易錯(cuò)點(diǎn)17晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯(cuò)題【01】等離子體、液晶和離子液體的比較等離子體液晶離子液體構(gòu)成電子、陽離子和電中性粒子（分子或原子）苯甲酸膽甾酯體積很大的陰離子、陽離子特性具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性具有液體的流動(dòng)性、黏度、形變性等，具有晶體的各向異性難揮發(fā)、良好導(dǎo)電性、作溶劑易錯(cuò)題【02】“均攤法”與晶胞計(jì)算（1）長方體(包括立方體)晶胞中不同位置粒子數(shù)的計(jì)算：（2）“三棱柱”和“六棱柱”中不同位置粒子數(shù)的計(jì)算：（3）確定晶體的化學(xué)式（4）計(jì)算晶體的密度（5）原子空間利用率計(jì)算易錯(cuò)題【03】四種晶體類型的比較類型比較分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽離子和自由電子陰、陽離子粒子間的相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑常見溶劑難溶大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電易錯(cuò)題【04】晶體類型判斷（1）依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷由陰、陽離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體；由原子形成的共價(jià)鍵構(gòu)成的晶體為共價(jià)晶體；由分子依靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體；由金屬陽離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體。（2）依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷不同類型晶體熔點(diǎn)的一般規(guī)律：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，銫等熔點(diǎn)很低。易錯(cuò)題【05】晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較（1）看物質(zhì)所屬晶體類型，一般情況下，晶體的熔點(diǎn)：共價(jià)晶體＞離子晶體＞分子晶體。（2）同類晶體熔、沸點(diǎn)判斷思路：易錯(cuò)題【06】晶胞投影圖的分析（1）分析晶胞沿x軸方向（yz）、y軸方向（xz）、z軸方向（xy）的投影圖，確定晶胞中各粒子的具體位置。（2）結(jié)合晶胞參數(shù)，利用“均攤法”計(jì)算晶體的密度、原子的空間利用率等。（3）結(jié)合三維坐標(biāo)系及晶胞中原子的位置，確定相關(guān)原子的坐標(biāo)參數(shù)（或分?jǐn)?shù)坐標(biāo)）。易錯(cuò)題【07】典例分析例題1、理論計(jì)算預(yù)測，由汞（Hg）、鍺（Ge）、銻（Sb）形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體（晶胞如圖a所示）中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。

（1）圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是__________________。（2）圖c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為_________；該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg:Ge:Sb=_________。（3）設(shè)X的最簡式的式量為Mr，則X晶體的密度為________g/cm3（列出算式）?！窘馕觥浚?）對比圖b和圖c可知，X晶體的晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符合晶胞晶胞是晶體的最小重復(fù)單位要求，可能還有其他形式。（2）以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為2，右側(cè)晶胞中有2個(gè)Sb原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4。該晶胞中Sb原子均位于晶胞內(nèi)，因此1個(gè)晶胞中含有Sb原子數(shù)為8，Ge原子位于晶胞頂點(diǎn)、面心、體心，則1個(gè)晶胞中含有Ge原子數(shù)為1+8×+4×=4；Hg原子位于棱邊、面心，則1個(gè)晶胞中含有Hg原子數(shù)為6×+4×=4，則該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg：Ge：Sb=4：4：8=1：1：2。