人工合成晶體工崗前安全教育考核試卷含答案人工合成晶體工崗前安全教育考核試卷含答案考生姓名：答題日期：判卷人：得分：題型單項(xiàng)選擇題多選題填空題判斷題主觀題案例題得分本次考核旨在檢驗(yàn)學(xué)員對(duì)人工合成晶體工崗位安全知識(shí)的掌握程度，確保學(xué)員了解相關(guān)安全操作規(guī)程，提高安全意識(shí)和應(yīng)急處理能力，為實(shí)際工作提供保障。

一、單項(xiàng)選擇題（本題共30小題，每小題0.5分，共15分，在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種物質(zhì)是常用的溶劑？（）

A.水

B.乙醇

C.丙酮

D.氨水

2.在人工合成晶體生產(chǎn)中，下列哪種操作可能引發(fā)火災(zāi)？（）

A.晶體生長(zhǎng)

B.晶體切割

C.晶體清洗

D.晶體拋光

3.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)保持的溫度范圍是？（）

A.10-30℃

B.15-35℃

C.20-40℃

D.25-45℃

4.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)裂紋？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

5.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，下列哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行維護(hù)？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

6.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)配備哪些消防設(shè)施？（）

A.滅火器、消防栓

B.消防噴淋系統(tǒng)、防煙排煙系統(tǒng)

C.滅火器、防煙排煙系統(tǒng)

D.消防噴淋系統(tǒng)、消防栓

7.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能引起中毒？（）

A.溶劑揮發(fā)

B.晶體切割粉塵

C.晶體拋光研磨

D.晶體清洗液泄漏

8.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行通風(fēng)？（）

A.自然通風(fēng)

B.機(jī)械通風(fēng)

C.自然通風(fēng)與機(jī)械通風(fēng)相結(jié)合

D.以上都不對(duì)

9.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)氣泡？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

10.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)爆炸？（）

A.晶體切割

B.晶體清洗

C.晶體拋光

D.晶體生長(zhǎng)

11.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行個(gè)人防護(hù)？（）

A.穿戴防護(hù)服

B.戴防護(hù)眼鏡

C.戴防護(hù)手套

D.以上都是

12.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)色斑？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

13.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行清潔？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

14.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行廢棄物處理？（）

A.分類收集

B.集中處理

C.隨意丟棄

D.以上都不對(duì)

15.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)分層？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

16.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)火災(zāi)？（）

A.晶體生長(zhǎng)

B.晶體切割

C.晶體清洗

D.晶體拋光

17.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)保持的濕度范圍是？（）

A.10-30%

B.15-35%

C.20-40%

D.25-45%

18.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)雜質(zhì)？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

19.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行潤(rùn)滑？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

20.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)劃痕？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

21.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行緊急疏散？（）

A.制定應(yīng)急預(yù)案

B.定期進(jìn)行疏散演練

C.以上都是

D.以上都不是

22.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)晶界？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

23.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)爆炸？（）

A.晶體切割

B.晶體清洗

C.晶體拋光

D.晶體生長(zhǎng)

24.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)氣泡？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

25.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行個(gè)人防護(hù)？（）

A.穿戴防護(hù)服

B.戴防護(hù)眼鏡

C.戴防護(hù)手套

D.以上都是

26.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)色斑？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

27.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行維護(hù)？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

28.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)雜質(zhì)？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

29.以下哪種情況可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)劃痕？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

30.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行廢棄物處理？（）

A.分類收集

B.集中處理

C.隨意丟棄

D.以上都不對(duì)

二、多選題（本題共20小題，每小題1分，共20分，在每小題給出的選項(xiàng)中，至少有一項(xiàng)是符合題目要求的）

1.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些因素會(huì)影響晶體的質(zhì)量？（）

A.溫度控制

B.溶劑純度

C.晶體生長(zhǎng)速度

D.晶體攪拌速度

E.生長(zhǎng)爐的穩(wěn)定性

2.在人工合成晶體生產(chǎn)車間，以下哪些是必須遵守的安全規(guī)定？（）

A.穿戴個(gè)人防護(hù)裝備

B.嚴(yán)禁煙火

C.定期進(jìn)行設(shè)備維護(hù)

D.熟悉應(yīng)急預(yù)案

E.隨意丟棄廢棄物

3.以下哪些操作可能導(dǎo)致人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中的火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)？（）

A.使用易燃溶劑

B.晶體切割

C.晶體清洗

D.晶體拋光

E.晶體生長(zhǎng)

