國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

國家標(biāo)準(zhǔn)《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》編制

說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

本文件的制定是根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會文件《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達2023

年第三批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計劃的通知》（國標(biāo)委發(fā)〔2023〕58號）要

求進行，由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中興通訊股份有

限公司、廣州興森快捷電路科技有限公司、中國工程物理研究院、惠州市德賽西威汽車電子

股份有限公司、北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司、珠海松柏科技有限公司、深圳億鋮達新

材料有限公司、江蘇展芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司、佛山市承安集團股份有限公司、寧德時

代新能源科技股份有限公司共同承擔(dān)《環(huán)境試驗第2-82部分測試方法xw1：電子電器元

器件晶須測試方法》的編制，項目計劃編號為20230978-T-339，計劃下達日期為2023-12-01，

項目周期為18個月，應(yīng)報批日期為2025-06-01。

2、主要工作過程

2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草

在電子系統(tǒng)中，錫或錫合金表面會受到晶體結(jié)構(gòu)自然生長-“晶須”的影響，晶須的生

長會造成參數(shù)偏差、短路、燒毀等各種電氣故障，故需要標(biāo)準(zhǔn)化測試方法來幫助更快評估和

研發(fā)錫基產(chǎn)品。考慮到電子組件用元器件和零件的錫或錫合金表面的晶須檢測方法目前在國

內(nèi)尚無行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)，項目計劃下達要求修改采用IEC60068-2-82（Edition2.02019-05）

《Environmentaltesting–Part2-82:Tests–TestXw1:Whiskertestmethodsforcomponentsand

partsusedinelectronicassemblies》標(biāo)準(zhǔn)，故編制組依據(jù)IEC60068-2-82標(biāo)準(zhǔn)于2023年12月

編譯形成了《環(huán)境試驗第2-82部分測試方法xw1：電子電器元器件晶須測試方法》國家

標(biāo)準(zhǔn)草案，于2024年1月30日編制組全體成員共12家單位參加了在珠海召開的國家標(biāo)準(zhǔn)

草案研討會，經(jīng)編制組內(nèi)部討論，提出了以下主要意見：

1）標(biāo)準(zhǔn)的格式需依據(jù)GB/T1.1標(biāo)準(zhǔn)要求進行修改；

2）標(biāo)準(zhǔn)名稱建議修改，不采用系列標(biāo)準(zhǔn)的名稱，名稱修改為《電子組件用元器件和零

件的晶須試驗方法》；

3）標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容中“錫須”和“晶須”名稱統(tǒng)一；

4）正文頁碼需調(diào)整更改；

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

5）部分翻譯表達需要進一步完善優(yōu)化；

6）附錄編寫格式需要調(diào)整。

研討會后，編制組對標(biāo)準(zhǔn)中的內(nèi)容做了重要或較大的修改，在2024年01月29日更新

了內(nèi)部討論稿。并且根據(jù)會上具體分工，各編制組成員對修改后的標(biāo)準(zhǔn)進行審查，并在2024

年04月01日更新形成征求意見稿。

3、標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位及其所做的工作

接到此項任務(wù)后，組建了由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究

院、中興通訊股份有限公司、廣州興森快捷電路科技有限公司、中國工程物理研究院、惠州

市德賽西威汽車電子股份有限公司、北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司、珠海松柏科技有限

公司、深圳億鋮達新材料有限公司、江蘇展芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司、佛山市承安集團股

份有限公司、寧德時代新能源科技股份有限公司組成的標(biāo)準(zhǔn)起草工作組。標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成

員單位及其分工見表1。

表1標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位與工作分工

序號標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位承擔(dān)的工作

1工業(yè)和信息化部電子第五研究所調(diào)配資源，總體工作部署及標(biāo)準(zhǔn)草案撰寫，試驗驗證。

2中興通訊股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

3廣州興森快捷電路科技有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

4中國工程物理研究院編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

5惠州市德賽西威汽車電子股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

6北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

7珠海松柏科技有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

8深圳億鋮達新材料有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

9中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院資料審核及申報資料把關(guān)。

10江蘇展芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

11佛山市承安集團股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

12寧德時代新能源科技股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題

1、編制原則

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

標(biāo)準(zhǔn)編制過程中，標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的條款應(yīng)明確而無歧義，且具有其適用范圍所規(guī)定的內(nèi)容，