（3）1個(gè)晶胞的質(zhì)量m=4×MrNAg，1個(gè)晶胞的體積V=(x×10-7cm)2×(y×10-7cm)=xcm3，則X晶體的密度為mV=4×MrNA【答案】（1）圖b不具有“無隙并置”的特點(diǎn)（2）41：1：2（3）4×Mr例題2、在金屬材料中添加AlCr2顆粒，可以增強(qiáng)材料的耐腐蝕性、硬度和機(jī)械性能。AlCr2具有體心四方結(jié)構(gòu)，如圖所示。（1）處于頂角位置的是_______原子。（2）設(shè)Cr和Al原子半徑分別為rCr和rAl，則金屬原子空間占有率為_______%(列出計(jì)算表達(dá)式)。【解析】（1）AlCr2具有體心四方結(jié)構(gòu)，黑球個(gè)數(shù)為，白球個(gè)數(shù)為，結(jié)合化學(xué)式AlCr2推知，白球?yàn)镃r，黑球?yàn)锳l，即處于頂角位置的是Al原子。（2）設(shè)Cr和Al原子半徑分別為rCr和rAl，則金屬原子的總體積為，故金屬原子空間占有率=%?！敬鸢浮浚?）Al（2）例題3、（1）OF2的熔、沸點(diǎn)(填“高于”或“低于”)Cl2O，原因是。（2）硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域，晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是_______(填化學(xué)式)。（3）H2S、CH4、H2O的沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)?。【解析】?）OF2和Cl2O都是分子晶體，范德華力影響其熔、沸點(diǎn)，而相對分子質(zhì)量越大，范德華力越強(qiáng)，其熔、沸點(diǎn)越高。（2）晶體硅和碳化硅都是共價(jià)晶體，Si原子半徑大于C，則鍵長：Si—Si＞Si—C，鍵能：Si—Si＜Si—C，而鍵能越大，共價(jià)晶體的熔點(diǎn)越高，故熔點(diǎn)較高的是SiC。（3）H2S、CH4、H2O都形成分子晶體，H2O形成氫鍵，H2S、CH4只存在范德華力，且H2S的相對分子質(zhì)量大，范德華力大，其沸點(diǎn)高于CH4，故沸點(diǎn)：H2O＞H2S＞CH4。【答案】（1）OF2和Cl2O都是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，Cl2O的相對分子質(zhì)量大，Cl2O的熔、沸點(diǎn)高（2）SiC（3）H2O＞H2S＞CH4例題4、（1）XeF2晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，該晶胞中有個(gè)XeF2分子。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，，)。已知Xe—F鍵長為rpm，則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為；晶胞中A、B間距離d=___pm。（2）以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系CdSnAs2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下表所示。一個(gè)晶胞中有個(gè)Sn，找出距離Cd(0,0,0)最近的Sn(用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示)。CdSnAs2晶體中與單個(gè)Sn鍵合的As有個(gè)?！窘馕觥浚?）坐標(biāo)原點(diǎn)是黑球Cd(0,0,0)，又知晶體的化學(xué)式為CdSnAs2，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)推知，Sn是白球，As是灰球。有4個(gè)Sn位于棱上(折合為1個(gè))，另外有6個(gè)Sn位于面上(折合為3個(gè))，共4個(gè)Sn。距離Cd(0,0,0)最近的Sn有兩個(gè)，分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)。觀察圖中白球和灰球的關(guān)系,可知與單個(gè)Sn結(jié)合的As有4個(gè)?！敬鸢浮浚?）2(0，0，)（2）4(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)4例題5、（1）以Zn為頂點(diǎn)的ZnGeP2晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①Zn的配位數(shù)為_______。