ICS31.080L40/49 T/CASA011.2—Testqualificationforpowermodulesinautomotive 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián) 發(fā)布T/CASAT/CASA011.2— 前 范 A組檢 B組檢 C組檢 D組檢 附錄A（規(guī)范性附錄）靜態(tài)參數(shù)最低測試要求 附錄B（規(guī)范性附錄）動(dòng)態(tài)參數(shù)最低測試要求 T/CASAT/CASA011.2— 本文件按照GB/T1.1—20201部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定CASAS所有，未經(jīng)CASAS許可不得隨意復(fù)制；其他機(jī)構(gòu)采用本文件的技術(shù)內(nèi)容制定標(biāo)準(zhǔn)需經(jīng)CASAST/CASAT/CASA011.2—GB/T 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc：振動(dòng)(正弦GB/T 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法31部分：塑封器件的易燃性（內(nèi)部的GJB GJB AECQ101 （Failuremechanismbasedstresstestqualificationfordiscretesemiconductorsinautomotiveapplications） 無鉛測試要求（Pb-freetestAQG324 inPowerElectronicsConverterUnitsinMotorVehicles）IEC60747-8 8部分：場效應(yīng)晶體管（Semiconductordevices-Discretedevices-Part8:Field-effecttransistors）IEC60747-9 9部分：絕緣柵雙極型晶體管（SemiconductordevicesPart9:Discretedevices-Insulated-gatebipolartransistors(IGBTs)） 15部分：單獨(dú)的功率半導(dǎo)體器件（SemiconductordevicesDiscretedevices-Part15:Isolatedpowersemiconductordevices）IEC60749-25 25部分：溫度循環(huán)（Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part25:Temperaturecycling）IEC60749-34 34部分：功率循環(huán)（Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part34:Powercycling）IEC60068-2-27 2-27部分：沖擊（EnvironmentaltestingPart2-27:TestsTestEaandguidance:Shock）JESD22 封裝器件可靠性試驗(yàn)方法（Reliabilitytestmethodsforpackageddevices）MILSTD19500 半導(dǎo)體器件總規(guī)范（Semiconductordevices,generalspecificationfor）MILSTD750 半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法（Testmethodsforsemiconductordevices）T/CASAT/CASA011.2—3鑒定檢驗(yàn)identification質(zhì)量一致性檢驗(yàn)qualityconsistency結(jié)構(gòu)相似模塊structurallysimilar41結(jié)-結(jié)-TjTp集電極-門極-MOSFET/IGBTT/CASAT/CASA011.2—52A規(guī)定的T/CASAT/CASA011.2—105倍；表1A 試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)A125℃下的靜態(tài)測IEC60747-A要求的A2最高額定工作溫T/CASAT/CASA011.2—表1A組檢驗(yàn)（續(xù) 試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)A3最低額定工作溫IEC60747-A要求的A425℃下的動(dòng)態(tài)測B要求的表2B 試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)B1分組15模塊6模塊B215模塊6模塊B3分組15模塊6模塊B4驗(yàn)證模塊機(jī)械參數(shù)是否15模塊6模塊B5X-Ray或超聲掃15模塊6模塊T/CASAT/CASA011.2—表3C試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)C1IEC60749-溫度范圍：Tstg(min~Tstg(max)其中，Tstg(min)≤?40℃Si基：TstgSiC基：Tstgmax)≥175℃66模塊A1、B1、B5C2分組GB/T22A166模塊C3X、Y、Z66模塊A1C4Ta=Tstg(min)≤-72JEDECJESD-66模塊A1C5功率循環(huán)（秒級(jí)IEC60749-Si726個(gè)SiC6模塊循環(huán)次數(shù)：60000A1、B6T/CASAT/CASA011.2—表3C組檢驗(yàn)（2頁/3頁 試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)C6功率循環(huán)（分級(jí)IEC60749-SiSiC7266模塊循環(huán)次數(shù)：15000A1、B6C7高溫反偏I(xiàn)EC60747-Ta=Tjop(max)-Tp72IEC60747-其中，Si基：TjSiC基：Tj66模塊試驗(yàn)時(shí)間A1C8IEC60747-726個(gè)IEC60747-Ta=Tj其中，Si基：Tj6模塊SiC基：TjA1C9IEC60747-VGS=-VGE=-726個(gè)IEC60747-Ta=Tj其中，Si基：Tj6模塊SiC基：TjA1T/CASAT/CASA011.2—表3C組檢驗(yàn)（3頁/3頁 試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)C10IEC60747-IEC60747-VDS≥0.8VDS(max)(MOSFET)VCE≥0.8VCE(max)(IGBT)試驗(yàn)時(shí)間726個(gè)6模塊A1僅新研模塊首次鑒定檢驗(yàn)時(shí)需進(jìn)行D組檢驗(yàn)。該組檢驗(yàn)樣品需從A組和B組檢驗(yàn)合格的批次中隨4D（僅供鑒定 試驗(yàn)條