滿足任務(wù)書規(guī)定的要求；標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容協(xié)調(diào)、簡明、清楚、準(zhǔn)確、邏輯性強，具有實用性

和可操作性，且充分考慮封裝基板最新技術(shù)水平并為未來技術(shù)發(fā)展提供框架；標(biāo)準(zhǔn)編制與已

發(fā)布的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)一致。

標(biāo)準(zhǔn)編制結(jié)構(gòu)要求、編排順序、層次劃分、表述規(guī)則和編制格式遵循GB/T1.1-2020《標(biāo)

準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》和GB/T20001.10-2014《標(biāo)準(zhǔn)編寫

規(guī)則第10部分：產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)》中相應(yīng)條款規(guī)定。

2、確定主要內(nèi)容的依據(jù)

2.1、本文件的編制

修改采用IEC60068-2-82:2019(第二版)《環(huán)境試驗-第2-82部分：試驗-試驗Xw1：電子

組件用元器件和零件的晶須試驗方法》，對IEC60068-2-82（Edition2.02019-05）

《Environmentaltesting–Part2-82:Tests–TestXw1:Whiskertestmethodsforcomponentsand

partsusedinelectronicassemblies》標(biāo)準(zhǔn)進行翻譯并形成《環(huán)境試驗第2-82部分測試方法

xw1：電子電器元器件晶須測試方法》標(biāo)準(zhǔn)草案，名稱經(jīng)討論改為《電子組件用元器件和零

件的晶須試驗方法》，文件規(guī)定了對電氣或電子元器件以及機械零件例如代表成品階段的沖

壓/壓印零件(例如，跳線、靜電放電保護罩、機械固定件、壓接針和電子元器件中使用的其

他機械零件）的錫或錫合金表面處理的晶須試驗的規(guī)定。

2.2、本文件的編制主要依據(jù)

修改采用IEC60068-2-82:2019，并參考了GB/T2421-2020和GB/T2423.22-2012相關(guān)國家

標(biāo)準(zhǔn)。

3、解決的主要問題

電子行業(yè)內(nèi)在對錫或錫合金表面晶須觀察時并無國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)可依，本文件統(tǒng)一了晶須的檢

測標(biāo)準(zhǔn)，增加其在國內(nèi)的可操作性。本文件修改采用IEC60068-2-82:2019標(biāo)準(zhǔn)，將其編譯成

中文版本的國家標(biāo)準(zhǔn)，提供了顧客和供應(yīng)商關(guān)于電子系統(tǒng)控制晶須風(fēng)險的溝通和協(xié)商框架，

重點講述晶須的試驗方法，并對晶須進行定量評估，為晶須的鑒定提供統(tǒng)一協(xié)議。文件主要

包括范圍、規(guī)范性引用文件、術(shù)語和定義、縮略語（新增項）、試驗設(shè)備、試驗準(zhǔn)備、試驗

條件、監(jiān)測和技術(shù)相似性、試驗和評估、技術(shù)或制造工藝的變更、報告內(nèi)容、附錄。

三、主要試驗[或驗證]情況分析

[盡可能采用驗證數(shù)據(jù)的綜合分析，或采用行業(yè)領(lǐng)域調(diào)研后的綜述分析]

1.常溫存儲

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

根據(jù)本文件《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》7.2中的試驗條件要求，將試

樣放置在25℃，50%RH條件下4000h，如下表2，存儲完成后依據(jù)文件中附錄A的試驗方

法，在SEM下觀察器件表面晶須生長狀況，如圖1所示，試樣在常溫存儲4000h后，未見

有明顯晶須生長。

表2常溫存儲條件

存儲條件參數(shù)