②以Ge為頂點(diǎn)的晶胞中，Zn原子位于_______。（2）氮、銅形成的一種化合物，為立方晶系晶體，晶胞參數(shù)為，沿面對角線投影如圖所示。已知該晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為：則該晶胞中，與Cu原子等距且最近的Cu原子有_______個(gè)。【解析】（1）①以體心的Zn為例，距離其最近且距離相等的原子有4個(gè)，所以配位數(shù)為4；②結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，若以以Ge為頂點(diǎn)的晶胞中，Zn原子位于棱心、面心。（2）結(jié)合投影以及部分Cu、N原子的坐標(biāo)可知N原子位于立方體的頂點(diǎn)，Cu原子位于棱心，距離Cu原子相等且最近的Cu原子位于相鄰的棱上，所以個(gè)數(shù)為8。【答案】（1）①4②棱心、面心（2）81．（2022·廣東·佛山市南海區(qū)九江中學(xué)高三階段練習(xí)）我國科學(xué)家以碳60為原料，制造出一種單層碳60聚合物單晶新材料(局部結(jié)構(gòu)如圖)。下列有關(guān)說法不正確的是A．單層聚合C60與金剛石互為同素異形體B．C60中的12C中子數(shù)為6C．C60和石墨均為分子晶體D．單層聚合碳60中有非極性共價(jià)鍵2．（2022·江蘇省包場高級(jí)中學(xué)高三開學(xué)考試）乙醛與新制氫氧化銅懸濁液反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)如下：步驟1：向試管中加入溶液，邊振蕩邊滴加4～6滴溶液，觀察到有藍(lán)色絮狀沉淀產(chǎn)生。步驟2：再向試管中加入乙醛溶液，加熱，觀察到有紅色沉淀產(chǎn)生。下列說法不正確的是A．乙醛分子中元素的電負(fù)性：B．步驟1中可用過量的氨水代替NaOH溶液C．上述實(shí)驗(yàn)說明新制氫氧化銅能被乙醛還原D．上圖所示的Cu2O晶胞中銅原子的配位數(shù)為23．（2022·遼寧朝陽·高三階段練習(xí)）磷化硼是一種耐磨涂料，可用作金屬的表面保護(hù)層。磷化硼晶體晶胞(立方體)如圖所示。已知原子坐標(biāo)為，為，晶胞的密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值用表示。下列說法中正確的是A．磷原子的配位數(shù)為12B．圖中a原子的坐標(biāo)是C．磷化硼晶體的晶胞邊長為D．電負(fù)性：4．（2022·北京·高三開學(xué)考試）鈉的一種氧化物的正方體晶胞如圖所示(“●”或“○”均表示一個(gè)簡單離子)。下列說法正確的是A．該氧化物的化學(xué)式為Na2O2B．晶胞中連接“○”與“●”的線段表示共價(jià)鍵C．晶胞中與“○”最近且等距的“●”的數(shù)目為4D．該晶體中“○”與“●”的核外電子排布相同5．（2022·湖北·高三開學(xué)考試）金剛砂與金剛石具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，硬度為9.5，熔點(diǎn)為2700℃，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是A．該晶體屬于共價(jià)晶體，熔點(diǎn)比金剛石高B．C位于Si構(gòu)成的正四面體空隙中C．C—Si的鍵長為apm，則晶胞邊長為2apmD．金剛砂中C原子周圍等距且最近的C原子數(shù)為66．（2022·湖南·長郡中學(xué)高三階段練習(xí)）通過反應(yīng)4BI(g)+As4(g)4BAs(s，晶體)+6I2(g)可制備具有超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體材料——BAs晶體。下列說法錯(cuò)誤的是A．圖(a)表示As4結(jié)構(gòu)，As4分子中成鍵電子對數(shù)與孤對電子數(shù)之比為3：1B．圖(b)表示單質(zhì)硼晶體B12的基本結(jié)構(gòu)單元，該基本單元為正二十面體C．圖(b)所示單質(zhì)硼晶體的熔點(diǎn)為2180℃，它屬于共價(jià)晶體D．圖(c)表示BAs的晶胞結(jié)構(gòu)，距離As原子最近且相等的B原子有4個(gè)7．（2022·四川·鹽亭中學(xué)一模）以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系CdSnAs2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如表所示。下列說法不正確的是XYZCd000Sn000.5As0.250.250.25A．灰色大球代表AsB．一個(gè)晶胞中有4個(gè)SnC．CdSnAs2晶體中與單個(gè)Sn鍵合的As有2個(gè)D．