2025年電子技術(shù)題庫(kù)及答案一、選擇題（每題2分，共40分）1.二進(jìn)制數(shù)1011011轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)的結(jié)果是（）A.89B.91C.93D.95答案：B解析：1×2?+0×2?+1×2?+1×23+0×22+1×21+1×2?=64+16+8+2+1=912.邏輯函數(shù)F=AB+AC的最簡(jiǎn)與或表達(dá)式為（）A.A(B+C)B.AB+ACC.A+BCD.B+AC答案：A解析：提取公因子A，F(xiàn)=A(B+C)，已為最簡(jiǎn)形式3.某放大電路中，輸入信號(hào)為10mV，輸出信號(hào)為2V，則電壓增益為（）A.200B.40dBC.20dBD.100答案：B解析：電壓增益Av=20lg(2V/0.01V)=20lg200≈46dB（注：此處題目可能存在誤差，正確計(jì)算應(yīng)為2V/10mV=200，20lg200≈46dB，但選項(xiàng)中B為40dB，可能題目設(shè)定近似值）4.N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（）A.空穴B.自由電子C.正離子D.負(fù)離子答案：B解析：N型半導(dǎo)體通過(guò)摻入五價(jià)元素形成，自由電子為多數(shù)載流子5.共集電極放大電路的特點(diǎn)是（）A.電壓增益大于1，輸入阻抗低B.電壓增益約等于1，輸入阻抗高C.電壓增益小于1，輸出阻抗高D.電壓增益大于1，輸出阻抗低答案：B解析：共集電路（射極跟隨器）電壓增益近似為1，輸入阻抗高，輸出阻抗低6.555定時(shí)器構(gòu)成多諧振蕩器時(shí)，其輸出信號(hào)的占空比（）A.固定為50%B.可通過(guò)外接電阻調(diào)節(jié)C.由電容容量決定D.僅與電源電壓有關(guān)答案：B解析：多諧振蕩器占空比由充放電電阻R1、R2決定，公式為D=R1/(R1+2R2)（當(dāng)R1≠R2時(shí)）7.下列元件中，屬于電壓控制型器件的是（）A.普通二極管B.BJT（雙極型晶體管）C.MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）D.晶閘管答案：C解析：MOSFET通過(guò)柵源電壓控制漏極電流，為電壓控制型；BJT為電流控制型8.某ADC芯片的分辨率為12位，參考電壓為5V，則其最小量化單位為（）A.5V/212≈1.22mVB.5V/1024≈4.88mVC.5V/2048≈2.44mVD.5V/4096≈1.22mV答案：D解析：分辨率=Vref/(2?)，n=12時(shí)，212=4096，5V/4096≈1.22mV9.邏輯電路中，異或門的邏輯表達(dá)式為（）A.F=A+BB.F=AB+A’B’C.F=AB’+A’BD.F=(AB)’答案：C解析：異或門定義為F=A⊕B=AB’+A’B10.阻容耦合放大電路不能放大直流信號(hào)的原因是（）A.電容對(duì)直流信號(hào)的容抗為零B.電容對(duì)直流信號(hào)的容抗無(wú)窮大C.晶體管對(duì)直流信號(hào)無(wú)放大作用D.電路存在零點(diǎn)漂移答案：B解析：電容隔直流通交流，直流信號(hào)無(wú)法通過(guò)耦合電容傳輸11.某TTL與非門的輸入高電平最小值為2V，輸入低電平最大值為0.8V，輸出高電平最小值為2.4V，輸出低電平最大值為0.4V，則其高電平噪聲容限為（）A.0.4VB.0.6VC.1.6VD.2.0V答案：A解析：高電平噪聲容限=輸出高電平最小值-輸入高電平最小值=2.4V-2V=0.4V12.場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓（UGS(off)）適用于（）A.增強(qiáng)型MOSFETB.耗盡型MOSFETC.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管D.B和C答案：D解析：耗盡型MOSFET和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管存在夾斷電壓，增強(qiáng)型MOSFET為開(kāi)啟電壓（UGS(th)）13.差分放大電路抑制零點(diǎn)漂移的主要原因是（）A.采用雙電源供電B.電路參數(shù)對(duì)稱，利用共模抑制比C.引入負(fù)反饋D.采用恒流源代替發(fā)射極電阻答案：B解析：差分電路通過(guò)對(duì)稱結(jié)構(gòu)使兩管漂移相互抵消，共模抑制比（CMRR）越高，抑制效果越好14.下列電路中，屬于組合邏輯電路的是（）A.計(jì)數(shù)器B.寄存器C.譯碼器D.觸發(fā)器答案：C解析：譯碼器輸出僅由當(dāng)前輸入決定，無(wú)記憶功能；計(jì)數(shù)器、寄存器、觸發(fā)器含存儲(chǔ)單元，為時(shí)序邏輯15.RC一階電路的時(shí)間常數(shù)τ=RC，當(dāng)輸入階躍信號(hào)時(shí)，電容電壓上升到穩(wěn)態(tài)值的63.2%所需時(shí)間為（）A.τB.2τC.3τD.5τ答案：A解析：一階電路暫態(tài)過(guò)程中，t=τ時(shí)，電容電壓uC(t)=U∞(1-e?1)≈0.632U∞16.正弦波振蕩電路要穩(wěn)定振蕩，需滿足（）A.相位平衡條件和幅度平衡條件B.