公司前身是北京芯技佳易微電子科技有限公司，

2009年12月正式更名為北京兆易創(chuàng)新科技有限公司。在存儲業(yè)務(wù)布

局方面，公司2008年成功量產(chǎn)180nm串行NORFlash,2013年推

出業(yè)界第一顆SPINANDFlash,2017年10月，公司聯(lián)合合肥長鑫，

開展19nm制程的12英寸DRAM項目，首次涉足DRAM市場，并

于2021年6月發(fā)布首款自有品牌DRAM產(chǎn)品。公司存儲器產(chǎn)品可

分為三個部分，NORFIash、SLCNANDFlash和DRAM,在NOR

Flash領(lǐng)域，公司市場占有率全球第三、中國第一，累計出貨量近212

億顆；在NANDFIash領(lǐng)域，公司實現(xiàn)了從SPINORFIash到

SPINANDFIash車規(guī)級產(chǎn)品的全面布局，為車載應(yīng)用的國產(chǎn)化提供豐

富多樣的選擇；在DRAM領(lǐng)域，公司自研DRAM產(chǎn)品組合，在已有

DDR4產(chǎn)品基礎(chǔ)上，推出DDR3L產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用在智慧家庭、工業(yè)、

車載影音系統(tǒng)等領(lǐng)域。

(2).業(yè)績保持高增長態(tài)勢，受終端需求不振短期下滑。收入端來看，

公司營業(yè)收入從2018年22.46億元增長至2022年81.3億元，近五

年復(fù)合增長率為37.9%,得益于前瞻性的戰(zhàn)略布局和持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新,

以及應(yīng)對市場供需變化的快速反應(yīng)能力，公司實現(xiàn)了經(jīng)營業(yè)績高速成

長，2021年公司營收同比增長89.25%。利潤端來看，歸母凈利潤從

2018年4.05億元增長至2022年20.53億元，近五年復(fù)合增長率為

50.05%,2021年同比增長165.33%。2022年,受經(jīng)濟(jì)環(huán)境、地緣

政治沖突等外部因素影響，存儲行'業(yè)整體面臨周期下行壓力，消費電

子市場整體表現(xiàn)低迷，市場需求疲軟，行業(yè)仍處于庫存消化調(diào)整期，

公司產(chǎn)品銷售價格承壓，進(jìn)一步導(dǎo)致營業(yè)收入和歸母凈利潤出現(xiàn)下滑。

（3）盈利水平穩(wěn)健，費用端管控良好。受終端智能化需求和供應(yīng)鏈

本土化趨勢，公司產(chǎn)品市場需求持續(xù)旺盛，毛利率從2018年38.25%

增長至2022年47.66%,凈利率也從2018年17.99%增長至25.25%,

保持穩(wěn)定增長態(tài)勢°止匕外，公司積極開拓新市場、新客戶，優(yōu)化產(chǎn)品

和客戶結(jié)構(gòu)，費用端保持良好水平，近年來，由于人員規(guī)模增加、員

工報酬增加、以及段權(quán)激勵費用增加，導(dǎo)致人工費用增加，銷售/管

理/研發(fā)費率有所提高。

（4）存儲業(yè)務(wù)筑牢根基，多元化布局助力穩(wěn)健經(jīng)營。公司業(yè)務(wù)是多

賽道多產(chǎn)品線的組合布局，目前主要是存儲器、微控制器和傳感器三

大類，存儲器又分為SPINOR、SLCNAND和DRAM,微控制器包

括ARM核和RISC-V開源內(nèi)核，傳感器包括觸控和指紋識別芯片。

從業(yè)務(wù)收入情況來看，存儲業(yè)務(wù)是公司收入的主要來源，

2019-2023H1年占營收比例均保持在60%以上，公司各項業(yè)務(wù)整體

上均保持穩(wěn)定增長態(tài)勢，2022年存儲業(yè)務(wù)、傳感器業(yè)務(wù)收入減少，

主要是受消費市場需求疲軟影響，得益于公司多元化產(chǎn)品布局，其來

自工業(yè)、網(wǎng)通領(lǐng)域的收入增加彌補了消費領(lǐng)域的收入下滑，并帶動微

控制器業(yè)務(wù)收入增長。

圖622019.2023H1兆易創(chuàng)新營收結(jié)構(gòu)(億元)

■存儲芯片(億元)■MCU(億元)