距離Cd(0，0，0)最近的Sn的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是(0.5，0，0.25)和(0.5，0.5，0)8．（2022·重慶市育才中學(xué)高三開學(xué)考試）已知，圖甲為金屬鈉的晶胞，晶胞邊長為apm，圖乙為金屬鈉的晶胞截面，圖丙為Li2S晶胞截面(已知Li2S的晶體結(jié)構(gòu)與CaF2相似)。假設(shè)晶胞邊長為dpm，則下列關(guān)于Li2S晶胞的描述錯(cuò)誤的是A．每個(gè)晶胞中含有的S2-數(shù)目為4B．與Li+距離最近且相等的S2-有4個(gè)C．與Li+距離最近且相等的Li+有12個(gè)D．該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和S2-的核間距的計(jì)算表達(dá)式為9．（2022·江蘇南通·高三開學(xué)考試）能與懸浮在大氣中的海鹽粒子作用，反應(yīng)為(CINO各原子均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu))。下列說法正確的是A．晶體屬于分子晶體 B．ClNO的結(jié)構(gòu)式為C．NaCl晶胞中的配位數(shù)為12 D．是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子10．（2022·山西·大同市第二中學(xué)校高三開學(xué)考試）某Ba-Ti-O晶體具有良好的電學(xué)性能，其晶胞為立方晶胞(如圖)，晶胞參數(shù)為apm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說法錯(cuò)誤的是A．化學(xué)式為 B．的配位數(shù)為6C．位于的八面體空隙 D．晶體的密度為11．（2022·浙江·高三開學(xué)考試）已知非金屬元素A、B、C、D是原子序數(shù)依次增大的4種短周期元素，其中A是元素周期表中原子半徑最小的元素，D是地殼中含量最多的元素，B原子核外電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍，E原子核外電子層數(shù)為4，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)與A相同。下列有關(guān)說法正確的是A．元素B、C、D的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篋>C>BB．由A與C以個(gè)數(shù)比1∶1組成的化合物中不可能含有離子鍵C．A與B、A與C、A與D均能形成18電子的分子D．如圖為D和E兩種元素組成的化合物的晶胞，則E離子的配位數(shù)為412．（2022·山東日照·高三開學(xué)考試）的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如(a)所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體。電池充電時(shí)，脫出轉(zhuǎn)化如圖，下列說法正確的是A．每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為B．晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為C．晶胞中價(jià)原子個(gè)數(shù)為D．當(dāng)轉(zhuǎn)化為時(shí)，每轉(zhuǎn)移電子，消耗13.我國科學(xué)家發(fā)明了高選擇性的二氧化碳加氫合成甲醇的催化劑，其組成為ZnO/ZrO2固溶體，四方ZrO2晶胞如圖所示。（1）Zr4+離子在晶胞中的配位數(shù)是________。晶胞參數(shù)為apm、apm、cpm，該晶體密度為______g·cm-3（寫出表達(dá)式）。（2）在ZrO2中摻雜少量ZrO后形成的催化劑，化學(xué)式可表示為ZnxZr1－xOy，則y=________（用x表達(dá)）。14.GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm－3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①該晶體的類型為________，Ga與As以________鍵鍵合。②Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol－1和MAsg·mol－1，原子半徑分別為rGapm和rAspm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_______。15.As與Co形成的某種化合物的晶胞如圖(a)所示，其中部分晶胞中As的位置如圖(b)所示。（1）該化合物的化學(xué)式為。（2）若化合物的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1，密度為ρg·cm-3。Co和As原子半徑分別為r1pm和r2pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為(列出表達(dá)式即可)。16.（1）Fe、Co、Ni是三種重要的金屬元素。三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類型相同，其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椤?/p>