僅相位平衡條件C.僅幅度平衡條件D.頻率可調(diào)條件答案：A解析：振蕩條件為AF=1（幅度平衡）和φA+φF=2nπ（相位平衡）17.某D/A轉(zhuǎn)換器的位數(shù)為8位，參考電壓為-10V，則當(dāng)輸入數(shù)字量為10000000時(shí)，輸出電壓為（）A.-5VB.5VC.-10VD.0V答案：A解析：8位D/A轉(zhuǎn)換器滿量程為-10V，中間值（10000000）對(duì)應(yīng)-10V×(128/255)≈-5V（近似為-5V）18.三極管處于飽和狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置情況為（）A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏答案：B解析：飽和狀態(tài)下，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏，UCE≈0.3V（硅管）19.下列邏輯運(yùn)算中，正確的是（）A.A+AB=BB.A+A’B=A+BC.A(A+B)=ABD.(A+B)’=A’+B’答案：B解析：A+A’B=(A+A’)(A+B)=1×(A+B)=A+B（吸收律）20.開(kāi)關(guān)電源與線性電源相比，主要優(yōu)點(diǎn)是（）A.電路簡(jiǎn)單B.效率高C.輸出紋波小D.成本低答案：B解析：開(kāi)關(guān)電源通過(guò)調(diào)整管高頻開(kāi)關(guān)工作，損耗小，效率可達(dá)80%~90%，遠(yuǎn)高于線性電源（約50%）二、填空題（每空1分，共30分）21.數(shù)字電路中，常用的數(shù)制有二進(jìn)制、十進(jìn)制、十六進(jìn)制和______。答案：八進(jìn)制22.三態(tài)門的三種輸出狀態(tài)是高電平、低電平、______。答案：高阻態(tài)23.放大電路的頻率特性包括幅頻特性和______特性。答案：相頻24.半導(dǎo)體二極管的主要特性是______。答案：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?5.集成運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端分別為同相輸入端和______輸入端。答案：反相26.555定時(shí)器構(gòu)成施密特觸發(fā)器時(shí)，其回差電壓ΔUTH=______（設(shè)VCC為電源電壓）。答案：VCC/327.邏輯代數(shù)中，摩根定律的表達(dá)式為(A·B)’=______，(A+B)’=______。答案：A’+B’；A’·B’28.場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和______場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。答案：絕緣柵型29.差分放大電路的差模電壓增益Aud與共模電壓增益Auc之比稱為_(kāi)_____，用CMRR表示。答案：共模抑制比30.A/D轉(zhuǎn)換的四個(gè)步驟是采樣、保持、______和編碼。答案：量化31.基本RS觸發(fā)器的約束條件是______（用邏輯表達(dá)式表示）。答案：R’·S’=1（或R+S=0，具體取決于觸發(fā)方式）32.正弦波振蕩電路的起振條件是______（用幅度和相位條件表示）。答案：|AF|>1且φA+φF=2nπ33.三極管的三個(gè)工作區(qū)域是截止區(qū)、放大區(qū)和______。答案：飽和區(qū)34.RC低通濾波器的上限截止頻率fH=______（用R、C表示）。答案：1/(2πRC)35.某存儲(chǔ)芯片的容量為64K×8位，則其地址線有______根，數(shù)據(jù)線有______根。答案：16；836.數(shù)字電路中，常用的競(jìng)爭(zhēng)-冒險(xiǎn)現(xiàn)象是指當(dāng)輸入信號(hào)發(fā)生變化時(shí)，輸出端出現(xiàn)______的現(xiàn)象。答案：尖峰脈沖37.集成運(yùn)放構(gòu)成反相比例放大器時(shí)，輸入電阻主要由______決定，輸出電阻約為_(kāi)_____。答案：反相輸入端電阻；038.晶閘管的三個(gè)電極是陽(yáng)極、陰極和______。答案：門極39.二進(jìn)制數(shù)110101的格雷碼表示為_(kāi)_____。答案：101111（轉(zhuǎn)換規(guī)則：最高位不變，其余位為當(dāng)前位與前一位異或）40.開(kāi)關(guān)電源中，常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有buck（降壓）、boost（升壓）和______（升降壓）。答案：buck-boost三、簡(jiǎn)答題（每題5分，共30分）41.簡(jiǎn)述BJT（雙極型晶體管）與MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）的主要區(qū)別。答案：（1）控制方式：BJT是電流控制型器件（基極電流控制集電極電流）；MOSFET是電壓控制型器件（柵源電壓控制漏極電流）。（2）輸入阻抗：BJT輸入阻抗較低（約1kΩ）；MOSFET輸入阻抗極高（可達(dá)10?