(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)人深圳大學(xué)公司441109超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法及系統(tǒng)本發(fā)明涉及超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合MOSFET分階特性分析，得到芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，得到多閾值保護(hù)參數(shù)獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)對(duì)所述多閱值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初始控制方案對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障白診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，得到潛在故障區(qū)域?qū)⑺龀跏伎刂品桨概c所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略21.一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，包括：獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，并進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息；獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)；對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初始控制方案；對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，并進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性根據(jù)所述運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行功率計(jì)算，并進(jìn)行開(kāi)關(guān)頻率分析，得到有效頻率數(shù)據(jù)；對(duì)所述運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行基礎(chǔ)參數(shù)提取，得到芯片基礎(chǔ)參數(shù)；將所述有效頻率數(shù)據(jù)和所述芯片基礎(chǔ)參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，得到有效運(yùn)行參數(shù)集；對(duì)所述復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)進(jìn)行材料介電常數(shù)、層間熱導(dǎo)率及界面應(yīng)力分布耦合計(jì)算，得到結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)；依據(jù)所述結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)對(duì)所述有效運(yùn)行參數(shù)集進(jìn)行數(shù)據(jù)修正，得到修正運(yùn)行參數(shù)；對(duì)所述修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述對(duì)所述修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，包括：對(duì)所述修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行熱電場(chǎng)耦合計(jì)算，得到納米尺度熱流分布圖；基于所述熱流分布圖進(jìn)行TVS結(jié)構(gòu)隧穿電流密度分析，得到亞閾值區(qū)域漏電特性曲線；對(duì)所述亞閾值區(qū)域漏電特性曲線進(jìn)行高斯正交多項(xiàng)式擬合，得到目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集；依據(jù)所述目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集進(jìn)行MOSFET溝道載流子遷移率退化計(jì)算，得到界面陷阱分布將所述界面陷阱分布函數(shù)與所述熱流分布圖進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格融合，得到所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分對(duì)所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片進(jìn)行柵極電壓采樣，得到原始柵極電壓數(shù)據(jù)；對(duì)所述原始柵極電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行干擾噪聲消除，并進(jìn)行曲線映射，得到所述柵極充電曲對(duì)所述柵極充電曲線進(jìn)行階段臨界時(shí)間點(diǎn)計(jì)算，得到分段充電特性參數(shù)；根據(jù)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息對(duì)所述分段充電特性參數(shù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償計(jì)算，得到歸一化3充電特性曲線；獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的歷史安全運(yùn)行數(shù)據(jù)，并對(duì)所述歸一化充電特性曲線與進(jìn)行偏差分析，得到臨界安全邊界值；依據(jù)所述臨界安全邊界值與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行閾值計(jì)算，得到所述多閾值保護(hù)參數(shù)，其中，所述多閾值保護(hù)參數(shù)包括電壓下限閾值、過(guò)流保護(hù)閾值和時(shí)間延遲保護(hù)閾5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)對(duì)所述電流變化數(shù)據(jù)進(jìn)行米勒平臺(tái)波動(dòng)系數(shù)提取，得到米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)；根據(jù)所述米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)和所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行電流諧波成分計(jì)算，得到諧波分布圖譜；對(duì)所述諧波分布圖譜進(jìn)行非線性電流分量和異常電流波形識(shí)別，得到電流異常特征向根據(jù)所述電流異常特征向量進(jìn)行電流變化趨勢(shì)預(yù)測(cè)，得到預(yù)測(cè)電流曲線；對(duì)所述預(yù)測(cè)電流曲線進(jìn)行偏離系數(shù)和異常概率計(jì)算，得到異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)；根據(jù)所述異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)區(qū)域細(xì)粒度分析，得到所述電流異常趨勢(shì)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初始控制方案，包括：對(duì)所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行電流變化梯度分析，得到溫度補(bǔ)償系數(shù)；根據(jù)所述溫度補(bǔ)償系數(shù)對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)進(jìn)行自適應(yīng)調(diào)整，得到溫度修正閾值；將所述溫度修正閾值與所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行維度空間構(gòu)建，得到多維度保護(hù)空間；對(duì)所述多維度保護(hù)空間進(jìn)行溫度分區(qū)優(yōu)化，得到溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域；對(duì)所述溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域進(jìn)行控制時(shí)序規(guī)劃，得到動(dòng)態(tài)保護(hù)策略；對(duì)所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行損耗預(yù)測(cè)，得到功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)；依據(jù)所述功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)所述動(dòng)態(tài)保護(hù)策略進(jìn)行溫度控制優(yōu)化，得到初始控制方7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行芯片節(jié)點(diǎn)電壓計(jì)算，并進(jìn)行閾值偏移分析，得到節(jié)點(diǎn)異常度量值；對(duì)所述節(jié)點(diǎn)異常度量值進(jìn)行累積概率分布計(jì)算，得到故障概率分布圖；基于所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行溫度電壓關(guān)聯(lián)特性提取，并與所述故障概率分布圖進(jìn)依據(jù)預(yù)設(shè)的故障類(lèi)型表與所述故障預(yù)警參數(shù)集與進(jìn)行匹配，得到故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信將所述故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息與所述柵極充電曲線進(jìn)行電壓應(yīng)力分布計(jì)算，得到壓力4運(yùn)行區(qū)間；根據(jù)所述壓力運(yùn)行區(qū)間進(jìn)行芯片寄生參數(shù)臨界值預(yù)測(cè)，得到雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)；將所述雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)與所述柵極充電曲線進(jìn)行交叉驗(yàn)證，得到潛在故障區(qū)域。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，其特征在于，所述將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略，包基于預(yù)設(shè)的碳化硅材料特性數(shù)據(jù)對(duì)所述初始控制方案進(jìn)行非線性閾值分級(jí)處理，得到自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)；對(duì)所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行微分特征提取和故障前兆信號(hào)波動(dòng)特性分析，得到故障前兆特征向量；根據(jù)所述自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)和所述故障前兆特征向量進(jìn)行多相位響應(yīng)時(shí)間曲基于預(yù)設(shè)的二階阻尼系數(shù)調(diào)控算法對(duì)所述動(dòng)態(tài)保護(hù)響應(yīng)策略進(jìn)行快慢雙重鉗位電壓根據(jù)所述雙通道鉗位控制指令進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路可變斜率控制分析，得到智能關(guān)斷控制信依據(jù)所述智能關(guān)斷控制信號(hào)與所述雙通道鉗位控制指令對(duì)所述初始控制方案進(jìn)行啟動(dòng)保護(hù)優(yōu)化，得到所述芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。9.