(12)發(fā)明專利心有限公司地址214028江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱湖大道專利權(quán)人上海先方半導(dǎo)體有限公司所(特殊普通合伙)31313專利代理師張東梅試方法本發(fā)明涉及一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的信號(hào)測(cè)量單元獲取NandFlash芯片輸出的波形測(cè)試文件庫(kù)測(cè)試開始?jí)K擦除操作塊寫操作塊讀操作21.一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，其特征在于，所述SOC通用測(cè)試平臺(tái)包括：測(cè)試板卡，用于測(cè)試NandFlash芯片的性能；測(cè)試板卡上設(shè)置有插座，用于將NandFlash芯片固定在測(cè)試板卡上；測(cè)試通道，所述測(cè)試通道是線路，用于連接上位機(jī)和測(cè)試板卡；芯片電源供電模塊，用于為NandFlash芯片提供電源；信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元，用于為NandFlash芯片提供啟動(dòng)芯片進(jìn)行讀、寫和擦除的使能信號(hào)，以及提供寫入NandFlash芯片的數(shù)據(jù)；所述NandFlash測(cè)試方法包括：將NandFlash芯片通過(guò)插座插接在測(cè)試板卡上；啟動(dòng)芯片電源供電模塊為NandFlash芯片供電；定義測(cè)試文件和輔助測(cè)試文件；信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元提供啟動(dòng)NandFlash芯片進(jìn)行讀、寫和擦除的使能信號(hào)以及寫入的數(shù)信號(hào)測(cè)量單元獲取NandFlash芯片輸出的波形進(jìn)行運(yùn)算，判斷壞塊的數(shù)量是否超過(guò)閾無(wú)需額外的NandFlash控制器。2.如權(quán)利要求1所述的基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，其特征在于，還3.如權(quán)利要求1所述的基于通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，其特征在于，所述插座上設(shè)置有測(cè)試接口；芯片的管腳與插座上的測(cè)試接口電連接。4.如權(quán)利要求1所述的基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，其特征在于，所定義讀測(cè)試文件，所述讀測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊讀操作；定義寫測(cè)試文件，所述寫測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊寫操作；定義擦除文件，所述擦除文件用于NandFlash芯片的塊擦除操作；定義測(cè)試flow文件，所述flow文件規(guī)定了NandFlash測(cè)試的流程；定義configer文件，所述configer文件規(guī)定了NandFlash芯片的管腳與測(cè)試接口的連接順序；定義level文件，所述level文件定義芯片輸出的測(cè)試信號(hào)以及信號(hào)測(cè)量單元采集到的信號(hào)的邏輯關(guān)系；定義limit文件，所述limit文件定義壞塊數(shù)量的閾值。5.如權(quán)利要求4所述的基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，其特征在于，所3號(hào)驅(qū)動(dòng)單元中的接口封裝庫(kù)內(nèi)封裝的NandFlash操作命令包括讀read、寫write和擦除read(Block_Number,Read_Patwrite(Block_Number,Write_Paterase(Block_Number,ErRead_Pattern,Write_Pattern,Erase_Pattern表示片選信號(hào)CE,地址信號(hào)ALE,命令信Read_Pattern,Write_Pattern和Erase_Pattern定義了不同類型的信號(hào)在不同周期內(nèi)從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用寫測(cè)試文件進(jìn)行Nan從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用DC類測(cè)試文件進(jìn)行Nan4一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法。背景技術(shù)[0002]NandFlash芯片以其容量大、讀寫速度快、價(jià)格低廉等絕對(duì)優(yōu)勢(shì)迅速崛起，在移動(dòng)存儲(chǔ)和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)中得到廣泛的應(yīng)用。