ICS31.080L40/49 T/CASA007—TestSpecificationforSiliconCarbide（SiC）Field-effectModuleofElectric T/CASAT/CASA007-目前 范 要 附錄A（規(guī)范性附錄）性能參數(shù)測試方 附錄B（規(guī)范性附錄）穩(wěn)態(tài)熱阻測試方 附錄C（規(guī)范性附錄）評測試驗方 前GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準的結構和編寫》給出的規(guī)則起草。SiCSiCMOSFET模塊的統(tǒng)一指導性文件，影響了SiCMOSFET模塊在電動汽車行業(yè)的通用化。本規(guī)范針對電動汽車用的SiCMOSFETSiCMOSFET模塊SiCMOSFET模塊的初步評價。本規(guī)范由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）制定發(fā)布，版權歸CASACASA許可不得隨意復CASA允許；任何單位或個人引用本規(guī)范的內(nèi)容需T/CASAT/CASA007—SiCMOSFET模塊（SiC模塊）參數(shù)性能、技術要求、評測要本規(guī)范適用于電動汽車用SiCGB/T2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高GB/T2423.5-20192Ea和導則：沖擊GB/T2423.10-20192Fc：振動(正弦)GB/T2423.22-20122部分：試驗方法試驗N：溫度變化GB/T4937.4-20124部分：強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗GB/T7354- IEC60747-2-2000 半導體器件分立器件與集成電路第2部分：整流二極管（Semiconductordevices–Discretedevicesandintegratedcircuits–Part2:Rectifierdiodes）IEC60747-8-2010 半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管（Semiconductordevices–Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors）SJ/T11363-2006SiCMOSFET模塊SiCMOSFETT/CASAT/CASA007—多溴二苯醚PBDE、多溴聯(lián)苯PBB等有害物質(zhì)，含量不超過SJ/T11363－2006限量要求。表 漏-正向柵-反向柵-柵-峰值漏極電流（規(guī)定脈沖條件下最低和最高工作溫度（環(huán)境或殼溫表 漏-附錄柵-附錄附錄漏-附錄漏-附錄附錄(漏-源交流短路附錄(柵-源交流短路附錄附錄附錄T/CASAT/CASA007—附錄柵-附錄附錄附錄附錄附錄附錄附錄附錄附錄結-殼熱阻附錄結-殼熱阻（二極管附錄結-流體熱阻附錄結-流體熱阻（二極管附錄aSiC模塊內(nèi)部包含MOSFET芯片、二極管芯片時，應分別對熱阻進行測試；當模塊的散熱結構包括pin表3Ta=TjVGS=0V,VDS≥80%VDS高溫門極偏置Ta=TjVDS=0V,VGS=+VGS附錄高溫門極偏置（-Ta=TjVDS=0V,VGS=-VGS附錄VGS=0V,VDS=80%VDSmax,max.GB/T2423.50-T/CASAT/CASA007—間歇工作壽命（秒級ΔTj=60℃，Tjmin=Tjmax-150000cycles附錄（分鐘級ΔTC=60℃，TCmin=50℃，15Ta=Tstg,min≤-GB/T2423.1-Ta=GB/T2423.2-Tchange<30s,Tstg＞20min,GB/T2423.22-GB/T2423.22-GB/T2423.10-每方向3GB/T2423.5-GB/T2423.28-GB/T2423.28-aT(Pv)b每模塊抽測1/2數(shù)量的MOSFET器件，被抽測的MOSFET4高溫柵極偏壓高溫柵極偏壓（-功率循環(huán)（秒級失效150T/CASAT/CASA007—功率循環(huán)（分鐘級失效15000T：18℃～28℃；②相對濕度：50%±15%行100%試驗，以驗證SiC模塊滿足參數(shù)表中規(guī)定的性能。T/CASAT/CASA007—附錄漏-源擊穿電壓（V(BR)DSS（idtIEC60747-8-2010如圖A.1A.1VDDVGG是直流電源，R1柵-VDD直到電流表AIDSVDS由電壓表V（R2；（VGS(off)（B（VGS(th)（idt如圖A.2T/CASAT/CASA007—A.2VDDVGG是直流電源，R1施加一定的漏-源極電壓后，將柵-源極電壓調(diào)整為當漏極電流等于特定值時的值。VGS測量的電壓分別是柵-源極關斷電壓（類型AB）和柵-源極閾值電壓（類型CDS*（CIDSXB（idt注：*R,SX如圖A.3A.3測量漏極（關斷狀態(tài)下）VDDVGG是直流電源，R1T/CASAT/CASA007—=/（R2；（IGS*（（IGS*（C（idt如圖A.4A.4將漏-VGGVGS上測得的柵-源極電壓達到指定的柵-VGS*。柵極截止電流或柵極漏電流在電流表A上測量。——IGSX在類型B和C——柵-源極電壓；類型AVGG2（靜態(tài)）漏-源通態(tài)電阻(??DS(on))或漏-源通態(tài)電壓(??DS(on))（idtIEC60747-8-2010如圖A.5T/CASAT/CASA007—A.5A.6A.6)=小信號短路正向跨導（A、B、C（idtIEC60747-8-2010如圖A.7T/CASAT/CASA007—AVA.7短路正向跨導gfs1：零點法??1??fs能夠在低頻條件下測得，??fs=??fs????fs如圖A.8VAA.8短路正向跨導gfs2：雙電壓表法