一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，應(yīng)用于上述權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，包括：采集模塊，所述采集模塊用于獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)分析模塊，所述分析模塊用于獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，得到多閾值保護(hù)參數(shù)；關(guān)聯(lián)模塊，所述關(guān)聯(lián)模塊用于獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)；處理模塊，所述處理模塊用于對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控控制模塊，所述控制模塊用于對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，得到潛在故障區(qū)域；執(zhí)行模塊，所述執(zhí)行模塊用于將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷5技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及控制芯片的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)[0002]超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片在現(xiàn)代電子設(shè)備中具有重要的應(yīng)用價(jià)值，其高效能和高可靠性使其成為各類(lèi)高性能電力電子系統(tǒng)的核心組件。隨著電子設(shè)備對(duì)性能要求的不斷提升，如何確保超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片在各種復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行，成為了研究的重點(diǎn)之一。現(xiàn)有的保護(hù)方法通常只關(guān)注單一的工作參數(shù)或簡(jiǎn)單的保護(hù)機(jī)制，忽略了芯片在不同工作狀態(tài)下的綜合特性分析和多層次保護(hù)需求。這種簡(jiǎn)化的保護(hù)方法可能導(dǎo)致芯片在運(yùn)行過(guò)程中容易受到異常電流或溫度波動(dòng)的影響，從而降低其整體性能和壽命。發(fā)明內(nèi)容[0003]本發(fā)明的主要目的為提供一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法及系統(tǒng)，能通過(guò)綜合調(diào)整策略實(shí)現(xiàn)芯片的優(yōu)化啟動(dòng)保護(hù)，從而有效延長(zhǎng)芯片壽命。[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，包括：獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，并進(jìn)行TVS-獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)；對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初始控制方對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，得到潛在故障區(qū)域；將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。[0005]進(jìn)一步地，所述獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)根據(jù)所述運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行功率計(jì)算，并進(jìn)行開(kāi)關(guān)頻率分析，得到有效頻率數(shù)據(jù)；對(duì)所述運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行基礎(chǔ)參數(shù)提取，得到芯片基礎(chǔ)參數(shù)；將所述有效頻率數(shù)據(jù)和所述芯片基礎(chǔ)參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，得到有效運(yùn)行參數(shù)集；對(duì)所述復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)進(jìn)行材料介電常數(shù)、層間熱導(dǎo)率及界面應(yīng)力分布耦合計(jì)依據(jù)所述結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)對(duì)所述有效運(yùn)行參數(shù)集進(jìn)行數(shù)據(jù)修正，得到修正運(yùn)行參6[0006]進(jìn)一步地，所述對(duì)所述修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到所述芯對(duì)所述修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行熱電場(chǎng)耦合計(jì)算，得到納米尺度熱流分布圖；基于所述熱流分布圖進(jìn)行TVS結(jié)構(gòu)隧穿電流密度分析，得到亞閾值區(qū)域漏電特性依據(jù)所述目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集進(jìn)行MOSFET溝道載流子遷移率退化計(jì)算，得到界面陷阱分布函數(shù)；將所述界面陷阱分布函數(shù)與所述熱流分布圖進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格融合，得到所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。[0007]進(jìn)一步地，所述獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，得到多閾值保護(hù)對(duì)所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片進(jìn)行柵極電壓采樣，得到原始柵極電壓數(shù)據(jù)；對(duì)所述原始柵極電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行干擾噪聲消除，并進(jìn)行曲線映射，得到所述柵極充電曲線；對(duì)所述柵極充電曲線進(jìn)行階段臨界時(shí)間點(diǎn)計(jì)算，得到分段充電特性參數(shù)；根據(jù)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息對(duì)所述分段充電特性參數(shù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償計(jì)算，得到歸一化充電特性曲線；獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的歷史安全運(yùn)行數(shù)據(jù)，并對(duì)所述歸一化充電特性曲線與進(jìn)行偏差分析，得到臨界安全邊界值；依據(jù)所述臨界安全邊界值與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行閾值計(jì)算，得到所述多閾值保護(hù)參數(shù)，其中，所述多閾值保護(hù)參數(shù)包括電壓下限閾值、過(guò)流保護(hù)閾值和時(shí)間延遲保護(hù)[0008]進(jìn)一步地，所述獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)，包括：對(duì)所述電流變化數(shù)據(jù)進(jìn)行米勒平臺(tái)波動(dòng)系數(shù)提取，得到米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)；根據(jù)所述米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)和所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行電流諧波成分計(jì)對(duì)所述諧波分布圖譜進(jìn)行非線性電流分量和異常電流波形識(shí)別，得到電流異常特征向量；根據(jù)所述電流異常特征向量進(jìn)行電流變化趨勢(shì)預(yù)測(cè)，得到預(yù)測(cè)電流曲線；對(duì)所述預(yù)測(cè)電流曲線進(jìn)行偏離系數(shù)和異常概率計(jì)算，得到異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)；根據(jù)所述異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)區(qū)域細(xì)粒度分析，得到所述電流異常趨勢(shì)。[0009]進(jìn)一步地，所述對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，7對(duì)所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行電流變化梯度分析，得到溫度補(bǔ)償系數(shù)；根據(jù)所述溫度補(bǔ)償系數(shù)對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)進(jìn)行自適應(yīng)調(diào)整，得到溫度修正閾將所述溫度修正閾值與所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行維度空間構(gòu)建，得到多維度保護(hù)空對(duì)所述多維度保護(hù)空間進(jìn)行溫度分區(qū)優(yōu)化，得到溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域；對(duì)所述溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域進(jìn)行控制時(shí)序規(guī)劃，得到動(dòng)態(tài)保護(hù)策略；對(duì)所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行損耗預(yù)測(cè)，得到功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)；依據(jù)所述功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)所述動(dòng)態(tài)保護(hù)策略進(jìn)行溫度控制優(yōu)化，得到初始控制方案。[0010]進(jìn)一步地，所述對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，得到潛在故障對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行芯片節(jié)點(diǎn)電壓計(jì)算，并進(jìn)行閾值偏移分析，得到節(jié)點(diǎn)異常度量值；對(duì)所述節(jié)點(diǎn)異常度量值進(jìn)行累積概率分布計(jì)算，得到故障概率分布圖；基于所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行溫度電壓關(guān)聯(lián)特性提取，并與所述故障概率分布圖進(jìn)行預(yù)警關(guān)聯(lián)，得到故障預(yù)警參數(shù)集；依據(jù)預(yù)設(shè)的故障類(lèi)型表與所述故障預(yù)警參數(shù)集與進(jìn)行匹配，得到故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息；將所述故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息與所述柵極充電曲線進(jìn)行電壓應(yīng)力分布計(jì)算，得到壓力運(yùn)行區(qū)間；根據(jù)所述壓力運(yùn)行區(qū)間進(jìn)行芯片寄生參數(shù)臨界值預(yù)測(cè)，得到雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)將所述雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)與所述柵極充電曲線進(jìn)行交叉驗(yàn)證，得到潛在故障區(qū)域。