為了保證NandFlash芯片能長(zhǎng)期可靠的工作，需要對(duì)NandFlash芯片進(jìn)行測(cè)試。傳統(tǒng)的測(cè)試方法依賴NandFlash控制器廠商提供的評(píng)估板或?qū)Ｓ玫腘andFlash測(cè)試平臺(tái)。不同控制器廠商開發(fā)的評(píng)估板或?qū)Ｓ脺y(cè)試平臺(tái)的軟硬件兼容性較差，開發(fā)效率低，成本高，不能滿足NandFlash的可靠測(cè)試。面對(duì)各種各樣的控制器廠商以及他們彼此不兼容的評(píng)估板或?qū)Ｓ脺y(cè)試平臺(tái)，快捷、高效、可靠的測(cè)試NandFlash芯片較為困難。其次，由于不同廠商的NandFlash的工藝不同，NandFlash的特性也大相徑庭，傳統(tǒng)方式僅支持部分固定特性的測(cè)試，對(duì)于有些特殊測(cè)試，傳統(tǒng)的測(cè)試無(wú)法滿足，且開發(fā)周期久，軟件兼容性差，成本高。因此有必要開發(fā)一種基于通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，以便能夠快捷、高效、可靠的完成對(duì)NandFlash的測(cè)試。發(fā)明內(nèi)容[0003]本發(fā)明的任務(wù)是提供一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，通過(guò)該方法可以對(duì)各類封裝、各種型號(hào)的NandFlash進(jìn)行讀、寫和擦除測(cè)試，無(wú)需額外的NandFlash控制器，減少了測(cè)試中間環(huán)節(jié)，大大提高了測(cè)試可靠性；此方法既可以對(duì)固定特性驗(yàn)證測(cè)試，也可以自定義測(cè)試流程并提供測(cè)試結(jié)果，增加了NandFlash測(cè)試的靈活性，提高了測(cè)試效率，減少測(cè)試成本。[0004]在本發(fā)明的第一方面，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，包括：[0005]將NandFlash芯片通過(guò)插座插接在測(cè)試板卡上；[0006]啟動(dòng)芯片電源供電模塊為NandFlash芯片供電；[0007]定義測(cè)試文件和輔助測(cè)試文件；[0008]信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元提供啟動(dòng)NandFlash芯片進(jìn)行讀、寫和擦除的使能信號(hào)以及寫入的數(shù)據(jù)；[0009]NandFlash芯片進(jìn)行擦除、寫和讀測(cè)試；以及[0010]信號(hào)測(cè)量單元獲取NandFlash芯片輸出的波形進(jìn)行運(yùn)算，判斷壞塊的數(shù)量是否超過(guò)閾值。[0011]在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案中規(guī)定，還包括確定擦除、寫、讀的起始地址。[0012]在本發(fā)明的另一優(yōu)選方案中規(guī)定，所述插座上設(shè)置有測(cè)試接口；[0013]芯片的管腳與插座上的測(cè)試接口電連接。[0014]在本發(fā)明的又一優(yōu)選方案中規(guī)定，所述定義測(cè)試文件，包括：5[0015]定義讀測(cè)試文件，所述讀測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊讀操作；[0016]定義寫測(cè)試文件，所述寫測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊寫操作；[0017]定義擦除文件，所述擦除文件用于NandFlash芯片的塊擦除操作；[0018]定義測(cè)試flow文件，所述flow文件規(guī)定了NandFlash測(cè)試的流程；[0019]定義configer文件，所述configer文件規(guī)定了NandFlash芯片的管腳與測(cè)試接口的連接順序；[0020]定義level文件，所述level文件定義芯片輸出的測(cè)試信號(hào)以及信號(hào)測(cè)量單元采集到的信號(hào)的邏輯關(guān)系；[0021]定義Timing文件，所述Timing文件定義時(shí)間軸上的關(guān)系；以及[0022]定義limit文件，所述limit文件定義壞塊數(shù)量的閾值。[0023]在本發(fā)明的另一優(yōu)選方案中規(guī)定，所述測(cè)試文件存儲(chǔ)在信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元的測(cè)試文件庫(kù)中。[0024]在本發(fā)明的又一優(yōu)選方案中規(guī)定，信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元中的接口封裝庫(kù)內(nèi)封裝的NandFlash操作命令包括讀read、寫write和擦除erase。