（2）Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示，TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高，原因是。

化合物TiF4TiCl4TiI4熔點(diǎn)/℃377－24.12155（3）一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示：氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/°C1570280023.8－75.5解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因：______________________________。17.氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料。晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被N原子代替(如b)，頂點(diǎn)和面心的碳原子被Ga原子代替(如a)。（1）寫出N的價(jià)電子排布式_____________。（2）基態(tài)Ga原子核外電子能量最高的電子所占的能級(jí)是________。（3）與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______，晶胞中離同一個(gè)N原子最近的其他N原子個(gè)數(shù)為_______。（4）以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。若沿y軸投影的晶胞中所有原子的分布圖如圖，4原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是___________。a．(0.75，0.25，0.25)b．(0.25，0.75，0.75)c．(0.25，0.75，0.25)d．(0.75，0.75，0.75)（5）GaN晶體中N和N的原子核間距為apm，GaN摩爾質(zhì)量為Mg?mol-1，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則GaN晶體的密度為_________g·cm-3(1pm=10-12m)。18.(1)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為________，微粒間存在的作用力是________，SiC和晶體Si的熔、沸點(diǎn)高低順序是________________。(2)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為________(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是_____。(3)C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2的化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大的不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成π鍵。從原子半徑大小的角度分析，C、O原子間能形成π鍵，而Si、O原子間不能形成π鍵的原因是____________。SiO2屬于________晶體，CO2屬于________晶體，所以熔點(diǎn)：CO2________SiO2(填“<”“＝”或“>”)。(4)金剛石、晶體硅、二氧化硅、CO24種晶體的構(gòu)成微粒種類分別是_______________，熔化時(shí)克服的微粒間的作用力分別是___________________________。參考答案1．C【詳解】A．單層聚合C60與金剛石都是由碳元素組成的單質(zhì)，兩者互為同素異形體，故A正確；B．12C原子的質(zhì)量數(shù)為12，則中子數(shù)為12-6=6，故B正確；C．C60分子是由60個(gè)碳原子通過共價(jià)鍵結(jié)合形成的分子，其固體為分子晶體，而石墨晶體形成二維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)每個(gè)碳原子以共價(jià)鍵與周圍的三個(gè)碳原子結(jié)合，層間為分子間作用力，是一種混合晶體，故C錯(cuò)誤；D．