[0011]進(jìn)一步地，所述將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)基于預(yù)設(shè)的碳化硅材料特性數(shù)據(jù)對(duì)所述初始控制方案進(jìn)行非線性閾值分級(jí)處理，得到自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)；對(duì)所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行微分特征提取和故障前兆信號(hào)波動(dòng)特性分析，得到故障前兆特征向量；根據(jù)所述自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)和所述故障前兆特征向量進(jìn)行多相位響應(yīng)時(shí)間曲線分析，并進(jìn)行策略構(gòu)建，得到動(dòng)態(tài)?；陬A(yù)設(shè)的二階阻尼系數(shù)調(diào)控算法對(duì)所述動(dòng)態(tài)保護(hù)響應(yīng)策略進(jìn)行快慢雙重鉗位根據(jù)所述雙通道鉗位控制指令進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路可變斜率控制分析，得到智能關(guān)斷控制信號(hào)；依據(jù)所述智能關(guān)斷控制信號(hào)與所述雙通道鉗位控制指令對(duì)所述初始控制方案進(jìn)8行啟動(dòng)保護(hù)優(yōu)化，得到所述芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。[0012]本發(fā)明還提供一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)系統(tǒng)，應(yīng)用于上述任意一項(xiàng)所述的超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，包括：采集模塊，所述采集模塊用于獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合分析模塊，所述分析模塊用于獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，得到多閾值保護(hù)參數(shù)；關(guān)聯(lián)模塊，所述關(guān)聯(lián)模塊用于獲取所述超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)；處理模塊，所述處理模塊用于對(duì)所述多閾值保護(hù)參數(shù)和所述電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫控制模塊，所述控制模塊用于對(duì)所述芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與所述柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，得到潛在故障區(qū)域；執(zhí)行模塊，所述執(zhí)行模塊用于將所述初始控制方案與所述潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。[0013]本發(fā)明提供的一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法及系統(tǒng)，具有以下有益效通過(guò)對(duì)啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合分析，并結(jié)合TVS-MOSFET分階特性分析，能夠更準(zhǔn)確地評(píng)估芯片的實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，從而提高了芯片保護(hù)機(jī)制的精度，為芯片的設(shè)計(jì)和運(yùn)行提供了更為可靠的基礎(chǔ)。通過(guò)將柵極充電曲線與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，獲取多閾值保護(hù)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片在不同工作狀態(tài)下的精細(xì)化管理，有助于提前識(shí)別電流異常趨勢(shì)，避免芯片在運(yùn)行過(guò)程中受到突發(fā)異常電流的損害?；跍囟瓤刂茦?gòu)建初始控制方案，確保芯片在不同工作溫度下均能高效運(yùn)行，減少了不必要的能耗，提高了芯片整體運(yùn)行效率。通過(guò)對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，并結(jié)合柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，能夠制定出更為合理的鉗位關(guān)斷策略，并通過(guò)綜合調(diào)整策略實(shí)現(xiàn)芯片的優(yōu)化啟動(dòng)保護(hù)，從而有效延長(zhǎng)芯片壽命，減少故障發(fā)生，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。并通過(guò)考慮潛在故障區(qū)域的影響，能夠根據(jù)不同工作場(chǎng)景靈活調(diào)整保護(hù)策略，使得芯片更加適應(yīng)多樣化的應(yīng)用需求。附圖說(shuō)明[0014]圖1是為本發(fā)明提供的一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法流程圖；圖2是為本發(fā)明提供的一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。[0015]本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。具體實(shí)施方式[0016]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0017]下面，結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述。9[0018]參照?qǐng)D1所示，本發(fā)明提供一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，包括：步驟S1:獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，并進(jìn)步驟S2:獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息步驟S3:獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常趨勢(shì)；步驟S4:對(duì)多閾值保護(hù)參數(shù)和電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初始控制方步驟S5:對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與柵極充電曲步驟S6:將初始控制方案與潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。步驟S1:通過(guò)采集芯片運(yùn)行參數(shù)及復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，建立芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)監(jiān)測(cè)體參數(shù)等核心指標(biāo)，其中，芯片工作電壓范圍包括650V~3.3kV之間電壓等級(jí)，涵蓋1200V、1700V和3300V的電壓等級(jí)，復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)涵蓋芯片內(nèi)部TVS保護(hù)結(jié)構(gòu)與MOSFET功率器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)、材料特性及耦合效應(yīng)數(shù)據(jù)。TVS-MOSFET分階特性分析將芯片工作狀態(tài)劃分為正常導(dǎo)通、臨界狀態(tài)和異常工作三個(gè)階段，每個(gè)階段都有不同的電壓-電流特性曲線。通過(guò)建立數(shù)學(xué)模型，在電壓軸和電流軸上設(shè)定多個(gè)特征點(diǎn)，計(jì)算各階段導(dǎo)通電阻、漏極-源極擊穿電壓、柵極閾值電壓等參數(shù)，形成芯片性能全景圖譜。該分析還考慮碳化硅材料在高溫環(huán)境下的特性變化，通過(guò)溫度補(bǔ)償算法修正各參數(shù)隨溫度變化的偏移量。結(jié)合時(shí)域波形分析和頻域特性分析，構(gòu)建芯片狀態(tài)評(píng)估矩陣，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片瞬態(tài)響應(yīng)的量化表征。分析結(jié)果直接轉(zhuǎn)化為芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，包括當(dāng)前工作點(diǎn)位置、安全裕度評(píng)估和潛在風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警三個(gè)核心指標(biāo)，為后續(xù)保護(hù)策略制定提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支撐。[0020]步驟S2:通過(guò)與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息的關(guān)聯(lián)分析，生成多層次保護(hù)參數(shù)體系。柵極充電曲線反映了MOSFET從關(guān)斷到完全導(dǎo)通的整個(gè)過(guò)程，記錄了柵極電壓隨時(shí)間變化的完整軌跡。采集過(guò)程使用高精度示波器，采樣率不低于1GS/s,確保捕捉到納秒級(jí)的瞬態(tài)變化。所獲取的充電曲線被分解為預(yù)充電段、快速上升段、米勒平臺(tái)段和飽和段四個(gè)典型區(qū)域。每個(gè)區(qū)域計(jì)算出時(shí)間常數(shù)、斜率變化率和電壓增量等關(guān)鍵參數(shù)。與步驟S1獲得的芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行交叉分析，建立柵極充電特性與芯片內(nèi)部狀態(tài)的映射關(guān)系。通過(guò)數(shù)學(xué)擬合和統(tǒng)計(jì)分析，識(shí)別出正常工作條件下柵極充電曲線的波動(dòng)范圍，并標(biāo)定異常情況下的曲線畸變特征。關(guān)聯(lián)分析過(guò)程應(yīng)用模式識(shí)別算法，提取充電曲線的特征向量，與芯片狀態(tài)向量進(jìn)行相關(guān)性計(jì)算，構(gòu)建二者之間的非線性映射模型。基于此模型，生成包含電壓閾值、時(shí)間閾值和斜率閾值在內(nèi)的多維保護(hù)參數(shù)集。這些參數(shù)在電壓維度上設(shè)置過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)、欠壓保護(hù)點(diǎn)和最優(yōu)工作區(qū)間；在時(shí)間維度上確定最短安全充電時(shí)間和最長(zhǎng)允許充電時(shí)間；在斜率維度上限定柵極電壓變化率的安全邊界。多閾值保護(hù)參數(shù)成為后續(xù)保護(hù)策略實(shí)施的直接依據(jù)。[0021]步驟S3:聚焦于對(duì)超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片電流變化數(shù)據(jù)的深入分析，特別是米勒平臺(tái)特征解析，以識(shí)別潛在的電流異常趨勢(shì)。電流變化數(shù)據(jù)采集采用無(wú)損測(cè)量技術(shù)，在芯片引腳及關(guān)鍵路徑上布置高精度電流探針，采集整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中的電流波形。數(shù)據(jù)采集覆蓋柵極驅(qū)動(dòng)電流、漏極-源極主電流以及保護(hù)回路電流三個(gè)關(guān)鍵部分，形成完整的電流分布圖。采集數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)噪聲濾波和基線校正后，進(jìn)入米勒平臺(tái)特征分析環(huán)節(jié)。米勒平臺(tái)是MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的關(guān)鍵階段，此時(shí)柵極電壓維持相對(duì)穩(wěn)定而漏極-源極電壓快速變化，該特征在碳化硅器件中尤為明顯。