需要小于|1|V應具有足夠的靈敏度；對于低

????T/CASAT/CASA007—=S2時，V2=????????。|??????|≈

??對于足夠低的頻率：|??????|≈g????f

1Ciss)（idtIEC60747-8-2010如圖A.9A.9

|??is|?1/????1及????1?|??os|?1/????2及????2?在沒有待測器件（DUT）DUT被接入電路，VDSVGS被設置為指定值。電Ciss的值。T/CASAT/CASA007—Coss)（idtIEC60747-8-2010如圖A.10

DUTA.10通過電容橋的零位測量法進行測試。C2Coss，????1遠大于|??is|。L1L2的感抗應當足夠大，

|??is|?1/????1及????1?|??os|?1/????2及????2?Coss的值。Crss)（idtIEC60747-8-20106.3.5（idtIEC60747-8-2010如圖A.11T/CASAT/CASA007—

DUTA.11C1，C2，L1，L2應當足夠大，使得對測量結果不產(chǎn)生影響。不論測量端與地之間存在任何阻Crss的值。內(nèi)部柵極電阻（g（idtIEC60747-8-2010如圖A.12A.12T/CASAT/CASA007—LCR數(shù)字電橋零位測量法。??2遠大于????????，????1遠大于|??????|。??1，??2的感抗足夠平衡電橋的調(diào)

|??????|?1/????1及????1?|??????|?1/????2及????2?待測器件的漏-VDS與柵-VGS被設置為指定值，內(nèi)部柵極電阻????可通過柵電容與柵極LCR數(shù)字電橋進行測量。??GS(pl)（idt為了測量待測器件DUT如圖A.13A.13總柵電荷，柵-源電荷與柵-IEC60747-83.3.7.13.3.7.4節(jié)中的表達式計算。開關時間參數(shù)(??d(on),??r,??d(off)和??f)（idtIEC60747-8-2010T/CASA007—如圖A.14和A.15A.14A.15時間短。VGG’DUT對管柵-DUT對管元件可靠處于關斷狀態(tài)。L為負——R1（????，（??????（idtT/CASA007—如圖A.16A.16VGGR相比可以忽略不計。鋸齒波的上升沿比待測器件（DUT）的開關時間短。D1為特定續(xù)流二極管，L為負載電感。在實際應用中，應盡量減小寄生分布電感。VG源電壓源VDDD源電壓VS（off，（??off（idt如圖A.16VGGR相比可以忽略不計。鋸齒波的下降沿比待測器件（DUT）的開關時間短。??1為特定續(xù)流二極管，L為負載電感。在實際應用中，應盡量減小寄生分布電感。T/CASA007—正向?qū)▔航担╒F，VFM（idtIEC60747-2-2000A.17所示，向二極管施加一定的正向?qū)娏骱?，可測量一定 AA.17正向?qū)▔航禍y試電路（直流偏置法A.18所示，向二極管施加一個半周期正弦波的正向?qū)夾.18正向?qū)▔航禍y試電路（示波器法D為待測二極管，R2如圖A.19T/CASA007—A.19A.20所示，可調(diào)電流源的阻抗應足夠大，保證正向半周期A.20圖中DSR1和D1應滿足當待測二極管和D1反向偏置耐壓時，D1承擔幾乎所有的電壓。T/CASA007—如圖B.1B.1RthJC-MVGSD1VF1作為熱敏參數(shù)，對于額外并聯(lián)有D2的SiCD2的陽極或陰極斷開。圖B.2結-殼熱阻RthJC-Ma）無底板、有底板SiCTCT/CASA007—

??thJC

圖B.3無底板SiC模塊殼溫TC圖B.4有底板SiC模塊殼溫TCb）PinfinSiCTcoolpinfin底板的SiCTvj與冷卻介質(zhì)溫度Tcool來表征熱阻，??

??thJF

圖B.5Pinfin底板SiC模塊冷卻介質(zhì)溫度TcoolT/CASA007—c）雙面冷卻SiCTC1、TC2

?圖B.6雙面冷卻SiC模塊殼溫TC1、TC2B.7RthJC-DT/CASA007—B.8RthJC-Db）測量被測器件DUTPv階躍變化的響應特性。按