[0025]在本發(fā)明的另一優(yōu)選方案中規(guī)定，所述操作命令的參數(shù)包括：[0029]其中，Block_Number表示進(jìn)行讀、寫以及擦除操作的塊范圍；[0030]Read_Pattern,Write_Pattern,Erase_Pattern表示片選信號(hào)CE,地址信號(hào)ALE,命令信號(hào)CLE,寫使能信號(hào)WE和讀使能信號(hào)RE以及數(shù)據(jù)輸入輸出信號(hào)I/0;[0031]Read_Pattern,Write_Pattern和Erase_Pattern定義了不同類型的信號(hào)在不同周期內(nèi)的測(cè)試波形以及NandFlash芯片輸出的波形。[0032]在本發(fā)明的又一優(yōu)選方案中規(guī)定，根據(jù)所述flow文件定義的測(cè)試流程，進(jìn)行NandFlash芯片的擦除、寫和讀測(cè)試，包括：[0033]從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用擦除測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊擦除操作；[0034]從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用寫測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊寫操作；[0035]從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用讀測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊讀操作；以及[0036]從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用DC類測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的工作電流和電壓測(cè)試。[0037]在本發(fā)明的另一優(yōu)選方案中規(guī)定，若壞塊數(shù)量超過(guò)規(guī)定閾值，NandFlash芯片判定為不合格；[0038]若壞塊數(shù)量沒有超過(guò)規(guī)定閾值，NandFlash芯片判定為合格。[0039]在本發(fā)明的第二方面，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于NandFlash測(cè)試的SOC通用測(cè)試平臺(tái)，包括：[0040]測(cè)試板卡，用于測(cè)試NandFlash芯片的性能；測(cè)試板卡上設(shè)置有插座，用于將NandFlash芯片固定在測(cè)試板卡上；[0041]測(cè)試通道，所述測(cè)試通道是線路，用于連接上位機(jī)和測(cè)試板卡；[0042]上位機(jī)，所述上位機(jī)包括：[0043]芯片電源供電模塊，用于為NandFlash芯片提供電源；CN114220472B說(shuō)明書3/5頁(yè)6[0046]本發(fā)明至少具有下列有益效果：本發(fā)明公開了一種基于通用測(cè)試平臺(tái)的Nand既可以對(duì)固定特性驗(yàn)證測(cè)試，也可以根據(jù)需求自定義測(cè)試流程并提供測(cè)試結(jié)果，增加了[0049]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于NandFlash[0050]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試[0055]在此還應(yīng)當(dāng)指出，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，“相同”、“相等”、“等于”等措辭并不意味著基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是明示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為明示或暗示相對(duì)重要性。7[0057]另外，本發(fā)明的實(shí)施例以特定順序?qū)に嚥襟E進(jìn)行描述，然而這只是為了方便區(qū)分各步驟，而并不是限定各步驟的先后順序，在本發(fā)明的不同實(shí)施例中，可根據(jù)工藝的調(diào)節(jié)來(lái)調(diào)整各步驟的先后順序。[0058]圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種NandFlash測(cè)試方法示意圖。[0059]如圖1所示，現(xiàn)階段主流的NandFlash測(cè)試方法如下：首先，上位機(jī)控制NandFlash控制器輸出命令，上位機(jī)中的上位機(jī)控制器控制NandFlash控制器中的命令執(zhí)行模的測(cè)試信號(hào)并上傳給上位機(jī)，上位機(jī)的數(shù)據(jù)處理模塊對(duì)數(shù)據(jù)分析并可視化顯示測(cè)試操作。[0060]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于NandFlash測(cè)試的SOC通用測(cè)試平臺(tái)的示意圖。