分析過(guò)程建立米勒平臺(tái)數(shù)學(xué)模型，計(jì)算平臺(tái)持續(xù)時(shí)間、平臺(tái)電壓穩(wěn)定性和電流上升率三個(gè)核心參數(shù)。結(jié)合步驟S1獲得的芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，構(gòu)建米勒平臺(tái)參數(shù)與芯片內(nèi)部狀態(tài)的關(guān)聯(lián)模型。通過(guò)對(duì)歷史數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析，建立電流變化的基準(zhǔn)模式，任何偏離該模式的變化都被識(shí)別為潛在異常。異常判定采用多維度閾值法，綜合考慮電流幅值偏差、上升時(shí)間變化和波形畸變程度。電流異常趨勢(shì)通過(guò)趨勢(shì)預(yù)測(cè)算法進(jìn)行量化，生成包含異常類(lèi)型、嚴(yán)重程度和發(fā)展趨勢(shì)的異常特征向量，為后續(xù)溫度控制和故障預(yù)警提供關(guān)鍵輸入。[0022]步驟S4:溫度作為碳化硅器件性能的關(guān)鍵影響因素，對(duì)保護(hù)策略的制定具有決定性作用。溫度控制構(gòu)建首先建立溫度與保護(hù)參數(shù)的映射關(guān)系，通過(guò)熱電偶或紅外測(cè)溫技術(shù)獲取芯片及其周邊環(huán)境的溫度分布圖，精度控制在±1℃以?xún)?nèi)。建立溫度一保護(hù)參數(shù)矩陣，使各閾值參數(shù)根據(jù)溫度變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整。對(duì)于柵極電壓閾值，溫度升高時(shí)適當(dāng)降低過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)，提高欠壓保護(hù)點(diǎn)，縮小安全工作窗口；對(duì)于時(shí)間閾值，溫度升高時(shí)縮短最長(zhǎng)允許充電時(shí)間，延長(zhǎng)最短安全充電時(shí)間；對(duì)于斜率閾值，溫度升高時(shí)降低允許的最大變化率。電流異常趨勢(shì)的溫度補(bǔ)償通過(guò)建立電流一溫度特性模型實(shí)現(xiàn)，將電流異常判定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行溫度校正。高溫下電流閾值相對(duì)降低，異常判定更為敏感；低溫下電流閾值相對(duì)提高，允許更大的波動(dòng)范圍。基于兩組數(shù)據(jù)的溫度關(guān)聯(lián)性分析，構(gòu)建三維控制模型，X軸為溫度，Y軸為數(shù)，Z軸為異常趨勢(shì)指標(biāo)。通過(guò)該模型生成針對(duì)不同溫度區(qū)間的控制策略庫(kù)，形成初始控制方案。該方案具備溫度自適應(yīng)特性，能夠根據(jù)實(shí)時(shí)溫度變化自動(dòng)調(diào)整保護(hù)策略參數(shù)，保證超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片在全溫度范圍內(nèi)的安全可靠運(yùn)行。[0023]步驟S5:故障自診斷基于獲得的芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，建立狀態(tài)異常檢測(cè)模型。該模型采用自組織映射算法將芯片狀態(tài)數(shù)據(jù)映射到二維特征空間，通過(guò)聚類(lèi)分析識(shí)別正常狀態(tài)簇和異常狀態(tài)簇。異常狀態(tài)進(jìn)一步細(xì)分為過(guò)壓狀態(tài)、過(guò)流狀態(tài)、溫度異常狀態(tài)和寄生振蕩狀態(tài)四類(lèi)基本故障模式。對(duì)每種故障模式計(jì)算置信度指標(biāo)，生成故障預(yù)警信息，包含故障類(lèi)型、嚴(yán)重程度和發(fā)生概率三個(gè)維度。故障預(yù)警信息與獲取的柵極充電曲線進(jìn)行相關(guān)性分析，建立故障模式與充電曲線畸變特征的映射關(guān)系?；跉v史數(shù)據(jù)訓(xùn)練故障預(yù)測(cè)模型，該模型能夠從當(dāng)前充電曲線的微小變化中預(yù)測(cè)潛在故障的發(fā)生趨勢(shì)。預(yù)測(cè)過(guò)程采用動(dòng)態(tài)時(shí)間規(guī)整算法比對(duì)當(dāng)前充電曲線與標(biāo)準(zhǔn)曲線的偏差，結(jié)合趨勢(shì)外推技術(shù)推算故障發(fā)展軌跡。通過(guò)蒙特卡洛模擬方法，生成多種可能的故障演化場(chǎng)景，計(jì)算各場(chǎng)景的概率分布，確定高風(fēng)險(xiǎn)故障區(qū)域。潛在故障區(qū)域在電壓-電流-時(shí)間三維空間中表示，形成故障風(fēng)險(xiǎn)熱圖，直觀顯示高風(fēng)險(xiǎn)操作點(diǎn)和危險(xiǎn)工作區(qū)間。該熱圖標(biāo)識(shí)出柵極充電過(guò)程中最易觸發(fā)故障的時(shí)間段和相應(yīng)的電壓電流參數(shù)范圍，為下一步鉗位關(guān)斷策略提供精確的干預(yù)時(shí)機(jī)和參數(shù)依據(jù)。[0024]步驟S6:將初始控制方案與確定的潛在故障區(qū)域進(jìn)行融合，構(gòu)建精確的鉗位關(guān)斷策略，形成完整的芯片啟動(dòng)保護(hù)策略。鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建首先對(duì)潛在故障區(qū)域進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)劃分，將高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域、中風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域和低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域分別賦予不同的處理優(yōu)先級(jí)。針對(duì)高風(fēng)險(xiǎn)11區(qū)域采用硬鉗位策略，一旦檢測(cè)到運(yùn)行參數(shù)進(jìn)入該區(qū)域，立即觸發(fā)硬關(guān)斷保護(hù)；對(duì)于中風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域采用軟鉗位策略，通過(guò)控制柵極充電電流或調(diào)整柵極電壓斜率引導(dǎo)芯片運(yùn)行參數(shù)遠(yuǎn)離危險(xiǎn)區(qū)域；對(duì)于低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域采用監(jiān)測(cè)策略，持續(xù)跟蹤參數(shù)變化但不主動(dòng)干預(yù)。鉗位閾值設(shè)定基于初始控制方案中的多閾值保護(hù)參數(shù)，根據(jù)潛在故障區(qū)域的邊界特征進(jìn)行微調(diào)，確保鉗位點(diǎn)位于故障發(fā)生前的安全位置。關(guān)斷時(shí)序設(shè)計(jì)考慮碳化硅器件的快速開(kāi)關(guān)特性，硬關(guān)斷采用梯次關(guān)斷模式，先快速降低柵極電壓至閾值以下，再緩慢釋放柵極電荷，避免因關(guān)斷過(guò)快導(dǎo)致的電壓尖峰和振蕩。軟鉗位過(guò)程中引入負(fù)反饋控制環(huán)路，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)參數(shù)變化，動(dòng)態(tài)調(diào)整鉗位強(qiáng)度。整個(gè)策略通過(guò)決策樹(shù)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，將各種可能的運(yùn)行狀態(tài)與相應(yīng)的處理措施建立明確映射。最終形成的芯片啟動(dòng)保護(hù)策略包含狀態(tài)監(jiān)測(cè)、異常識(shí)別、風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估和保護(hù)執(zhí)行四個(gè)功能模塊，以及狀態(tài)轉(zhuǎn)換邏輯和恢復(fù)機(jī)制。該策略能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片全過(guò)程、多維度的精確保護(hù)，有效提高芯片在復(fù)雜工況下的可靠性和穩(wěn)定性。[0025]本發(fā)明提供的一種超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片保護(hù)方法，通過(guò)對(duì)超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)進(jìn)行綜合分析，并結(jié)合TVS-MOSFET分階特性分析，能夠更準(zhǔn)確地評(píng)估芯片的實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，從而提高了芯片保護(hù)機(jī)制的精度，為芯片的設(shè)計(jì)和運(yùn)行提供了更為可靠的基礎(chǔ)。通過(guò)將柵極充電曲線與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，獲取多閾值保護(hù)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片在不同工作狀態(tài)下的精細(xì)化管理，有助于提前識(shí)別電流異常趨勢(shì)，避免芯片在運(yùn)行過(guò)程中受到突發(fā)異常電流的損害?；跍囟瓤刂茦?gòu)建初始控制方案，確保芯片在不同工作溫度下均能高效運(yùn)行，減少了不必要的能耗，提高了芯片整體運(yùn)行效率。通過(guò)對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，并結(jié)合柵極充電曲線進(jìn)行故障預(yù)測(cè)，能夠制定出更為合理的鉗位關(guān)斷策略，并通過(guò)綜合調(diào)整策略實(shí)現(xiàn)芯片的優(yōu)化啟動(dòng)保護(hù)，從而有效延長(zhǎng)芯片壽命，減少故障發(fā)生，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。并通過(guò)考慮潛在故障區(qū)域的影響，能夠根據(jù)不同工作場(chǎng)景靈活調(diào)整保護(hù)策略，使得芯片更加適應(yīng)多樣化的應(yīng)用需[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)在獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)階段，系統(tǒng)采集芯片的工作電壓、工作電流、開(kāi)關(guān)時(shí)序、溫度分布等運(yùn)行參數(shù)，同時(shí)收集芯片內(nèi)部TVS-感器網(wǎng)絡(luò)實(shí)時(shí)采集，復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)則在芯片設(shè)計(jì)階段通過(guò)材料表征與結(jié)構(gòu)分析獲得并存儲(chǔ)于芯片內(nèi)部參數(shù)庫(kù)。[0027]在根據(jù)運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行功率計(jì)算，并進(jìn)行開(kāi)關(guān)頻率分析，得到有效頻率數(shù)據(jù)階段，系統(tǒng)根據(jù)采集的工作電壓V和工作電流I,計(jì)算芯片瞬時(shí)功率。開(kāi)關(guān)頻率分析采用快速傅里葉變換(FFT)對(duì)電壓電流波形進(jìn)行處理，提取基波及諧波頻率成分。系統(tǒng)將提取的頻率成分與預(yù)設(shè)頻率范圍進(jìn)行比對(duì)，篩選出符合芯片設(shè)計(jì)規(guī)格的有效頻率數(shù)據(jù)。該過(guò)程的計(jì)算周期為10μs,確保系統(tǒng)能夠?qū)π酒瑺顟B(tài)變化做出快速響應(yīng)。處理結(jié)果為一組有效頻率數(shù)據(jù)，包含頻率值及其對(duì)應(yīng)的功率分布。[0028]在對(duì)運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行基礎(chǔ)參數(shù)提取，得到芯片基礎(chǔ)參數(shù)階段，系統(tǒng)從采集的運(yùn)行參采用參數(shù)識(shí)別算法，該算法基于預(yù)先建立的參數(shù)模型，通過(guò)最小二乘法擬合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)曲線，提取各參數(shù)值。