(5)公司主要關(guān)注要素：1)NORFlash方面，公司推出512Mb、

1Gb、2Gb的大容量SPINORFlash產(chǎn)品，填補國產(chǎn)空白，在汽車應(yīng)

用上，公司GD25產(chǎn)品全面滿足車規(guī)級AEC-Q100認(rèn)證，SPINOR

Flash車規(guī)級產(chǎn)品2Mb?2Gb容量已全線鋪齊，為市場提供全國產(chǎn)化

車規(guī)級閃存產(chǎn)品；2)NANDFlash方面，38nm和24nm兩種制程全

面量產(chǎn)，容量覆蓋1Gb~8Gb,其中車規(guī)產(chǎn)品GD5F系列SPINAND,

容量覆蓋1Gb~4Gb,38nmSLCNANDFIash車規(guī)級產(chǎn)品搭配車規(guī)級

SPINORFlash,為進(jìn)入車用市場提供更多機會；3)DRAM方面，

公司已量產(chǎn)DDR4、DDR3L產(chǎn)品，并通過與代工廠商的緊密合作關(guān)

系，獲得穩(wěn)定的產(chǎn)能保障；4)MCU方面，公司GD32MCU產(chǎn)品已

成功量產(chǎn)38大產(chǎn)品系列、超過450款MCU產(chǎn)品，實現(xiàn)對通用型、

低成本、高性能、低功耗、無線連接等主流應(yīng)用市場的全覆蓋。

4.2.東芯股份：國內(nèi)領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計公司，聚焦中小容量存儲芯

片

（1）緊跟存儲芯片國產(chǎn)化浪潮，聚焦中小容量存儲芯片領(lǐng)域。東芯

股份成立于2014年11月，是國內(nèi)領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計公司，聚焦

于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，實現(xiàn)芯片設(shè)計、制造、封

裝測試等環(huán)節(jié)全流程的掌控能力，是少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、

DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。公司搭建了穩(wěn)定可靠

的供應(yīng)鏈體系，設(shè)計研發(fā)并量產(chǎn)的24nmNAND、48nmNOR均為我

國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。憑借

強大的研發(fā)能力和穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系，產(chǎn)品己進(jìn)入國內(nèi)外眾多知名客

戶，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備、移動終端等終

端產(chǎn)品。

（2）收入持續(xù)穩(wěn)健增長，利潤端短期承壓。收入端，公司營業(yè)收入

從2018年5.10億元增長至2022年11.46億元，近五年復(fù)合增長率

為22.43%,主要得益于公司產(chǎn)品線不斷豐富，對客戶的導(dǎo)入陸續(xù)完

成，產(chǎn)品逐步放量，銷售規(guī)模有所擴(kuò)大，且隨著市場持續(xù)回暖，產(chǎn)品

價格上漲。利潤端，公司加強布局、完善多渠道供應(yīng)鏈及交貨方式，

在2020年首次實現(xiàn)盈利，并在2021年實現(xiàn)歸母凈利潤2.62億元，

同比增長1240.27%,2022年受地緣政治局勢緊張、全球經(jīng)濟(jì)下滑、

半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動等因素影響，公司利潤端有所下滑。

（3）規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)疊加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，盈利能力穩(wěn)步提升。隨

著公司銷售規(guī)模逐步擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)開始顯現(xiàn)，同時公司在持續(xù)微縮

制程及提高良率的同時對現(xiàn)有產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)進(jìn)行持續(xù)優(yōu)化，高附加值和

高毛利率產(chǎn)品的銷售占比提升，如大容量SLCNAND等，因此毛利

率水平得到很大提升。費用率方面，公司持續(xù)加大研發(fā)投入力度，保

證公司產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性，2022年公司研發(fā)費用1.10億元，占營收

比重為9.63%,同比+3.03pct,銷售費用、管理費用管控良好,2022

年較上期分別?0.09pct/?0.14pct。

(4)NORFlash業(yè)務(wù)出現(xiàn)大幅下滑，技術(shù)服務(wù)收入實現(xiàn)翻倍增長。

公司的主要產(chǎn)品為非易失性存儲芯片NANDFlash、NORFlash,易

失性存儲芯片DRAM以及衍生產(chǎn)品MCP,從產(chǎn)品收入情況來看，

2022年公司NAND產(chǎn)品實現(xiàn)收入7.08億元，同比增長7.27%,經(jīng)

