ICS31.080L40/49 T/CASAS015—（SiCMOSFET）Powercyclingtestmethodforsiliconcarbide 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布T/CASAST/CASAS015— 前 引 T/CASAST/CASAS015— GB/T1.1—20201T/CASAST/CASAS015— 碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(iCMOST)具有阻斷電壓高、工作頻率高、耐高溫能力SiCMOSFT器件芯片與安裝表面之間所有的鍵合和界面退化。器件能否能承受規(guī)定應(yīng)力條件下的功率循環(huán)次數(shù)是SiCMOSFETT/CASAST/CASAS015—碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiCMOSFET）GB/T4586半導(dǎo)體器件8T/CASA006—2020JESD51—1集成電路熱測量方法電氣測試方法：單個半導(dǎo)體器件（Integratedcircuitsthermalmeasurementmethod–Electricaltestmethod(singlesemiconductordevice)）結(jié)溫junction殼溫case最高循環(huán)溫度maximumcycleT/CASAST/CASAS015—最低循環(huán)溫度minimumcycle溫差junctiontemperature??vj（max）與??vj（min）接通時間on關(guān)斷時間off加熱電流heating測試電流measurement制冷率coolantT/CASAST/CASAS015—（風冷或水冷圖1功率循環(huán)試驗的一般方法是驅(qū)動被測器件在規(guī)定的循環(huán)次數(shù)內(nèi)經(jīng)過規(guī)定的溫度波動，并在試驗過反向二極管為SiCMOSFET時間??1和????之間，??1關(guān)斷，??2導(dǎo)通，SiCMOSFET關(guān)斷，柵極在??1和??2、??3和????之間，加負電壓，在??2和??3T/CASAST/CASAS015— 圖2SiCMOSFET圖3SiCMOSFET試驗的接通時間??on和關(guān)斷時間??off關(guān)系。根據(jù)器件規(guī)范的最高結(jié)溫，推薦最高循環(huán)溫度??????（max）為175150T/CASAST/CASAS015—表160000/（X+30000/??on/??off≥2min??on=X,??off=150007500??on/??off<2mina當???100241000060000（2+4）]，當???125 b當???1001115000???1257500 流流過反向二極管，????????????=??????，電流為毫安（mA）級，器件在??off時間內(nèi)降溫，通過??????(T)方法監(jiān)測結(jié)T/CASAST/CASAS015—失效判據(jù)應(yīng)包括但不限于表2GB/T4586，測試條件按照產(chǎn)品規(guī)范測試表2（相對于初始值的變化率5520550010nA過5050010nA過50a）b）c）d）T/CASAST/CASAS015—參考文GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件9IEC60747-8—2010Semiconductordevices—Discretedevices—Part8:Field-effectAEC-Q101StresstestqualificationfordiscreteJEDEC22-A