系統(tǒng)對(duì)提取的參數(shù)進(jìn)行有效性驗(yàn)證，剔除異常值，確保參數(shù)的準(zhǔn)確性。處理結(jié)果為一組芯片基礎(chǔ)參數(shù)，以結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)形式存儲(chǔ)。[0029]在將有效頻率數(shù)據(jù)和芯片基礎(chǔ)參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，得到有效運(yùn)行參數(shù)集階段，系統(tǒng)建立頻率-參數(shù)映射矩陣，矩陣元素表示頻率與參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)強(qiáng)度。關(guān)聯(lián)強(qiáng)度基于敏感性分析確定，表征參數(shù)隨頻率變化的敏感程度。系統(tǒng)通過(guò)加權(quán)求和方法，計(jì)算在當(dāng)前頻率條件下各參數(shù)的有效值。關(guān)聯(lián)過(guò)程遵循物理一致性原則，確保關(guān)聯(lián)結(jié)果符合器件物理特性。處理結(jié)果為有效運(yùn)行參數(shù)集，包含在當(dāng)前頻率條件下的各參數(shù)有效值。[0030]在對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)進(jìn)行材料介電常數(shù)、層間熱導(dǎo)率及界面應(yīng)力分布耦合計(jì)電常數(shù)影響電場(chǎng)分布，層間熱導(dǎo)率決定熱傳導(dǎo)特性，界面應(yīng)力影響材料界面特性。系統(tǒng)采用有限元方法求解三場(chǎng)耦合方程組，計(jì)算各物理量在結(jié)構(gòu)中的分布。耦合計(jì)算考慮溫度對(duì)介電常數(shù)的影響系數(shù)，應(yīng)力對(duì)熱導(dǎo)率的影響系數(shù)，電場(chǎng)對(duì)界面應(yīng)力的影響系數(shù)。處理結(jié)果為結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)，表示不同物理量之間的耦合強(qiáng)度。[0031]在依據(jù)結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)對(duì)有效運(yùn)行參數(shù)集進(jìn)行數(shù)據(jù)修正，得到修正運(yùn)行參數(shù)階段，系統(tǒng)將結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)應(yīng)用于有效運(yùn)行參數(shù)集，計(jì)算修正參數(shù)。修正過(guò)程考慮參數(shù)間的相互影響，避免簡(jiǎn)單線性疊加導(dǎo)致的誤差。對(duì)關(guān)鍵參數(shù)如擊穿電壓、熱阻等，系統(tǒng)采用更細(xì)致的修正模型，確保修正精度。修正過(guò)程遵循保守原則，在數(shù)據(jù)不確定的情況下，傾向于選擇更安全的參數(shù)值。處理結(jié)果為修正運(yùn)行參數(shù)集，反映考慮結(jié)構(gòu)耦合效應(yīng)后的實(shí)際器件特性。[0032]在對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息階段，系統(tǒng)將修正運(yùn)行參數(shù)代入TVS-MOSFET器件模型，分析器件在不同工作階段的特性。分階特性分析包括正常導(dǎo)通狀態(tài)、阻斷狀態(tài)、雪崩擊穿狀態(tài)及熱穩(wěn)定性分析四個(gè)階段。系統(tǒng)計(jì)算各全閾值比較，判斷芯片當(dāng)前狀態(tài)是否安全。若某一指標(biāo)超出安全范圍，系統(tǒng)生成相應(yīng)的告警信號(hào)。處理結(jié)果為芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，包含各項(xiàng)指標(biāo)的當(dāng)前值及安全狀態(tài)標(biāo)志。[0033]本實(shí)施例通過(guò)獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的運(yùn)行參數(shù)和復(fù)合結(jié)構(gòu)特性數(shù)據(jù)，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)芯片的工作狀態(tài)，提高了芯片保護(hù)的精確度和響應(yīng)速度。通過(guò)快速傅里葉變換(FFT)處理電壓電流波形，提取有效頻率數(shù)據(jù)，確保頻率分析的準(zhǔn)確性，避免了頻率失真對(duì)芯片運(yùn)行的影響。通過(guò)參數(shù)識(shí)別算法提取芯片基礎(chǔ)參數(shù)，并進(jìn)行有效性驗(yàn)證，保證了參數(shù)的準(zhǔn)確性和可靠性。通過(guò)建立頻率-參數(shù)映射矩陣和多物理場(chǎng)耦合模型，能夠全面考慮參數(shù)夠全面評(píng)估芯片在不同工作狀態(tài)下的關(guān)鍵指標(biāo)，提供了全面的芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。該保護(hù)方法在實(shí)際應(yīng)用中能夠?qū)^(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱等異常狀態(tài)做出快速響應(yīng)，有效延長(zhǎng)芯片的使用[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，得到芯片實(shí)時(shí)對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析的過(guò)程中，首先需要獲取芯片的運(yùn)行參數(shù)。這些運(yùn)行參數(shù)需要經(jīng)過(guò)修正，使其能夠準(zhǔn)確反映芯片在不同工作狀態(tài)下的實(shí)際情況。修正后的參數(shù)將作為輸入數(shù)據(jù)，用于后續(xù)的分析和計(jì)算。[0035]對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行熱電場(chǎng)耦合計(jì)算，得到納米尺度熱流分布圖。這一步的關(guān)鍵在于采用科學(xué)的熱電場(chǎng)耦合模型。通過(guò)將修正后的運(yùn)行參數(shù)代入該模型，模擬芯片在工作狀態(tài)下的熱電場(chǎng)分布情況。熱電場(chǎng)耦合計(jì)算過(guò)程中，需要考慮到芯片材料的熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率及其溫度依賴(lài)性。通過(guò)數(shù)值計(jì)算的方法，能夠得到芯片內(nèi)部的納米尺度熱流分布圖。這張熱流分布圖顯示了芯片不同區(qū)域的熱流密度，反映了芯片在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量如何在內(nèi)部傳導(dǎo)。[0036]基于熱流分布圖進(jìn)行TVS結(jié)構(gòu)隧穿電流密度分析，得到亞閾值區(qū)域漏電特性曲線。利用熱流分布圖，進(jìn)一步分析TVS結(jié)構(gòu)中的隧穿電流密度。具體而言，熱流分布圖提供了芯片各個(gè)區(qū)域的溫度信息，溫度變化會(huì)影響隧穿電流的產(chǎn)生和傳導(dǎo)。因此，通過(guò)結(jié)合熱流分布圖和隧穿電流密度模型，能夠得到芯片在不同溫度下的隧穿電流密度分布。通過(guò)對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，繪制出亞閾值區(qū)域的漏電特性曲線，這條曲線反映了芯片在亞閾值狀態(tài)下的漏電特性。[0037]對(duì)亞閾值區(qū)域漏電特性曲線進(jìn)行高斯正交多項(xiàng)式擬合，得到目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集。利用高斯正交多項(xiàng)式擬合方法，將亞閾值區(qū)域的漏電特性曲線進(jìn)行擬合。擬合過(guò)程中，需要選擇合適的多項(xiàng)式階數(shù)和權(quán)重，使擬合曲線能夠準(zhǔn)確反映原始漏電特性曲線的趨勢(shì)。通過(guò)擬合，得到一組目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集，這些參數(shù)包括拐點(diǎn)的坐標(biāo)和特征值。目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集為后續(xù)的計(jì)算提供了必要的數(shù)據(jù)支持。[0038]依據(jù)目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集進(jìn)行MOSFET溝道載流子遷移率退化計(jì)算，得到界面陷阱分布退化是由于界面陷阱的影響，而界面陷阱的分布情況通過(guò)目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集進(jìn)行推導(dǎo)。具體而言，建立界面陷阱分布函數(shù)模型，并將目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集代入該模型，得到芯片在不同工作狀態(tài)下的界面陷阱分布函數(shù)。界面陷阱分布函數(shù)反映了界面陷阱在不同位置的密度和分布情況，是描述芯片退化行為的重要參數(shù)。[0039]將界面陷阱分布函數(shù)與熱流分布圖進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格融合，得到芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。界面陷阱分布函數(shù)與熱流分布圖是描述芯片狀態(tài)的兩個(gè)重要參數(shù)。通過(guò)將這兩個(gè)參數(shù)進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格融合，得到芯片的實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。自適應(yīng)網(wǎng)格融合的過(guò)程包括網(wǎng)格劃分、數(shù)據(jù)插值和融合計(jì)算等步驟。首先，需要將芯片劃分為若干個(gè)網(wǎng)格單元，每個(gè)網(wǎng)格單元內(nèi)的數(shù)據(jù)都需要進(jìn)行插值計(jì)算，使得界面陷阱分布函數(shù)和熱流分布圖在同一網(wǎng)格內(nèi)具有一致性。然后，通過(guò)融合計(jì)算的方法，將界面陷阱分布函數(shù)和熱流分布圖的數(shù)據(jù)進(jìn)行合成，得到芯片的實(shí)時(shí)狀態(tài)信息。這些實(shí)時(shí)狀態(tài)信息包括芯片在不同工作狀態(tài)下的溫度分布、電流分布和界面陷阱分布等。[0040]本實(shí)施例通過(guò)對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行TVS-MOSFET分階特性分析，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)芯片的實(shí)時(shí)狀態(tài)監(jiān)測(cè)和評(píng)估，提高了芯片在高壓條件下的可靠性。對(duì)修正運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行熱電場(chǎng)耦合計(jì)算，獲得的納米尺度熱流分布圖，能夠準(zhǔn)確反映芯片內(nèi)部的熱傳導(dǎo)情況，有助于優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，減少因過(guò)熱導(dǎo)致的芯片失效風(fēng)險(xiǎn)?；跓崃鞣植紙D進(jìn)行TVS結(jié)構(gòu)隧穿電流密度分析，得到的亞閾值區(qū)域漏電特性曲線，可以幫助識(shí)別芯片在特定工作狀態(tài)下的漏電行為，從而優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，減少漏電損耗。對(duì)亞閾值區(qū)域漏電特性曲線進(jìn)行高斯正交多項(xiàng)式擬合，得到目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集，能夠精確描述芯片的電氣特性拐點(diǎn)，為進(jìn)一步的載流子遷移率退化計(jì)算提供了可靠依據(jù)。