多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)考核試卷一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30題）1.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，主要關(guān)注的元素是？A.NaB.AlC.FeD.Ca2.以下哪種方法不屬于多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)的常用方法？A.ICP-MSB.XPSC.SEMD.AFM3.多晶硅片中，哪種元素對(duì)電學(xué)性能影響最大？A.OB.CC.HD.F4.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其靈敏度大約是？A.10^-6g/gB.10^-9g/gC.10^-12g/gD.10^-15g/g5.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要來(lái)源于？A.環(huán)境污染B.原材料C.設(shè)備污染D.以上都是6.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其主要檢測(cè)的是？A.金屬元素B.非金屬元素C.碳?xì)浠衔顳.氧化物7.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)對(duì)電學(xué)性能影響最??？A.OB.CC.HD.N8.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的標(biāo)準(zhǔn)是？A.ASTME1932B.IEC61726C.ISO11235D.SEMIPV31209.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致漏電？A.NaB.AlC.FeD.Ca10.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)范圍大約是？A.10^-6g/g至10^-9g/gB.10^-9g/g至10^-12g/gC.10^-12g/g至10^-15g/gD.10^-15g/g至10^-18g/g11.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？A.電學(xué)性能B.光學(xué)性能C.力學(xué)性能D.化學(xué)性能12.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)深度大約是？A.1nmB.5nmC.10nmD.20nm13.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)最容易導(dǎo)致電阻率升高？A.OB.CC.HD.N14.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的設(shè)備是？A.ICP-MSB.XPSC.SEMD.以上都是15.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致晶體缺陷？A.NaB.AlC.FeD.Ca16.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)速度大約是？A.1s/elementB.10s/elementC.1min/elementD.10min/element17.多晶硅片中的非金屬雜質(zhì)主要來(lái)源于？A.環(huán)境污染B.原材料C.設(shè)備污染D.以上都是18.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)精度大約是？A.0.1at%B.1at%C.10at%D.100at%19.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電導(dǎo)率降低？A.OB.CC.HD.N20.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的樣品制備方法是？A.切割B.拋光C.腐蝕D.以上都是21.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致光學(xué)性能下降？A.NaB.AlC.FeD.Ca22.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)成本大約是？A.1000USDB.5000USDC.10000USDD.50000USD23.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較??？A.電學(xué)性能B.光學(xué)性能C.力學(xué)性能D.化學(xué)性能24.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)效率大約是？A.1sample/hourB.10samples/hourC.1sample/minD.10samples/min25.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)最容易導(dǎo)致漏電？A.OB.CC.HD.N26.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的數(shù)據(jù)處理方法是？A.統(tǒng)計(jì)分析B.回歸分析C.機(jī)器學(xué)習(xí)D.以上都是27.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電學(xué)性能下降？A.NaB.AlC.FeD.Ca28.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)靈敏度大約是？A.10^-6g/gB.10^-9g/gC.10^-12g/gD.10^-15g/g29.多晶硅片中的非金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？A.電學(xué)性能B.光學(xué)性能C.力學(xué)性能D.化學(xué)性能30.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)深度大約是？A.1nmB.5nmC.10nmD.20nm二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20題）1.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的方法有？A.ICP-MSB.XPSC.SEMD.AFM2.多晶硅片中，常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有？A.NaB.AlC.FeD.Ca3.多晶硅片中，常見(jiàn)的非金屬雜質(zhì)有？A.OB.CC.HD.N4.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其優(yōu)點(diǎn)有？A.高靈敏度B.高速度C.高精度D.高成本5.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其優(yōu)點(diǎn)有？A.高靈敏度B.高深度C.高精度D.高成本6.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的標(biāo)準(zhǔn)有？A.ASTME1932B.IEC61726C.ISO11235D.SEMIPV31207.多晶硅片中，金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？A.電學(xué)性能B.光學(xué)性能C.力學(xué)性能D.化學(xué)性能8.多晶硅片中，非金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？A.電學(xué)性能B.光學(xué)性能C.力學(xué)性能D.化學(xué)性能9.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的設(shè)備有？A.ICP-MSB.XPSC.SEMD.AFM10.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電學(xué)性能下降？A.NaB.AlC.FeD.Ca11.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致光學(xué)性能下降？A.OB.CC.HD.N12.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的樣品制備方法有？A.切割B.拋光C.腐蝕D.以上都是13.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)最容易導(dǎo)致漏電？A.OB.CC.HD.N14.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的數(shù)據(jù)處理方法有？A.統(tǒng)計(jì)分析B.回歸分析C.機(jī)器學(xué)習(xí)D.以上都是15.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致晶體缺陷？A.NaB.AlC.FeD.Ca16.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)范圍大約是？A.10^-6g/g至10^-9g/gB.10^-9g/g至10^-12g/gC.10^-12g/g至10^-15g/gD.10^-15g/g至10^-18g/g17.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要來(lái)源于？A.環(huán)境污染B.原材料C.設(shè)備污染D.以上都是18.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)深度大約是？A.1nmB.5nmC.10nmD.20nm19.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電導(dǎo)率降低？A.OB.CC.HD.N20.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的標(biāo)準(zhǔn)有？A.ASTME1932B.IEC61726C.ISO11235D.SEMIPV3120三、判斷題（每題1分，共20題）1.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要來(lái)源于設(shè)備污染。（×）2.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)靈敏度大約是10^-9g/g。（√）3.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)最容易導(dǎo)致漏電？答案是H。（√）4.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)深度大約是5nm。（√）5.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電學(xué)性能下降？答案是Fe。（×）6.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的樣品制備方法是切割。（√）7.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致光學(xué)性能下降？答案是O。（√）8.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)速度大約是10s/element。（√）9.多晶硅片中的非金屬雜質(zhì)主要來(lái)源于原材料。（×）10.XPS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)效率大約是1sample/min。（×）11.多晶硅片中，哪種非金屬雜質(zhì)最容易導(dǎo)致漏電？答案是C。（×）12.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的數(shù)據(jù)處理方法是統(tǒng)計(jì)分析。（√）13.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致晶體缺陷？答案是Ca。（×）14.ICP-MS檢測(cè)多晶硅片雜質(zhì)時(shí)，其檢測(cè)成本大約是5000USD。（√）15.多晶硅片中的金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？答案是電學(xué)性能。（√）16.多晶硅片中，非金屬雜質(zhì)主要對(duì)哪種性能影響較大？答案是光學(xué)性能。（√）17.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的設(shè)備有ICP-MS。（√）18.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致電學(xué)性能下降？答案是Al。（×）19.多晶硅片中，哪種元素最容易導(dǎo)致光學(xué)性能下降？答案是C。（×）20.多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)中，常用的標(biāo)準(zhǔn)是SEMIPV3120。（√）四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共2題）1.簡(jiǎn)述多晶硅片雜質(zhì)含量檢測(cè)的常用方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。答：多晶硅片雜質(zhì)含量