(12)發(fā)明專利(10)授權(quán)公告號CN1200917(65)同一申請的已公布的文獻(xiàn)號(43)申請公布日2025.06.03(73)專利權(quán)人浙江省白馬湖實驗室有限公司地址310051浙江省杭州市濱江區(qū)長江路336號5幢105室專利權(quán)人蘇州大學(xué)(72)發(fā)明人章雨柔孫靖淞彭軍黃超鵬趙昕海姜玉霞壽春暉孫士恩(74)專利代理機(jī)構(gòu)杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司33109專利代理師呂思佳H10KH10KH10KH10K審查員朱軍一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法及應(yīng)用本發(fā)明涉及鈣鈦礦薄膜的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法及應(yīng)用，包括如下步驟：(1)在基底上涂覆鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，在涂覆過程中滴加反溶劑；所述鈣鈦礦前驅(qū)體的<1,0<y<1;(2)涂覆結(jié)束后，在40-70℃預(yù)退火30-90s,得到薄膜；(3)在薄膜表層噴涂DMF形成液寬帶隙鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明通過在鈣鈦礦薄膜表面噴涂DMF,溶劑滲透晶界誘導(dǎo)局部溶解和重結(jié)晶，再通過退火促使DMF揮發(fā)的同時完成晶粒融基底富碘區(qū)域基底21.一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)在基底上涂覆鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，在涂覆過程中滴加反溶劑；所述鈣鈦礦前驅(qū)體的化學(xué)式為Cs(FA?.8MA.2)1-Pb(I?-,Br,)?,其中O<x<1,0<y<1;(2)涂覆結(jié)束后，在40-70℃預(yù)退火30-90s,得(3)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，靜置后，在90-150℃二次退火1-30min,得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述噴涂的速度為0.05-0.2mL/min,壓力為不高于1MPa;所述噴涂的時間為1-30s。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述噴涂的高度為距離薄膜表面0-30cm。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述靜置的時間為1-60s。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的濃度為1-1.6M。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述涂覆的方式包括旋涂或刮涂。7.根據(jù)權(quán)利要求1或5或6所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)8.根據(jù)權(quán)利要求1所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，在涂覆結(jié)束前5-9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述反溶劑為乙酸乙酯或氯苯。10.一種如權(quán)利要求1-9任一項所述制備方法制得的寬帶隙鈣鈦礦薄膜在太陽能電池的應(yīng)用。3一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及鈣鈦礦薄膜的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法及應(yīng)用。背景技術(shù)[0002]寬帶隙鈣鈦礦材料屬于混合鹵素化合物，通常含有一定比例的碘和溴。溴基鈣鈦礦成分在溶液中的溶解度低于碘基鈣鈦礦，因而在寬帶隙鈣鈦礦薄膜退火的過程中，溶解度低的溴基成分會在上表面率先結(jié)晶析出，形成一層富溴鈣鈦礦外殼，而在薄膜底部仍存在較多富碘鈣鈦礦的溶液，從而在縱向尺度上導(dǎo)致了相偏析。同時，碘化物與溶劑配位，形成溶劑絡(luò)合物作為中間相，其僅在熱退火時轉(zhuǎn)化為鈣鈦礦相。因此，退火過程中不同的結(jié)晶路徑加劇了相偏析現(xiàn)象的發(fā)生，導(dǎo)致從最初的鹵化物偏析相形成混合鹵化物鈣鈦礦。[0003]同時，外界刺激引發(fā)的離子遷移也會導(dǎo)致相偏析。鹵素離子在鈣鈦礦中的離子遷移活化能較低，屬于易遷移的成分。由于碘離子和溴離子的遷移活化能存在差異，它們在外界條件刺激下(如光照、加熱)會以不同速率遷移，并自發(fā)聚集形成富溴和富碘的不同相區(qū)，引發(fā)嚴(yán)重的相偏析問題。這種相偏析不僅降低了薄膜成分的均一性，還在薄膜內(nèi)形成了不同帶隙的區(qū)域，阻斷了薄膜內(nèi)部載流子的傳輸，降低了載流子濃度。并且，相偏析后的薄膜更易發(fā)生相變，轉(zhuǎn)變成非鈣鈦礦相，喪失光活性。因此，相偏析不僅會導(dǎo)致載流子復(fù)合損失和更大的Voc損失，還會惡化鈣鈦礦的穩(wěn)定性。