4.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些是可能導(dǎo)致中毒的風(fēng)險(xiǎn)因素？（）

A.溶劑揮發(fā)

B.晶體切割粉塵

C.晶體拋光研磨

D.晶體清洗液泄漏

E.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)

5.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)具備的通風(fēng)措施？（）

A.自然通風(fēng)

B.機(jī)械通風(fēng)

C.定期檢查通風(fēng)系統(tǒng)

D.保持車間內(nèi)空氣流通

E.忽略通風(fēng)問(wèn)題

6.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)裂紋的原因？（）

A.溫度波動(dòng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

E.晶體生長(zhǎng)爐不穩(wěn)定

7.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)氣泡的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)雜質(zhì)

8.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)配備的消防設(shè)施？（）

A.滅火器

B.消防栓

C.消防噴淋系統(tǒng)

D.防煙排煙系統(tǒng)

E.滅火毯

9.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中需要定期進(jìn)行的維護(hù)工作？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

E.通風(fēng)系統(tǒng)

10.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)分層的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)壓力不穩(wěn)定

11.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行個(gè)人防護(hù)的措施？（）

A.穿戴防護(hù)服

B.戴防護(hù)眼鏡

C.戴防護(hù)手套

D.戴防護(hù)口罩

E.忽略個(gè)人防護(hù)

12.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)色斑的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)雜質(zhì)

13.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中需要定期進(jìn)行的清潔工作？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

E.通風(fēng)系統(tǒng)

14.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行廢棄物處理的措施？（）

A.分類收集

B.集中處理

C.隨意丟棄

D.定期檢查廢棄物處理設(shè)施

E.忽略廢棄物處理

15.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)分層的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)快

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)壓力不穩(wěn)定

16.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行緊急疏散的措施？（）

A.制定應(yīng)急預(yù)案

B.定期進(jìn)行疏散演練

C.忽略緊急疏散演練

D.確保疏散通道暢通

E.忽略疏散通道的維護(hù)

17.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)雜質(zhì)的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.溶劑純度不高

C.晶體攪拌速度過(guò)快

D.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)雜質(zhì)

18.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中需要定期進(jìn)行的潤(rùn)滑工作？（）

A.晶體生長(zhǎng)爐

B.晶體切割機(jī)

C.晶體清洗設(shè)備

D.晶體拋光機(jī)

E.通風(fēng)系統(tǒng)

19.以下哪些是可能導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中出現(xiàn)劃痕的原因？（）

A.溫度控制不當(dāng)

B.晶體攪拌速度過(guò)慢

C.晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢

D.晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)短

E.晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)壓力不穩(wěn)定

20.以下哪些是人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行廢棄物處理的措施？（）

A.分類收集

B.集中處理

C.隨意丟棄

D.定期檢查廢棄物處理設(shè)施

E.忽略廢棄物處理

三、填空題（本題共25小題，每小題1分，共25分，請(qǐng)將正確答案填到題目空白處）

1.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，常用的溶劑包括_________、_________、_________等。

2.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)保持的溫度范圍一般為_________℃左右。

3.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，溫度控制不當(dāng)可能導(dǎo)致_________、_________等問(wèn)題。

4.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，溶劑揮發(fā)是導(dǎo)致_________的風(fēng)險(xiǎn)因素之一。

5.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)配備_________、_________等消防設(shè)施。

6.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，可能導(dǎo)致中毒的風(fēng)險(xiǎn)因素包括_________、_________等。

7.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行通風(fēng)？應(yīng)采取_________相結(jié)合的方式。

8.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋？（_________）

9.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)火災(zāi)？（_________）

10.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)保持的濕度范圍一般為_________%左右。

11.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)氣泡？（_________）

12.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行維護(hù)？（_________）

13.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行個(gè)人防護(hù)？（_________）

14.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)分層？（_________）

15.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)爆炸？（_________）

16.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行緊急疏散？（_________）

17.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)雜質(zhì)？（_________）

18.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種設(shè)備需要定期進(jìn)行潤(rùn)滑？（_________）

19.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)劃痕？（_________）

20.人工合成晶體生產(chǎn)車間應(yīng)如何進(jìn)行廢棄物處理？（_________）

21.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)色斑？（_________）

22.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)晶界？（_________）

23.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)雜質(zhì)？（_________）

24.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種操作可能引發(fā)火災(zāi)？（_________）

25.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，以下哪種情況可能導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋？（_________）

