PAGE6PAGE7PAGE11．查閱有關(guān)計(jì)算機(jī)商情報(bào)刊，上網(wǎng)查看硬件信息；到當(dāng)?shù)赜?jì)算機(jī)配套市場考察內(nèi)存條的型號(hào)、價(jià)格等商情信息。答：略。2．上網(wǎng)查找有關(guān)主流DDR3、DDR4內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則方面的資料（搜索關(guān)鍵詞：主流DDR內(nèi)存顆粒）。答：經(jīng)常用到的內(nèi)存品牌有：海盜船、Kingston（金士頓）、Kingmax（勝創(chuàng)）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、現(xiàn)代（HYNIX）等。雜牌中用的顆粒編號(hào)較多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盜船內(nèi)存主要用于服務(wù)器或者發(fā)燒玩家，我們大家在購買電腦的時(shí)候，在資金比較寬裕的情況下，我們推薦選購Kingston的VALUERAM盒裝內(nèi)存，以及APACER盒裝內(nèi)存（建議購買英飛凌”INFINEON“顆粒的）這兩種內(nèi)存提供內(nèi)存的終身質(zhì)保，品質(zhì)上沒有任何問題，大家完全可以放心使用。如果資金不是很寬裕，建議購買非打磨現(xiàn)代的內(nèi)存，經(jīng)實(shí)踐證明原廠現(xiàn)代內(nèi)存的兼容性在所有的內(nèi)存中首屈一指。但是，現(xiàn)代的內(nèi)存假貨嚴(yán)重泛濫，關(guān)于其造假及售假方法將在下文中提到。如果你要購買現(xiàn)代的兼容內(nèi)存，那我建議您一定要買富豪代理或者金霞代理的盒裝正品。如果貪圖便宜選擇散裝條子，那就要考考您的眼力了。基本上，我們不推薦您購買雜牌內(nèi)存，雜牌內(nèi)存在使用壽命和質(zhì)保上都不能令人滿意，最后說一下Kingmax內(nèi)存我們之所以不推薦，就是因?yàn)镵ingmax內(nèi)存與某些主板（如早期NFORCE2芯片組）的兼容性不是很好，但其自身的品質(zhì)和性能絕對(duì)也是業(yè)界一流的。我們希望您在購買的時(shí)候一定要當(dāng)場試試，看有沒有兼容性問題。下面讓我來為大家解讀一些品牌內(nèi)存的顆粒編號(hào)含義：以上是市場上流行的“現(xiàn)代”內(nèi)存的標(biāo)號(hào)。對(duì)應(yīng)位置上1:不用我說你也看出來了當(dāng)然是代表HY生產(chǎn)的顆粒嘍2：內(nèi)存芯片類型：5D：DDRSDRAMS3：工藝與工作電壓V：CMOS，3.3VU:CMOS,2.5V4：芯片容量和刷新速率：64:64m,4kref66:64m,2kref28:128m,4kref56:256m,8kref12:512m,8kref5:芯片結(jié)構(gòu)（數(shù)據(jù)寬度）4：X4（數(shù)據(jù)寬度4bit下同)8:x816:x1632:x326：BANK數(shù)量：1:2BANKS2:4BANKS7：I/O界面：1:SSTL_32:SSTL_28：芯片內(nèi)核版本：空白:第一代A:第二代B:第三代C:第四代9：能量等級(jí)：空白:普通L:低能耗10：封裝形式：T:TSOPQ:TQFPL:CSP(LF-CSP)F:FBGA11：工作速度：33:300NHZ4:250MHZ43:233MHZ45:222MHZ5:200MHZ55:183MHZK:DDR266AH:DDR266BL:DDR200我們?cè)賮砜匆幌翶ingstone內(nèi)存的標(biāo)號(hào)方法：1.KVR代表kingstonvalueRAM2.外頻速度3.一般為X4.64為沒有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示筆記本專用內(nèi)存，沒有S字符表示普通的臺(tái)式機(jī)或是服務(wù)器內(nèi)存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符號(hào)8.內(nèi)存的容量我們以金士頓ValueRAMDDR內(nèi)存編號(hào)為例：編號(hào)為ValueRAMKVR400X64C25/256這條內(nèi)存就是：金士頓ValueRAM外頻400MHZ不帶有ECC校驗(yàn)的CAS=2.5的256M內(nèi)存。3．理解DRAM的內(nèi)存時(shí)間參數(shù)的含義，在BIOS中設(shè)置內(nèi)存參數(shù)。答：CASLatency[columnaddressstrobeLatency列地址選通脈沖時(shí)間延遲]CL是CASLatency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。FastRASToCASDelay：行地址觸發(fā)信號(hào)到列地址觸發(fā)信號(hào)之間的延遲時(shí)間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時(shí)間。tAC（AccesstimefromCLK）：是最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘，遲時(shí)間的計(jì)算一般用這個(gè)公式:總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL模式數(shù)+存取時(shí)間（tAC）,最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，其在時(shí)鐘信號(hào)上升緣與下降緣時(shí)各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。CPC:CommandPerClock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAMCommandRate、CMDRate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。顯然，CPC越短越好。tCL:CASLatencyControl(tCL)(也被描述為tCL、CL、CASLatencyTime、CASTimingDelay)，CASlatency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（ActivetoPrechargeDelay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStrobe）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。有些內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。在保證穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。tRCD:RAStoCASDelayRAStoCASDelay(也被描述為：tRCD、RAStoCASDelay、ActivetoCMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高性能。但如果該值設(shè)置太低、太高，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定，如果超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。 tRAS:MinRASActiveTiming(也被描述為：tRAS、ActivetoPrechargeDelay、RowActiveTime、PrechargeWaitState、RowActiveDelay、RowPrechargeDelay、RASActiveTime)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CASlatency+tRCD+2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CASlatency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或檔機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。