PN結(jié)的形成及特性第1頁，共43頁。優(yōu)選PN結(jié)的形成及特性第2頁，共43頁。載流子的漂移與擴(kuò)散N++++++++++++++++++++++++++++++++++++N++++++++++++++++++++++++++++++++++++以N型半導(dǎo)體為基片通過半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝第3頁，共43頁。使半導(dǎo)體的一邊形成N型區(qū)，另一邊形成P型區(qū)。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第4頁，共43頁。

左邊是P型半導(dǎo)體，右邊是N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體里面還畫出了它的少子（自由電子）（一個(gè)小點(diǎn)），N型半導(dǎo)體里面也畫出了它的少子（空穴）（一個(gè)小圓圈）.P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體少子(自由電子)少子(空穴)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第5頁，共43頁。N區(qū)有許多自由電子（多數(shù)載流子）和幾個(gè)由于熱產(chǎn)生的空穴（少數(shù)載流子），而P區(qū)有許多空穴（多數(shù)載流子）和幾個(gè)由于熱產(chǎn)生的自由電子（少數(shù)電子）。PN結(jié)構(gòu)成了基本的二極管。二極管是只允許電流往一個(gè)方向流動(dòng)的元件。P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體少子(自由電子)少子(空穴)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第6頁，共43頁。(1)在濃度差的作用下，電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第7頁，共43頁。(2)在濃度差的作用下，空穴從P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第8頁，共43頁。

在濃度差的作用下，兩邊多子互相擴(kuò)散。由于他們的量比較大，我們稱作多子在進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng).擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第9頁，共43頁。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)空間電荷層擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第10頁，共43頁。形成內(nèi)電場內(nèi)電場(E)方向

一旦擴(kuò)散以后，在它的介面上，就剩下了正離子和負(fù)離子，這時(shí)候就存形成一個(gè)電場.方向是從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)。這個(gè)電場是在內(nèi)部形成的，稱為內(nèi)電場E.N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第11頁，共43頁。

漂移運(yùn)動(dòng)

電場的的方向是從正離子往負(fù)離子走。電場的作用就會(huì)促進(jìn)少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)，自由電子從低電位往髙電位走，空穴是從髙電位往底電位走，由于少子的運(yùn)動(dòng)很弱(數(shù)量很少)，少子的運(yùn)動(dòng)叫做漂移運(yùn)動(dòng)。內(nèi)電場EN++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第12頁，共43頁。

內(nèi)電場會(huì)促進(jìn)少子的漂移運(yùn)動(dòng)，也抑制了多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，雖然少子的量很少，隨著漂移的增強(qiáng)，而擴(kuò)散是越來越弱，最終會(huì)達(dá)到一種平衡。此時(shí)我們在這個(gè)空間就相當(dāng)于有這么一個(gè)結(jié)，這個(gè)結(jié)不是面，是一段寬度，這段寬度就叫做PN結(jié)。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------內(nèi)電場(E)方向結(jié)的形成第13頁，共43頁。PN結(jié)一方面阻礙多子的擴(kuò)散，另一方面加速少子的漂移

漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第14頁，共43頁。P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。內(nèi)電場越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。

漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場E

因?yàn)樵赑N結(jié)上只剩下了正負(fù)離子(正負(fù)電荷)，也可以稱作空間電荷區(qū).N區(qū)中的導(dǎo)電電子為了進(jìn)入P區(qū)，必須克服正離子的吸引和負(fù)離子的排斥力。在粒子層建立后，PN結(jié)內(nèi)的區(qū)域?qū)嶋H上已經(jīng)耗盡了導(dǎo)電電子和空穴，所以PN結(jié)也稱作是耗盡層。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第15頁，共43頁?？臻g電荷層

在P區(qū)和N區(qū)交界面上，留下了一層不能移動(dòng)的正、負(fù)離子。在介面上自由電子和空穴就結(jié)合了。

漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場E擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第16頁，共43頁。形成電位勢壘勢壘V0電位V

電場的的方向是從髙電位往底電位走，就是從正離子往負(fù)離子走，于是N區(qū)一邊的電位高于P區(qū)一邊，如圖所示。N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第17頁，共43頁。當(dāng)擴(kuò)散與漂移作用平衡時(shí)a.流過PN結(jié)的凈電流為零b.PN結(jié)的厚度一定（約幾個(gè)微米）c.接觸電位一定（約零點(diǎn)幾伏）N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------第18頁，共43頁。PN結(jié)形成過程動(dòng)畫演示第19頁，共43頁。

擴(kuò)散使PN結(jié)變寬，使它的內(nèi)電場變強(qiáng)，而漂移的作用又使空間電荷區(qū)變薄，最終PN結(jié)穩(wěn)定在一定的寬度.P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體一結(jié)合，在交界面上形成了穩(wěn)定的電層，我們利用PN結(jié)的這個(gè)特性了解它是如何具備單向?qū)щ娦?