[0004]目前，一般通過添加劑工程來調(diào)節(jié)結(jié)晶動力學(xué)，降低溴基鈣鈦礦結(jié)晶速度，從而抑制相偏析的發(fā)生，例如，公開號為CN110854274B的發(fā)明專利公開了一種鈣鈦礦形核過程的調(diào)控方法，包括：所述的鈣鈦礦包括但不限于鉛基鈣鈦礦、B位以鉛元素為主導(dǎo)的多組分鈣鈦礦，在配制鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中，通過加入添加劑AX,添加劑AX結(jié)構(gòu)式中，A表示為意一種；調(diào)控溶劑化的BX?化合物及其復(fù)合物的形成速率和密度，控制溶劑化的BX?化合物及其復(fù)合物的偏析結(jié)晶。但是，使用添加劑對抑制相偏析的效果有限，不易形成結(jié)晶均一性良好的鈣鈦礦薄膜，且成本較高。發(fā)明內(nèi)容[0005]為了解決結(jié)晶過程中寬帶隙鈣鈦礦材料的相偏析問題，本發(fā)明提供了一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備方法及應(yīng)用，通過在鈣鈦礦薄膜表面噴涂DMF形成液膜，溶劑滲透晶界誘導(dǎo)局部溶解和重結(jié)晶，再通過退火促使DMF揮發(fā)的同時完成晶粒融合與缺陷鈍化，從而得到均勻結(jié)晶的寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0006]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)：[0007]第一方面，本發(fā)明提供了一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜[0008](1)在基底上涂覆鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，在涂覆過程中滴加反溶劑；所述鈣鈦礦前驅(qū)體的化學(xué)式為Cs(FA.8MA。.21-xPb(I?-,Br)?,其中0<x<1,0<y<1;4[0009](2)涂覆結(jié)束后，在40[0010](3)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，靜置后，在90-150℃二次退火1-30min,得帶隙鈣鈦礦薄膜。[0011]本發(fā)明通過反溶劑法制備鈣鈦礦薄膜，在基底上涂覆鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，在涂覆結(jié)束前通過滴加反溶劑以促進(jìn)鈣鈦礦晶體的快速成核和生長，在預(yù)退火過程中會去除部分溶劑，并形成初始晶體結(jié)構(gòu)，溶解度低的溴基成分會在上表面率先結(jié)晶析出，部分碘基成分則會擴(kuò)散并聚集至薄膜底部，進(jìn)而得到上層為富溴層(富溴鈣鈦礦固液混合物)、下層為富碘層(富碘鈣鈦礦液體)的鈣鈦礦薄膜。然后，在該薄膜表面噴涂DMF后，表面已結(jié)晶的富溴基鈣鈦礦會重新溶解于DMF中形成液膜，薄膜底部仍存在富碘鈣鈦礦溶液的殘留，通過靜置的溶劑也會向外部擴(kuò)散，兩種溶劑在內(nèi)部會形成對流運(yùn)動以及退火過程中的溫度梯度作用會推動富溴鈣鈦礦溶液與富碘鈣鈦礦溶液的流動與混合。底部熱溶劑向外擴(kuò)散蒸發(fā)，推動表面冷溶液攜帶溴離子向內(nèi)擴(kuò)散，待溶劑完全蒸發(fā)后，可形成均勻的結(jié)晶，從而解決結(jié)晶過程中寬帶隙鈣鈦礦材料的相偏析問題。[0013]作為優(yōu)選，所述噴涂的速度為0.05-0.2mL/min,壓力為不高于1MPa;所述噴涂的時間為1-30s;所述噴涂的高度為距離薄膜表面0-30cm。[0014]作為優(yōu)選，所述靜置的時間為1-60s,更優(yōu)選為10-60s。[0016]作為優(yōu)選，所述薄膜的厚度為400-800nm。[0017]作為優(yōu)選，所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的濃度為1-1.6M。[0018]作為優(yōu)選，在涂覆結(jié)束前5-10s,滴加反溶劑。[0020]根據(jù)所需鈣鈦礦薄膜的尺寸可適應(yīng)性的增大或減少反溶劑滴加量。[0021]作為優(yōu)選，所述反溶劑為乙酸乙酯或氯苯。[0022]第二方面，本發(fā)明還提供了一種寬帶隙鈣鈦礦薄膜在太陽能電池的應(yīng)用。[0024](1)本發(fā)明中方法能夠得到均勻結(jié)晶的寬帶隙鈣鈦礦薄膜，具有很好的可重復(fù)性[0025](2)本發(fā)明中方法能夠適應(yīng)于放大生產(chǎn)，與規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)相匹配，用于處理大面積寬帶隙鈣鈦礦薄膜；[0026](3)本發(fā)明中方法可以與后期界面處理技術(shù)兼容，簡化鈣鈦礦薄膜制備流程。附圖說明[0027]圖1為本發(fā)明制備寬帶隙鈣鈦礦薄膜的流程示意圖。[0028]圖2為實施例1和對比例1中寬帶隙鈣鈦礦薄膜的光致發(fā)光光譜圖。具體實施方式[0029]以下用具體實施例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。5[0030]本發(fā)明中寬帶隙鈣鈦礦薄膜的制備包括如下步驟：[0031](1)在基底上通過旋涂或刮涂的方式涂覆鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，鈣鈦礦前驅(qū)體的化學(xué)式為Cs(FA.8MAo.2)1-xPb(I?