由圖可知，單層聚合碳60由碳60簇籠在平面上通過碳碳鍵結(jié)合而成，碳碳鍵屬于非極性共價(jià)鍵，故D正確；答案選C。2．B【詳解】A．同周期主族元素從左向右電負(fù)性逐漸變大，所以O(shè)>C。在烴類有機(jī)物中，C常顯負(fù)價(jià)，H常顯正價(jià)，說明在化合物中共用電子對更偏向C，說明電負(fù)性C>H。于是，電負(fù)性O(shè)>C>H。A正確。B．在氨水中滴加CuSO4，由于氨水過量發(fā)生如下反應(yīng)：和，不能得到藍(lán)色絮狀沉淀。B錯(cuò)誤。C．實(shí)驗(yàn)過程中Cu(OH)2轉(zhuǎn)化成Cu2O，銅元素化合價(jià)從+2減低到+1，發(fā)生還原反應(yīng)。C正確。D．依據(jù)分?jǐn)偡芍咨珗A點(diǎn)個(gè)數(shù)為個(gè)；黑色圓點(diǎn)個(gè)數(shù)為4個(gè)。據(jù)此可知白色圓點(diǎn)代表O2-，黑色圓點(diǎn)代表Cu+。4個(gè)Cu+分別位于4條體對角線的上處或下處，于是距離Cu+最近的O2-有2個(gè)（1個(gè)在頂點(diǎn)，1個(gè)在體心），即配位數(shù)為2。D正確。綜上所述，應(yīng)選B。3．C【詳解】A．以上底面面心P原子為研究對象，與之距離最近且相等的硼原子為該晶胞內(nèi)部上層2個(gè)B原子，還有上層晶胞內(nèi)部下層2個(gè)B原子，即磷原子的配位數(shù)為4，A錯(cuò)誤；B．圖中a原子處于上層、左側(cè)、后方晶胞體心位置，可知a左側(cè)面距離為晶胞棱長的，即，到前平面、下底面距離均為晶胞棱長的，則坐標(biāo)參數(shù)，則a原子的坐標(biāo)為，B錯(cuò)誤；C．根據(jù)均攤法一個(gè)晶胞中含有P個(gè)數(shù)為，含有B個(gè)數(shù)為4，設(shè)晶胞邊長為xcm，則，C正確；D．電負(fù)性P大于B，D錯(cuò)誤；故答案選C。4．D【詳解】由晶胞圖可知，黑色原子有8個(gè)在體內(nèi)，白色原子有8個(gè)在頂點(diǎn)、6個(gè)在面心，根據(jù)均攤法進(jìn)行計(jì)算，，可知白色原子和黑色原子之比為1：2，故該氧化物為Na2O，白色的為氧離子，黑色的為鈉離子，據(jù)此分析解答。A．由分析可知，該氧化物的化學(xué)式為Na2O，A錯(cuò)誤；B．氧化鈉中含有離子鍵，晶胞中連接氧離子與鈉離子的線段表示離子鍵，B錯(cuò)誤；C．由晶胞圖可知，晶胞中與氧離子最近且等距的鈉離子的數(shù)目為8，C錯(cuò)誤；D．鈉離子和氧離子的核外電子數(shù)均為10，最外層電子均為8，核外電子排布相同，D正確；故答案選D。5．B【詳解】A．金剛砂與金剛石具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，SiC屬于共價(jià)晶體，C-Si鍵長長于C-C鍵，故熔點(diǎn)比金剛石低，故A錯(cuò)誤；B．距離C原子最近且等距離的Si原子個(gè)數(shù)是4，且四個(gè)Si原子構(gòu)成正四面體結(jié)構(gòu)，所以C位于Si構(gòu)成的四面體空隙中，故B正確；C．C-Si鍵的長度為晶胞體對角線長度的，設(shè)晶胞棱長為x，則，所以x=，故C錯(cuò)誤；D．以SiC晶胞頂角上的碳原子為研究對象，每個(gè)C原子周圍最近且等距的C原子位于面心，由于頂點(diǎn)碳原子為8個(gè)晶胞共有，則C原子周圍等距且最近的C原子數(shù)為12，故D錯(cuò)誤；故選B。6．A【詳解】A．圖(a)表示結(jié)構(gòu)，每個(gè)原子最外層有5個(gè)電子，形成3個(gè)鍵，還有1對孤對電子，分子中成鍵電子對數(shù)(共6對)與孤對電子數(shù)(共4對)之比為3∶2，A錯(cuò)誤；B．圖(b)表示單質(zhì)硼晶體的基本結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)面都是由3個(gè)B原子形成的正三角形，一共有20個(gè)正三角形，所以該基本單元為正二十面體，B正確；C．單質(zhì)硼晶體的熔點(diǎn)為，熔點(diǎn)較高，且原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合，屬于共價(jià)晶體，C正確；D．晶胞中，較大的原子為原子，距離原子最近且相等的B原子有4個(gè)，D正確；答案選A。7．