tRP:RowPrechargeTiming(tRP)(也被描述為：tRP、RASPrecharge、Prechargetoactive)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。tRC:RowCycleTime(tRC)表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。其計(jì)算公式是：rowcycletime(tRC)=minimumrowactivetime(tRAS)+rowprechargetime(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過長，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，最好根據(jù)tRC=tRAS+tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。tRFC:RowRefreshCycleTimeRowRefreshCycleTime(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時(shí)間”，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是內(nèi)存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個(gè)時(shí)鐘周期。tRRD:RowtoRowDelay(RAStoRASdelay)RowtoRowDelay，也被稱為RAStoRASdelay(tRRD)，表示"行單元到行單元的延時(shí)"。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計(jì)算機(jī)來說，推薦tRRD值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時(shí)的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。tWR:WriteRecoveryTimeWriteRecoveryTime(tWD)，表示“寫恢復(fù)延時(shí)”。該值說明在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。tWTR:WritetoReadDelayWritetoReadDelay(tWTR)，表示“讀到寫延時(shí)”。三星公司稱其為“TCDLR(lastdataintoreadcommand)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。tWTR值為2在高時(shí)鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。tREF:RefreshPeriodRefreshPeriod(tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。先請(qǐng)看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對(duì)應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)tREF和tRAS一樣，不是一個(gè)精確的數(shù)值。WriteCASLatency(tWCL)表示“寫指令到行地址控制器延時(shí)”。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問的，這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址，大多數(shù)情況下，數(shù)據(jù)通常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，這個(gè)參數(shù)和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相對(duì)的，tCL表示讀的延遲。DQSSkewControlDQSSkewControl，表示“DQS時(shí)間差控制”。穩(wěn)定的電壓可以使內(nèi)存達(dá)到更高的頻率，電壓浮動(dòng)會(huì)引起較大的時(shí)間差（skew），加強(qiáng)控制力可以減少skew，但相應(yīng)的DQS（數(shù)據(jù)控制信號(hào)）上升和下降的邊緣會(huì)出現(xiàn)電壓過高或過低。一個(gè)額外的問題是高頻信號(hào)會(huì)引起追蹤延遲。DDR內(nèi)存的解決方法是通過簡單數(shù)據(jù)選通脈沖來增加時(shí)鐘推進(jìn)。DDRII引進(jìn)了更先進(jìn)的技術(shù)：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個(gè)簡單脈沖信號(hào)和一個(gè)參考點(diǎn)來測量信號(hào)，而并非信號(hào)之間相互比較。理論上提升和下降信號(hào)應(yīng)該是完全對(duì)成的，但事實(shí)并非如此。時(shí)鐘和數(shù)據(jù)的失諧就產(chǎn)生了DQ-DQSskew。DRAMDriveStrength（也被稱為：drivingstrength），表示“DRAM驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)用來控制內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號(hào)強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號(hào)強(qiáng)度越高，增加信號(hào)強(qiáng)度可以提高超頻的穩(wěn)定性。但是并非信號(hào)強(qiáng)度高就一定好，DRAMDataDriveStrengthDRAMDataDriveStrength表示“DRAM數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度”。這個(gè)參數(shù)決定內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號(hào)強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號(hào)強(qiáng)度越高。它主要用于處理高負(fù)荷的內(nèi)存讀取時(shí)，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統(tǒng)內(nèi)存的讀取負(fù)荷很高，則應(yīng)將該值設(shè)置為高(Hi/High)。它有助于對(duì)內(nèi)存數(shù)據(jù)總線超頻。但如果你并沒有超頻，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)線的信號(hào)強(qiáng)度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。在BIOS中設(shè)置內(nèi)存參數(shù)一：內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置首先，需要在BIOS中打開手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAMTimingSelectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：AutomaticConfiguration、DRAMAuto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表！二、BankInt