-,Br,)?,其中0<x<1,0<y<1;涂覆結(jié)束前5-10s,滴加乙酸乙酯，將乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束；[0032](2)涂覆結(jié)束后，在40-70℃預(yù)退火30-90s,得到厚度[0033](3)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(如氣動噴槍)在距離薄膜表面0-30cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，通過氮?dú)鈱?dǎo)流來控制出口液體流速，噴涂的速度為0.05-0.2mL/min,通過安裝在氮?dú)夤?yīng)管線上的壓力調(diào)節(jié)器來控制壓力，噴涂壓力為不高于1MPa,噴涂時間為1-30s;噴涂結(jié)束后，靜置1-60s,在90-150℃二次退火1-30min,退火完成[0034]在本發(fā)明的具體實施例中，鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的制備包括如下步驟：將溴化甲胺(MABr)、碘化銫(CsI)、碘化甲脒(FAI)、溴化鉛(PbBr?)和碘化鉛(PbI?)溶解在由N,N-二甲溶液在20-30℃下攪拌8-18h,然后通過聚四氟乙烯(PTFE)濾膜進(jìn)行過濾，得到濃度為1-1.6M的鈣鈦礦前驅(qū)體溶液。[0035]在本發(fā)明的具體實施例中，旋涂過程具體為：將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液以1000-2000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂5-15s,然后以4000-5000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂20-30s。[0036]在本發(fā)明的具體實施例中，噴涂后靜置可增強(qiáng)溶劑擴(kuò)散，提高滲透效果，并且噴涂參數(shù)的優(yōu)化也會關(guān)系到DMF溶劑的分布均勻性和滲透深度，進(jìn)而影響鈣鈦礦薄膜的二次結(jié)晶效果。噴涂壓力過低可能導(dǎo)致液滴粒徑過大(>50μm),形成局部溶蝕，噴涂壓力過高(如>1MPa)可能破壞薄膜表面形貌；噴涂距離過近易導(dǎo)致溶劑堆積，過遠(yuǎn)則溶劑揮發(fā)過快，降低滲透效果；噴涂速率過快時可能導(dǎo)致溶劑未充分滲透即揮發(fā)，且不容易控制噴涂的均[0037]在本發(fā)明的具體實施例中，二次退火的參數(shù)條件會影響溶劑揮發(fā)以及晶粒生長過程，進(jìn)而會影響鈣鈦礦薄膜的均勻性。退火開始得過早，即未經(jīng)過靜置過程，薄膜中噴涂的靜置時間過長，由于表面已結(jié)晶的富溴基鈣鈦礦會重新溶解于DMF中形成液膜，靜置時間過長導(dǎo)致溶劑揮發(fā)過多，會使液膜中前驅(qū)體濃度過高，導(dǎo)致成核密度過大，最終形成的晶粒尺寸較小且分布不均勻。[0038]退火溫度過低，鈣鈦礦薄膜結(jié)晶緩慢，結(jié)晶不完全，形成的晶粒尺寸較小且數(shù)量仍為中間相的情況；退火溫度過高，會使晶粒生長過快，出現(xiàn)晶粒異常長大和團(tuán)聚現(xiàn)象，破壞薄膜的均勻性，還可能引發(fā)鈣鈦礦熱分解。退火時長過短，溶劑揮發(fā)不充分，鈣鈦礦結(jié)晶不完全，晶粒尺寸小且分布不均；退火時間過長，晶粒過度生長會出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象，也可能引發(fā)鈣鈦礦熱分解。[0040](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、153.6mg溴化鉛(PbBr?)和452.4mg碘化鉛(PbI?)溶解在1mL由體積比為4:1的DMF和DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟6[0041](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0042](3)旋涂結(jié)束后，在50℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0043](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置10s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0045]與實施例1的區(qū)別在于：靜置時[0046](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、153.6mg溴化鉛(PbBr?)和452.4mg碘化鉛(PbI?)溶解在1mL由體積比為4:1的DMF和DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟[0047](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0048](3)旋涂結(jié)束后，在50℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0049](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置20s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0051]與實施例1的區(qū)別在于：噴涂壓力為0.25MPa。[0052](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、153.6mg溴化鉛(PbBr?)和452.4mg碘化鉛(PbI?)