固體化學(xué)考試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種晶體結(jié)構(gòu)具有最高的對(duì)稱性？A.簡單立方B.體心立方C.面心立方D.六方2.固體中原子擴(kuò)散的主要機(jī)制是？A.間隙擴(kuò)散B.空位擴(kuò)散C.易位擴(kuò)散D.環(huán)形擴(kuò)散3.下列哪種物質(zhì)屬于離子晶體？A.NaClB.CuC.SiD.CO?4.決定晶體結(jié)構(gòu)的主要因素是？A.原子半徑B.原子電負(fù)性C.配位數(shù)和配位多面體D.鍵長5.固體表面能的大小與什么有關(guān)？A.溫度B.晶體結(jié)構(gòu)C.表面積D.以上都是6.哪種缺陷會(huì)使晶體呈電中性？A.肖特基缺陷B.弗倫克爾缺陷C.雜質(zhì)缺陷D.色心7.以下哪種材料常用于半導(dǎo)體？A.金屬B.陶瓷C.高分子D.硅8.晶體生長的基本過程不包括？A.成核B.長大C.擴(kuò)散D.溶解9.固體的熱膨脹主要源于？A.原子振動(dòng)加劇B.電子躍遷C.晶格畸變D.化學(xué)鍵斷裂10.下列哪種物質(zhì)是典型的共價(jià)晶體？A.金剛石B.石墨C.冰D.云母答案：1.C2.B3.A4.C5.D6.B7.D8.D9.A10.A多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.晶體的基本性質(zhì)包括？A.自限性B.各向異性C.對(duì)稱性D.有固定熔點(diǎn)2.影響固體中擴(kuò)散系數(shù)的因素有？A.溫度B.晶體結(jié)構(gòu)C.雜質(zhì)D.濃度梯度3.離子晶體的特點(diǎn)有？A.硬度高B.脆性大C.導(dǎo)電性差D.熔點(diǎn)高4.晶體結(jié)構(gòu)的類型有？A.離子晶體結(jié)構(gòu)B.原子晶體結(jié)構(gòu)C.分子晶體結(jié)構(gòu)D.金屬晶體結(jié)構(gòu)5.固體表面的吸附類型包括？A.物理吸附B.化學(xué)吸附C.離子交換吸附D.共價(jià)吸附6.晶體中的缺陷類型有？A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.體缺陷7.半導(dǎo)體材料的特性有？A.電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間B.有熱敏性C.有光敏性D.可摻雜改性8.晶體生長的方法有？A.氣相生長B.液相生長C.固相生長D.外延生長9.固體熱傳導(dǎo)的機(jī)制有？A.電子導(dǎo)熱B.聲子導(dǎo)熱C.光子導(dǎo)熱D.雜質(zhì)導(dǎo)熱10.常見的晶體結(jié)構(gòu)分析方法有？A.X射線衍射B.電子衍射C.中子衍射D.紅外光譜答案：1.ABCD2.ABC3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABC7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABC判斷題（每題2分，共10題）1.所有固體都具有晶體結(jié)構(gòu)。（）2.空位擴(kuò)散比間隙擴(kuò)散更容易發(fā)生。（）3.離子晶體中離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。（）4.晶體的對(duì)稱性越高，其物理性質(zhì)的各向異性越明顯。（）5.固體表面能總是大于零。（）6.肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷都會(huì)使晶體密度降低。（）7.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力不能通過外界條件改變。（）8.晶體生長過程中，成核速率越大，晶體顆粒越大。（）9.熱膨脹系數(shù)大的固體，其熱穩(wěn)定性好。（）10.共價(jià)晶體中原子通過共價(jià)鍵結(jié)合，具有較高的硬度和熔點(diǎn)。（）答案：1.×2.×3.√4.×5.√6.×7.×8.×9.×10.√簡答題（總4題，每題5分）1.簡述晶體結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系。答：晶體結(jié)構(gòu)決定其性能，如離子晶體硬度高、脆性大、熔點(diǎn)高、導(dǎo)電性差；原子晶體硬度高、熔點(diǎn)高；分子晶體硬度低、熔點(diǎn)低；金屬晶體導(dǎo)電性好、有延展性等。2.說明固體中原子擴(kuò)散的影響因素。答：溫度越高擴(kuò)散越快；晶體結(jié)構(gòu)不同擴(kuò)散系數(shù)不同；雜質(zhì)會(huì)影響擴(kuò)散；濃度梯度是擴(kuò)散動(dòng)力。3.簡述晶體中的點(diǎn)缺陷類型及特點(diǎn)。答：有點(diǎn)缺陷，如肖特基缺陷使晶體體積增大，密度降低；弗倫克爾缺陷晶體體積不變，密度不變，它們都會(huì)影響晶體電學(xué)、光學(xué)等性能。4.如何通過X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)？答：X射線照射晶體產(chǎn)生衍射，通過測(cè)量衍射角等數(shù)據(jù)，利用布拉格方程等計(jì)算，確定晶胞參數(shù)、原子位置等，從而分析晶體結(jié)構(gòu)。討論題（總4題，每題5分）1.討論提高離子晶體導(dǎo)電性的方法。答：可通過升溫增加離子活性，或摻雜低價(jià)或高價(jià)離子形成空位等缺陷來提高導(dǎo)電性。2.談?wù)劸w生長技術(shù)在材料制備中的重要性。答：能制備高質(zhì)量晶體材料，滿足不同領(lǐng)域需求，如半導(dǎo)體、光學(xué)晶體等，對(duì)材料性能和應(yīng)用有重要影響。3.討論固體表面吸附對(duì)材料性能的影響。答：物理吸附影響材料表面性質(zhì)如潤濕