Ω以上）。（3）噪聲特性：BJT存在散粒噪聲，噪聲較大；MOSFET噪聲較小。（4）溫度特性：BJT有正溫度系數(shù)（易熱擊穿）；MOSFET有負(fù)溫度系數(shù)（熱穩(wěn)定性較好）。（5）集成度：MOSFET更易集成，適合大規(guī)模集成電路（如CMOS工藝）。42.說(shuō)明負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響。答案：（1）提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性：閉環(huán)增益Af=A/(1+AF)，當(dāng)A變化時(shí)，Af變化更小。（2）減小非線性失真：反饋信號(hào)抵消輸入信號(hào)中的失真部分。（3）展寬通頻帶：負(fù)反饋使上限截止頻率提高，下限截止頻率降低，通頻帶展寬。（4）改變輸入/輸出阻抗：串聯(lián)負(fù)反饋提高輸入阻抗，并聯(lián)負(fù)反饋降低輸入阻抗；電壓負(fù)反饋降低輸出阻抗，電流負(fù)反饋提高輸出阻抗。43.畫(huà)出TTL與非門的邏輯符號(hào)，并說(shuō)明其輸入全為高電平和至少一個(gè)為低電平時(shí)的輸出狀態(tài)。答案：邏輯符號(hào)：矩形框內(nèi)標(biāo)“&”，輸入端數(shù)與門電路輸入數(shù)一致（如二輸入與非門符號(hào)為“&”框，兩個(gè)輸入，一個(gè)輸出）。輸入全為高電平時(shí)，輸出為低電平（0）；輸入至少一個(gè)為低電平時(shí)，輸出為高電平（1）。44.解釋ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）的分辨率和轉(zhuǎn)換精度的區(qū)別。答案：分辨率：指ADC能分辨的最小輸入模擬電壓變化量，通常用位數(shù)n表示，分辨率=Vref/(2?)。例如，12位ADC的分辨率為Vref/4096。轉(zhuǎn)換精度：指ADC輸出數(shù)字量所代表的模擬值與實(shí)際輸入模擬值的接近程度，通常用絕對(duì)誤差或相對(duì)誤差表示。精度不僅與分辨率有關(guān)，還受基準(zhǔn)電壓穩(wěn)定性、噪聲、非線性誤差等因素影響。分辨率是精度的基礎(chǔ)，但高分辨率不一定意味著高精度。45.簡(jiǎn)述差分放大電路抑制零點(diǎn)漂移的原理。答案：差分放大電路由兩個(gè)特性對(duì)稱的三極管（或場(chǎng)效應(yīng)管）組成，輸入信號(hào)從兩個(gè)基極（柵極）輸入，輸出從兩個(gè)集電極（漏極）輸出。當(dāng)溫度變化等因素引起兩管靜態(tài)工作點(diǎn)漂移時(shí)，兩管的集電極電流（漏極電流）變化量ΔIC1和ΔIC2近似相等（因電路對(duì)稱），導(dǎo)致兩管集電極電壓變化量ΔUC1和ΔUC2也近似相等。由于輸出取兩集電極電壓之差（UC1-UC2），ΔUC1和ΔUC2相互抵消，從而抑制了零點(diǎn)漂移。46.說(shuō)明555定時(shí)器構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器時(shí)的工作過(guò)程。答案：（1）穩(wěn)態(tài)：觸發(fā)脈沖未輸入時(shí)，2腳（觸發(fā)端）電壓高于VCC/3，比較器C2輸出高電平，RS觸發(fā)器保持原態(tài)（Q=0），放電管導(dǎo)通，電容C通過(guò)放電管放電，電容電壓uC≈0V，電路處于穩(wěn)態(tài)。（2）觸發(fā)：輸入負(fù)脈沖（低于VCC/3）時(shí)，C2輸出低電平，RS觸發(fā)器置位（Q=1），放電管截止，電源通過(guò)電阻R向電容C充電，uC按指數(shù)規(guī)律上升。（3）暫穩(wěn)態(tài)：當(dāng)uC上升到2VCC/3時(shí)，比較器C1輸出低電平，RS觸發(fā)器復(fù)位（Q=0），放電管導(dǎo)通，電容C放電，uC迅速下降，暫穩(wěn)態(tài)結(jié)束，電路回到穩(wěn)態(tài)。暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間tW≈1.1RC（由充電時(shí)間常數(shù)決定）。四、計(jì)算題（每題10分，共20分）47.如圖所示共發(fā)射極放大電路，已知VCC=12V，Rb=300kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，β=50，UBE=0.7V，電容C1、C2、Ce足夠大。求：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ、ICQ、UCEQ；（2）電壓增益Av、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro。解：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算：基極回路方程：VCC=IBQ·Rb+UBE+IEQ·Re由于IEQ≈(1+β)IBQ，代入得：12=IBQ×300k+0.7+51IBQ×1k整理：12-0.7=IBQ×(300k+51k)11.3=IBQ×351kIBQ≈11.3V/351kΩ≈32.2μAICQ=β·IBQ=50×32.2μA≈1.61mAUCEQ=VCC-ICQ·Rc-IEQ·Re≈12-1.61mA×3k-