溶解在1mL由體積比為4:1的DMF和[0053](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0054](3)旋涂結(jié)束后，在50℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0055](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.25MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置10s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0056]實施例47[0058](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟[0059](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0060](3)旋涂結(jié)束后，在40℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0061](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置10s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0062]對比例1(采用一般方法)[0063](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟乙烯濾膜進(jìn)行過濾，得到鈣鈦礦前驅(qū)體溶液。[0064](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,旋涂結(jié)束后，在100℃的加熱板上退火10min,得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0065]對比例2[0066]與實施例1的區(qū)別在于：噴涂速度為1mL/min,導(dǎo)致DMF噴涂過多。[0067](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟[0068](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0069](3)旋涂結(jié)束后，在50℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0070](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置10s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0071]對比例3[0072]與實施例1的區(qū)別在于：靜置時間過長，靜置90s。[0073](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、153.6mg溴化鉛(PbBr?)和452.4mg碘化鉛(PbI?)溶解在1mL由體積比為4:1的DMF和DMSO組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟8[0074](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0075](3)旋涂結(jié)束后，在50℃的加熱板上預(yù)退火30s,得到厚度為500nm的薄膜。[0076](4)在薄膜表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置90s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。[0079](1)將23.8mg溴化甲胺(MABr)、18.2mg碘化銫(CsI)、192.1mg碘化甲脒(FAI)、153.6mg溴化鉛(PbBr?)和452.4mg碘化鉛(Pb組成的混合溶劑中，所得溶液在25℃下攪拌10h,然后通過孔徑為0.22μm的聚四氟乙烯[0080](2)將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液在2cm×2cm的基底上，以1000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂10s,然后以4000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30s,在旋涂結(jié)束前5s時，將150μL乙酸乙酯滴加到正在旋轉(zhuǎn)的基底中心位置，繼續(xù)旋涂至結(jié)束。[0081](3)旋涂結(jié)束后，直接在表層噴涂DMF形成液膜，采用精密噴涂設(shè)備(氣動噴槍)在距離薄膜表面10cm的位置進(jìn)行均勻噴涂，噴涂的速度為0.1mL/min,噴涂壓力為0.5MPa,噴涂時間為5s;噴涂結(jié)束后，靜置10s后，升溫至100℃二次退火10min,退火完成后，得到寬帶隙鈣鈦礦薄膜。光電轉(zhuǎn)化效率(%)填充因子(%)開路電壓(V)實施例1實施例2實施例3對比例1[0084]如圖1所示為本發(fā)明制備寬帶隙鈣鈦礦薄膜的流程示意圖，第一步，通過反溶劑法制備得到鈣鈦礦薄膜，由于富溴鈣鈦礦的溶解度較低，旋涂后的鈣鈦礦薄膜表面會形成一層富溴鈣鈦礦外殼(富溴區(qū)域),而薄膜底部仍存在較多富碘鈣鈦礦的溶液(富碘區(qū)域),從而導(dǎo)致相偏析。第二步，在鈣鈦礦薄膜表面噴涂DMF,表面已結(jié)晶的富溴基鈣鈦礦會重新溶火，溶劑開始蒸發(fā)，底部的溶劑也會向上擴(kuò)散，底部熱溶劑向外擴(kuò)散蒸發(fā)時也會推動表面冷溶液攜帶溴離子