過多年發(fā)展，公司的品牌知名度和產(chǎn)品得到客戶的廣泛認(rèn)可，公司

NAND產(chǎn)品在國內(nèi)的市場地位日趨凸顯，銷售規(guī)模和盈利能力逐步提

升,2022年NORFlash產(chǎn)品實現(xiàn)收入0.72億元，同比下滑61.47%,

主要由于消費電子需求下滑,穿戴式應(yīng)用需求走弱所致，同時DRAM、

MCP和技術(shù)服務(wù)比去年同期也分別增長了3.22%、26.38%和

99.70%,技術(shù)服務(wù)增長較多主要是由于項目進(jìn)度投入增加，按照履

約進(jìn)度確認(rèn)技術(shù)服務(wù)收入增加。

(5)公司主要關(guān)注要素：1)NANDFlash,公司在28nm及24nm

的制程上持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，不斷擴(kuò)充SLCNANDFlash產(chǎn)品線，部分

新產(chǎn)品已達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，公司先進(jìn)制程的IxnmNANDFIash產(chǎn)品已

完成首輪晶圓流片及首次晶圓制造，并已完成功能性驗證。2)NOR

Flash,公司的NORFlash產(chǎn)品在力積電的48nm制程上持續(xù)進(jìn)行更

高容量的新產(chǎn)品開發(fā)，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash產(chǎn)品都

己有樣品可提供給客戶，此外，公司在中芯國際的NORFlash產(chǎn)品

制程從65nm推進(jìn)至55nm,目前該制程產(chǎn)線已完成首次晶圓流片。

3)DRAM,公司設(shè)計研發(fā)的LPDDR4X及PSRAM產(chǎn)品均已完成工

程樣片并已通過客戶驗證。4)車規(guī)產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)度方面，公司基于中

芯國際38nm工藝平臺的SLCNANDFlash以及基于力積電48nm工

藝平臺的NORFlash均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測試，將適用于要求

更為嚴(yán)苛的車規(guī)級應(yīng)用環(huán)境。

4.3?北京君正：國內(nèi)車載存儲龍頭廠商，“計算+存儲+模擬”三線布局

(1)收購美國公司ISSI及其子公司Lumissil,公司發(fā)展邁向新臺階。

公司成立于2005年7月，自成立以來，不斷研發(fā)新產(chǎn)品推向市場，

公司產(chǎn)品先后進(jìn)入指紋識別、教育電子、PMP等重點應(yīng)用領(lǐng)域，2011

年5月，公司成功在深交所創(chuàng)業(yè)板上市。2020年，公司完成對北京

矽成半導(dǎo)體有限公司收購，正式切入存儲與模擬芯片賽道，北京矽成

經(jīng)營主體ISSI原為美國上市公司，1995年在納斯達(dá)克上市，主營業(yè)

務(wù)為集成電路存儲芯片以及模擬芯片的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。本次

并購是公司發(fā)展中的重要里程碑，自此，公司擁有三大業(yè)務(wù)品牌：

Ingenic.ISSI和LumissiL分別包括微處理器芯片和智能視頻芯片、

存儲芯片、模擬與互聯(lián)芯片的業(yè)務(wù)，公司擁有了面向多類重要芯片領(lǐng)

域的核心技術(shù)，并擁有全球化的客戶資源、渠道資源、市場資源和全

球化的人才資源。

（2）業(yè)績保持高增長態(tài)勢，短期擾動不改長期發(fā)展勢頭。收入端，

公司營業(yè)收入從2018年2.60億元增長至2022年54.12億元，近五

年復(fù)合增長率為114%,2022年，在全球經(jīng)濟(jì)局勢動蕩、通脹率提

升、流動性收緊和經(jīng)濟(jì)增長乏力背景下，集成電路市場增速相應(yīng)放緩,

市場從芯片供不應(yīng)求到去庫存的下行周期。在2022年集成電路設(shè)計

領(lǐng)域普遍出現(xiàn)業(yè)績壓力較大的情況下，公司收入實現(xiàn)逆勢增長。利潤

端，公司歸母凈利潤從2018年0.14億元增長至2022年7.89億元，

近五年復(fù)合增長率為174%,消費電子市場在2021年高速增長之后，

2022年陷入低迷，公司總體利潤水平也受到影響，出現(xiàn)下滑。隨著

市場整體庫存水平的下降，供需平衡逐漸改善，預(yù)計未來消費電子市