[0061]如圖2所示，測(cè)試Nan[0062]測(cè)試板卡，用于測(cè)試NandFlaFlash芯片固定在測(cè)試板卡上；插座上設(shè)置有測(cè)試接口；[0065]芯片電源供電模塊(DPS模塊),用于為NandFlash芯片提供電源；[0066]信號(hào)測(cè)量單元，用于接收NandFlash芯片輸出的波形，然后進(jìn)行運(yùn)算，判斷NandFlash芯片的測(cè)量結(jié)果；[0067]信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元，用于為NandFlash芯片提供啟動(dòng)芯片進(jìn)行讀、寫和擦除的使能信號(hào)，還可以提供需要寫入NandFlash芯片的數(shù)據(jù)。[0068]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基于SOC通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法流程圖。[0069]基于通用測(cè)試平臺(tái)的NandFlash測(cè)試方法，包括如下步驟：[0070]在步驟1,將NandFlash芯片通過(guò)插座插接在測(cè)試板卡上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，芯片的管腳與插座上的測(cè)試接口電連接。[0071]在步驟2,啟動(dòng)芯片電源供電模塊為NandFlash芯片供電。[0072]在步驟3,定義測(cè)試文件和輔助測(cè)試文件。定義測(cè)試文件包括：定義讀測(cè)試文件，讀測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊讀操作；定義寫測(cè)試文件，寫測(cè)試文件用于NandFlash芯片的塊寫操作；定義擦除文件，擦除文件用于NandFlash芯片的塊擦除操作；[0073]定義測(cè)試flow文件，flow文件規(guī)定了NandFlash測(cè)試的流程和操作命令參數(shù)；定義configer文件，configer文件規(guī)定了NandFlash芯片的管腳與測(cè)試接口的連接順序，例如第一個(gè)管腳和第一個(gè)測(cè)試通道連接；定義level文件，level文件定義芯片輸出的測(cè)試信號(hào)以及信號(hào)測(cè)量單元采集到的信號(hào)的邏輯關(guān)系，例如高電壓的范圍，低電壓的范圍；定義的運(yùn)行頻率，即讀、寫和擦除一個(gè)數(shù)據(jù)的周期，Timing文件還可以定義上升沿時(shí)間，下降沿時(shí)間；定義limit文件，limit文件定義壞塊數(shù)量的閾值。若壞塊的數(shù)量超過(guò)閾值，NandFlash芯片判定為不合格。[0074]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試文件存儲(chǔ)在信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元的測(cè)試文件庫(kù)中。8[0075]在步驟4,信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元提供啟動(dòng)NandFlash芯片進(jìn)行讀、寫和擦除的使能信號(hào)以及寫入的數(shù)據(jù)。信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元中的接口封裝庫(kù)內(nèi)封裝的NandFlash操作命令包括讀read、寫write和擦除erase。其中操作命令參數(shù)包括：[0078]erase(Block_Number,Erase_PattePattern,Erase_Pattern表示片選信號(hào)CE,地址信號(hào)ALE,命令信號(hào)CLE,寫使能信號(hào)WE和讀使能信號(hào)RE,以及數(shù)據(jù)輸入輸出信號(hào)I/0;Read_Pattern,Write_Pattern和Erase_Pattern定義了上述不同類型的信號(hào)在不同周期內(nèi)的測(cè)試波形以及NandFlash芯片輸出的波形。遍歷所有地址，直到最后一個(gè)地址。[0081]在步驟6,NandFlash芯片進(jìn)行擦除、寫和讀測(cè)試。按照f(shuō)low文件定義的測(cè)試流程，進(jìn)行NandFlash芯片的擦除、寫和讀測(cè)試，包括：從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用擦除測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊擦除操作；從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用寫測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊寫操作；從測(cè)試文件庫(kù)中調(diào)用讀測(cè)試文件進(jìn)行NandFlash芯片的塊讀