溫度(25±10)°C

相對濕度(50±25)%RH

持續(xù)時間4?000h

25℃，50%RH，4000h

圖1代表性晶須測量SEM圖

2.濕熱試驗

根據(jù)本文件《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》7.3中濕熱試驗條件要求，考

察器件樣品在不同溫度和濕熱條件下，其鍍錫表面晶須生長狀況，樣品1在55℃，85%RH

的條件下放置4000h，樣品2在35℃，87%RH的條件下放置4000h，樣品3在55℃，87%RH

的條件下放置4000h。濕熱試驗完成后首先在體視顯微鏡下對鍍層表面進行觀察，對于有明

顯晶須生長可以觀察的到，如圖2所示。依據(jù)文件中附錄A的方法采用SEM對表面晶須進

行觀察和測量，從圖3中可以看到，在不同條件下各樣品表現(xiàn)出不同的晶須生長趨勢，晶須

有長有短，且呈現(xiàn)出不同的形態(tài)，有柱狀晶須、螺旋晶須、絲狀晶須等。

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晶須

晶須

圖2代表性晶須觀察體視圖

柱狀晶須

螺旋晶須

55℃，85%RH，4000h35℃，87%RH，4000h

螺旋晶須

55℃，87%RH，4000h

圖3代表性晶須測量SEM圖

為了研究不同鍍層厚度對晶須生長的影響，將不同樣品鍍上不同厚度的錫并進行晶須生

長試驗，觀察晶須生長情況。器件的鍍層厚度約為12μm，引線框架鍍層厚度約為5μm。

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

(a)(b)晶須

器件框架

(a)鍍層厚度12μm（b）鍍層厚度5μm

(c)器(d)

晶須

件框架

(c)鍍層厚度12μm（d）鍍層厚度5μm

圖475℃/87%RH不同鍍層厚度的樣品晶須生長形貌

圖4所示為在75℃/87%RH濕熱條件下不同鍍層厚度樣品的晶須生長形貌?？梢?，鍍層

為12μm的樣品晶須生長不明顯，而鍍層為5μm的樣品均有晶須長出。將不同樣品的晶須

生長進行SEM觀察，測量其生長尺寸結(jié)果如圖5所示，可以看出隨著試驗時間的推移，晶

須生長均呈增長趨勢。

（b）框架樣品

（a）器件樣品

圖575℃/87%RH不同鍍層厚度樣品晶須生長曲線

為研究器件引腳樣品經(jīng)歷不同濕熱時間后其晶須生長狀況，依據(jù)本文件《電子組件用元

器件和零件的晶須試驗方法》7.3中表4濕熱試驗條件要求進行穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(條件為：溫度

55℃，濕度85%RH)。如下表3為樣品在不同穩(wěn)態(tài)濕熱時長后，依據(jù)附錄A中測試方法要求，

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對引腳鍍錫層表面晶須尺寸測量結(jié)果。

表3濕熱試驗后晶須檢測結(jié)果

單位：μm

濕熱時間晶須測量結(jié)果

序號123456789

結(jié)果000000000

1000h

序號101112131415161718

結(jié)果000000000

序號123456789

結(jié)果000000000

2000h

序號101112131415161718

結(jié)果000000000

序號123456789

結(jié)果24.113.125.321.337.230.829.515.717.5

4000h

序號101112131415161718

結(jié)果23.029.718.733.627.430.028.617.220.9

3.溫度循環(huán)試驗

根據(jù)本文件《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》7.4中溫度循環(huán)試驗條件要求，

對器件樣品進行試驗，溫度循環(huán)試驗條件見下表4。溫循試驗完成后，依據(jù)文件中附錄A在

SEM下對樣品進行觀察和測量，從圖6中可見各樣品在溫度循環(huán)條件下試樣表面長出了晶

須，且表面出現(xiàn)了裂紋，晶須均從表面裂紋處長出。

表4溫度循環(huán)試驗條件

試驗項目試驗條件試驗總時間

-40℃～70℃；高低溫保持時間10min；約3個循環(huán)每小時3000循環(huán)