C【詳解】由部分Cd原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)(0，0，0)，可知8個(gè)Cd在晶胞的頂點(diǎn)，4個(gè)Cd在晶胞的面心，1個(gè)在晶胞的體心；部分Sn原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0.5)，4個(gè)Sn在晶胞的棱上，6個(gè)Sn在晶胞的面心，部分As原子的坐標(biāo)為(0.25，0.25，0.125)，8個(gè)As在晶胞的體心；所以一個(gè)晶胞中含有Sn的個(gè)數(shù)為：；距離Cd(0，0，0)最近的Sn是(0.5，0，0.25)、(0.5，05，0)；由圖可知，CdSnAs2晶體中與單個(gè)Sn鍵合的As有4個(gè)，以此解答該題。A．由以上分析可知，部分As原子的坐標(biāo)為(0.25，0.25，0.125)，則As位于晶胞的體心，可知灰色大球代表As，故A正確；B．4個(gè)Sn在晶胞的棱上,6個(gè)Sn在晶胞的面心，則一個(gè)晶胞中含有Sn的個(gè)數(shù)為：，故B正確；C．CdSnAs2晶體中，晶胞面上的Sn除與該晶胞中的2個(gè)As鍵合外，還有相鄰晶胞中的2個(gè)As鍵合，晶胞棱上的Sn除與該晶胞中的1個(gè)As鍵合外，還與相鄰晶胞中的3個(gè)As鍵合，故晶體中與單個(gè)Sn鍵合的As有4個(gè)，故C錯(cuò)誤；D．距離Cd(0，0，0)最近的Sn是(0.5，0，0.25)、(0.5，05，0)，故D正確；故答案選C。8．C【詳解】根據(jù)圖丙可知Li2S的晶胞結(jié)構(gòu)為：，據(jù)此分析解答。A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知在該晶胞中S2-個(gè)數(shù)=8×+6×=4，A正確；B．每個(gè)Li+連接4個(gè)距離最近且相等的S2-，所以與Li+距離最近且相等的S2-有4個(gè)，B正確；C．該晶胞中含有8個(gè)Li+，兩個(gè)距離最近的Li+之間距離為晶胞邊長d的一半，與Li+距離最近且相等的Li+有6個(gè)，分別位于該Li+的上、下、前、后、左、右六個(gè)方向，C錯(cuò)誤；D．該晶胞中該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和S2-的核間距為晶胞體對角線的，該晶胞邊長為dpm，體對角線為，則該晶胞中該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li+和S2-的核間距的計(jì)算表達(dá)式為，D正確；故合理選項(xiàng)是C。9．B【詳解】A．晶體屬于離子晶體，故A錯(cuò)誤；B．ClNO各原子均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)則，O原子要連兩根共價(jià)鍵，N原子要連三根共價(jià)鍵，Cl原子要連一根共價(jià)鍵，結(jié)構(gòu)式為，故B正確；C．配位數(shù)指的是某個(gè)離子周圍的異種電荷的離子數(shù)，所以,NaCl中Na+周圍的Cl-是6個(gè)，配位數(shù)為6，故C錯(cuò)誤；D．是由極性鍵構(gòu)成的極性分子，故D錯(cuò)誤；正確答案是B。10．B【詳解】A．位于頂點(diǎn)，晶胞中其數(shù)目為1，位于體心，晶胞中其數(shù)目為1，位于面心，晶胞中其數(shù)目為3，故化學(xué)式為，A正確；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，周圍有12個(gè)，則的配位數(shù)為12，B錯(cuò)誤；C．位于的八面體空隙，C正確；D．位于面心，晶胞中其數(shù)目為3，分子式為，所以其密度為，D正確；故選B。11．C【詳解】A是元素周期表中原子半徑最小的元素，則為H元素；D是地殼中含量最多的元素，為O元素；B原子核外電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍，假設(shè)未成對電子數(shù)為1，則核外電子數(shù)為3，不符合題意，假設(shè)未成對電子數(shù)為2，則核外電子數(shù)為6，為C元素；非金屬元素A、B、C、D是原子序數(shù)依次增大的4種短周期元素，所以C為N元素；E原子核外電子層數(shù)為4，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)與A相同，則E為Cu元素，據(jù)此分析解答。根據(jù)上述分析可知，A、B、C、D、E分別為H、C、N、O、Cu元素，據(jù)此分析解答。A．VA族的p能級(jí)處于半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，比同周期VIA族的第一電離能大，元素B、C、D的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篊(N)>D(O)>B(C)，A錯(cuò)誤；B．C為N元素，則含N和H的化合物中含銨根離子，銨根離子與陰離子之間存在離子鍵，B錯(cuò)誤；C．A與B可形成C2H6、A與C可形成N2H4、A與D可形成H2O2，均能形成18電子的分子，C正確；D．