依據(jù)目標(biāo)拐點(diǎn)參數(shù)集進(jìn)行MOSFET溝道載流子遷移率退化計(jì)算，得到的界面陷阱分布函數(shù)，能夠有效預(yù)測(cè)芯片的退化行為，延長(zhǎng)芯片使用壽命。將界面陷阱分布函數(shù)與熱流分布圖進(jìn)行自適應(yīng)網(wǎng)格融合，得到的芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息，為芯片運(yùn)行狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)控和動(dòng)態(tài)調(diào)整提供了科學(xué)依據(jù)，有助于提高芯片的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。綜上所述，該方法在芯片保護(hù)和優(yōu)化方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。[0041]在一個(gè)實(shí)施例中，獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的柵極充電曲線，與芯片實(shí)時(shí)柵極電壓采樣采用高精度ADC模塊捕獲啟動(dòng)階段柵極-源極間電壓變化，采樣時(shí)間窗口覆蓋芯片完整啟動(dòng)周期，電壓量程覆蓋芯片工作電壓范圍。預(yù)設(shè)規(guī)則要求采樣速率滿(mǎn)足信號(hào)帶寬的Nyquist準(zhǔn)則，確保完整捕獲電壓瞬態(tài)特征。原始柵極電壓數(shù)據(jù)包含離散電壓序列及同步記錄的工況參數(shù)，數(shù)據(jù)采集過(guò)程遵循信號(hào)完整性規(guī)范，為后續(xù)處理提供時(shí)間-電壓二維數(shù)據(jù)矩陣。[0042]原始柵極電壓數(shù)據(jù)通過(guò)低通濾波器消除高頻開(kāi)關(guān)噪聲，濾波參數(shù)根據(jù)信號(hào)特征頻率及允許的最大畸變率設(shè)定。濾波后數(shù)據(jù)采用插值法重構(gòu)連續(xù)曲線，插值節(jié)點(diǎn)間隔滿(mǎn)足曲線平滑度要求。映射生成的柵極充電曲線呈現(xiàn)預(yù)充電、快速升壓、穩(wěn)態(tài)飽和三階段特征，曲[0043]充電曲線階段臨界時(shí)間點(diǎn)通過(guò)差分極值檢測(cè)算法確定，預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)定相鄰階段斜率變化率閾值以標(biāo)記狀態(tài)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。算法執(zhí)行時(shí)檢測(cè)各階段最大曲率點(diǎn)及斜率突變點(diǎn)，提取的分段充電特性參數(shù)包含各階段持續(xù)時(shí)間、電壓斜率及穩(wěn)態(tài)誤差帶，完整表征柵極電荷注入的動(dòng)態(tài)過(guò)程特性。[0044]基于芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息中的熱流分布數(shù)據(jù)，執(zhí)行充電特性參數(shù)的溫度補(bǔ)償。補(bǔ)償系數(shù)根據(jù)局部結(jié)溫及材料熱電特性模型計(jì)算，歸一化處理消除溫度引起的時(shí)序漂移，生成的曲線在指定溫度范圍內(nèi)保持階段參數(shù)穩(wěn)定性。補(bǔ)償模型參數(shù)來(lái)源于碳化硅材料特性研究[0045]歷史安全運(yùn)行數(shù)據(jù)庫(kù)包含已驗(yàn)證的柵極充電記錄，數(shù)據(jù)清洗規(guī)則剔除異常工況。歸一化充電特性曲線與歷史數(shù)據(jù)執(zhí)行動(dòng)態(tài)匹配，計(jì)算各階段參數(shù)偏差。臨界安全邊界值根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)原則及實(shí)時(shí)狀態(tài)信息中的退化因子動(dòng)態(tài)調(diào)整，確保安全裕度覆蓋正常工況范圍。[0046]臨界安全邊界值與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息通過(guò)多目標(biāo)優(yōu)化算法生成多閾值保護(hù)參數(shù)。電壓下限閾值綜合穩(wěn)態(tài)電壓特征與熱致效應(yīng)設(shè)定，過(guò)流保護(hù)閾值根據(jù)斜率安全裕度動(dòng)態(tài)調(diào)整，時(shí)間延遲保護(hù)閾值關(guān)聯(lián)界面陷阱分布狀態(tài)。保護(hù)參數(shù)集寫(xiě)入硬件邏輯單元，形成自適應(yīng)[0047]柵極電壓采樣速率滿(mǎn)足信號(hào)重構(gòu)理論要求，濾波參數(shù)防止有效信號(hào)成分損失。階段臨界點(diǎn)檢測(cè)閾值對(duì)應(yīng)器件物理極限的安全余量，溫度補(bǔ)償模型基于材料特性數(shù)據(jù)建立。歷史數(shù)據(jù)分析采用統(tǒng)計(jì)學(xué)異常檢測(cè)方法，多閾值優(yōu)化算法權(quán)重分配符合超高壓系統(tǒng)穩(wěn)定性[0048]其中，原始電壓噪聲反映器件開(kāi)關(guān)過(guò)程的載流子效應(yīng)，充電曲線階段特征對(duì)應(yīng)柵電容充放電物理過(guò)程。溫度補(bǔ)償消除材料禁帶寬度溫變效應(yīng)的影響，安全邊界調(diào)整反映界面陷阱導(dǎo)致的電荷存儲(chǔ)能力退化規(guī)律。多閾值參數(shù)動(dòng)態(tài)關(guān)聯(lián)熱-電耦合場(chǎng)分布狀態(tài)，確保保護(hù)策略與芯片實(shí)時(shí)退化狀態(tài)匹配。[0049]本實(shí)施例通過(guò)柵極電壓高精度采樣與噪聲消除處理，準(zhǔn)確捕獲超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的瞬態(tài)電壓特征，為后續(xù)分析提供高保真信號(hào)基礎(chǔ)，有效避免誤判和漏檢問(wèn)題?；跓崃鞣植嫉臏囟妊a(bǔ)償算法消除環(huán)境與工況變化對(duì)充電特性的影響，使歸一化充電曲線在寬溫域內(nèi)保持參數(shù)一致性，提升系統(tǒng)魯棒性。結(jié)合歷史安全數(shù)據(jù)與實(shí)時(shí)狀態(tài)信息動(dòng)態(tài)計(jì)算多閾值保護(hù)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)過(guò)壓、過(guò)流及時(shí)序異常的協(xié)同防護(hù)，確保超高壓碳化硅芯片在界面陷阱積累、熱應(yīng)力波動(dòng)等復(fù)雜退化場(chǎng)景下的運(yùn)行可靠性。通過(guò)硬件邏輯單元實(shí)時(shí)執(zhí)行自適應(yīng)保護(hù)策略，顯著縮短故障響應(yīng)時(shí)間，避免傳統(tǒng)固定閾值保護(hù)機(jī)制在工況突變時(shí)存在的滯后或誤觸發(fā)問(wèn)題。[0050]在一個(gè)實(shí)施例中，獲取超高壓碳化硅啟動(dòng)控制芯片的電流變化數(shù)據(jù)，對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行米勒平臺(tái)特征分析，得到電流異常電流傳感器以預(yù)設(shè)采樣速率捕獲啟動(dòng)階段電流數(shù)據(jù)，采樣窗口覆蓋米勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間。米勒平臺(tái)判定基于電流變化率閾值及持續(xù)時(shí)間規(guī)則，波動(dòng)系數(shù)計(jì)算采用滑動(dòng)窗口標(biāo)準(zhǔn)差算法，窗口寬度與器件開(kāi)關(guān)特性匹配。提取的波動(dòng)系數(shù)序列經(jīng)信號(hào)分解方法處理，重構(gòu)生成米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)。處理結(jié)果顯示特征函數(shù)的幅值波動(dòng)與振蕩頻率特征，與柵極電荷再分配過(guò)程關(guān)聯(lián)，為后續(xù)分析提供動(dòng)態(tài)電流特征基準(zhǔn)。[0051]米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)與芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息中的熱流分布數(shù)據(jù)同步進(jìn)行頻譜分析，諧波分析范圍覆蓋器件寄生參數(shù)諧振頻率范圍。計(jì)算過(guò)程引入溫度補(bǔ)償因子修正材料溫漂效應(yīng)，生成諧波分布圖譜。圖譜中標(biāo)記異常頻點(diǎn)及其空間坐標(biāo)，奇次諧波幅值異常區(qū)域與芯片局部熱點(diǎn)位置重合，反映載流子遷移率退化效應(yīng)。諧波分布圖譜的頻域特征為異常電流識(shí)別提供輸入。[0052]諧波分布圖譜通過(guò)非線性系統(tǒng)辨識(shí)模型分離非線性電流分量，核函數(shù)階數(shù)及記憶長(zhǎng)度依據(jù)器件物理特性設(shè)定。識(shí)別出的非線性電流分量幅值與時(shí)間分布特征與柵極耦合效應(yīng)關(guān)聯(lián)。異常電流波形通過(guò)模式匹配算法提取特征向量，包含波形峭度、偏度及過(guò)零率參數(shù)，特征向量與歷史故障數(shù)據(jù)庫(kù)的相似度量化異常等級(jí)，輸出電流異常特征向量。[0053]基于電流異常特征向量的趨勢(shì)預(yù)測(cè)采用時(shí)序神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，輸入層融合電流序列、界面陷阱密度及熱流梯度參數(shù)。模型訓(xùn)練數(shù)據(jù)涵蓋典型工況下的歷史記錄，預(yù)測(cè)時(shí)間步長(zhǎng)與驅(qū)動(dòng)保護(hù)周期匹配。生成的預(yù)測(cè)電流曲線標(biāo)記潛在風(fēng)險(xiǎn)時(shí)間點(diǎn)及幅值變化趨勢(shì)，曲線形態(tài)特征反映寄生參數(shù)變化導(dǎo)致的振蕩模式遷移，為異常趨勢(shì)判定提供時(shí)間維度輸入。[0054]預(yù)測(cè)電流曲線與實(shí)際采樣數(shù)據(jù)通過(guò)滑動(dòng)窗口相關(guān)性分析計(jì)算偏離系數(shù)，閾值設(shè)定依據(jù)歷史數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)規(guī)律。異常概率計(jì)算整合諧波畸變率、熱流密度梯度及界面陷阱密度參數(shù)，輸出異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)集包含時(shí)間戳、異常等級(jí)及空間坐標(biāo)字段，異常區(qū)域坐標(biāo)與芯片物理缺陷位置匹配，揭示米勒平臺(tái)塌縮與熱-電耦合場(chǎng)的關(guān)聯(lián)機(jī)制。[0055]異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)與納米尺度熱流分布圖通過(guò)多分辨率網(wǎng)格配準(zhǔn)算法疊加分析，網(wǎng)格劃分精度依據(jù)器件結(jié)構(gòu)特征設(shè)定。高危區(qū)域判定條件基于電流密度、溫度及陷阱密度的安全閾值生成復(fù)合判據(jù)。分析結(jié)果標(biāo)記多參數(shù)協(xié)同超標(biāo)區(qū)域，其空間分布驗(yàn)證熱電子注入導(dǎo)致的陷阱生成正反饋機(jī)制。最終生成的電流異常趨勢(shì)結(jié)論量化局部擊穿風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)，驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)保護(hù)策略調(diào)整。[0056]米勒平臺(tái)判定閾值依據(jù)器件米勒電容與驅(qū)動(dòng)電阻的理論關(guān)系推導(dǎo)，窗口算法參數(shù)匹配開(kāi)關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間尺度。諧波分析范圍覆蓋寄生參數(shù)諧振頻率上限，溫度補(bǔ)償模型基于碳化硅材料熱電特性建立。