四、判斷題（本題共20小題，每題0.5分，共10分，正確的請(qǐng)?jiān)诖痤}括號(hào)中畫√，錯(cuò)誤的畫×）

1.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，溶劑的純度越高，晶體的質(zhì)量越好。（）

2.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，溫度波動(dòng)是正?，F(xiàn)象，不需要特別控制。（）

3.人工合成晶體生產(chǎn)車間，任何情況下都可以穿著日常服裝進(jìn)行操作。（）

4.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，攪拌速度越快，晶體生長(zhǎng)速度越快。（）

5.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，可以使用任何類型的溶劑進(jìn)行清洗。（）

6.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)氣泡是由于晶體生長(zhǎng)速度過(guò)快造成的。（）

7.人工合成晶體生產(chǎn)車間，消防設(shè)施只需定期檢查即可。（）

8.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)裂紋是由于晶體攪拌速度過(guò)快造成的。（）

9.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，溶劑揮發(fā)是安全的，不需要特別注意。（）

10.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)色斑是由于晶體生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)造成的。（）

11.人工合成晶體生產(chǎn)車間，個(gè)人防護(hù)裝備可以根據(jù)個(gè)人喜好選擇。（）

12.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)雜質(zhì)是由于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)雜質(zhì)造成的。（）

13.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，潤(rùn)滑工作可以忽略，因?yàn)樵O(shè)備不會(huì)磨損。（）

14.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)劃痕是由于晶體生長(zhǎng)速度過(guò)慢造成的。（）

15.人工合成晶體生產(chǎn)車間，廢棄物處理可以隨意進(jìn)行，因?yàn)椴粫?huì)對(duì)環(huán)境造成影響。（）

16.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)分層是由于晶體攪拌速度過(guò)慢造成的。（）

17.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，緊急疏散演練是多余的，因?yàn)椴粫?huì)發(fā)生緊急情況。（）

18.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)雜質(zhì)是由于溶劑純度不高造成的。（）

19.人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，潤(rùn)滑工作可以減少設(shè)備磨損，提高生產(chǎn)效率。（）

20.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，出現(xiàn)裂紋是由于溫度控制不當(dāng)造成的。（）

五、主觀題（本題共4小題，每題5分，共20分）

1.請(qǐng)結(jié)合人工合成晶體工崗的實(shí)際情況，闡述進(jìn)行安全教育的必要性。

2.在人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，如何有效地預(yù)防和控制火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)？

3.針對(duì)人工合成晶體生產(chǎn)車間的個(gè)人防護(hù)，請(qǐng)列舉至少三種常見的防護(hù)措施及其作用。

4.請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)應(yīng)急預(yù)案，用于應(yīng)對(duì)人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中可能發(fā)生的緊急情況。

六、案例題（本題共2小題，每題5分，共10分）

1.案例背景：某人工合成晶體生產(chǎn)企業(yè)在進(jìn)行晶體拋光作業(yè)時(shí)，由于拋光液泄漏，導(dǎo)致操作員不慎中毒。請(qǐng)分析該事故的原因，并提出相應(yīng)的預(yù)防措施。

2.案例背景：在人工合成晶體生產(chǎn)過(guò)程中，由于晶體生長(zhǎng)爐溫度控制不穩(wěn)定，導(dǎo)致生長(zhǎng)出的晶體出現(xiàn)裂紋。請(qǐng)分析該問(wèn)題的原因，并提出解決方案。

標(biāo)準(zhǔn)答案

一、單項(xiàng)選擇題

1.A

2.A

3.B

4.A

5.A

6.A

7.A

8.C

9.A

10.D

11.D

12.A

13.A

14.B

15.A

16.A

17.B

18.A

19.A

20.D

21.D

22.A

23.A

24.A

25.A

二、多選題

1.A,B,C,D,E

2.A,B,C,D

3.A,D

4.A,B,C,D

5.A,B,C,D

6.A,B,C,D,E

7.A,B

8.A,B,C,D,E

9.A,B,C,D,E

10.A,B,C,D

11.A,B,C,D

12.A,B,C,D,E

13.A,B,C,D,E

14.A,B,D

15.A,B,C,D

16.A,B,C,D

17.A,B,C,D

18.A,B,C,D

19.A,B,C,D

20.A,B,C,D

三、填空題

1.水，乙醇，丙酮

2.20-40

3.溫度波動(dòng)，裂紋

4.溶劑揮發(fā)

5.滅火器，消防栓

6.溶劑揮發(fā)，晶體切割粉塵

7.自然通風(fēng)與機(jī)械通風(fēng)相結(jié)合

8.溫