第3頁共4頁第4頁共4頁第第頁《集成電路封裝技術(shù)》考試試題（本試卷共4頁，滿分100分，90分鐘完卷；閉卷）班級：________________學(xué)號：________________姓名：________________題號一二三四五總分得分注意事項：1、答題前完整準(zhǔn)確填寫自己的姓名、班級、學(xué)號等信息2、請將答案按照順序?qū)懺诖痤}紙上，不必抄題，標(biāo)清題號。答在試題卷上不得分。一、選擇題（第1～10小題，每小題2分，共20分）1、下圖所示封裝屬于哪種封裝()。A.DIPB.BGAC.SOPD.QFP2、以塑料封裝為例，以下哪幾個工序不屬于前段制程（）？A.晶圓切割B.塑封固化C.芯片粘接D.引線鍵合3、晶圓切割的目的是（）？A.將晶圓分割成單個芯片B.提高晶圓導(dǎo)電性C.減少晶圓厚度D.增強晶圓機械強度4、晶圓減薄工藝中最常用的方法是（）？A.化學(xué)機械拋光B.機械減薄C.干法刻蝕D.激光燒蝕5、關(guān)于UV膜的特性，下列說法正確的是（）？A.UV照射后粘性增強，便于固定芯片B.UV照射前后粘性不變C.UV照射后粘性降低，便于芯片取放D.UV膜無需光照即可固化6、引線鍵合的主要目的是（）。A.實現(xiàn)芯片與外部電路的電氣連接B.提升芯片運算速度C.改善芯片散熱性能D.降低封裝材料成本7、以下哪種封裝屬于氣密性封裝（）A.QFNB.CDIPC.PBGAD.SOP8、激光打標(biāo)的主要用途是（）。A.在封裝表面刻印永久標(biāo)識B.提高芯片導(dǎo)電性能C.增強封裝結(jié)構(gòu)強度D.減少封裝材料用量9、電鍍中的陽極和陰極在實際電鍍中分別對應(yīng)（）。A.陽極→電鍍金屬，陰極→待鍍工件B.陽極→待鍍工件，陰極→電鍍金屬C.陽極→電鍍液，陰極→電源正極D.陽極→電源負(fù)極，陰極→電源正極10、切筋成型的主要目的是（）。A.提高封裝美觀度B.分離芯片與框架C.增強封裝強度D.降低封裝成本二、填空題（第11～14小題，每空2分，共20分）11、SOP英文簡寫的中文意思為。12、在半導(dǎo)體封裝中，兩種主流的引線鍵合技術(shù)是、。13、塑料封裝工藝中，最常用的封裝材料基體是樹脂。14、為提高引線框架的焊接性和抗氧化性，通常會在其表面電鍍一層。三、判斷題（第15～24小題，每小題2分，共20分，正確畫√，錯誤則畫×）15、（）晶圓減薄工藝可能導(dǎo)致晶圓翹曲，但不會影響其電學(xué)性能。16、（）激光切割因其高精度和低損傷，正逐漸取代傳統(tǒng)機械切割成為主流晶圓劃片技術(shù)。17、（）環(huán)氧樹脂因其高導(dǎo)熱性，是芯片粘接工藝的首選材料。18、（）點膠頭的選擇需考慮引線框架的尺寸和膠水特性，但并非所有框架都需要更換規(guī)格。19、（）銀漿需冷藏保存以防止氧化，使用前需回溫并攪拌去除氣泡。20、（）金線鍵合因成本低、導(dǎo)電性好，是引線鍵合工藝中的絕對主流材料。21、（）激光打標(biāo)通過化學(xué)蝕刻在封裝表面形成標(biāo)識，無需物理接觸。22、（）切筋成型工藝若操作不當(dāng)，可能導(dǎo)致引腳變形或封裝密封性下降。23、（）TSV技術(shù)通過硅片內(nèi)的垂直導(dǎo)電通道，實現(xiàn)三維堆疊芯片的高密度互連。24、（）RDL工藝通過金屬層重布線，使芯片焊盤位置適應(yīng)封裝需求。四、名詞解釋（第25～27小題，每小題6分，共18分）25、芯片粘接26、塑封27、BGA五、簡答題（第28～31小題，每小題8分，共32分）28、請闡述集成電路芯片封裝的層級劃分，并簡要說明每一層級的主要特點（至少包括1級、2級和3級封裝）。（8分）29、在晶圓減薄工序中，研磨砂輪的金剛砂直徑與硅片切削量及損傷程度存在關(guān)聯(lián)。具體而言，金剛砂直徑越大，在轉(zhuǎn)速恒定的情況下，可切削掉的硅片厚度隨之增加，產(chǎn)量也會相應(yīng)提升。但與此同時，較大直徑的金剛砂會致使硅片損傷層加厚，從而衍生出諸多不良后果。那么，在晶圓減薄的實際作業(yè)過程中，究竟應(yīng)采用怎樣的解決方案，才能夠達(dá)成提高產(chǎn)量、降低碎片率并契合客戶需求的多重目標(biāo)呢？（8分）30、在半導(dǎo)體封裝工藝中，球形鍵合（BallBonding）是最主流的引線鍵合技術(shù)之一，尤其適用于金線或銅線鍵合工藝。請結(jié)合以下要求回答問題：（8分）（1）工藝過