D為O元素，E為Cu元素，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，白球與黑球的個(gè)數(shù)比為=1：2，所以白球是O，黑球?yàn)镃u，則E離子的配位數(shù)為2，D錯(cuò)誤；故選C。12．C【詳解】由(a)圖可知，LiFePO4晶胞中小球表示鋰離子，位于頂點(diǎn)、面心和棱上的鋰離子個(gè)數(shù)為，則晶胞中含有4個(gè)LiFePO4；由(b)圖可知，與LiFePO4晶胞相比，Li1—xFePO4晶胞缺失1個(gè)面心和1個(gè)棱上鋰離子，晶胞中鋰離子的個(gè)數(shù)為，則，解得x=0.1875，Li1—xFePO4為Li0.8125FePO4，設(shè)Li0.8125FePO4中亞鐵離子和鐵離子數(shù)目分別為a和b，由鐵原子個(gè)數(shù)守恒可得：a+b=1，由化合價(jià)代數(shù)和為0可得：0.8125+2a+3b+5=8，解得a=0.8125、b=0.1875。A．由分析可知，每個(gè)Li1—xFePO4晶胞中含有4(1—x)個(gè)鋰離子，故A錯(cuò)誤；B．由分析可知，Li0.8125FePO4中鐵離子數(shù)目為0.1875，則1molLiFePO4晶胞完全轉(zhuǎn)化為Li1—xFePO4晶胞失去電子的數(shù)目為1mol×0.1875×4×NAmol—1=0.75NA，故B錯(cuò)誤；C．由分析可知，Li0.8125FePO4中亞鐵離子數(shù)目為0.8125，則1molLi1—xFePO4晶胞中亞鐵離子的數(shù)目為1mol×0.8125×4×NAmol—1=3.25NA，故C正確；D．由分析可知，F(xiàn)ePO4轉(zhuǎn)化為Li1—xFePO4時(shí)，得到(1—x)個(gè)電子，消耗(1—x)個(gè)鋰離子，則1molFePO4轉(zhuǎn)化為Li1—xFePO4時(shí)，得到(1—x)mol電子，消耗(1—x)mol鋰離子，故D錯(cuò)誤；故選C。13.（1）8（2）2－x【解析】（1）以晶胞中右側(cè)面心的Zr4+為例，同一晶胞中與Zr4+最近且等距離的O2—有4個(gè)，同理可知右側(cè)晶胞中也有4個(gè)O2—，故在晶胞中Zr4+的配位數(shù)為4+4=8。1個(gè)晶胞中含有4個(gè)ZrO2微粒，1個(gè)晶胞的質(zhì)量m(晶胞)=；1個(gè)晶胞的體積為V(晶胞)=(a×10—10cm)×(a×10—10cm)×(c×10—10cm)=a2c×10—30cm3，故該晶體密度為ρ=m(晶胞)/V(晶胞)==g·cm—3。（2）在ZrO2中摻雜少量ZrO后形成的催化劑，化學(xué)式可表示為ZnxZr1-xOy，其中Zn元素為+2價(jià)，Zr為+4價(jià)，O元素為－2價(jià)，根據(jù)化合物化合價(jià)為0可知2x+4×(1－x)=2y，解得y=2－x。14.（1）共價(jià)晶體共價(jià)（2）【解析】（1）GaAs的熔點(diǎn)很高，則其晶體類型為共價(jià)晶體，Ga和As以共價(jià)鍵鍵合。（2）由晶胞結(jié)構(gòu)可知一個(gè)晶胞中含有As、Ga原子的個(gè)數(shù)均為4，則晶胞的體積為，又知二者的原子半徑分別為rGapm和rAspm，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為×100%=。15.（1）CoAs3（2）【解析】（1）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，b為晶胞的一半，As在晶胞的內(nèi)部，則晶胞中含有As的個(gè)數(shù)=4×3×2=24，Co在晶胞的頂點(diǎn)、棱上、面心和體內(nèi)，個(gè)數(shù)=8×+12×+6×+1=8，N(Co)：N(As)=8：24=1：3，則化學(xué)式為CoAs3。（2）根據(jù)晶胞的化學(xué)式及結(jié)構(gòu)，則1mol晶胞的質(zhì)量為8Mg，晶胞的體積為cm3，晶胞中Co和As原子的體積=(8r+24r)×10-30cm3，則晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為。16.（1）NiO>CoO>FeO（2）TiF4為離子化合物，熔點(diǎn)高，其他三種均為共價(jià)化合物，隨相對分子質(zhì)量的增大分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高（3）Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體，離子鍵MgO＞Li2O，分子間作用力(相對分子質(zhì)量)P4O6＞SO2【解析】（1）三種元素二價(jià)氧化物的晶胞類型相同，離子半徑Fe2+>Co2+>Ni2+，離子鍵按FeO、CoO、NiO的