非線性辨識(shí)核函數(shù)階數(shù)反映柵極回踢電壓的記憶效應(yīng)深度，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輸入層維度設(shè)計(jì)符合多物理場(chǎng)耦合建模需求。偏離系數(shù)閾值通過(guò)歷史數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析設(shè)定，高危區(qū)域條件參數(shù)源自材料可靠性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫(kù)。[0057]米勒平臺(tái)電流特征函數(shù)的振蕩頻率特征映射柵極電荷存儲(chǔ)能力退化程度，諧波分布圖譜的異常頻點(diǎn)與界面陷阱密度存在空間關(guān)聯(lián)。預(yù)測(cè)電流曲線的振蕩模式變化反映柵氧層缺陷引起的寄生電容遷移，偏離系數(shù)超限區(qū)域驗(yàn)證熱致載流子輸運(yùn)路徑畸變效應(yīng)。細(xì)粒度分析中多參數(shù)協(xié)同超標(biāo)現(xiàn)象揭示熱-電-缺陷耦合機(jī)制，為自適應(yīng)保護(hù)提供物理失效預(yù)警依據(jù)。[0058]本實(shí)施例通過(guò)米勒平臺(tái)波動(dòng)系數(shù)提取與電流特征函數(shù)構(gòu)建，精確捕捉柵極電荷存儲(chǔ)特性變化，實(shí)現(xiàn)電流異常的早期識(shí)別，有效預(yù)防局部擊穿風(fēng)險(xiǎn)。結(jié)合溫度補(bǔ)償?shù)闹C波分布圖譜分析，準(zhǔn)確鎖定界面陷阱激發(fā)的異常頻點(diǎn)，提升故障定位的空間分辨率與可靠性。基于非線性分量識(shí)別與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)模型，提前預(yù)判電流振蕩趨勢(shì)，為動(dòng)態(tài)保護(hù)策略提供時(shí)間裕度，避免傳統(tǒng)閾值保護(hù)的滯后性問(wèn)題。多參數(shù)協(xié)同的細(xì)粒度區(qū)域分析，建立電流密度、熱流分布與界面陷阱的耦合關(guān)系模型，實(shí)現(xiàn)高危區(qū)域的精準(zhǔn)定位與分級(jí)處置。通過(guò)多物理場(chǎng)融合的異常趨勢(shì)判定機(jī)制，將保護(hù)動(dòng)作觸發(fā)邏輯從單一電參數(shù)擴(kuò)展至熱電缺陷協(xié)同演化維度，顯著提升超高壓工況下芯片防護(hù)的適應(yīng)性與魯棒性。[0059]在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)多閾值保護(hù)參數(shù)和電流異常趨勢(shì)進(jìn)行溫度控制構(gòu)建，得到初基于電流異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)集的時(shí)間-電流序列，采用滑動(dòng)時(shí)間窗口計(jì)算電流變化梯度。窗口寬度匹配器件熱響應(yīng)時(shí)間常數(shù)，梯度閾值依據(jù)碳化硅材料的溫升特性設(shè)定。梯度計(jì)算采用差分法，相鄰窗口重疊率不低于預(yù)設(shè)比例以保持?jǐn)?shù)據(jù)連續(xù)性。處理結(jié)果生成溫度補(bǔ)償系數(shù)，該系數(shù)與實(shí)時(shí)結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)線性關(guān)聯(lián)，補(bǔ)償系數(shù)映射規(guī)則基于材料溫敏特性模型建立。溫度補(bǔ)償系數(shù)隨局部熱點(diǎn)區(qū)域溫升幅度動(dòng)態(tài)調(diào)整，反映電流變化對(duì)熱場(chǎng)演化的敏感性。[0060]溫度補(bǔ)償系數(shù)作用于電壓下限閾值、過(guò)流保護(hù)閾值及時(shí)間延遲閾值。電壓閾值調(diào)整模型引入結(jié)溫補(bǔ)償因子，過(guò)流閾值根據(jù)溫度補(bǔ)償系數(shù)進(jìn)行反向比例調(diào)整，時(shí)間延遲閾值與界面陷阱密度及溫度梯度建立非線性映射關(guān)系。調(diào)整過(guò)程遵循預(yù)設(shè)的閾值耦合約束條件，確保電壓-電流-時(shí)間的協(xié)同保護(hù)邏輯一致性。生成的溫度修正閾值集合包含動(dòng)態(tài)變化的上下限參數(shù)，閾值參數(shù)隨芯片熱狀態(tài)實(shí)時(shí)更新，形成與熱流分布匹配的自適應(yīng)保護(hù)邊界。[0061]溫度修正閾值與電流異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)通過(guò)多維向量空間映射算法進(jìn)行融合?？臻g維度包含電壓幅值、電流密度、時(shí)間序列及溫度梯度四維坐標(biāo)，各維度權(quán)重系數(shù)根據(jù)歷史故障模式統(tǒng)計(jì)結(jié)果分配。構(gòu)建過(guò)程采用主成分分析法降維，保留貢獻(xiàn)率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的主成分向量。生成的多維度保護(hù)空間呈現(xiàn)非線性決策邊界，邊界形態(tài)反映熱-電耦合場(chǎng)對(duì)保護(hù)閾值的聯(lián)合影響規(guī)律，為分區(qū)優(yōu)化提供空間拓?fù)浠A(chǔ)。[0062]多維度保護(hù)空間通過(guò)聚類(lèi)算法劃分溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域。聚類(lèi)中心數(shù)量依據(jù)芯片熱敏感區(qū)域數(shù)量設(shè)定，聚類(lèi)半徑與熱流梯度閾值關(guān)聯(lián)。優(yōu)化過(guò)程執(zhí)行迭代質(zhì)心更新，目標(biāo)函數(shù)要求同一分區(qū)內(nèi)溫度波動(dòng)范圍不超過(guò)材料熱應(yīng)力安全余量。分區(qū)結(jié)果標(biāo)記核心區(qū)、過(guò)渡區(qū)及安全區(qū)三類(lèi)溫度等級(jí)，核心區(qū)對(duì)應(yīng)界面陷阱密度與電流密度的雙高區(qū)域，安全區(qū)滿(mǎn)足溫度-電流聯(lián)合安全判據(jù)。各分區(qū)保護(hù)閾值依據(jù)聚類(lèi)中心坐標(biāo)動(dòng)態(tài)生成，形成階梯式溫度響應(yīng)保護(hù)機(jī)制。[0063]溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域的時(shí)序策略基于熱時(shí)間常數(shù)與電路響應(yīng)速度匹配原則設(shè)計(jì)。核心區(qū)執(zhí)行毫秒級(jí)快速降額保護(hù)，過(guò)渡區(qū)啟用秒級(jí)周期性的閾值再校準(zhǔn)機(jī)制，安全區(qū)維持常規(guī)監(jiān)測(cè)模式。時(shí)序規(guī)劃引入優(yōu)先級(jí)調(diào)度算法，當(dāng)多區(qū)域同時(shí)觸發(fā)異常時(shí)，核心區(qū)保護(hù)指令優(yōu)先執(zhí)行?？刂茣r(shí)序與芯片工作周期同步，確保保護(hù)動(dòng)作在器件熱慣性時(shí)間窗口內(nèi)完成。生成的動(dòng)態(tài)保護(hù)策略包含時(shí)間-空間協(xié)同響應(yīng)的指令序列，實(shí)現(xiàn)保護(hù)資源的分級(jí)優(yōu)化配置。[0064]基于電流異常趨勢(shì)數(shù)據(jù)構(gòu)建功率損耗預(yù)測(cè)模型，輸入變量包含電流密度、電壓偏差及溫度梯度。模型采用物理機(jī)理與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)融合方法，通過(guò)熱阻網(wǎng)絡(luò)模型計(jì)算穩(wěn)態(tài)熱損耗，結(jié)合時(shí)序神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè)瞬態(tài)損耗峰值。預(yù)測(cè)結(jié)果生成功率損耗時(shí)空分布圖譜，圖譜中高損耗區(qū)域與溫度分級(jí)保護(hù)核心區(qū)重合，驗(yàn)證熱-電能量轉(zhuǎn)換的耦合關(guān)系。功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)量化不同保護(hù)策略下的熱積累趨勢(shì)，為控制優(yōu)化提供能量維度約束。[0065]功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)通過(guò)多目標(biāo)優(yōu)化算法修正動(dòng)態(tài)保護(hù)策略。優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)包含峰值溫度抑制、能量損耗最小化及保護(hù)響應(yīng)速度三項(xiàng)指標(biāo)，約束條件設(shè)定為電壓波動(dòng)率閾值與電流穩(wěn)定性邊界。優(yōu)化過(guò)程采用遺傳算法搜索帕累托最優(yōu)解集，選取綜合評(píng)分最高的策略作為初始控制方案。最終方案包含溫度自適應(yīng)閾值參數(shù)、分級(jí)保護(hù)時(shí)序指令及損耗抑制策略，形成熱-電-時(shí)間三維協(xié)同的保護(hù)控制體系。[0066]電流梯度分析窗口寬度匹配器件熱響應(yīng)時(shí)間常數(shù)，確保瞬態(tài)熱效應(yīng)捕捉精度。溫度補(bǔ)償系數(shù)映射規(guī)則基于碳化硅載流子遷移率溫敏特性實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)建立。維度空間構(gòu)建的主成分分析貢獻(xiàn)率閾值依據(jù)歷史數(shù)據(jù)方差解釋率設(shè)定。溫度分區(qū)聚類(lèi)半徑與材料熱膨脹系數(shù)關(guān)聯(lián)，防止熱應(yīng)力超限。時(shí)序規(guī)劃的優(yōu)先級(jí)調(diào)度算法依據(jù)故障危害等級(jí)排序，功率損耗預(yù)測(cè)模型參數(shù)源自能量守恒定律與器件熱阻參數(shù)。[0067]電流變化梯度反映焦耳熱積累速率，溫度補(bǔ)償系數(shù)量化熱致電參數(shù)漂移效應(yīng)。多維度保護(hù)空間的非線性邊界表征熱場(chǎng)與電場(chǎng)耦合作用強(qiáng)度，溫度分區(qū)優(yōu)化結(jié)果驗(yàn)證熱流路徑與結(jié)構(gòu)缺陷的空間關(guān)聯(lián)性。動(dòng)態(tài)保護(hù)策略的時(shí)序規(guī)劃匹配熱慣性延遲特性，功率損耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)映射能量轉(zhuǎn)換效率與散熱能力的平衡關(guān)系。優(yōu)化后的初始控制方案實(shí)現(xiàn)熱失控預(yù)防與電性能穩(wěn)定的協(xié)同控制，為超高壓碳化硅芯片提供多物理場(chǎng)協(xié)同保護(hù)機(jī)制。[0068]本實(shí)施例通過(guò)電流變化梯度分析與溫度補(bǔ)償系數(shù)生成，動(dòng)態(tài)感知熱場(chǎng)分布對(duì)電流異常的敏感性差異，提升溫度變化場(chǎng)景下的保護(hù)參數(shù)適應(yīng)性。基于溫度修正閾值的自適應(yīng)調(diào)整機(jī)制，實(shí)現(xiàn)電壓、電流、時(shí)間保護(hù)邊界的協(xié)同優(yōu)化，克服傳統(tǒng)下的保護(hù)失效問(wèn)題。多維度保護(hù)空間的構(gòu)建融合熱場(chǎng)、電場(chǎng)及時(shí)間演化特征，建立非線性決策邊界，增強(qiáng)復(fù)雜工況下異常判定的綜合防護(hù)能力。溫度分級(jí)保護(hù)區(qū)域的劃分優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)芯片熱敏感區(qū)域的精準(zhǔn)定位與差異化管控，降低全局溫度控制帶來(lái)的性能損失。動(dòng)態(tài)保護(hù)策略的時(shí)序規(guī)劃匹配熱慣性特征與電路響應(yīng)速度，確保保護(hù)動(dòng)作在熱失控臨界點(diǎn)前有效觸發(fā)。功率損耗預(yù)測(cè)與溫度控制優(yōu)化的聯(lián)合機(jī)制，平衡熱積累抑制與能量效率的關(guān)系，形成熱穩(wěn)定性與電性能協(xié)同優(yōu)化的控制方案。