溫度循環(huán)

-40℃～85℃；高低溫保持時間10min；約3個循環(huán)每小時3000循環(huán)

-40℃～70℃溫循

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(a)(b)(c)

晶須晶須

晶須

-40℃～85℃溫循條件下不同器件晶須從表面裂紋處生長

圖6代表性晶須測量SEM圖

為研究器件引腳樣品經(jīng)歷不同溫度循環(huán)數(shù)后其晶須生長狀況，依據(jù)本文件《電子組件用

元器件和零件的晶須試驗方法》7.4溫循試驗條件(條件為：溫度-55℃，濕度85%RH)要求進

行試驗。如下表5為樣品經(jīng)歷相同溫濕度但不同循環(huán)數(shù)后，依據(jù)本文件附錄A中測試方法要

求，對器件鍍錫層表面晶須尺寸測量結(jié)果。

表5溫度循環(huán)后晶須檢測結(jié)果

單位：μm

溫度循環(huán)數(shù)晶須測量結(jié)果

序號123456789

結(jié)果14.411.812.615.611.714.714.512.915.3

1000Cycles

序號101112131415161718

結(jié)果12.521.011.610.910.813.914.014.720.1

序號123456789

結(jié)果21.320.616.225.216.922.119.516.117.4

2000Cycles

序號101112131415161718

結(jié)果15.519.117.520.518.513.814.913.422.0

3.綜合分析

結(jié)合以上檢測結(jié)果，體視顯微鏡下對于較明顯的晶須生長能觀察的到，但是對于晶須具

體形貌以及微小晶須就不能詳細觀察到。采用SEM成像，不僅能測量晶須的長度，也能觀察

到晶須的晶格形貌以及具體生長狀況。濕熱試驗結(jié)果：圖3中可以得知在不同條件下各樣品

表現(xiàn)出不同的晶須生長趨勢，晶須有長有短，且呈現(xiàn)出不同的形態(tài)；表3中可以看出，晶須

在1000h和2000h均未見明顯生長，而在濕熱4000h后出現(xiàn)增長現(xiàn)象；圖5中可以看出不同

厚度的鍍層晶須的生長狀態(tài)也不一致，隨著錫層厚度的增加，錫須生長長度減小，錫層厚度

大的器件錫須生長速度也較慢。溫度循環(huán)試驗結(jié)果：圖6中可以看出鍍層表面裂紋有助于晶

須的生長；表5中可以看出，隨著溫度循環(huán)數(shù)的增加，晶須趨于增長態(tài)勢。

綜上所述，晶須的生長與其所處周圍環(huán)境溫度、濕度、時間等均有密切關(guān)系，而對于晶

須的觀察和測量更需要在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范下的設(shè)備及方法才能得到科學(xué)直觀的研究數(shù)據(jù)。

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

四、知識產(chǎn)權(quán)情況說明

本文件不涉及專利和知識產(chǎn)權(quán)問題。

五、產(chǎn)業(yè)化情況、推廣應(yīng)用論證和預(yù)期達到的經(jīng)濟效果

歐盟限制在電子電氣設(shè)備中使用有害物質(zhì)法規(guī)（ROHS）已經(jīng)實施，禁止使用有害物質(zhì)