還要利用這個(gè)特性設(shè)計(jì)制造二極管和三極管。

第20頁，共43頁。1.空間電荷區(qū)中沒有載流子。只剩下正負(fù)離子.2.空間電荷區(qū)由于存在內(nèi)電場，內(nèi)電場阻礙P區(qū)中的空穴(多子)運(yùn)動(dòng).由于多子很多我們稱作擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。促進(jìn)了少子的漂移運(yùn)動(dòng).，3.P區(qū)中的電子和N區(qū)中的空穴（都是少），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。小結(jié)4.隨著內(nèi)電場的增強(qiáng)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越來越緩慢，此時(shí)它就達(dá)到了動(dòng)態(tài)平衡.第21頁，共43頁。

一個(gè)PN結(jié)就是一個(gè)二極管，在平衡狀態(tài)下，PN結(jié)中沒有電流。PN結(jié)最重要的特性是單向?qū)щ娞匦?。?shí)驗(yàn)：PN結(jié)的導(dǎo)電性。按如下方式進(jìn)行PN結(jié)導(dǎo)電性的實(shí)驗(yàn)，因?yàn)镻N結(jié)加上封裝外殼和電極引線就是二極管，所以拿一個(gè)二極管來當(dāng)成PN結(jié)。P區(qū)為正極；N區(qū)為負(fù)極。對于圖示的實(shí)驗(yàn)電路。二極管正向連接二極管反向連接結(jié)的單向?qū)щ娦缘?2頁，共43頁。仿真P

此時(shí)發(fā)光二極管發(fā)光，說明PN結(jié)導(dǎo)電。

若P區(qū)的電位高于N區(qū)，電流從P區(qū)流到N區(qū)，PN結(jié)呈低阻性，所以電流大；PN結(jié)正向偏置——當(dāng)外加直流電壓使PN結(jié)P型半導(dǎo)體的一端的電位高于N型半導(dǎo)體一端的電位時(shí)（也就是允許電流流過PN結(jié)的條件），稱PN結(jié)正向偏置，簡稱正偏。注：偏置就是指加在半導(dǎo)體元件上設(shè)置其工作條件的固定直流電壓。第23頁，共43頁。PN結(jié)正向偏置------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第24頁，共43頁。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E＋－

當(dāng)直流電源將二極管正向偏置后，由于靜電場的作用，電源的負(fù)端將N區(qū)中的導(dǎo)電電子推向PN結(jié)，而電源的正端也將P區(qū)中的空穴推向PN結(jié)。正向電流第25頁，共43頁。

當(dāng)外加的偏置電壓足以克服勢壘電位時(shí)，電子就有足夠的能量進(jìn)入耗盡層并越過PN結(jié)。與P區(qū)中空穴復(fù)合。當(dāng)這些電子離開N區(qū)后，會(huì)有更多的電子從電源的負(fù)端流出。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第26頁，共43頁。

因此，導(dǎo)電電子（多數(shù)載流子）朝著PN結(jié)方向的移動(dòng)產(chǎn)生了N區(qū)的電流。這些導(dǎo)電電子進(jìn)入P區(qū)后與空穴復(fù)合，變成價(jià)電子。然后，價(jià)電子會(huì)一個(gè)一個(gè)空穴地向陽極方向移動(dòng)。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第27頁，共43頁。

價(jià)電子的移動(dòng)實(shí)際上產(chǎn)生了空穴反方向的移動(dòng)。所以P區(qū)中電流是由空穴（多數(shù)載流子）朝著PN結(jié)方向移動(dòng)產(chǎn)生的。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第28頁，共43頁。PN結(jié)正偏動(dòng)畫演示外電場削弱內(nèi)電場→耗盡層變窄→擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)→多子擴(kuò)散形成正向電流IFPN結(jié)內(nèi)的電流由起支配地位的擴(kuò)散電流決定，稱為正向電流。第29頁，共43頁。

此時(shí)發(fā)光二極管不發(fā)光，說明PN結(jié)不導(dǎo)電。這個(gè)實(shí)驗(yàn)說明PN結(jié)（二極管）具有單向?qū)щ娦浴?/p>

若P區(qū)的電位低于N區(qū)，電流從N區(qū)流到P區(qū)，PN結(jié)呈高阻性，所以電流小。PN結(jié)反向偏置——當(dāng)外加直流電壓使PN結(jié)N型半導(dǎo)體的一端的電位高于P型半導(dǎo)體一端的電位時(shí)（阻止電流流過PN結(jié)的偏置條件），稱PN結(jié)反向偏置，簡稱反偏。仿真P2．PN結(jié)反向偏置第30頁，共43頁。PN結(jié)變寬2．PN結(jié)反向偏置反向偏置是阻止電流流過PN結(jié)的偏置條件。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第31頁，共43頁。

由于異性電荷相互吸引，電源的負(fù)端吸引P區(qū)中的空穴，而電源的正端吸引N區(qū)中的電子，使空穴和電子均遠(yuǎn)離PN結(jié)。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第32頁，共43頁。

因此，耗盡層變寬，N區(qū)中的正離子和P區(qū)中的負(fù)離子增加，直到兩邊的勢壘差等于外加偏置電壓。因此，當(dāng)二極管反相偏置時(shí)，耗盡層相當(dāng)于兩個(gè)反相的帶電離子層之間的絕緣體。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第33頁，共43頁。內(nèi)電場增強(qiáng)PN結(jié)變寬PN結(jié)呈現(xiàn)高阻、截止?fàn)顟B(tài)不利多子擴(kuò)散有利少子漂移2．PN結(jié)反向偏置外電場加強(qiáng)內(nèi)電場→耗盡層變寬→漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→少子漂移形成反向電流。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第34頁，共43頁。

因少子濃度主要與溫度有關(guān)，此電流稱為反向飽和電流。有時(shí)候稱作漏電流。這個(gè)漏電流的多少基本上是由本征激發(fā)所決定的.------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE內(nèi)++++++E第35頁，共43頁。PN結(jié)反偏動(dòng)畫演示由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦缘?6頁，共43頁。

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｑ菔続02204

PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況第37頁，共43頁。按電容的定義

即電壓變化將引起電荷變化,