[0069]在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息進(jìn)行故障自診斷，得到故障預(yù)警信息，與柵基于芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息中的多節(jié)點(diǎn)電壓采樣數(shù)據(jù)，通過(guò)電壓傳感器網(wǎng)絡(luò)以預(yù)設(shè)采樣率捕獲各功能模塊的電壓瞬態(tài)值。節(jié)點(diǎn)電壓閾值根據(jù)歷史安全運(yùn)行數(shù)據(jù)設(shè)定，偏移量閾值依據(jù)芯片設(shè)計(jì)規(guī)格的安全余量確定。閾值偏移分析采用滑動(dòng)窗口差分法，窗口寬度匹配芯片時(shí)鐘周期，差分閾值設(shè)定為標(biāo)稱(chēng)電壓的百分比范圍。處理結(jié)果生成節(jié)點(diǎn)異常度量值集合，包含電壓偏移幅度、持續(xù)時(shí)長(zhǎng)及空間分布坐標(biāo)，異常區(qū)域坐標(biāo)與芯片功能模塊布局匹配，為概率建模提供輸入基礎(chǔ)。[0070]節(jié)點(diǎn)異常度量值通過(guò)概率密度估計(jì)方法進(jìn)行累積分布建模，帶寬參數(shù)根據(jù)樣本分布特性自適應(yīng)調(diào)整。分布計(jì)算覆蓋時(shí)間、空間及電壓偏移量維度，生成的概率分布圖標(biāo)記高概率異常區(qū)域。圖中顯示特定功能區(qū)域的故障概率顯著升高，概率密度峰值區(qū)域與實(shí)時(shí)熱流分布的熱點(diǎn)位置存在空間關(guān)聯(lián)性。概率分布圖的分辨率匹配芯片結(jié)構(gòu)特征，為預(yù)警參數(shù)融合提供統(tǒng)計(jì)基準(zhǔn)。[0071]芯片實(shí)時(shí)狀態(tài)信息中的溫度場(chǎng)數(shù)據(jù)與節(jié)點(diǎn)電壓數(shù)據(jù)通過(guò)相關(guān)性分析方法提取關(guān)聯(lián)特性，滑動(dòng)時(shí)間窗口寬度設(shè)定為熱動(dòng)態(tài)響應(yīng)周期的比例值。關(guān)聯(lián)分析識(shí)別特定節(jié)點(diǎn)電壓偏移與局部溫度升高的耦合關(guān)系，提取的溫度-電壓耦合系數(shù)納入預(yù)警參數(shù)集。故障預(yù)警參數(shù)集整合概率分布值、溫度-電壓耦合系數(shù)及歷史故障特征，通過(guò)加權(quán)融合算法生成綜合預(yù)警等級(jí)。參數(shù)集的空間分布特征與界面陷阱密度梯度趨勢(shì)一致，驗(yàn)證參數(shù)有效性。[0072]預(yù)設(shè)故障類(lèi)型表包含典型故障模式及其特征參數(shù)閾值區(qū)間，每類(lèi)故障對(duì)應(yīng)電氣、熱學(xué)及材料特性參數(shù)組合。預(yù)警參數(shù)集通過(guò)多維空間相似度算法與故障類(lèi)型表進(jìn)行匹配，相似度度量方法消除量綱差異影響。匹配結(jié)果生成包含故障類(lèi)型、概率等級(jí)及空間坐標(biāo)的預(yù)警識(shí)別信息，識(shí)別信息中的空間分布與芯片高壓節(jié)點(diǎn)、散熱路徑等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)位置吻合，反映故障機(jī)理的物理關(guān)聯(lián)性。[0073]故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息輸入至多物理場(chǎng)仿真模型，計(jì)算芯片各區(qū)域的電壓應(yīng)力分布。模型邊界條件依據(jù)柵極充電曲線的動(dòng)態(tài)特性設(shè)定，材料參數(shù)采用碳化硅器件的物理特性數(shù)據(jù)庫(kù)。計(jì)算結(jié)果生成壓力運(yùn)行區(qū)間圖譜，標(biāo)記電壓應(yīng)力超出安全閾值的高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域。圖譜顯示特定工作階段的應(yīng)力集中現(xiàn)象，時(shí)空分布特征與寄生參數(shù)退化趨勢(shì)關(guān)聯(lián)，為臨界值預(yù)測(cè)提供場(chǎng)分布輸入。[0074]計(jì)算芯片各區(qū)域的電壓應(yīng)力分布的過(guò)程為：故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息與柵極充電曲線的時(shí)間-電壓關(guān)系通過(guò)時(shí)空網(wǎng)格映射算法融合，生成芯片各節(jié)點(diǎn)的動(dòng)態(tài)電壓場(chǎng)數(shù)據(jù)?；陔妷浩?異常電壓值與標(biāo)稱(chēng)電壓的差值)及柵氧化層介電特性，通過(guò)電場(chǎng)應(yīng)力強(qiáng)度公式計(jì)算電壓應(yīng)力分布。計(jì)算過(guò)程動(dòng)態(tài)修正米勒平臺(tái)階段的穩(wěn)態(tài)場(chǎng)強(qiáng)與電壓瞬變階段的位移電流效應(yīng)，結(jié)合碳化硅擊穿場(chǎng)強(qiáng)閾值設(shè)定安全余量。最終生成的壓力運(yùn)行區(qū)間圖譜標(biāo)記時(shí)空維度的高電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域，其空間坐標(biāo)與故障預(yù)警區(qū)域重疊，時(shí)間窗口匹配充電曲線的瞬態(tài)過(guò)Estress(x,y,t):電壓應(yīng)力強(qiáng)度(單位：V/cm);Vfault(x,y,t):故障預(yù)警電壓值cm);x,y:芯片的空間坐標(biāo)；t代表時(shí)間點(diǎn)。[0076]基于壓力運(yùn)行區(qū)間的多場(chǎng)耦合數(shù)據(jù)，通過(guò)器件物理模型計(jì)算寄生參數(shù)的臨界值。模型引入溫度對(duì)材料特性的影響機(jī)制，臨界值預(yù)測(cè)公式包含溫補(bǔ)因子。預(yù)測(cè)結(jié)果生成雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)，標(biāo)記電場(chǎng)強(qiáng)度接近材料擊穿閾值的時(shí)空區(qū)域。預(yù)測(cè)區(qū)域的時(shí)間窗口與柵極充電曲線的瞬態(tài)過(guò)程同步，空間分布與芯片版圖的功率單元布局對(duì)應(yīng)，驗(yàn)證預(yù)測(cè)模型的物理合理性。[0077]雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)與柵極充電曲線通過(guò)時(shí)空一致性規(guī)則進(jìn)行交叉驗(yàn)證。驗(yàn)證過(guò)程要求預(yù)測(cè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度變化趨勢(shì)與充電曲線的電氣特征事件同步。處理結(jié)果標(biāo)記滿(mǎn)足時(shí)空一致性條件的潛在故障區(qū)域，區(qū)域邊界與芯片熱敏感結(jié)構(gòu)、高壓節(jié)點(diǎn)分布重疊。最終判定的潛在故障區(qū)域包含時(shí)間演化序列及空間子區(qū)域，為針對(duì)性防護(hù)策略提供多維輸入。[0078]電壓閾值偏移量安全余量依據(jù)器件可靠性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定，累積概率建模方法遵循統(tǒng)計(jì)分布理論。溫度-電壓關(guān)聯(lián)分析的窗口寬度匹配熱傳導(dǎo)時(shí)間尺度，故障類(lèi)型匹配的多維相似度算法基于模式識(shí)別理論。電壓應(yīng)力模型的材料參數(shù)源自物性數(shù)據(jù)庫(kù)，寄生參數(shù)臨界值預(yù)測(cè)公式通過(guò)物理機(jī)理推導(dǎo)。交叉驗(yàn)證規(guī)則確保多場(chǎng)數(shù)據(jù)時(shí)空演化的一致性。[0079]節(jié)點(diǎn)電壓偏移反映電荷注入導(dǎo)致的勢(shì)壘畸變效應(yīng)，累積概率分布揭示缺陷演化的統(tǒng)計(jì)規(guī)律。溫度-電壓關(guān)聯(lián)性驗(yàn)證熱載流子激發(fā)機(jī)制，電壓應(yīng)力集中區(qū)域映射電場(chǎng)畸變與材料微結(jié)構(gòu)的相互作用。雪崩擊穿預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)的時(shí)空特征反映寄生參數(shù)退化與開(kāi)關(guān)瞬態(tài)的耦合關(guān)系，交叉驗(yàn)證結(jié)果證實(shí)多物理場(chǎng)聯(lián)合作用的故障機(jī)理。潛在故障區(qū)域的判定為動(dòng)態(tài)防護(hù)提供精確的空間基準(zhǔn)與時(shí)間窗口。[0080]本實(shí)施例通過(guò)芯片節(jié)點(diǎn)電壓的閾值偏移分析，實(shí)時(shí)感知局部電壓異常并生成節(jié)點(diǎn)異常度量值，提升早期故障檢測(cè)的靈敏度與定位精度?；诶鄯e概率分布計(jì)算的故障概率分布圖，量化芯片各區(qū)域的失效風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)，實(shí)現(xiàn)從全局到局部的多級(jí)預(yù)警體系。溫度電壓關(guān)聯(lián)特性提取融合熱場(chǎng)與電場(chǎng)數(shù)據(jù)，增強(qiáng)故障預(yù)警參數(shù)集的物理關(guān)聯(lián)性，克服單一參數(shù)診斷的誤判問(wèn)題。故障類(lèi)型預(yù)警識(shí)別信息與柵極充電曲線的時(shí)空關(guān)聯(lián)分析，精準(zhǔn)定位高壓應(yīng)力區(qū)域與瞬態(tài)風(fēng)險(xiǎn)窗口，形成多維度的保護(hù)決策依據(jù)。雪崩擊穿預(yù)測(cè)區(qū)域數(shù)據(jù)的交叉驗(yàn)證機(jī)制，通過(guò)電場(chǎng)強(qiáng)度與電壓特征的物理一致性校驗(yàn)，降低虛警率并提升預(yù)測(cè)可信度。動(dòng)態(tài)壓力運(yùn)行區(qū)間的構(gòu)建與寄生參數(shù)臨界值預(yù)測(cè)，實(shí)現(xiàn)芯片退化狀態(tài)的量化評(píng)估與預(yù)防性維護(hù)，延長(zhǎng)器件使用壽命。[0081]在一個(gè)實(shí)施例中，將初始控制方案與潛在故障區(qū)域進(jìn)行鉗位關(guān)斷策略構(gòu)建，得到將碳化硅材料的擊穿電壓、導(dǎo)熱性能、載流子遷移率等參數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和模型構(gòu)建，形成一套完整的材料特性數(shù)據(jù)。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)不同工作電壓和溫度條件下的材料特性參數(shù)，構(gòu)建非線性閾值分級(jí)模型，從而得到自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)能夠根據(jù)實(shí)際工作環(huán)境的變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整，確保在不同的工作條件下均能提供有效的電壓保護(hù)。[0082]對(duì)潛在故障區(qū)域進(jìn)行微分特征提取和故障前兆信號(hào)波動(dòng)特性分析是保護(hù)策略中的關(guān)鍵步驟之一。采用高精度傳感器對(duì)潛在故障區(qū)域的電流、電壓和溫度等參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，并利用微分算法對(duì)采集到的信號(hào)進(jìn)行特征提取。通過(guò)分析故障前兆信號(hào)的波動(dòng)特性，識(shí)別出故障前兆特征向量。具體來(lái)說(shuō)，故障前兆特征向量包括電壓波動(dòng)幅度、波動(dòng)頻率、波動(dòng)持續(xù)時(shí)間等信息，這些信息能夠反映出芯片在啟動(dòng)過(guò)程中出現(xiàn)故障的可能性和嚴(yán)重程[0083]基于得到的自適應(yīng)電壓保護(hù)閾值數(shù)據(jù)和故障前兆特征向量，需要進(jìn)行多相位響應(yīng)時(shí)間曲線分析，并進(jìn)行策略構(gòu)建，形成動(dòng)態(tài)保護(hù)響應(yīng)策略。多相位響應(yīng)時(shí)間曲線分析是通過(guò)在不同相位下對(duì)電壓和電流的變化進(jìn)行監(jiān)測(cè)，找到特定時(shí)間點(diǎn)上的響