中包括鉛，成為電子行業(yè)最沉重負擔(dān)，迫使電子系統(tǒng)中諸多工藝、材料、元件、印制電路板

和設(shè)備均需改變。傳統(tǒng)能夠抑制晶須生長的鉛（Pb）由于無鉛化發(fā)展要求而逐步被Sn-Ag、

Sn-Ag-Cu、Sn-Bi、Sn-Cu等焊料替代。在二十世紀(jì)中期，電子工業(yè)已經(jīng)開始使用純錫鍍層，

由晶須導(dǎo)致的電氣故障案例中包括衛(wèi)生、導(dǎo)彈、航天飛行器等在內(nèi)的多起重大安全事故，消

費類電子產(chǎn)品中，據(jù)NASA統(tǒng)計，全球每年由于晶須生長造成的失效而產(chǎn)生的直接經(jīng)濟損失

高達數(shù)十億美元。

晶須是從固體表面自發(fā)生長出來，也稱“固有晶須”。常見是在錫、鎘、鋅、銻、銦等

金屬上生長。一般來講，晶須現(xiàn)象易出現(xiàn)在低熔點、延展性良好的材料上。錫的晶須簡稱晶

須，是一種單晶體結(jié)構(gòu)且導(dǎo)電。其種類包括：直線型晶須、彎曲型晶須、扭結(jié)型晶須、從小

丘上長出的晶須，如圖7所示。

直線型晶須彎曲型晶須

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

扭結(jié)型晶須從小丘上長出的晶須

圖7各類晶須代表性圖

晶須生長速率一般為0.03~0.9mm/年，在一定條件下，生長速率可能增加100倍或100倍

以上。其生長主要由電鍍層上開始，具有較長潛伏期，內(nèi)部應(yīng)力、外部機械應(yīng)力、晶格結(jié)構(gòu)、

鍍層類型和厚度、基體材料、溫度和濕度是影響晶須生長的因素。如圖8所示為晶須生長機

理。壓應(yīng)力為晶須生長的驅(qū)動力，應(yīng)力來源如電鍍化學(xué)過程、鍍錫層與基體材料的熱膨脹系

數(shù)不一致、基體材料向錫鍍層的擴散、外部機械應(yīng)力、金屬間化合物、環(huán)境應(yīng)力、錫的表面

氧化物等。

圖8晶須生長機理圖示

本文件的制訂有利于指導(dǎo)電氣組件用元器件和零件錫或錫合金表面晶須研究、生產(chǎn)的

內(nèi)部質(zhì)量管控，用以記錄其確保組裝件性能、可靠性、安全性以及認證可靠性的過程，最終

用戶統(tǒng)一產(chǎn)品的質(zhì)量要求和檢驗方法等。有利于保障產(chǎn)品質(zhì)量、推動上下游互信、規(guī)范市場

競爭，對促進電氣系統(tǒng)晶須可靠性管控發(fā)揮積極作用，社會效益顯著。

六、采用國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進標(biāo)準(zhǔn)情況

修改采用IEC60068-2-82:2019，并參考了GB/T2421-2020和GB/T2423.22-2012相關(guān)國家

標(biāo)準(zhǔn)。

七、與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性

本文件的編制過程中充分考慮到了與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)統(tǒng)一，遵守我國標(biāo)準(zhǔn)制定的法律、

法規(guī)、規(guī)章。

八、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)

無。

九、標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的建議

建議將本文件作為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)。

十、貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

本標(biāo)準(zhǔn)未新制定的國家標(biāo)準(zhǔn)，建議盡快發(fā)布實施，以使該標(biāo)準(zhǔn)貼近市場，跟上行業(yè)的技

術(shù)發(fā)展。

十一、替代或廢止現(xiàn)行相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議

本文件修改采用IEC60068-2-82:2019，為新制定的國家標(biāo)準(zhǔn)，無替代或廢止的相關(guān)現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)。

十二、其它應(yīng)予說明的事項

無。

國家標(biāo)準(zhǔn)《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》

編制工作組

2024-03-28

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

國家標(biāo)準(zhǔn)《電子組件用元器件和零件的晶須試驗方法》編制

說明

一、工作簡況

1、任務(wù)來源

本文件的制定是根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會文件《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達2023

年第三批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計劃的通知》（國標(biāo)委發(fā)〔2023〕58號）要

求進行，由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中興通訊股份有

限公司、廣州興森快捷電路科技有限公司、中國工程物理研究院、惠州市德賽西威汽車電子

股份有限公司、北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司、珠海松柏科技有限公司、深圳億鋮達新

材料有限公司、江蘇展芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司、佛山市承安集團股份有限公司、寧德時

代新能源科技股份有限公司共同承擔(dān)《環(huán)境試驗第2-82部分測試方法xw1：電子電器元

器件晶須測試方法》的編制，項目計劃編號為20230978-T-339，計劃下達日期為2023-12-01，

項目周期為18個月，應(yīng)報批日期為2025-06-01。

2、主要工作過程

2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草

在電子系統(tǒng)中，錫或錫合金表面會受到晶體結(jié)構(gòu)自然生長-“晶須”的影響，晶須的生

長會造成參數(shù)偏差、短路、燒毀等各種電氣故障，故需要標(biāo)準(zhǔn)化測試方法來幫助更快評估和

研發(fā)錫基產(chǎn)品?？紤]到電子組件用元器件和零件的錫或錫合金表面的晶須檢測方法目前在國

內(nèi)尚無行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)，項目計劃下達要求修改采用IEC60068-2-82（Edition2.02019-05）

《Environmentaltesting–Part2-82:Tests–TestXw1:Whiskertestmethodsforcomponentsand

partsusedinelectronicassemblies》標(biāo)準(zhǔn)，故編制組依據(jù)IEC60068-2-82標(biāo)準(zhǔn)于2023年12月

編譯形成了《環(huán)境試驗第2-82部分測試方法xw1：電子電器元器件晶須測試方法》國家

標(biāo)準(zhǔn)草案，于2024年1月30日編制組全體成員共12家單位參加了在珠海召開的國家標(biāo)準(zhǔn)

草案研討會，經(jīng)編制組內(nèi)部討論，提出了以下主要意見：

1）標(biāo)準(zhǔn)的格式需依據(jù)GB/T1.1標(biāo)準(zhǔn)要求進行修改；

2）標(biāo)準(zhǔn)名稱建議修改，不采用系列標(biāo)準(zhǔn)的名稱，名稱修改為《電子組件用元器件和零

件的晶須試驗方法》；

3）標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容中“錫須”和“晶須”名稱統(tǒng)一；

4）正文頁碼需調(diào)整更改；

國家標(biāo)準(zhǔn)編制說明

5）部分翻譯表達需要進一步完善優(yōu)化；

6）附錄編寫格式需要調(diào)整。

研討會后，編制組對標(biāo)準(zhǔn)中的內(nèi)容做了重要或較大的修改，在2024年01月29日更新

了內(nèi)部討論稿。并且根據(jù)會上具體分工，各編制組成員對修改后的標(biāo)準(zhǔn)進行審查，并在2024

年04月01日更新形成征求意見稿。

3、標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位及其所做的工作

接到此項任務(wù)后，組建了由工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究

院、中興通訊股份有限公司、廣州興森快捷電路科技有限公司、中國工程物理研究院、惠州

市德賽西威汽車電子股份有限公司、北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司、珠海松柏科技有限

公司、深圳億鋮達新材料有限公司、江蘇展芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司、佛山市承安集團股

份有限公司、寧德時代新能源科技股份有限公司組成的標(biāo)準(zhǔn)起草工作組。標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成

員單位及其分工見表1。

表1標(biāo)準(zhǔn)編制主要成員單位與工作分工

序號標(biāo)準(zhǔn)編制的主要成員單位承擔(dān)的工作

1工業(yè)和信息化部電子第五研究所調(diào)配資源，總體工作部署及標(biāo)準(zhǔn)草案撰寫，試驗驗證。

2中興通訊股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

3廣州興森快捷電路科技有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

4中國工程物理研究院編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核。

5惠州市德賽西威汽車電子股份有限公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

6北京七星華創(chuàng)微電子有限責(zé)任公司編寫標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容審核，試驗驗證。

7珠海松柏科技有限公司